JPH02137224A - 微細パターン形成方法 - Google Patents
微細パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH02137224A JPH02137224A JP29086788A JP29086788A JPH02137224A JP H02137224 A JPH02137224 A JP H02137224A JP 29086788 A JP29086788 A JP 29086788A JP 29086788 A JP29086788 A JP 29086788A JP H02137224 A JPH02137224 A JP H02137224A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic layer
- pattern
- patterns
- resist
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 6
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 abstract description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 abstract description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、セラミックス基板、金属基板あるいは有機物
基板上に、リフトオフ法により高温で金属、無機化合物
または有機化合物パターンを形成する場合の微細パター
ン形成方法に関する。
基板上に、リフトオフ法により高温で金属、無機化合物
または有機化合物パターンを形成する場合の微細パター
ン形成方法に関する。
従来、リフトオフ法によって、セラミックス基板、金属
基板あるいは有機物基ｖｉ（以下単に基板という）上に
パターンを形成する場合、基板上にフォトレジストまた
は電離放射線レジスト（以下単にレジストという）を塗
布し、ブリヘーク後これを露光し、その後現像により基
板上に逆テーパー型のレジストパターンを形成し、さら
にポストベークを行ってパターンに耐熱性と密着性を持
たせ、次にこの基板に金属、無機化合物あるいは有機化
合物をスバシタ法、蒸着法あるいはＣＶＤ法によって成
膜し、最終的にレジストパターン部分を剥離することに
よって金属、無機化合物あるいは有機化合物のパターン
を形成している。
基板あるいは有機物基ｖｉ（以下単に基板という）上に
パターンを形成する場合、基板上にフォトレジストまた
は電離放射線レジスト（以下単にレジストという）を塗
布し、ブリヘーク後これを露光し、その後現像により基
板上に逆テーパー型のレジストパターンを形成し、さら
にポストベークを行ってパターンに耐熱性と密着性を持
たせ、次にこの基板に金属、無機化合物あるいは有機化
合物をスバシタ法、蒸着法あるいはＣＶＤ法によって成
膜し、最終的にレジストパターン部分を剥離することに
よって金属、無機化合物あるいは有機化合物のパターン
を形成している。
リフトオフ法に用いられるレジストは逆テーパーを形成
する必要があるため、通常は逆テーパーを形成しやすい
ノボラック系ポジ型レジスト、メタクリレート系ポジ型
レジストなとのポジ型レジストを使用している。
する必要があるため、通常は逆テーパーを形成しやすい
ノボラック系ポジ型レジスト、メタクリレート系ポジ型
レジストなとのポジ型レジストを使用している。
前述したように、リフトオフ法においてはレジストパタ
ーンを逆テーパーに形成しなければならないことから使
用できるレジストが限定され、その中で一般的に多く用
いられるレジストはポジ型のノボラック系、或いはメタ
クリレート系などであるが、これらのレジストは耐熱性
が百数十度であり、２００°Ｃ程度以上でのリフトオフ
バクーン形成には使用できない。また、逆テーパーを形
成するためには、それなりの露光条件や現像条件等の工
程を検討する必要があり、逆テーパー形状を形成するこ
とは容易ではない。例えば、電子線レジストを逆テーパ
ーに形成するためには、通常の適正露光量よりも多い露
光量が必要なため、設計線幅どうりにパターンを形成す
ることは困難である。
ーンを逆テーパーに形成しなければならないことから使
用できるレジストが限定され、その中で一般的に多く用
いられるレジストはポジ型のノボラック系、或いはメタ
クリレート系などであるが、これらのレジストは耐熱性
が百数十度であり、２００°Ｃ程度以上でのリフトオフ
バクーン形成には使用できない。また、逆テーパーを形
成するためには、それなりの露光条件や現像条件等の工
程を検討する必要があり、逆テーパー形状を形成するこ
とは容易ではない。例えば、電子線レジストを逆テーパ
ーに形成するためには、通常の適正露光量よりも多い露
光量が必要なため、設計線幅どうりにパターンを形成す
ることは困難である。
また、従来のリフトオフ法により２００°Ｃ程度以上の
高温でスパッタ、蒸着またはＣＶＤで成膜する場合、通
常のレジストでは耐熱性が百数十度程度であるため、逆
テーパー形状をしたレジストパターンは成膜時に変形し
