JPS60227263A - 電子写真用光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来の技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することによシ靜電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ　−Ｎ　ｅレーザーあるいは半
導体レーサー（通常１ｌｔ６５０〜８２０ｎｍの発光波
長を有する）で像記録を行なうことが一般である。

％に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬匿が高く、社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−
８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後ｒＡ−８ｉＪと略記する）から成る感
光層を有する光受容部拐が注目されている。

面乍ら、感光層を単層構成のＡ−８ｉ層とすると、その
高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される１
０１２Ω儂以上の暗抵抗を確保するには、水素原子やノ
・ロゲン原子或いはこれ等に加えてボロ／原子とを特定
の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる必
要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行う必
要がある等、光受容部材の設計に於（ハ）る許容度に可
成りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報に記
載されである様に光受容層を支持体と感光層の間、又け
／及び感光層の上部表面に障壁層を設けた多層構造とし
たりして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案
されている。

この様な提案によって、Ａ−８ｉ系先光受容材はその商
品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の容
易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向け
ての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で１界面」と称す）よシ反射し
て来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて所剛、干
渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊に
階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像の
見悪くさけ顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ感光層に於ける該レーザー光の吸収が減少
しでくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光■ｏ　と上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１
、下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均Ｉ＠岸をｄ、屈折率をｎ、光の波長をλ浮蓋で
不均一であると、反射光Ｒ１＋　Ｒ２が２ｎｄ＝ｍλ（
ｍは整数、この場合反射光は強め合う）と２ｎｄ＝（ｍ
＋−）λ（ｍは整数、この場合反射光は弱め合う）の条
件のどちらに合うかによって、ある層の吸収光量および
透過光量に変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起シ、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的慾影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００λ〜±１００００人の凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）アルミニウム支持体表面を黒色ア
ルマイト処理したり、或いは樹脂中にカーボン、着色顔
料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（例え
ば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウム支
持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンドブラ
ストによシ砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持体表
面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭５７
−１６５５４号公報）等が提案されている。

百年ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現を低減させてはいるが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
（所謂、滲み現象）、実質的な解像度低下の要因となっ
ていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ−８ｔ悪感光を
形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される
感光層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がＡ−８
ｉ系感光層形成の際のプラズマによってダメージを受け
て、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪
化によるその後のＡ−８ｉ系感光層の形成に悪影響を与
えること等の不都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光ＩＯは、光受容層３０２０表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残υは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光■、となる。透
過光量１は、支持体３０２０表面に於いて、その一部は
、光散乱されて拡散光に、、　Ｋ２．　Ｋ３φ・・・と
なり、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部
が出射光Ｒ３となって外部に出て行く。従って、反射光
Ｒ１と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依
然として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１０表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２０表面での反射光Ｒ２＋第２層４０３０表面で
の反射光Ｒ１，支持体４０１０表面での正反射光Ｒ３の
夫々が干渉して、光受容部材の介層厚にしたがって干渉
縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能であった。

又、す／ドフラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面願がロット間に於いてバラツ
キが多（、且つ同一ロット′に於いても粗ｌ１ｉｌｉ度
に不均一性があって、製造管理上具合が悪かった。加え
て、比較的大きな突起がランダムに形成される機会が多
く、斯かる大きな突起が光受容層の局所的な電気的ブレ
ークダウンの原因となっていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通誉、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面５０３と光受容Ｉ＠５０２の凹凸の傾斜
面５０４とが平行になる０ したがって、その部分では入射光は２　ｎｄｌ　＝ｍλ
捷たけ２ｎｄ１＝（ｍ＋１／２）λが成立ち、夫々明部
または暗部となる。又、光受容層全体では光受容層の層
厚ｃｉ１１　（１２＋　ｄ３　＋　ｄ４の夫々の差のあ
るため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである０ 本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理か容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの目的は、電子写真法を利用するデジ
タル画像記録、取分はハーフトーン情報を有するデジタ
ル画像記録が鮮明に１つ高解像度、高品質で行える光受
容部材を提供することでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を有する光
受容部材を提供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、所定の切断位置での断面形状が
主ピークに副ピークが重畳された凸状形状である凸部が
多数表面に形成されている支持体と、シリコン原子を含
む非晶質材料からなり少なくとも一部の層領域が感光性
を有する光受容層とを有する光受容部材に於いて、前記
光受容層は、酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選
択される原子の少なくとも一種を層厚方向には不均一な
分布状態で含有することとを特徴としている。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

第６図には装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有
する支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って
、１つ以上の感光層を有する多層構成の光受容層を、図
の一部に拡大して示しである。第６図に示されるように
、第２／ｖ＋ｊ　Ｏ２の層厚がｄ５からｄ６　と連続的
に変化している為に、界面６０３と界面６０４とは互い
に傾向きを有している。従って、この微小部分（ショー
トレンジ）ｌに入射した可干渉性光は、該微小部分ｌに
於て干渉を起し、微小な干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光Ｉ。に対する
反射光Ｒ１とに出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異
る為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ
（Ｂ）ｊ）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ（Ｂ）Ｊ）よりも非平行な場合（
ｒ（Ａ）Ｊ）は干渉しても干渉縞模様の明暗の差が無視
し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に、第２層７０２０層厚が
マクロ的に不均一（ｄ７＼ｄ８）でも同様に云える為、
全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図のｒ’　
（Ｄ　）　Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光量。に対
して、反射光Ｒ１＋　Ｒ２＋Ｒ３＋　Ｒ４＋　Ｒ５が存
在する。その為各々の層で第７図を似って前記に説明し
たことが生ずる。

その上、微小部分内の各層界面は、一種のスリットとし
て働き、そこで回折現像を生じる。

そのため各層での干渉は、層厚の差による干渉と層界面
の回折による干渉との積として効果が現われる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現れることはない０又、仮に画像
に現わわているとしても眼の分解能以下なので実質的に
は何等支障を生じない０ 本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上けとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさｌ（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、ｌ≦Ｌであ
ることが望ましい。

