JPS58202526A - Ｘ線露光用マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクの製造方法Info
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- JPS58202526A JPS58202526A JP57084767A JP8476782A JPS58202526A JP S58202526 A JPS58202526 A JP S58202526A JP 57084767 A JP57084767 A JP 57084767A JP 8476782 A JP8476782 A JP 8476782A JP S58202526 A JPS58202526 A JP S58202526A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線路光用マスクの製造方法、詳しくは、マス
ク基板の加工溝に吸収体を埋込む方法により、従来のリ
フトオフ性を大きく改善させ、寸法精度の高いパターン
形成を高い歩留で実現させるものである。
ク基板の加工溝に吸収体を埋込む方法により、従来のリ
フトオフ性を大きく改善させ、寸法精度の高いパターン
形成を高い歩留で実現させるものである。
Ｘ線マスクにおけるＸ線吸収体パターンの形成方法に関
しては、大きく分けて、二つの方法がとられている。そ
の一つは、吸収体薄膜上のレジストを電子線描画法によ
り加工し、このレジストをマスクとして、下地の吸収体
薄膜を加工するものである。この場合、吸収体である金
などの重金属の加工手段として、イオンミリングなどの
ドライエツチングが利用されるが、有機物であるレジス
トと吸収体金属のエツチング速度比が十分高くとれない
ために、レジスト膜厚を厚くしたり、レジストの下に中
間マスク層を介在させる試みがなされている。しかし、
レジスト膜を厚くすることはパターン解像度の低下につ
ながり、また、中間層を設ける方法も、寸法精度の低下
、−また製造工程の繁雑化につながり好ましくない。
しては、大きく分けて、二つの方法がとられている。そ
の一つは、吸収体薄膜上のレジストを電子線描画法によ
り加工し、このレジストをマスクとして、下地の吸収体
薄膜を加工するものである。この場合、吸収体である金
などの重金属の加工手段として、イオンミリングなどの
ドライエツチングが利用されるが、有機物であるレジス
トと吸収体金属のエツチング速度比が十分高くとれない
ために、レジスト膜厚を厚くしたり、レジストの下に中
間マスク層を介在させる試みがなされている。しかし、
レジスト膜を厚くすることはパターン解像度の低下につ
ながり、また、中間層を設ける方法も、寸法精度の低下
、−また製造工程の繁雑化につながり好ましくない。
第２の方法は、あらかじめ、レジストパターンを形成し
ておき、この試料全面に、吸収体金属をメッキや蒸着な
どの方法により被着する。この後レジスト上の吸収体金
属をリフトオフし、吸収体パターンを形成する。この方
法の問題点として、リフトオフ性が悪く、不必要な箇所
に吸収体金属が残存したり、吸収体パターンの倒れ、剥
れが発生することが多い。この対策として、リフトオフ
性を改善させるために、レジスト膜厚を厚くしたり中間
層を導入する方法がとられている。しかし、これらの方
法は、先の第一の方法の場合と同じように、十分な解決
策ではない。
ておき、この試料全面に、吸収体金属をメッキや蒸着な
どの方法により被着する。この後レジスト上の吸収体金
属をリフトオフし、吸収体パターンを形成する。この方
法の問題点として、リフトオフ性が悪く、不必要な箇所
に吸収体金属が残存したり、吸収体パターンの倒れ、剥
れが発生することが多い。この対策として、リフトオフ
性を改善させるために、レジスト膜厚を厚くしたり中間
層を導入する方法がとられている。しかし、これらの方
法は、先の第一の方法の場合と同じように、十分な解決
策ではない。
本発明の目的は、従来のリフトオフ方法を改善し、簡単
な製造工程により、安定に、寸法精度の高い微細パター
ン形成法を提供することである。
な製造工程により、安定に、寸法精度の高い微細パター
ン形成法を提供することである。
本発明は上記目的を達成す岑ため、壕ずリフトオフ性を
改善する定めに金属あ被着面上のパターンのコントラス
トを高くシ、この時、基板ドライエツチングの高選択性
を利用して薄いレジスト膜でマスク基板を加工し、この
加工溝へ吸収体金属を埋込むようにしたことを特徴とす
るものである。
改善する定めに金属あ被着面上のパターンのコントラス
トを高くシ、この時、基板ドライエツチングの高選択性
を利用して薄いレジスト膜でマスク基板を加工し、この
加工溝へ吸収体金属を埋込むようにしたことを特徴とす
るものである。
上記方法によってカロエ溝の段差が上記のコントラスト
増大に寄与し、リフトオフ性の向上が可能となる。同時
に、吸収体の微細パターンの埋込みにより、その保護と
しても有効である。
増大に寄与し、リフトオフ性の向上が可能となる。同時