てしまい、レジストパターンの剥離が不可能になるか、
あるいは剥離ができたとしても設計した線幅どうりのパ
ターンを得ることは不可能であるという問題点がある。
高温でスパッタ、蒸着またはＣＶＤで成膜する場合、通
常のレジストでは耐熱性が百数十度程度であるため、逆
テーパー形状をしたレジストパターンは成膜時に変形し
てしまい、レジストパターンの剥離が不可能になるか、
あるいは剥離ができたとしても設計した線幅どうりのパ
ターンを得ることは不可能であるという問題点がある。
また従来の現像によってレジストパターンを形成する場
合には、セラミックスのようなピットの多い基板では現
像液の基板へのしみ込みにより、現像時にレジストパタ
ーンが剥げてしまってパターン形成できないことや、基
板にピットが存在しない場合にも基板とレジストとの密
着性が悪い場合には同様に現像時にレジストパターンが
剥げて形成できないという問題点がある。
合には、セラミックスのようなピットの多い基板では現
像液の基板へのしみ込みにより、現像時にレジストパタ
ーンが剥げてしまってパターン形成できないことや、基
板にピットが存在しない場合にも基板とレジストとの密
着性が悪い場合には同様に現像時にレジストパターンが
剥げて形成できないという問題点がある。
本発明は上記課題を解決するためのもので、リフトオフ
法により高温でのパターン形成が可能な微細パターン形
成方法を提供することを目的とする。
法により高温でのパターン形成が可能な微細パターン形
成方法を提供することを目的とする。
そのために本発明は、リフトオフ法によるパターン形成
方法において、基板上に耐熱性のある有機層を形成する
工程と、その有機層の上に耐ドライエツチング性と耐熱
性のあるフォトレジストまたは電離放射線レジストの有
機層を形成する工程と、前記レジスト層をフォトエツチ
ングまたは電離放射線によりパターニングした後、それ
をマスクにしてドライエツチングで露出部の有機層を除
去する工程と、蒸着あるいはスバνりあるいは気相成長
による成膜後に有機層を剥離する工程とからなり、ドラ
イエッチング後の有機層パターンが上層のレジストパタ
ーンの線幅よりも細くなるようにしたことを特徴とし、
また基板上に形成する有機層を２層構造とし、ＩＮ目に
剥離性を良くする有機層を形成したことを特徴とする。
方法において、基板上に耐熱性のある有機層を形成する
工程と、その有機層の上に耐ドライエツチング性と耐熱
性のあるフォトレジストまたは電離放射線レジストの有
機層を形成する工程と、前記レジスト層をフォトエツチ
ングまたは電離放射線によりパターニングした後、それ
をマスクにしてドライエツチングで露出部の有機層を除
去する工程と、蒸着あるいはスバνりあるいは気相成長
による成膜後に有機層を剥離する工程とからなり、ドラ
イエッチング後の有機層パターンが上層のレジストパタ
ーンの線幅よりも細くなるようにしたことを特徴とし、
また基板上に形成する有機層を２層構造とし、ＩＮ目に
剥離性を良くする有機層を形成したことを特徴とする。
次に図面を参照して本発明を説明する。
第１図は本発明によるリフトオフパターン形成方法の工
程の一例を示す断面模式図である。図中、１は基板、２
．３は有機層、２゛、３′は有機層のパターン、４はレ
ジスト層、４′はレジストパターン、５は電離放射線、
６は酸素プラズマ、７は蒸着膜である。
程の一例を示す断面模式図である。図中、１は基板、２
．３は有機層、２゛、３′は有機層のパターン、４はレ
ジスト層、４′はレジストパターン、５は電離放射線、
６は酸素プラズマ、７は蒸着膜である。
第１図（ａ）、（ｂ）に示すように基板ｌ上に耐熱性の
ある有機層２を形成する。この有１ｉ２は剥離性を良く
するためのものである。有機Ｎ２をスピンコーティング
法などで塗布しベーキングした後、有機層３を同様にし
て形成し２層構造にする。次に第１図（ｃ）に示すよう
に有機層の上に耐ドライエツチング性と耐熱性のあるフ
ォトレジストまたは電離放射線レジストの有機層４を形
成し、その後露光、現像により第１図（ｄ）に示すよう
に有機層上にレジストパターン４′を形成する。次にレ
ジストパターン４′をマスクにし、高温状態で酸素プラ
ズマにより下層の有機層２．３をドライエツチングし、
第１図（ｅ）に示すようなパターンを形成する。有機Ｎ
４は耐ドライエツチング性と耐熱性を有しているのでレ
ジストバターン４′の線幅はドライエツチング後でも初
期の設計線幅の状態で保持されるのに対し、下層の有機
層のパターン２′、３′の線幅は上層よりも細くなる。
ある有機層２を形成する。この有１ｉ２は剥離性を良く
するためのものである。有機Ｎ２をスピンコーティング
法などで塗布しベーキングした後、有機層３を同様にし
て形成し２層構造にする。次に第１図（ｃ）に示すよう
に有機層の上に耐ドライエツチング性と耐熱性のあるフ
ォトレジストまたは電離放射線レジストの有機層４を形
成し、その後露光、現像により第１図（ｄ）に示すよう
に有機層上にレジストパターン４′を形成する。次にレ
ジストパターン４′をマスクにし、高温状態で酸素プラ
ズマにより下層の有機層２．３をドライエツチングし、
第１図（ｅ）に示すようなパターンを形成する。有機Ｎ