この様に設計することにより、微小部分の端の回折効果
を積極的に利用することが出来、干渉縞の発現をより一
層抑制することが出来る０又本発明の目的をより効果的
に達成する為には微小部分ｌに於ける層厚の差（ｄ５　
ｄ６）は、照射光の波長をλとすると、 であるのが望ましい（第６図参照）。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分ｌの層
厚内（以後１微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が各層の形成の際に微小カラム内に於て制御される
が、この条件を満足するならば該微小カラム内にいずれ
か２つの層界面が平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於る層厚の差が 以下である様に全領域に均一層厚に形成されるのが望贅
しい。

光受容層を構成する感光層、電荷注入防止層、電気絶縁
性材料からなる障壁層等の各層の形成には本発明の目的
をより効果的且つ容易に達成する為に、層厚を光学的レ
ベルで正確に制御できることからプラズマ気相法（ＰＣ
ＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用される。

本発明の目的を達するための支持体の加工方法としては
、化学エツチング、電気メンキなどの化学的方法、蒸着
、スパッタリングなどの物理的方法、旋盤加工などの機
械的方法などが利用できる。

しかし、生産管理を容易に行うために、旋盤などの機械
的加工方法が好ましいものである。

たとえば、支持体を旋盤で加工する場合、■字形状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることによシ、支持体表面を
正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深
さで形成される。この様な切削加工法によって形成され
る凹凸が作り出す線状突起部は、円筒状支持体の中心軸
を中心にしだ輝線構造を有する。突起部の輝線構造に、
二重、三重の多重基線構造、又は交叉綿線構造とされて
も差支えない。

或いは、輝線構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明の支持体の所定断面内の凸部は、本発明の効果を
冒めるためと、加工管理を袢易にするために、−次近似
的に同一形状であることが好ましい０ 又、前記凸部は、本発明の効果を高めるために規則的ま
たは、周期的に配列されていることが好ましい。又、更
に、前記凸部は、本発明の効果を一層高め、光受容層と
支持体との密着性を高めるために、副ピークを複数有す
ると、とが好ましい。

これ等の夫々に加えて、入射光を効率よく一方向に散乱
するために、前記凸部が主ピークを中心に対称（第９図
（Ａ））または非対称形（第９図■）に統一されている
ことが好ましい。しかし支持体の加工管理の自由度を高
める為には両方が混在しているのが良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ティメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１はＡ−８ｉ層は、層形成される表面の状態に
構造敏感であって、表面状態に応じて層品質は大きく変
化する。

従って、Ａ−８ｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる凹凸のディメ／ショ／を設定する
必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリー二／グに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００μｍ〜
０．３μｍ、よシ好ましくは２００μｍ〜１μｍ、最適
には５０μｍ〜５μｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましく　Ｖ′ｉ０．１μｍ〜
５μｍ、より好ましくＶｉ０３μｍ〜３μｍ、ｉ！に適
には０．６μｍ〜２μｍとされるのが望ましい。

支持体表面の凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にあ
る場合、凹部（又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好
ましくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、
最適には４度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
１μｍ〜２μｍ、より好ましくは０．１　μｍ−１，５
ｔｌｍ　、最適には０．２ｆｉｍ〜１１１ｍとされるの
か望ましい。

次に、本発明に係る多層構成の光受容部材の具体例を示
す。

第１Ｏ図に示される光受容部材１０００は、本発明の目
的を達成する様に表面切削加工された支持体１００１上
ｉ／ｊ　、光受容層１００２を有し、該光受容層１００
２は支持体１００１側より電荷注入防止層１００３．感
光層１００４が設けられた構成とされている。

支持体１００１としては、導電性でも電気絶縁性であっ
てもよい。導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ　
、ステンレス、Ａｌ　、　Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　Ａｕ　
。

Ｎｂ　、Ｔａ　、Ｖ　、Ｔｉ　、Ｐｔ　、Ｐｄ等の金属
又はこれ等の合金が上けられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロビレ／、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ボリ
スチレ／、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであればその表面に、ＮｉＣｒ　ｒＡＩ
　、Ｃｒ　、Ｍｏ　、Ａｕ　、　Ｉｒ　、Ｎｂ　、Ｔａ
　、Ｖ　。

Ｔｉ　、　Ｐ　ｔ　、　Ｐｄ　、　Ｉｎ２Ｏ３、５ｎ０
２　、　ＩＴＯ（Ｉｎ２０３＋　５ｎＯｚ　）等から成
る薄膜を設けることによって導電性が付与され、或いは
ポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、
ＮｉＣｒ　、　ＡＩ　。

Ａｇ　、　Ｐｄ　、　Ｚｎ　、　Ｎｉ　、　Ａｕ　、　
Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　Ｉｒ　。

Ｎｂ　、　Ｔａ　、　Ｖ　、　Ｔｉ　、　Ｐｔ　、等の
金纏の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スバツタリ／
グ等でその表面に設け、又は、前記金属でその表面をラ
ミネート処理して、その表面に導電性が付与される。

支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意
の形状とし得、所望によって、その形状は決定されるが
、例えば、第１０図の光受容部材１０００を電子写真用
像形成部材として使用するのであれは連続複写の場合に
は、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通シの光受容部材が形成される様に適
宜決定されるが、光受容部材として可撓性が要求される
場合には、支持体としての機能が十分発揮される範囲内
であれば可能な限り薄くされる。しかしながら、この様
な場合、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の
点から、好ましくは１０μ以上とされる。