に、吸収体の微細パターンの埋込みにより、その保護と
しても有効である。
以下実施例によって、本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の製造方法によって製造されたＸ線露光
用マスクの側断面構造を示すもので、シリコン基板ｌの
加工溝へＸ線吸収体金属２が埋込まれた様子を示す。３
は支持枠である。
用マスクの側断面構造を示すもので、シリコン基板ｌの
加工溝へＸ線吸収体金属２が埋込まれた様子を示す。３
は支持枠である。
第２図は本発明による方法の一実施例の工程を示すもの
である。
である。
（ａ）の様に、マスク基板となるべきシリコンウェーハ
１の表面上のレジスト、ＰＭＭＡを膜厚０，３μｍ〜０
．５μｍに塗布し、電子線描画により、レジストパター
ン４を形成する。次に（ｂ）の様にレジスト、を〜７し
と己７、〜イク。波プウズ〜エツチングにより、下地シ
リコン１を深さ０．５μｍ〜０．８μｍエツチングする
。反応ガスはＳ Ｆ、（６０％）＋ｉ（、（４０％）で
ある。次に（Ｃ）の様に試料全面に金２を膜厚０．５μ
ｍＫ、蒸着する。この後、アセトン中に浸漬させ、超音
波処理を行な−、レジスト、および、レジスト膜厚の金
をリフトオンする。最後にシリコン基板の裏面をフッ酸
／硝酸混合液によりエツチングし３〜５μｍ厚のマスク
基板とする。
１の表面上のレジスト、ＰＭＭＡを膜厚０，３μｍ〜０
．５μｍに塗布し、電子線描画により、レジストパター
ン４を形成する。次に（ｂ）の様にレジスト、を〜７し
と己７、〜イク。波プウズ〜エツチングにより、下地シ
リコン１を深さ０．５μｍ〜０．８μｍエツチングする
。反応ガスはＳ Ｆ、（６０％）＋ｉ（、（４０％）で
ある。次に（Ｃ）の様に試料全面に金２を膜厚０．５μ
ｍＫ、蒸着する。この後、アセトン中に浸漬させ、超音
波処理を行な−、レジスト、および、レジスト膜厚の金
をリフトオンする。最後にシリコン基板の裏面をフッ酸
／硝酸混合液によりエツチングし３〜５μｍ厚のマスク
基板とする。
本実施例によれば、マイクロ波プラズマエツチングがレ
ジスト膜４に与える損傷が極めて小さく、かつ、加工精
度が高いことから、レジストの膜厚を０．３μｍ以下Ｖ
Ｃまで抑えることができ、電子線描画の高解像性を十分
発揮させることが利点となる。
ジスト膜４に与える損傷が極めて小さく、かつ、加工精
度が高いことから、レジストの膜厚を０．３μｍ以下Ｖ
Ｃまで抑えることができ、電子線描画の高解像性を十分
発揮させることが利点となる。
第３図は本発明による方法の他の実施例の工程を示す図
である。
である。
シリコンウェーハ５上にシリコン窒化膜６０．３μｍ４
をＣＶＤＫより被着し、その上にＴｉ膜７０．０１〜０
．０３μｍ３を蒸着する。さらにＴＩ膜膜上上ポリシリ
コン膜１０．５μｍ２をＣＶＤにより堆積させたものを
基板とする。上記の基板−Ｅにレジス）ＰＭＭＡＩを膜
厚０．３μｍで塗布し、電子線描画によりレジストパタ
ーン４を形成する（ａ）。次に（ｂ）の様にレジスト４
をマスクにして、ポリシリコン膜のマイクロ波プラズマ
エツチングを行なう。
をＣＶＤＫより被着し、その上にＴｉ膜７０．０１〜０
．０３μｍ３を蒸着する。さらにＴＩ膜膜上上ポリシリ
コン膜１０．５μｍ２をＣＶＤにより堆積させたものを
基板とする。上記の基板−Ｅにレジス）ＰＭＭＡＩを膜
厚０．３μｍで塗布し、電子線描画によりレジストパタ
ーン４を形成する（ａ）。次に（ｂ）の様にレジスト４
をマスクにして、ポリシリコン膜のマイクロ波プラズマ
エツチングを行なう。
゛ 次に、−ｈ記試料に金２をメッキする。この時、金
２の膜厚をポリシリコン膜厚と同じ＜、０．５μｍに設
定すると、（Ｃ）の様にポリシリコンの加工溝のみに被
着する。最後に、レジスト４を酸素プラズマ処理で除去
した後、シリコンウェーハの裏面をエツチングして、（
ｄ）の様なマスク基板とする。
２の膜厚をポリシリコン膜厚と同じ＜、０．５μｍに設
定すると、（Ｃ）の様にポリシリコンの加工溝のみに被
着する。最後に、レジスト４を酸素プラズマ処理で除去
した後、シリコンウェーハの裏面をエツチングして、（
ｄ）の様なマスク基板とする。
本発明によれば、極めて簡単な方法で、高精度なＸ線用
マスクのＸ線吸収体パターンを形成することができるの
で、Ｘ線リングラフィの性能向上に効果がある。吸収体
に金を使用した場合、金の厚さ０．５μｍの条件に対し
、従来方法では、およそ、解像度は１μｍ程度で、歩留
は５０％以下レベルであるが、本発明の方法によれば、
解像度、。
マスクのＸ線吸収体パターンを形成することができるの
で、Ｘ線リングラフィの性能向上に効果がある。吸収体
に金を使用した場合、金の厚さ０．５μｍの条件に対し
、従来方法では、およそ、解像度は１μｍ程度で、歩留
は５０％以下レベルであるが、本発明の方法によれば、
解像度、。
０．５μｍを歩留８０〜９０％で実現することが可能で
ある。
ある。
第１図は本発明によって製造されるＸ線賞光マスクのマ
スク構造を示す図、第２図および第３図はいずれも本発