４は耐ドライエツチング性と耐熱性を有しているのでレ
ジストバターン４′の線幅はドライエツチング後でも初
期の設計線幅の状態で保持されるのに対し、下層の有機
層のパターン２′、３′の線幅は上層よりも細くなる。
このような形状をしたパターンに蒸着法、スパッタ法あ
るいはＣＶＤ法により金属、無機化合物または有機化合
物を成膜すると第１図（ｆ）に示すようになり、最終的
に有機層２′を剥離できるような溶液などで有機層パタ
ーン部分を除去することによって第１図（ｇ）に示すよ
うな断面逆テーパー形状のリフトオフパターンを形成す
ることができる。
るいはＣＶＤ法により金属、無機化合物または有機化合
物を成膜すると第１図（ｆ）に示すようになり、最終的
に有機層２′を剥離できるような溶液などで有機層パタ
ーン部分を除去することによって第１図（ｇ）に示すよ
うな断面逆テーパー形状のリフトオフパターンを形成す
ることができる。
［作用］
本発明のリフトオフ法によるパターン形成方法は、ドラ
イエツチングにより有機層パターンを形成していること
から、従来の現像によるパターン形成のときに発生した
ような、レジストパターンが剥げて基板上に形成できな
いという問題点を解決することができる。これはドライ
エツチングによりを機層パターンを形成する場合には、
現像液のしみ込みや現像液のレジストパターンに及ぼす
力学的な影響がないため、基板とレジストの密着性が悪
くても、レジストパターンが形成できる。
イエツチングにより有機層パターンを形成していること
から、従来の現像によるパターン形成のときに発生した
ような、レジストパターンが剥げて基板上に形成できな
いという問題点を解決することができる。これはドライ
エツチングによりを機層パターンを形成する場合には、
現像液のしみ込みや現像液のレジストパターンに及ぼす
力学的な影響がないため、基板とレジストの密着性が悪
くても、レジストパターンが形成できる。
また本発明の有機層パターンは、耐熱性があるため２０
０°Ｃ以上の高温雰囲気で金属等を成膜しても有機層の
パターンは変形せずに初期の状態を保つことができる。
０°Ｃ以上の高温雰囲気で金属等を成膜しても有機層の
パターンは変形せずに初期の状態を保つことができる。
これにより従来では形成が不可能であった高温の成膜も
可能となり、有機層パターンの剥離が容易で設計した線
幅どうりのリフトオフパターンを形成することができる
。
可能となり、有機層パターンの剥離が容易で設計した線
幅どうりのリフトオフパターンを形成することができる
。
以下、実施例について説明する。
直径が５ｃｍで厚みが０．６ｉｍの円形をしたピットの
多く存在するアルミナ基板上に、第１図（ａ）に示すよ
うに第１層目の有機層であるポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ）をスピンコーティング法により塗布し、そ
の１２００′ｃ、３０分間ベーキングして膜厚が０．５
μｍのＰＭＭＡＩｉを形成した０次に第１図（ｂ）に示
すように第２層有機層であるポリイミドをスピンコーテ
ィング法により塗布し、３００ ’Ｃ２６０分間ベーキ
ングして膜厚が６μｍのポリイミド層を形成しＰＭＭＡ
層とポリイミド層を合わせた有機層の厚さが６゜５μｍ
となった。次に第１図（Ｃ）に示すように、上層のシリ
コン含有ネガ型フォトレジストを同様にスピンコーティ
ング法により塗布し、その後７０°Ｃ１３０分間ブリベ
ータを行い、３．０μｍ厚のフォトレジスト層を形成し
た０次に波長４０５順において５ ｍ ｗ ／ ｃｄの
照度を持つ紫外線で３０秒間露光し、その後有機溶剤で
現像することによって、有機層の上に最小線幅が１０μ
ｍのシリコン含有ネガ型レジストパターンを形成した。
多く存在するアルミナ基板上に、第１図（ａ）に示すよ
うに第１層目の有機層であるポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ）をスピンコーティング法により塗布し、そ
の１２００′ｃ、３０分間ベーキングして膜厚が０．５
μｍのＰＭＭＡＩｉを形成した０次に第１図（ｂ）に示
すように第２層有機層であるポリイミドをスピンコーテ
ィング法により塗布し、３００ ’Ｃ２６０分間ベーキ
ングして膜厚が６μｍのポリイミド層を形成しＰＭＭＡ
層とポリイミド層を合わせた有機層の厚さが６゜５μｍ
となった。次に第１図（Ｃ）に示すように、上層のシリ
コン含有ネガ型フォトレジストを同様にスピンコーティ
ング法により塗布し、その後７０°Ｃ１３０分間ブリベ
ータを行い、３．０μｍ厚のフォトレジスト層を形成し
た０次に波長４０５順において５ ｍ ｗ ／ ｃｄの
照度を持つ紫外線で３０秒間露光し、その後有機溶剤で
現像することによって、有機層の上に最小線幅が１０μ
ｍのシリコン含有ネガ型レジストパターンを形成した。
このシリコン含有ネガ型レジストパターンをマスクにし
て第１図（ｄ）に示すように、酸素プラズマを用いた等
方性ドライエツチングで下層の有機層をエツチングする
ことにより第１図（ｅ）のようなパターンを形成した。
て第１図（ｄ）に示すように、酸素プラズマを用いた等
方性ドライエツチングで下層の有機層をエツチングする