電荷注入防止層１００３は、感光層１００４への支持体
１００１側からの電荷の注入を防いで見掛上の高抵抗化
を計る目的で設けられる０電荷注入防止層１００３は、
水素原子又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を含有するＡ−
８ｔ（以後［Ａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）Ｊと記す）で構成され
ると共に伝導性を支配する物質（Ｃ）が含有される０電
荷注入防止層１００３に含有される伝導性を支配する物
質（Ｃ）としては、いわゆる半導体分野で言われる不純
物を挙けることができ、本発明に於ては、Ｓｉに対して
、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型伝導性を与
えるｎ型不純物を挙けることができる。具体的には、ｐ
型不純物としては周期律表第■族に属する原子（第■族
原子）、例えばＢ（８素）、ＡＩ（フルミニラム）　＋
　Ｇ　ａ　（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ（
タリウム）等があり、殊に好適に用いられるのは、Ｂ　
、　Ｇａ。

である。

ｎ型不純物としては周期律表第■族に属する原子（第Ｖ
族原子）１例えばＰ（燐）、Ａｓ（砒素）。

ｓｂ（アンチモ／）＋　Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊
に好適に用いられるのは、Ｐ、Ａｓ、である。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３に含有される伝
導性を支配する物質（Ｃ）の含有量は、要求される電荷
注入防止特性、或いは該電荷注入防止層１００３が支持
体１００１上に直に接触して設けられる場合には、該支
持体１００１との接触界面に於ける特性との関係等、有
機的関連性に於いて適宜選択することが出来る。又、前
記電荷注入防止層１００３に直に接触して設けられる他
の層領域の特性や、該他の層領域との接触界面に於ける
特性との関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（
Ｃ）の含有量が適宜選択される。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３中に含有される
伝導性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好適に
は０００１〜５×１いａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ。

より好適には０５〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｒｎｉｃ　
ｐｐｒｎ　、最適には１〜５　Ｘ　１０３ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３に於ける物質（
Ｃ）の含有量は、好ましくは、３０　ａｔｏｍｉ　ｃｐ
ｐｒｎ以上、より好適にＩｄ　５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ以上を最適には１００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上
とすることによって、以下に述べる効果をより顕著に得
ることが出来る。例えば含有させる物質（Ｃ）が前記の
ｐ型不純物の場合には、光受容層１００２の自由表ｍｌ
が■極性に帯電処理を受けた際に支持体１００１側から
感光＃１００４中へ注入される電子の移動を、より効果
的に阻止することが出来、又、前記含有させる物質（Ｃ
）が前記のｎ型不純物の場合には、光受容層１００２の
自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた際に支持体側から
感光層１００４中へ注入される正孔の移動を、より効果
的に阻止することが出来る。

電荷注入防止層１００３０層厚は、好ましくは、３０Ａ
〜１０μ、より好適には４０λ〜８μ、最適には５０λ
〜５μとされるのが望ましい。

感光層１００４は、Ａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成され、レ
ーザー光の照射によってフォトキャリアを発生する電荷
発生機能と、該電荷を輸送する電荷輸送機能の両機能を
有する。

感光層１００４０層厚としては、好ましくは、１〜１０
０μｍ、より好ましくＶｉ１〜８０μｍ。

最適には２〜５０μｍとされるのが望ましい。

感光層１００４には、電荷注入防止層１０ｏ３に含有さ
れる伝導特性を支配する物質の極性とは別の極性の伝導
特性を支配する物質を含有させても良いし、或いは、同
極性の伝導特性を支配する物質を、電荷注入防止層１０
０３に含有される実際の量が多い場合には、該量よりも
一段と少ない量にして含有させても良い。

この様な場合、前記感光層１００４中に含有される前記
伝導特性を支配する物質の含有量としては、電荷注入防
止層１００３に含有される前記物質の極性や含有量に応
じて所望に従って適宜決定されるものであるが、好まし
くけ０．００１〜１０００ａｔＯｒｎｌｃ　ＰＩ）ｍ　
ｌ　よシ好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃｐｐ
ｍ　＋最適には０１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍと
されるのが望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感光／ｉｉ
＃１００４に同種の伝導性を支配する物質を含有させる
場合には、感光層１００４に於ける含有量としては、好
ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望
ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感光層１０
０４中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原
子（Ｘ）の童又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ
十Ｘ　）は、好１しくけ１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、よ
シ好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望捷
しい。

ハ１ｌｆｆゲ／原子（Ｘ）としては、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ。

■が挙けられ、これ等の中でＦ、Ｃ１が好ましいものと
して挙けられる。

第１０図に示す光受容部材に於ては、電荷注入防止層１
００３の代りに電気絶縁性材料から成る、所謂、障壁層
を設けても良い。或いは、該障壁層と電荷注入防止層１
００３とを併用しても差支えない。

障壁層形成材料としては、Ａｌ２Ｏ５ｒ　５ｉ０２　。

Ｓｉ３Ｎ４等の無機電気絶縁材料やポリカーボネート等
の有機電気絶縁材料を挙けることができる。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
層厚方向には不均一な分布状態で含有される。光受容層
中に含有されるこの様な原子（ＯＣＮ）は、光受容層の
全層領域に含有されても良いし、或いは、光受容層の一
部の層領域のみに含有させることで偏在させても良い０ 原子（ＯＣＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＣＮ）が、
光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ　
）の含有されている層領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵
抗の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層
領域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の
密着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光
受容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる０
前者の場合、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確
実に図る為に比較的多くされるのが望寸しい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（０ＣＮ
）に含有される原子（ＯＣＮ　）の含有量は、層領域（
ＯＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（ＯＣ
Ｎ）が支持体に面に接触して設けられる場合には、該支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＯＣＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜選択される。