明よる製造方法の実施例の工程を示す図である。 １・・・マスク基板（シリコン）、２・・・吸収体、３
・・・支持枠、４・・・レジスト（ＰＭＭＡ）、５・・
・シリコン基Ｌ ６・・・窒化シリコン、７・・・チ
タン。 代理人 弁理士 薄田利幸 第 １ 図 聞２ 図 χ ５ 図
スク構造を示す図、第２図および第３図はいずれも本発
明よる製造方法の実施例の工程を示す図である。 １・・・マスク基板（シリコン）、２・・・吸収体、３
・・・支持枠、４・・・レジスト（ＰＭＭＡ）、５・・
・シリコン基Ｌ ６・・・窒化シリコン、７・・・チ
タン。 代理人 弁理士 薄田利幸 第 １ 図 聞２ 図 χ ５ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 、 （ａ） 被加工物体表面上にレジスト膜を被
着する工程と、 （ｂ） 上記レジスト膜の所望部分に光、電子線、Ｘ
線、又はイオン線の露光を行った後、所定の現偉処理に
よりレジストパターンを形成する工程と、 （Ｃ） 上記レジストパターンをマスクトシテ、下地
の被加工物体を加工する工程と、 （ｄ） 上記の加工試料全面にＸ線吸収体の薄膜を被
着する工程と、 （ｅ） 上記レジスト膜、およびレジスト膜上のＸ線
吸収体を除去し、下地の加工部分のみにＸ線吸収体を残
存させる工程ならび、（ｆ） 上記被加工物体を裏面
側よりエツチング゛仝。 しマスク基板とする工程ｌ〃 有することを特徴とするＸ線吸収体パターンの形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57084767A JPS58202526A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57084767A JPS58202526A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58202526A true JPS58202526A (ja) | 1983-11-25 |
Family
ID=13839826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57084767A Pending JPS58202526A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58202526A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6113621A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-21 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
| EP0234547A2 (en) * | 1986-02-28 | 1987-09-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing photomask and photo-mask manufactured thereby |
| JPS647522A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | X-ray mask and manufacture thereof |
-
1982
- 1982-05-21 JP JP57084767A patent/JPS58202526A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6113621A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-21 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
| EP0234547A2 (en) * | 1986-02-28 | 1987-09-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing photomask and photo-mask manufactured thereby |
| US5087535A (en) * | 1986-02-28 | 1992-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
| US5457006A (en) * | 1986-02-28 | 1995-10-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
| JPS647522A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | X-ray mask and manufacture thereof |
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