ことにより第１図（ｅ）のようなパターンを形成した。
このときのドライエツチング条件は、出力２００Ｗ、ガ
ス圧力１． ０ｔｏｒｒでエツチング時間は６０分間で
あった。
ス圧力１． ０ｔｏｒｒでエツチング時間は６０分間で
あった。
次に蒸着法により、成膜時の基板温度が３５０°Ｃにな
るような加熱した状態で、モリブデン３μｍ厚を蒸着し
た後、基板をアセＩ・ンに入れ、超音波を加えることに
より５分間程度で有機層パターン部分が完全に剥離でき
、最終的に厚さ３μｍ、最小線幅１０μｍのモリブデン
バクーンがアルミナ基板上に形成できた。蒸着時の有機
層パターンは、３５０°Ｃの熱を加えてもまったく変形
しないため、従来では形成が不可能であった高温でのリ
フトオフパターン形成ができた。
るような加熱した状態で、モリブデン３μｍ厚を蒸着し
た後、基板をアセＩ・ンに入れ、超音波を加えることに
より５分間程度で有機層パターン部分が完全に剥離でき
、最終的に厚さ３μｍ、最小線幅１０μｍのモリブデン
バクーンがアルミナ基板上に形成できた。蒸着時の有機
層パターンは、３５０°Ｃの熱を加えてもまったく変形
しないため、従来では形成が不可能であった高温でのリ
フトオフパターン形成ができた。
〔発明の効果］
本発明のリフトオフ法によるパターン形成方法は、従来
よりも非常に耐熱性のある有機層パターンからなるため
、高温でのリフトオフパターン形成が可能になり、また
ドライエツチングによりパターンを形成するため基板と
有機層との密着性が悪い場合でもパターンが剥げること
なく、容易に基板上に有機パターンを形成することがで
きる。
よりも非常に耐熱性のある有機層パターンからなるため
、高温でのリフトオフパターン形成が可能になり、また
ドライエツチングによりパターンを形成するため基板と
有機層との密着性が悪い場合でもパターンが剥げること
なく、容易に基板上に有機パターンを形成することがで
きる。
特に、有機層のドライエツチング後のパターンが、上層
の耐ドライエツチング性レジストパターンにより設計し
た線幅に保持され、下層の耐熱性有機層のバクーン線幅
がその上層パターンより細いパターン形状となり、蒸着
、スパッタあるいは気相成長法により成膜したパターン
の線幅は、上層の耐ドライエツチング性レジストパター
ンの線幅により決定され、精度良い線幅のパターンが形
成できる。
の耐ドライエツチング性レジストパターンにより設計し
た線幅に保持され、下層の耐熱性有機層のバクーン線幅
がその上層パターンより細いパターン形状となり、蒸着
、スパッタあるいは気相成長法により成膜したパターン
の線幅は、上層の耐ドライエツチング性レジストパター
ンの線幅により決定され、精度良い線幅のパターンが形
成できる。
第１図（ａ）〜（ｇ）は本発明によるリフトオフパター
ン形成方法の工程の一例を示す断面図である。 １・・・基板、２．３・・・有機層、２′、３′・・・
有機層のパターン、４・・・レジスト層、４′・・・レ
ジストパターン、５・・・電離放射線、６・・・酸素プ
ラズマ、７・・・蒸着膜。
ン形成方法の工程の一例を示す断面図である。 １・・・基板、２．３・・・有機層、２′、３′・・・
有機層のパターン、４・・・レジスト層、４′・・・レ
ジストパターン、５・・・電離放射線、６・・・酸素プ
ラズマ、７・・・蒸着膜。
Claims (2)
- （１）リフトオフ法によるパターン形成方法において、
基板上に耐熱性のある有機層を形成する工程と、該有機
層上に耐ドライエッチング性と耐熱性のあるフォトレジ
ストまたは電離放射線レジストの有機層を形成する工程
と、レジスト層をフォトエッチングまたは電離放射線に
よりパターニングした後、レジストパターンをマスクに
してドライエッチングで露出部の有機層を除去する工程
と、蒸着、スパッタあるいは気相成長法によるリフトオ
フパターン成膜後に有機層パターンを剥離する工程とか
らなり、ドライエッチング後の有機層パターンが上層の
レジストパターンの線幅よりも細くなるようにしたこと
を特徴とする微細パターン形成方法。 - （２）基板上に形成する有機層を２層構造とし、１層目
に剥離性を良くする有機層を形成した請求項１記載の微
細パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63290867A JP2732868B2 (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | 微細パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63290867A JP2732868B2 (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | 微細パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02137224A true JPH02137224A (ja) | 1990-05-25 |