に応じて所望に従って適宜法められるが、好ましくは０
．００１〜５０　ａｔｏｒｎｉｃ％、より好ましくけ、
０．００２〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．００
３〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層
領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔ。の光受容層の層厚Ｔに占める
割合が充分多い場合には、層領域（ＯＣＮ）に含有され
る原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前記の値より充分
少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔ。

が光受容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上
となる様な場合には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される
原子（ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３０　ａｔ
ｏｍｉｃ％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｉｃ％以
下、最適には１０　ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望
ましい。

本発明の好適な実施態様例によれは、原子（ＯＣＮ）Ｈ
１支持体上に直接設けられる前記の電荷注入防止層及び
障壁層には、少なくとも含有されるのが望ましい。詰り
、光受容層゛の支持体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を
含有させることで、支持体と光受容層との間の密着性の
強化を計ることが出来る。

更に、窒素原子の場合には、例えは、鈴素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感変の確保が一層出来
るので、感光層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（ＯＣＮ　）は、光受容層中に複数種
含有させても良い。即ち、例えば、霜、荷注入防止層中
には、酸素原子を含有させ、感光層中には、窒素原子を
含有させたり、或いは、同一層飴城中に例えば酸素原子
と窒素原子とを共存させる形で含有させても良い。

第１６図乃至第２４図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の層
厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第１６図乃至第２４図において、横軸は原子（ＯＣＮ）
の分布濃［Ｃを、縦軸は、層領域（ＯＣＮ）の層厚を示
し、ｔＢｆ′ｉ支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端面の位
置を、ｔＴは支持体側とは反対側の層領域（ＯＣＮ）の
端面の位置を示す。

即ち、原子（ＯＣＮ）の含有されるＮ領域（ＯＣＮ）は
ｔＢ側よりｔＴ側に向って層形成がなされる。

第１６図には、層領域（０ＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。

第１６図に示される例では、原子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（ＯＣＮ）が形成される表面と該層領域（ＯＣ
Ｎ　）の表面とが接する界面位置ｔＢよりｔｌの位置ま
では、原子（ＯＣＮ）の分布濃度ＣがＣ１なる一定の値
を取り乍ら原子（ＯＣＮ）が形成される層領域（ＯＣＮ
）に含有され、位置ｔ１　よりは濃度Ｃ２より界面位置
ｔＴに至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位
置ｔＴにおいては原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ
３とされる。

第１７図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の分布濃度Ｃは位置ＴＢより位置ｔＴに至るまで
濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて
濃１ｆＣ５となる様な分布状態を形成している。

第１８図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは原子
（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位
置ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減少
され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃｔ−を実質的に零
とされている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の
場合である）。

第１９図の場合には、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは位
置ＴＢより位置ｔＴに至るまで、１！！肛Ｃ８より連続
的に徐々に減少され、位置ｔＴにおいて、実質的に零と
されている。

第２０図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃｌ−１位置ＴＢと位置ｔ３間においては、濃度Ｃ９
と一定値であり、位置ｔＴにおいては濃度Ｃ１ｏされる
。位置ｔ３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関
数的に位置ｔ３より位置ｔＴに至るまで減少されている
。

第２１図に示される例においてに、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ４までは濃度Ｃ１ｌの一定値を取り、位置
ｔ４より位置ｔＴまでは濃度Ｃ工、よシ濃度ＣＩ３　”
！、では一次関数的に減少する分布状態とされている。

第２２図に示す例においては、位置ＴＢよ多位置ｔＴに
至るまで、原子（０ＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４よ
υ実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第２３図においては、位置ｔＢより位ｒＭｔ　に至るま
では原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃｉｔ、濃度Ｃ１５より
Ｃ１６まで一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置ｔＴ
との間においては、濃度Ｃ１６の一定値とされた例が示
されている。

第２４図に示される例においては、原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃは、位＠ｔＢにおいては濃度ＣＩ？であり、位
置ｔ６に至るまではこの濃度Ｃ１’Ｆより初めは緩やか
に減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少さ
れて位置ｔ６では濃度Ｃ１８とされる。

位置ｔ６と位置１フとの間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度Ｃ１９となり、位置１＝と位置ｔ８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８において、
濃度Ｃ２０に至る。位置ｔ８と位置ｔＴの間においては
、濃度Ｃ２０より実質的に零になる様に図に示す如き形
状の曲線に従って減少されている。

以上、第１６図乃至第２４図により、層領域（ＯＣＮ　
）中に含有される原子（ＯＣＮ）の層厚方性の分布状態
の典型例の幾〈つかを説明した様に、本発明においては
、支持体側において、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃの高
い部分を有し、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度ｃ
Ｖｉ支持体側に較べて可成シ低くされた部分を有する原
子（ＯＣＮ）の分布状態が層領域（ＯＣＮ）に設けられ
ている。

原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（ＯＣＮ）は、上記
した様に支持体側の方に原子（ＯＣＮ）が比較的高濃度
で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとして設
けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光受容
層との間の桁着性をより一層向上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第１６図乃至第２４図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５μ以内に設
けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
Ｂより５μ厚までの全領域（ＬＴ　）とされる場合もあ
るし、父、層領域（ＬＴ　）の一部とされる場合もある
。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ　）の一部とするか又は
全部とするかは、形成される光受容層に要求される特性
に従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（ＱＣＮ）の
層厚方向の分布状態として原子（ＯＣＮ）分布濃度Ｃの
最大値Ｃｍａ　ｘが、好ましくは５００ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ以上、より好適には８００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ
以上、最適にｔ；ｊ　１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐＰｍ
以上とされる様な分布状態となシ得る様に層形成される
のが望ましい。

即ち、本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層領域（ＯＣＮ）は、支持体側からの層厚で５μ以内（
ｔＢから５μ厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃｍａ
ｘが存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（ＯＣＮ
）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やかに変
化する様に、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態を形
成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が層接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をよシ
効果的に防止することが出来る。

又、層領域（ＯＣＮ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃度
Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で、連続し
て緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から、例えば、第１６図乃至第１９図、第２２図
及び第２４図に示される分布状態となる様に、原子（Ｏ
ＣＮ’）を層領域（ＯＣＮ）中に含有されるのが望まし
い。

本発明において、水素原子又は／及びハロゲン原子を含
有するＡ−８ｉ　（ｒＡ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）　Ｊと記す
）で構成される感光層を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンプレーティグ法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー放電法によって、ａ　−３ｉ　（Ｈ、Ｘ　
）で構成される感光層を形成するには、基本的には、シ
リコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｔ供給用の原料ガス
と、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の原料ガス又は
／及びハロゲ／原子（Ｘ）導入用の原料カスを、内部が
減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入して、
該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設
置されである所定の支持体表面上にａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）
からなる層を形成させれば良い。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
　、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとし
た混合ガスの雰囲気中でＳｔで構成されたターゲットを
使用して、必要に応じてＨｅ。

Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈された水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用
の堆積室に導入し、所望のガスのプラズマ雰囲気を形成
して前記のターゲットをスパッタリングしてやれば良い
。

イオンプレーティング法の場合には、例えは多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンを、夫々蒸発源として蒸着ボー
トに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレク
トロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛
翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以
外は、スパッタリング法の場合と同様にする事で行うこ
とが出来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６。

５ｉ３ＨＢ　＋　５ｉ４ＨＩＯ等のカス状態の又はガス
化し得る水素化硅素（シラ／類）が有効に使用されるも
のとして挙けられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、
Ｓｔ供給効率の良さ等の点で５ｊＨ４。

Ｓ　ｉ　２Ｈ６、が好ましいものとして挙けられる。

本発明において使用されるハロケ導入子導入用の原料ガ
スとして鳴動なのは、多くのハロゲン化物が挙けられ、
例えばハロゲンガス、ハロゲン化合物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙けられる
。又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要
素とするカス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を
含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ　、　ＣｌＦ、　（ＪＦ３．ＢｒＦ５＋
ＢｒＦ３　、　ＩＦ３　、　ＩＦ７　、　Ｉ（Ｊ！　、
　ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙けることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所請、ハロゲン原子で
置換されたシラ／誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４　、　ＳｉＦ６　、５ｉＣＡ４　、　ＳｉＢｒ４
轡のハロゲン化硅素か好ましいものとして挙けることが
出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してクロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスとしての水素硅
素カスを使用しなくとも、所望の支持体上にハロゲン原
子を含むａ−８ｉがら成る感光層を形成する事が出来る
。

クロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む感光層を作
成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の原料ガス
となるハロゲン化硅素とＡｒ、Ｈ２゜Ｈｅ等のガス等を
Ｂ１定の混合比とガス流量になる様にして感光層を形成
する堆積室に導入し、グロー放電を生起してこれ等のガ
スのプラズマ雰囲気を形成することによって、所望の支
持体上に感光層を形成し得るものであるが、水素原子の
導入割合の制御を一層容易になる様に計る為にこれ等の
ガスに更に水素カス又は水素原子を含む硅素化合物のガ
スも所望量混合して層形成しても良い。

又、各カスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンプレーティング法の倒れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のカスを堆積室中に導入して該カスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料カス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類等のガ
ス類をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガス類
のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用〕原料ガスとし
て上記されたハロゲノ化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ　、　ＨＣｌ　、　ＨＥｒ　。

ＨＩ　等ノー０　ケｙ化水素、８ｉＨ２Ｆ２　、５ｉＨ
２Ｉ２　。

５ｉＨ２Ｃ１２＋　５ｉＨＣｌｓ　＋　５ｉＨ２Ｂｒ２
　、５ｉＨＢｒ２　。

５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化硅素、等のガス状
態の或いはカス化し得る物質も有効な感光層形成用の出
発物質として挙ける事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化合物は、
感光層形成の際に層中にハロゲノ原子の導入と同時に電
気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も
導入されるので、本発明においては好適なハロゲン導入
用の原料として使用される。

光受容層を構成する電荷注入防止層又は感光層中に、伝
導特性を制御する物質（Ｃ）、例えば、第ｍ族原子或い
は第Ｖ族原子を構造的に導入するには、各鳩の形成の際
に、第■族原子導入用の出発物質或いは第Ｖ族原子導入
用の出発物質をガス状態で堆積室中に光受容層を形成す
る為の他の出発物質と共に導入してやれは良い。この様
な第■族原子導入用の出発物質と成り得るものとしては
、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件下で
容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。そ
の様な第■族原子導入用の出発物質として具体的にｉｌ
ｌ素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６゜Ｂ４Ｈ１０・Ｂ５
Ｈ９・Ｂ５Ｈ１１・Ｂ６ＨＩＯ・Ｂ６Ｈ１２・Ｂ６Ｈ１
４等の水素化硼素、ＢＦ２　、　ＢＣｌ３　、　ＢＢｒ
３等のハロゲン化備素等が挙けられる。この他、Ａ−ｌ
ｃ１３　、　ＧａＣｌ３　、　Ｇａ（ＣＨ３）３　、　
ＩｎＣＪ３．ＴｌＣ１ｚ等も挙けることが出来る。

第■族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，
Ｐ、Ｈ，等の水素北隣、ＰＨ，Ｉ　、　ＰＦ、　。

ＰＦ５　、　ＰＣＡ！３　、　ＰＣＡ！５　、ＰＢｒ３
　、　ＰＢｒ３　、ＰＩ３等のハロゲン北隣が挙げられ
る。この他ＡｓＨ３＊ＡｓＦ３　＋　ＡｓＣＣｌ３．　
ＡｓＢｒ３１　Ａ８Ｆ５　＋　５ｂＨ３ｒｓｂｐ、、　
、　ＳｂＦ５．５ｂＣＡ３，５ｂＣＡ！５．　ＢｉＨ３
，ＢｉＣＡ！３゜Ｂ１Ｂｒ５　等も第■族原子導入用の
出発物質の有効なものとして挙けることが出来る。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
た層領域（ＯＣＮ）を設けるには、光受容層の形成の際
に原子（０ＣＮ）導入用の出発物質を前記した光受容層
形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中にそ
の量を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（０ＣＮ）導入用の
出発物質が加えられる。その様な原子（ＯＣＮ）導入用
の出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成
原子とするガス状の物質又はカス化し得る物質をガス化
したものの中の大概のものが使用される。

具体的には、例えば酸素（０２）、オシｙ　（０３）。

−酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素＜　ＮＯ２）　、−二
酸化窒素（Ｎ２０　）　、三二酸化窒素（Ｎ２Ｏ３）四
三酸化窒素（Ｎ２Ｏ４）　、三二酸化窒素（Ｎ２Ｏ５）
　ｒ玉四酸化窒素（ＮＯ３）　、シリコン原子（Ｓｉ）
と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする
、例えば、ジシロキサｙ　（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨ，、）　
。

トリシロキサン（ＨｓＳｆＯ８ｉＨ２０Ｓｉｌ（３）等
の低級シロキザ／、メタン（ＣＨ＋　）　、エタン（Ｃ
２ＨａＬプロパン（Ｃ３ｌ（Ｂ　）　、　ｎ　７りｙ　
（ｎ　−Ｃ４Ｈ１ｏ　）　＋べ／タン（ＣＦＩＪ−１１
２）　等の炭素数１〜５の飽和炭化水素、エチレｙ　（
Ｃ２Ｈ４）　＋プロビレ／（Ｃ３Ｈ６）１ブチ／１（Ｃ
４Ｈ８）ｌブテン−２（Ｃ４Ｈ３）　。

インブチレン（Ｃ４Ｈ１］　）　、ペンテ／（Ｃ３Ｈ１
ｏ　）等の炭素数２〜５のエナレ／系炭化水素、アセチ
ンｙ　（Ｃ３Ｈ，）　、メチルアセチレン（ＣＪ”ｌａ
　）　、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等の炭素数２〜４のアセチ
レノ糸炭化水素、窒素（Ｎ２）、アノモニア（ＮＨ３）
　、ヒドラジン（Ｉ４２ＮＮＩ−ｈ、　）　、アジ化水
素（ＨＮ３Ｎ　）　３　。

アジ化アンモニウム（Ｈｌ−１ｔＮｓ　）　、三弗化窒
素（Ｆ３Ｎ）。

四弗化！素（Ｆ４Ｎ　）　等々を孕けることが出来る。

スパッタリング法の場合に１．原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放ル１法の際に列挙し７た前
記のガス化可能な出発物辿の外に　同体化出発物質とし
て、８１０２　＋　Ｓ＋３Ｎ４　＋カーボンブランク等
を誉けることが出来る。こ、ｆ１等ｒａｔ、Ｓｉ等のタ
ーゲットと共にスパッタリング用のターゲットとしての
形で使用される。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣＮ
　）の含有される層領域（ＯＣＮ　）を設ける場合、該
層領域（ＯＣＮ　）に含有される原子（ＯＣＮ）の分布
濃［Ｃを層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状
態（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ　）を有する層領域（
ＯＣＮ）を形成するには、グロー放電の場合には、分布
濃度Ｃを変化させるべき原子（ＯＣＮ）導入用の出発物
質のガスを、そのガス流量を所望の変化率曲想に従って
適宜変化させ乍ら、堆積室内に導入することによって成
される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、カス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い。このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（ＯＣＮ）をスパッタリング法によって形成する
場合、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚方
向で変化させて、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の所望の分
布状態（ｄｅｐｔｌ＋　ｐｒｏｆｉｌｅ　）を形成する
には、第一には、クロー放電法による場合と同様に、原
子導入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積
質中へ導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化さ
せることによって成される。第二にはスパッタリング用
のターゲットを、例えばＳｉ（！：５ｉ０２　との混合
されたターゲットを使用するのであれは、Ｓｔと５ｉ０
２　との混合比をターゲットの層厚方向に於いて、予め
変化させておくことによって成される。

以下本発明の実施例について説明する。

実施例１ 本実施例ではスポット径８０μｍの半導体レーサー（波
長７８０　ｎｍ　）を使用した。しだがってＡ−８ｉ：
Ｈを堆積させる円筒状のＡ［支持体（長さくＬ）３５７
ｍｍ、径（ｒ）８００ｍｍ）上に旋盤で溝を作製した。

このときの溝の形を第１１図（Ｂ）に示す。

このＡｌ支持体上に第１２図の装置で電荷注入防止層、
感光層を次の様にして堆積した○捷ず装置の構成を説明
する。１２０１は高周波電源、１２０２Ｖｉマツチ／グ
ボツクス、１２０３け拡散ボ／グおよびメカニカルブー
スターボ／プ、１２０４ＶｉＡＡ！支持体回転用モータ
、１２０５はＡ７１！支持体、１２０６はｌ支持体加熱
用ヒータ、１２０７はガス導入管、１２０８は高周波導
入用カソード電極、１２０９けシールド板、１２１０ロ
コントローラー、１２５１〜１２５（はレギュレーター
、１２６１は水素（Ｈ２）ボンベ、１２６２はシラｙ　
（５ｉＨ４）ボ／べ、１２６３はレボ２フ次に作製手順
を説明する。ボ／べ１２６１〜１２６葵の元栓をすべて
しめた後に、すべての７スフロコントローラー１２３１
〜１２３％おヨヒを開け、丸拡散ボ／プ１２０３により
堆積装置内を１０−７Ｔｏｒｒ　まで減圧した。それと
同時にヒータ１２０６によシＡｌ支持体１２０５を２５
０°Ｃまで加熱し、２５０°Ｃで一定に保った。Ａｌ支
持〜１２６％の元栓を開け、外拡散ポンプ１２０３を１
．５ｋｇ／ｄに設定した。マスフロコントローラー１２
３１を３００ＳＣＣＭに設定し、バルブ１２４１とバル
ブ１２２１を順に開き堆積装置内にＨ２ガスを導入した
。

次にボ／べ１２６１のＳｉＨ４ガスを、マスフロコ／ト
ローラ−１２３２の設定を１５０ＳＣＣＭに設定して、
Ｈ２ガスの導入と同様の操作でＳｉＨ４ガスを堆積装置
に導入しボンベ１２６３のＢ２Ｈ６ガス流量をＳｉＨ４
ガス流量に対して、１６００Ｖｏｌｐｐｍになるように
マスフローコントローラー１２３３を設定して、Ｈ２カ
スの導入と同様な操作でＢ２Ｈ６ガスを堆積装置内に導
入した。

次にボンベ１２６４ＯＮＯガス流量をＳ　ｉＨ４カス流
量に対して、初期値が３．４Ｖｏ１％になるようにマス
フロコントローラー１２３４を設定して、Ｈ２ガスの導
入と則様な操作でＮＯガスを堆積装置内に導入した。

そして堆積装置内の内圧が０．２Ｔｏｒｒで安定したら
、高周波電源１２０１のスイッチを入れマツチングボッ
クス１２０２を調節して、Ａｌ支持体１２０５とカソー
ド電極１２０８間にグロー放電を生じさせ、高周波電力
を１６０Ｗとし５μｍ厚にＡ−８ｔ　：　Ｈ：　Ｂ　：
　０層（Ｂ、０を含むＰ型のＡ−８ｔ：ＨＪ＠となる）
を堆積した（を荷注入防止層）。

この際、ＮＯガス流量をＳｉＨ４ガス流量に対して、第
２２図に示す様に変化させ、層作成終了時にはＮＯガス
流量が雰になるようにした。この様にして５μｍ厚のＡ
−８ｔ　：Ｈ：Ｂ：０（Ｐ型）Ｍを堆積したのち、放電
を切らずに、パルプ１２２３及び１２２４を閉めＢ２Ｈ
６、ＮＯの流入を止めた。

そして高周波電力１６０Ｗで２０μｍ厚のＡ−８ｉ：Ｈ
層（ｎｏｎ　−ｄｏｐｅｄ　）を堆積した（感光層）。

その後高周波電源およびガスのバルブをすべて閉じ堆積
装置を排気し、Ａｌ支持体の温度を室温まで下けて、光
受容層を形成した支持体を取り出した０ この場合、第１１図（Ｂ）、（Ｃ）のように感光層の表
面と支持体の表面とは非平行であった。

この場合Ａｌ支持体の中央と両端部とでの平均層厚の層
厚差は２μｍであった。

この場合の光受容部材について、波長７８０　ｎｍの半
導体レーザーをスポット径８０μｍで第１４図に示す装
置で画像露光を行い、それを現像、転写して画像を得た
。

この場合干渉縞模様は、観察され１′、実用に十分な電
子写真特性を示すものが得られた。

実施例２ 第１３図、第１４図に示す表面性のシリンダー状Ａｌ支
持体上に、第１表に示す条件で電子写真用光受容部材を
形成した。その他り、実施例１と同様の条件と手順に従
った。これら電子写真用光受容部材について、実施例１
と四様な画像露光装置を用いて、画像露光を竹い、現像
、転写、定着して、普通紙上に可視画像を得た。この様
な画像形成フロセスを１０万回連続繰返し行った。

この場合、得られた画像の総てに於いて、干渉縞は見ら
れず、実用上十分な特性であった。又、初期の画像と１
０万回目の画像の間には、何等差違はなく、高品質の画
像であった。

実施例３ 第１３図、第１４図に示す表面性のシリンダー状Ａｌ支
持体上に、第２表に示す条件で電子写真用光受容部材を
形成した。その他は、実施例１と同様の条件と手順に従
った。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像電光装置を用いて、画像露光を行い、現像、転写
、定着して、普通紙上に可視画像を得た。

この場合に得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
上十分な特性であった。

実施例４ 第１３図、第１４図に示す表面性のシリンダー状１支持
体上に、第３表に示す条件で１１Ｉ）子写真用光受容部
材を形成した。その他は、実施例１と同様の条件と手順
に従った。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画ｇ＃露光を竹い、現像、転
写、定着して、普通紙上に可視画像を得た。

この場合、得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
上十分な特性であった。

実施例５ 第１３図、第１４図に示す表面性のシリンダー状ＡＡｉ
支持体上に、第４表に示す条件で電子写真用光受容部材
を形成した。その他は、実施例１と同様の条件と手順に
従った。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行い、現像、転写
、定着して、普通紙上に町視画像を得た。

この場合、得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
上十分な特性であった０ 実施例も 第１３図、第１４図に示す表面性のシリンダー状Ａ／支
持体上に、第５表に示す条件と第２５図に示す、Ｎｏ　
＋！：ＳｉＨ４のガス流量比の変化率曲線に従って、電
子写真用光受容部材を形成した。その他−実施例１と同
様の条件と手順に従った。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像無光を行い、現像、転写
、定着して、普通紙上に可視画像を得た。

この場合、得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
に十分な特性であった０ 実施例７ 第１３図、第１４図に示す表面性のシリンダー状Ａｌ支
持体上に、第６表に示す条件と第２６図に示ｔＮＯとＳ
ｉＨ４ガスのガス流量の変化曲線に従って、電子写真用
光受容部材を形成した。その他は、実施例１と同様の手
順に従った。

これＩ）電子写真用光受容部材について、実施例１と同
様な画像ｊ１元装置を用いて、画像露光を行い、現像、
転写、定着して普通紙上に可視画像を得た。

この場合、得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
に十分な特性であった。

実施例８ 第１３図、第１４図に示す表面性のシリンダー状Ａｌ支
持体上に、第７表に示す条件と第２７図に示すＮｏと５
ｉＩ（４ガスのガス流ｌ比の変化曲線に従って、電子写
真用光受容部材を形成した。その他は、実施例１と同様
の条件と手順に従った。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像Ｎ介、装置を用いで、画イ家露光を行い、現像、
転写、定着して、普通紙上にロエ視画像を得た。

この場合、得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
に十分な％性であった。

実施例９ 第１３図、第１４図に示す表面性のシリンダー状ＡＡ’
支持体上に、第８表に示す条件と第２８図に示すＮＯと
ＳｉＨ４ガスのガス流量比の変化曲線に従って電子写真
用光受容部材を形成した。その他は、実施例１と同様の
条件と手順に従った。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像無光を行い、現像、転写
、定着して、普通紙上に可視画像を得た。

この場合、得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
に十分な特性であった。

実施例１０ 第１３図、第１４図に示す表面性のシリンター状ＡＡｉ
支持体上に、第９表に示す条件と第２８図に示すＮＯと
ＳｉＨ４ガスのガス流量比の変化曲線に従って電子写真
用光受容部材を形成した。その他は、実施例１と同様の
条件と手順に従った。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行い、現像、転写
、定着して、普通紙上に可視画像を得た。

との場合、得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
に十分な特性であった。

〔発明の効果〕

以上、詐細に説明した様に、本発明によれは、可干渉性
単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易であり
、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転現像時の
斑点の現出を同時にしかも完全に解消することができ、
更には、高光感度性、高ＳＮ比特性、及び支持体との間
に良好な電気的接触性を治し、デジタル画像記録に好適
な光受容第　１　表 第　２　表 第３表 第　４　表

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層構成の光受容部材の場合の干渉縞の発現
を説明する為の説明図である。 第３図は散乱光による干渉縞発現を説明する為の説明図
である。 第４図は、多層構成の光受容部材の場合の散乱光による
干渉縞発現を説明する為の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞発現を説明する為の説明図である。 第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの原理を説明する為の説明図である
。 第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較を示す為の説明図
である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことを２層の場合寸で展開して説明する為の説
明図である。 第９図（Ａ）（ＢＭｏはそれぞれ代表的な支持体の表面
状態の説明図である。 第１Ｏ図は、光受容部材の説明図である。 第１１図は、実施例１で用いたＡ［支持体の表面状態の
説明図である。 第１２図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明
図である。 第１３図、第１４図は夫々、実施例で作製した光受容部
材用の支持体の表面状態を示す模式的説明図である。 第１５図は、実施例で使用した画像露光装置を説明する
為の模式的説明図である。 第１６図乃至第２４図は夫々層領域（ＯＣＮ）中の原子
（ＯＣＮ）の分布状態を説ツ」する為の説明図、第２５
図乃至第２８図は夫々本発明の実施例に於けるガス流量
比の変化率曲線を示す説明図である。 １０００　・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・光受容層１００１　、１３０１．
　、１４０１・・・・・・・・・Ａ、ｌ支持体１００２
、１，３０２．１４０２・・・・・・・・・電荷注入防
止層１００３　、１３０３　、１４０３・・・・・・・
・・感光層１００５　・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・光受容部材１５０１　
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・電子写真用光受容部材１５０２　・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
半導体レーザー１５０３　・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆθし／ズ１５０
４　・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・ボリゴ／ミラー１５０５　・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・露
光装置の平面図１５０６　・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・露光装置の側面図
第１図 イ立Ｊ１ 第６０ （０） １尺 −〇 ０ 第２３図 哨？４目 カス流量比

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）所定の切断位置での断面形状が主ピークに副ピー
   クが重畳された凸状形状でおる凸部が多数表面に形成さ
   れている支持体と、シリコンＮ子を含む非晶質材料から
   なシ少なくとも一部の層領域が感光性を有する光受容層
   とを有する光受容部材に於いて、前記光受容層は酸素原
   子、炭素原子、窒素原子の中から選択される原子の少な
   くとも一種を層厚方向には不均一な分布状態で含有する
   ことを特徴とする光受容部材。 （２）　前記凸部が規則的に配列されている特許請求の
   範囲第１項に記載の光受容部材。　゛（３）　前記凸部
   が周期的に配列されている特許請求の範囲第１項に記載
   の光受容部材。 （４）　前記凸部の夫々は、−次近似的に同一形状を有
   する特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （５）　前記凸部は、副ピークを特徴とする特許請求の
   範囲第１項に記載の光受容部材。 （６）　前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心に
   して対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受
   容部材。 （７）　前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心に
   して非対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光
   受容部材。 （８）　前記凸部は、機械的加工によって形成された特
   許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （９）　前記不均一な分布状態は、分布濃度線が前記光
   受容層の自由表面側に向って減少する部分を有する分布
   状態である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 α＠　前記不均一な分布状態は、分布濃度線が前記支持
   体側に向って増大する部分を有す分布状態である特許請
   求の範囲第１項に記載の光受容部材。 αｌ　前記不均一な分布状態は、前記光受容層の支持体
   側端部層領域に最大分布濃度を有する特許請求の範囲第
   １項に記載の光受容部材。 α２　前記不均一な分布状態は、屈折率の緩やかな変化
   を形成している特許請求の範囲第１項に記載の光受容部
   材。