| JP2732868B2 JP2732868B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=17761525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63290867A Expired - Fee Related JP2732868B2 (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | 微細パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2732868B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6605412B2 (en) | 2000-02-18 | 2003-08-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resist pattern and method for forming wiring pattern |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6066432A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微細パタ−ン形成法 |
-
1988
- 1988-11-17 JP JP63290867A patent/JP2732868B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6066432A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微細パタ−ン形成法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6605412B2 (en) | 2000-02-18 | 2003-08-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resist pattern and method for forming wiring pattern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2732868B2 (ja) | 1998-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02137224A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPH0458167B2 (ja) | ||
| JP2797854B2 (ja) | 半導体装置のコンタクトホール形成方法 | |
| JP2761390B2 (ja) | 両面パターン付きフォトマスクの製造方法 | |
| JPH11204414A (ja) | パターン形成法 | |
| JPH02130829A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JP2713061B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP2580681B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2633088B2 (ja) | スタンパの製造方法 | |
| JPS5950053B2 (ja) | 写真蝕刻方法 | |
| JPS604221A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63288020A (ja) | 電極作成方法 | |
| JPH02138468A (ja) | パターン形成法 | |
| JPH03104113A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS6333746A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| JPH04324445A (ja) | 露光用マスクおよびその製造方法 | |
| JPH06151388A (ja) | 半導体装置のコンタクトホール形成方法 | |
| JP2003158062A (ja) | レジストパターンの形成方法、配線形成方法及び電子部品 | |
| JPH0653922B2 (ja) | 金属膜のパタ−ン化方法 | |
| JPH01304457A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS6273744A (ja) | 金属配線パタ−ンの形成方法 | |
| JPH06237136A (ja) | 電子部品素子の製造方法 | |
| JPH0821574B2 (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS61206220A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS6030101B2 (ja) | パタ−ン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |