JPS61113067A - 電子写真用光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いて該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導体
レーザー（通當は８５０〜８２０ｎｍの発光波長を有す
る）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子−写真
用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他
の種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加え
て、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点
で例えば特開昭５４−［３４１号公報や特開昭５８−８
３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む非
晶質材料（以後ｒａ−ｓｉＪ　と略記する）から成る光
受容部材が注目されている。

、例年ら、光受容層を単層構成のａ　　Ｓ！層とすると
、その高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求さ
れる１０Ｉ２Ωｃｍ以上の暗抵抗を確保するには、水素
原子やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子と
を特定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有さ
せる必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に
行う必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に
可成りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
５９号、同５８１８０号、同５８１ｅ１号の各公報に記
載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び光
受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたりし
て、見掛け」−の暗抵抗を高めた光受容部材が提案され
ている。

この様な提案によって、ａ　−Ｓｉ系光受容部材はその
商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造」二の管理
め容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に
向けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に班がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者をイ３１せた意味で「界面」と称す）より反
射して来る反射光の各々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光Ｉ０と上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をλとして、
ある層の層厚がなだらかに丹以」二の層厚差で不均一で
あると、反射光Ｒ，、Ｒ２が２ｎｄ−ｍ入（ｍは整数、
反射光は強め合う）と２ｎｄ−（ｍ　＋　４　）入（ｍ
は整数、反射光は弱め合う）の条件のどちらに合うかに
よって、ある層の吸収光量および透過光量に変化を生じ
る。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ａ〜±　１ｏｏｏ。

への凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開
昭５８−１６２９７５号公報）アルミニウム支持体表面
を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボ
ン、着色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける
方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アル
ミニウム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、
サンドブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして
、支持体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば
特開昭５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

１乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ−５ｉ層を形成
する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光受
容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がａ−３ｉ
層形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本来
の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化による
その後のａ−５ｉ層の形成に悪影響を与えること等の不
都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光■。は、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光Ｉ、となる。透
過光１１は、支持体３０２の表面に於いて、その一部は
、光散乱されて拡散光ＫＩ　＋に２　＋に３・・・とな
り、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が
出射光Ｒ３となって外部に出て行く。従って、反射光Ｒ
１と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然
として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則に荒しても、第１層
４０２での表面での反射光Ｒ２，第２層での反射光Ｒ１
，支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且っ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄｌ＝ｍ入また
は２ｎｄ１−（ｍ十％）入が成立ち、夫々明部または暗
部となる。また、光受容層全体では光受容層の層厚ｄ＋
　、ｄｚ、ｄ：＋　、ｄ４の夫々の差の中の最大が前景
上である様な層厚の不均一性があるため明暗の縞模様が
現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像部の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高く、電子写真特性に優れた光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く、ハーフト
ーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る
ことが出来る電子写真用に適した光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の他の目的は、光受容部材の表面における機械的
耐久性、特に耐摩耗性及び光受容特性に優れた光受容部
材を提供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、所定の切断位置での断面形状が
主ピークに副ピークが重畳された凸状形状である凸部が
多数表面に形成されている支持体と、シリコン原子とゲ
ルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１の
層と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され、光導
電性を示す第２の層と、シリコン原子と炭素原子とを含
む非晶質材料からなる表面層とが前記支持体側よりこの
順に設けられた多層構成の光受容層とを有しており、前
記第１の層及び第２の層の少なくとも一方に伝導性を支
配する物質が含有され、該物質の含有されている層領域
に於いて、該物質の分布状態が層厚方向に不均一である
と共に、前記光受容層は、酸素原子、炭素原子、窒素原
子の中から選択される少なくとも一種を含有することを
複数有する。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って多
層構成の光受容層を有し、該光受容層は第６図の一部に
拡大して示されるように、第２層６０２の層厚がｄ５か
らｄ６と連続的に変化している為に、界面６０３と界面
６０４とは互いに傾向きを有している。従って、この微
小部分（ショートレンジ）１に入射した可干渉性光は該
微小部分１に於て干渉を起し、微小な干渉縞模様を生ず
る。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光Ｉ０に対する
反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に比べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非平行な
場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明
暗の差が無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２層６０２の層厚がマ
クロ的にも不均一（ｄ７”Ｆ　ｄｓ）であっても同様に
云える為、全層領域に於て入射光量が均一になム□０笑
Ｊｌｌ舊ｒ　　　　＋　　Ｍ−また、光受容層が多層構
成である場合に於いて照射側から第２層まで可干渉性光
が透過した場合に就いて本発明の効果を述べれば、第８
図に示す様に、入射光ｒｏに対して、反射光Ｒ，、Ｒ２
，Ｒ３Ｒ４，Ｒ，、が存在する。その為各々の層で第７
図を似って前記に説明したことが生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為１本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現われることはない。又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には何等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

門輻ｌ〕ηユｌＵ　′　　　１４□ノ二一」瞠ｔｌし　
　ノ　　　″にき　−ρ□−６（ｐ工Ｌ」シー　／メの
一周期分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、ｌ≦
Ｌである。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
ｌに於ける層厚の差（ｄｓ　　　ｄ６）は、照射光の波
長を入とすると、 ｄｓ　　　ｄ６≧　工 ｎ （ｎ：第２層６０２の屈折率） であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分ｌの層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が コＬ　　　　　（ｎ：層の屈折率） ｎ 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、層
厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズマ
気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用
される。

本発明の目的を達成するための支持体の加工方法として
は、化学エツチング、電気メッキなどの化学的方法、蒸
着、スパッタリングなどの物理的方法、旋盤加工などの
機械的方法などを利用できる。しかし、生産管理を容易
に行うために、旋盤などの機械的加工方法が好ましいも
のである。

たとえば、支持体を旋盤で加工する場合、７字形状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深
さで形成される”。この様な切削加工法によって形成さ
れる凹凸が作り出す線状突起部は、円筒状支持体の中心
軸を中心にした螺壌構造を有する。突起部の螺欲構造は
、二重、三重の多重！１％に構造、又は交叉蝶板構造と
されても差支えない。

或いは、螺ν構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明の支持体の所定断面内の凸部は、本発明の効果を
高めるためと、加工管理を容易にするために、一次近似
的に同一形状とすることが好ましい。

又、前記凸部は、本発明の効果を高めるために規則的ま
たは、周期的に配列されていることが好ましい。又、更
に、前記凸部は、本発明の効果を一層高め、光受容層と
支持体との密着性を高めるために、副ピークを複数有す
ることが好ましい。

これ等の夫々に加えて、入用光を効率よく一方向に散乱
するために、前記凸部が主ピークを中心に対称（第９図
（Ａ））または非対称形（第９図（Ｂ））に統一されて
いることが好ましい。しかし、支持体の加工管理の自由
度を高める為には両方が混在しているのが良い。

木発明における支持体の所定の切断位置とは、例えば円
筒の対称軸を有する支持体であって、その対称軸を中心
とするｎｔ状構造の凸部が設けられている支持体におい
ては、該対称軸を含む任意の面をいい、また例えば、板
状等の平面を有する支持体におていは、支持体」二に形
成されている複数の凸部の最低２つを横断する面を言う
ものとする。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した」
二で、木発明の目的を結果的に達成出来る様に設定され
る。

即ち、第１は光受容層を構成するａ−３ｉ層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じ
て層品質は大きく変化する。

従って、ａ−、、Ｓｉ層の層品質の低下を招来しない様
に支持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定
する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、プレートのい
たみが早くなるという問題がある。

」二記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上
の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果
、支持体表面の四部のピッチは、好ましくは５００ｇｌ
１１〜０．３μ、より好ましくは２００μ〜ｌ胛、最適
には５０μ〜５μであるのが望ましい。

又、四部の最大の深さは、好ましくは０．１μｓ〜５μ
、より好ましくは０．３ｕ１〜３　ＩＩｊｌｌ、最適に
は０．６μ〜２胛とされるのが望ましい。支持体表面の
四部のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、四部
（又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度
〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、最適には４度
〜ｌＯ度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体−４二に堆積ｙれる各層の層厚の不
均一性に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましく
は０．１ｕ１〜２胛、より好ましくは０．１ＩＬＩ１１
〜１．５牌、最適には０，２μ〜Ｉｇｍとされるのが望
ましい。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の層とシリコン原子と炭素原子と
を含む非晶質材料からなる第３の層とが支持体側より順
に設けられた多層構成となっており、債れた電気的、光
学的、光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を
示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速い。

本発明の光受容部材において、第２の層上に設けられる
シリコン原子と炭素原子を含む非晶質材料からなる表面
層には、機械的耐久性に対する保護層としての働き、お
よび、光学的には、反射防止層としての働きを主に荷わ
せることか出来る。

上記表面層は、次の条件を満たす時、反射防止層として
の機能を果すのに適している。

即ち１表面層の屈折率ｎ、層厚をｄ、入射光の波長を入
とすると、 ｄ−貨 の時、又は、その奇数倍のとき、表面層は、反射防止層
として適している。

又、第２の層の屈折率をｎａとした場合、表面層の屈折
率ｎが、 ｎ＝河 を満し且つ、表面層の層厚ｄが、ｄ＝　　ｘ　　を満た
ｎ す時、表面層は、反射防止層として最適である。

ａ−５ｉ：Ｈを第２の層として用いる場合、ａ−３ｉ　
：Ｈの屈折率は、約３．３であるので、表面層としては
、屈折率１．８２の材料が適している。

ａ−ＳｉＣ：Ｈは、Ｃの量を調整することにより、この
ような値の屈折率とすることが出来、がっ、機械的耐久
性、層間の密着性、及び電気的特性も十分に満足させる
ことが出来るので、表面層の材料としでは最適なもので
ある。

また表面層を、反射防止層としての役割に重点を置く場
合には、表面層の層厚としては、０．０５〜２胛とされ
るのがより望ましい。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就いて詳細
に説明する。

第１０図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を有し
、該光受容層１０００は自由表面１００５を一方の端面
に有している。

光受容層１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）とを含有するａ−９ｉ（以後ｒａ−３ｉＧｅ　（
Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された第１の層（Ｇ）
　１００２と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）とを含有するａ−３ｉ（以後ｒａ−Ｓｉ　
（Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成され、光導電性を有
する第２の層（Ｓ）　１００３と、シリコン原子と炭素
原子とを含む非晶質材料からなる表面層１００６とが順
に積層された層構造を有する。

第１０図に示される光受容部材１００４においては、第
２の層１００３上に形成される表面層１００６は、自由
表面を有し、主に耐温性、連続繰返し使用特性、電気的
耐圧性、機械的耐久性、光受容特性において、本発明の
目的を達成する為に設けられる。

本発明に於ける表面層１００８は、シリコン原子（Ｓｉ
）と炭素原子（Ｇ）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）及
び／又はハロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料（以後
、’　ａ−（Ｓｉｘ　ｃｌ−％　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｔ
−ｙ　Ｊと記す。但し、０く！、！＜　１）で構成され
る。

ａ−（ＳｔＸｃ、　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　１−　ｙ
で構成される表面層１００Ｂの形成はグロー放電法のよ
うなプラズマ気相法（ｐｃｖｏ法）、あルイは光ＣＶＤ
法、熱ｃｖｎ法、スパッタリング法、エレクトロンビー
ム法等によって成される。これ等の製造法は、製造条件
、設備資本投下の負荷程度、製造規模、作製される光導
電部材に所望される特性等の要因によって適宜選択され
て採用されるが、所望する特性を有する光導電部材を製
造するための作製条件の制御が比較的容易である、シリ
コン原子と共に炭素原子及びハロゲン原子を、作製する
表面層１００６中に導入するのが容易に行える等の利点
から、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適に採
用される。

更に１本発明に於いては、グロー放電法とスパッタリン
グ法とを同一装置系内で併用して表面層１００６形成し
てもよい。

グロー放電法によって表面層１００Ｂを形成するには、
ａ−（Ｓｘｘ　Ｃトｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　１−　ｙ形
成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混
合比で混合して、支持体の設置しである堆積室に導入し
、導入されたガスをグロー放電を生起させることにより
ガスプラズマ化して、前記支持体に既に形成されである
第１から第２の層上にａ−（Ｓｉｘ　Ｃｓ　−ｘ）ｙ（
「、ＸＬ−ｙを堆積させれば良い。

本発明に於いて、ａ−（Ｓｉｘ　Ｃｘ　−ｘ　）ｙ　（
Ｈ，Ｘ）　Ｉ−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン
原子（Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）及びハ
ロゲン原子（Ｘ）の中の少なくとも一つをその構成原子
として含有するガス状の物質又はガス化し得る物質をガ
ス化したものの中の大概のものが使用され得る。

Ｓｉ、　Ｃ、Ｈ、Ｘの中の一つとしてＳｉを構成原子と
する原料ガスを使用する場合には、例えば、Ｓｉを構成
原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと
、必要に応じてＨを構成原子とする原料ガス及び／又は
Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又はＳｉを構成原子とする原料ガスと、
Ｃ及びＨを構成原子とする原料ガス及び／又はＣ及びＸ
を構成原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合
比で混合するか、或いは、Ｓｉを構成原子とする原料ガ
スと、Ｓｉ、　ＣおよびＨの３つを構成原子とする原本
１１ガス又はＳｉ、　ＣおよびＸの３つを構成原子とす
る原料ガスとを混合して使用することができる。

又、別には、ＳｉとＨとを構成原子とする原料ガスに、
Ｃを構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良い
し、ＳｉとＸとを構成原子とする原料ガスにＣを構成原
子とする原料ガスを混合して使用してもよい。

本発明に於いて、表面層１００６中に含有されるハロゲ
ン原子（Ｘ）として好適なものは、Ｆ　、　Ｃｌ、Ｂｒ
、　Ｉであり、殊にＦ　、　Ｃｌが望ましいものである
。

本発明に於いて、表面層１００６を形成するのに有効に
使用される原料ガスと成り得るものとしては、常温常圧
に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質を
挙げることができる。

本発明に於いて、表面層１００６形成用の原料ガスとし
て有効に使用されるのは、ＳｉとＨとを構成原子とする
ＳｉＨ４，５ｉ２Ｈ６、５ｉ３ＨＢ　、　５ｉ４Ｈ１゜
等のシラン（Ｓｉｉａｎｅ）類等の水素化硅素ガス、Ｃ
とＨとを構成原子とする、例えば炭素原子数１〜４の飽
和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素
数２〜３のアセチレン系炭化水素、ハロゲン単体、ハロ
ゲン化水素、ハロゲン間化合物、ハロゲン化硅素、ハロ
ゲン置換水素化硅素、水素化硅素等を挙げることができ
る。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、ｎ−ブ
タン、（ｎ−Ｃ４Ｈ１０）　、ペンタンＣＣ５Ｈ１２）
　、　　エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２
Ｈ４）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（０４Ｈ
８）　、　ブテン−２（０４Ｈ８）　、　　インブチレ
ン（０４Ｈ８）　、ペンテン（Ｃ５Ｈ＋ｏ）　、アセチ
レン系炭化水素としては、アセチレン（０２Ｈ２）、メ
チルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（ｌｌｌ；４Ｈ６
）　、ハロゲン単体としては、フッ素、塩素、臭素、ヨ
ウ素のハロゲンガス、ハロゲン化水素としては、ＦＨ，
Ｈｌ、　　ＨＣｌ、　ＨＢｒ　、　ハロゲン間化合物と
しては、ＢｒＦ　、　ＣｉＦ　、　ＣｌＦ３、ＣＩ　Ｆ
ｓ、ＢｒＦ５、ＢｒＦ３、ＩＦ７、　ＩＦ５．　　ＩＣ
１，ＩＢｒ　、　ハロゲン化硅素としてはＳｉＦ４．　
Ｓｉ２Ｆ６　、　ＳｉＣＩ３Ｂｒ　、　Ｓｉα２Ｂ　ｒ
２　。

５ｉＣＩ　Ｂｒ３　、５ｅｃｔ　３Ｉ　ＳｉＢｒ４　、
　ハロゲン置換水素化硅素としては、Ｓ　ｉ　Ｈ２Ｆ２
、ＳｉＨ２α２１．　５ｉＨＣ１３，５ｉＨ３Ｃｆ、　
５ｉＨ３Ｂｒ、　５ｉＨ２Ｂｒ２　、５ｉＨＢｒ３水素
化硅素としては、Ｓ　ｉ　Ｈ４，５ｉ２ＨＢ　、　５ｉ
３ＨＢ　、　５ｉ４Ｈ１゜等のシラン（Ｓｉｌａｎｅ）
類、等々を挙げることができる。

これ等の他に、ＣＦ４、ＧＣｆｆｉ４　、　ＧＢｒ４、
ＣｌＦ３、ＣＨ２Ｆ２　、　ＣＨ３Ｆ、　ＣＨ３ＧＩｔ
　、　ＣＨ３Ｂｒ　、　ＣＨ３１、Ｃ２Ｈ５α等のハロ
ゲン置換パラフィン系炭化水素、ＳＦ４、ＳＦ６等のフ
ッ素化硫黄化合物；　Ｓｉ（ＣＨ３）４．５ｌ（Ｃ：２
Ｈ５）４等のケイ化アルキルや５ｉｃｔ（ＣＨ３）３　
。

５ｉＣｉ２（ＣＨ３）２　、５ｉＣｆ３（Ｈ３等のハロ
ゲン含有ケイ化アルキル等のシラン誘導体も有効なもの
として挙げることができる。

これ等の表面層１００Ｂ形成物質は、形成される表面層
１００θ中に、所定の組・酸比でシリコン原子、炭素原
子及びハロゲン原子と必要に応じて水素原子が含有され
る様に、表面層１００６の形成の際に所望に従って選択
されて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て、且つ所望の特性の層が形成され得る５
ｉ（ＣＨ３）ａと、ハロゲン原子を含有させるものとし
ての５ｉＨＣｉ３　、５ｉＨ２Ｃｉ２　、５ｉＣｉ４或
いは、ＳｉＨ３α等を所定の混合比にしてガス状態で表
面層１００８形成用の装置内に導入してグロー放電を生
起させることによってａ−（Ｓｉｘ　ｃｌ　−Ｘ　）ｙ
　（ＣＬ　＋　Ｈ）１−ｙから成る表面層１００６を形
成することができる。

スパッタリング法によって表面層１００Ｇを形成するに
は、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハー又はＣウェーハ
ーあるいはＳｉとＣが混合されて含有されているウェー
ハーをターゲットとして、これらを必要に応じてハロゲ
ン原子又は／及び水素原子を構成要素として含む種々の
ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって行えば
よい。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、Ｃと、Ｈ及び／又はＸを導入するための原料ガスを、
必要に応じて稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入
し、これらのガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウ
ェーハーをスパッタリングすれば良い。

また、別法としては、ＳｉとＣとは別々のターゲットと
して、又はＳｌとＣの混合した一枚のターゲットを使用
することによって、必要に応じて水素原子又は／及びハ
ロゲン原子を含有するガス雰囲気中でスパッタリングす
ることによって成される。Ｃ５Ｈ及びＸの導入用の原料
ガスとなる物質としては、先述したグロー放電の例で示
した表面層１００６形成用の物質がスパッタリング法の
場合にも有効な物質として使用され得る。

本発明に於いて、表面層１００６をグロー放電法又はス
パッタリング法で形成する際に使用される稀釈ガスとし
ては、所謂・希ガス、例えばＨｅ、　Ｎｅ、Ａｒ等が好
適なものとして挙げることができる。

本発明に於ける表面層ｔｏｏｅは、その要求される特性
が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｉ、Ｃ、必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には、
導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質を各々示すので本発明にお
いては、目的に応じた所望の特性を有するａ−（Ｓｔつ
Ｃｓ　−ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）１−ｙが形成される様に
、所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成される。

例えば、表面層１００８を電気的耐圧性の向上を主な目
的として設ける場合には、ａ−（Ｓｉｘ　Ｃｓ　−ｘ　
）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　１−　ｙは使用環境に於いて電気絶
縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として表面層１００Ｂが設けられる場合には上記の
電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に
対しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ−（
Ｓｔｘｃｌ−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　Ｉ−ｙが作成され
る。第２の層１００３の表面上にａ−（Ｓｉ、　（４−
ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｓ−アから成る表面層１００Ｇ
を形成する際、層形成中の支持体温度は、形成される層
の構造及び特性を左右する重要な因子の一つであって、
本発明においては、目的とする特性を有するａ−（Ｓｉ
、、　Ｃｓ　−ｘ　）ｙ　ＣＨ，Ｘ）　１−　ｙが所望
通りに作成され得る様に層作成時の支持体温度が厳密に
制御されるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の表面層１００Ｇの形成法に併せて適宜最適範囲が選択
されて、表面層１００６の形成が実行されるが、好まし
くは２０〜４００°Ｃより好適には５０〜３５０℃、最
適には１００〜３００°Ｃとされるのが望ましいもので
ある。表面層１００８の形成には、層を構成する原子の
組成比の微妙な制御が他の方法に比べて比較的容易であ
る事等のために、グロー放電法やスパッタリング法の採
用が有利であるが、これ等の層形成法で表面層１００Ｂ
を形成する場合には、前記の支持体温度と同様に層形成
の際の放電パワーが作成されるａ−（Ｓｉｘ　Ｃ１−ｘ
　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　１−　ｙの特性を左右する重要な
因子の一つである。

本発明に於ける目的が効果的に達成されるための特性を
有するａ−（ＳＩｘＣ＋−ｘ）ｙ（Ｈ，ｘ）ｔ−ｙが生
産性良く効果的に作成されるための放電パワー条件とし
ては、好ましくは１０〜ｔｏｏｏｗ、より好適には２０
〜？５０Ｗ　、最適には５０〜６５０Ｗとされるのが望
ましいものである。

堆積室内のガス圧としては、好ましくは０．０１〜Ｉ　
Ｔａｒｔ、好適には、　０．１〜０．５Ｔｏｒｒ程度と
されるのが望ましい。

本発明に於いては表面層１００６を作成するための支持
体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記した
範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクターは
、独立的に別々に決められるものでなく、所望特性のａ
−（Ｓ！ｘＧ＋−ｘ）ｙ（Ｈ，ｘ）ｉ−ｙから成る表面
層１００Ｂが形成されるように相互的有機的関連性に基
づいて各層作成ファクターの最適値が決められるのが望
ましい。

本発明の光導電部材に於ける表面層１００６に含有され
る炭素原子の量は、表面層１００６の作成条件と同様、
本発明の目的を達成する所望の特性が得られる表面層１
００６が形成される重要な因子の一つである。

本発明に於ける表面層１００Ｂに含有される炭素原子の
量は、表面層！００ｆ（を構成する非晶質材料の種類及
びその特性に応じて適宜所望に応じて決められるもので
ある。

即ち、前記一般式ａ−（Ｓｉｘ　Ｃ＋　−Ｘ　）ｙ　（
Ｈ，Ｘ）　１−　ｙで示される非晶質材料は、大別する
と、シリコン原子と炭素原子とで構成される非晶質材料
（以後。

ｒ　ａ−３ｉａＣＩ−ａ　Ｊと記す。但し、Ｏ＜　ａ＜
　　１）　、シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構
成される非晶質材料（以後、　　ｒ　ａ−（Ｓｊｂ　ｃ
ｌ　−ｂ　）ｃ　Ｈｔ　−ｃ　Ｊと記す。但し、０　＜
　ｂ、　ｃ　＜　１）　、シリコン原子と炭素原子とハ
ロゲン原子と必要に応じて水素原子とで構成される非晶
質材料（以後、ｒａ−（Ｓｉ、、　ｃｌ　−１）ｅ（Ｈ
，Ｘ）＋−ｅ　Ｊと記す。但し、０　＜　ｄ、　ｅ　＜
　　１）に分類される。

本発明に於いて１表面層１００６がａ−８ｉｌ（１：１
−□で構成される場合、表面層１００６に含有される炭
素原子の量は、好ましくは、　Ｉ　Ｘ　１０’　〜９０
ａｔｏｍｉｃ％、より好適には１〜８０ａｔｏｍｉｃ％
、最適にはｌＯ〜７５ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ま
しいものである。即ち、先のａ−５ｉ＆［：　ｌ−＠の
ａの表示で行えば、ｄが好ま−しくは　０．１〜０．９
９９９９、より好適には０．２〜０．８９、最適には０
．２５〜０．９である。

一方、本発明に於いて、表面層１００６がａ−（Ｓｉ１
．（４−ｂ　）ｃ　）Ｉｔ−ｃで構成される場合、表面
層１００Ｂに含有される炭素原子の量は、好ましくはｌ
Ｘｌ０−３〜９０ａｔｏｍｉｃ％とされ、より好ましく
は１〜９０ａｔｏｆｌｌｉｃ％、最適には１０〜８０ａ
ｔａｍｉｃ％とされるのが望ましいものである。水素原
子の含有量としては、好ましくはｌ　〜４Ｑａｔｏｍｉ
ｃ％、より好ましくは２〜３５ａｔｏｍｉｃ％、最適に
は５〜３０ａｔｏ１ｃ％とされるのが望ましく、これ等
の範囲に水素含有量がある場合に形成される光受容部材
は、実際面に於いて優れたものとして充分適用させ得る
。

即ち、先のａ−（Ｓｉｉ、　Ｃ：ｔ　−ｂ　）ｅ　Ｈｔ
−ｅの表示で行えば。

ｂが好ましくは０．１〜０．１３９９９９．より好適に
は０．１〜０．９９、最適には０．１５〜０．９、Ｃが
好ましくは０．６〜０．８８、より好適には０．６５〜
０．８Ｂ、最適には０．７〜０．９５であるのが望まし
い。

表面層１００６が、ａ−（Ｓｉ、（４−、）。（Ｈ，Ｘ
）＋−ｅ　テ構成される場合には、表面層ｌ００６中に
含有される炭素原子の含有量としては、好ましくは、　
ｌＸｌ０’〜９０ａｔｏｍｉｃ％、より好適にはｌ　〜
９Ｑａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０ａｔｏ腸ｉｃ
％とされるのが望ましいものである。ハロゲン原子の含
有量としては、好ましくは、　１〜２０ａｔｏｍｉｃ％
とされるのが望ましく、これ等の範囲にハロゲン原子含
有量がある場合に作成される光受容部材を実際面に充分
適用させ得るものである。必要に応じて含有される水素
原子の含有量としては、好ましくは１９ａｔｏｍｉｃ％
以下、より好適には１３ａｔｏｍｉｃ％以下とされるの
が望ましいものである。

即ち、先のａ−（ＳｉａＣ＋−ｄ）ｅ（Ｈ，Ｘ）□−ａ
のｄ、　ｅ　（７）表示で行えば、ｄが好ましくは、０
．１〜０．９９９９９より好適には０．１〜０．８９、
最適には０．１５〜０．８、ｅが好ましくは０．８〜０
．９９、より好適には０．８２〜０．８８、最適には０
．８５〜０．８８であるのが望ましい。

本発明に於ける表面層１００６の層厚の数値範囲は、本
発明の目的を効果的に達成するための重要な因子の一つ
である。

本発明の目的を効果的に達成する様に、所期の目的に応
じて適宜所望に従って決められる。

又、表面層１００Ｂの層厚は、該層中に含有される炭素
原子の量や第１から第２の層の層厚との関係に於いても
、各々の層に要求される特性に応じた有機的な関連性の
下に所望に従って適宜決定される必要がある。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
においても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける表面層１００６の層厚としては、好まし
くは０．００３〜３０Ｊｕｎ、より好適には０．００４
〜２０胛、最適には０．００５〜１０μｓとされるのが
望ましいものである。

本発明の光受容部材１００４に於いては、少なくとも第
１の層（Ｇ）　１００２又は／及び第２の層（Ｓ）１０
０３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有されており
、該物質（Ｃ）が含有される層に所望の伝導特性が与え
られている。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）　１００２又は／及
び第２の層（Ｓ）　１００３に含有される伝導特性を支
配する物質（Ｃ）は、物質（Ｃ）が含有される層の全層
領域に含有されても良く、物質（Ｃ）が含有される層の
一部の層領域に偏在する様に含有されても良い。

しかし、いずれの場合に於いても、前記物質（Ｃ）の含
有される層領域（ＰＮ）に於いて、該物質の層厚方向の
分布状態は不均一とされる。詰す、例えば、第１の層Ｃ
Ｇ）の全層領域に前記物質（Ｃ）を含有さぜるのであれ
ば、第１の層（Ｇ）の支持体側の方に多く分布する様に
前記物質（Ｃ）が第１の層ＣＧ）中に含有される。

この様に層領域（ＰＮ）に於いて、前記物質（Ｃ）の層
厚方向の分布濃度を不均一にすることで、他の層どの接
触界面での光学的、電気的接合を良好にすることが出来
る。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（Ｇ）
中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有される
層領域（ＰＮ）は、第１の層（Ｇ）の端部層領域として
設けられ、その都度、所望に応じて適宜決められる。

本発明に於いては、第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の層（
Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を含
有きせるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層（Ｇ）に
於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、第２
の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層
領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ましい。

又、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに
於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その含有
量は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

面子ら、本発明に於いては、各層に含有される前記物質
（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の層
ＣＧ）中の含有量を充分多くするか、又は、電気的特性
の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有さ
せるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）又は／及び第２の層（Ｓ）中に、伝導特性を
支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質（
Ｃ）の含有される層領域〔第１の層（Ｇ）の又は／及び
第２の層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良
い〕の伝導特性を所望に従って任意に制御することが出
来るものであるが、この様な物質（Ｃ）としては、所謂
、半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来、本
発明に於いては、形成される光受容層を構成するａ−３
ｉ　（Ｈ、Ｘ）又は／及びａ　−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）に
対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型伝導
特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Ｍ（アル
ミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、
ＴＩ！、（タリウム）等があり、殊に好適に用いられる
のは、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては１周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（
アンチモン）　、　Ｂｉ　（ビスマス）等であり、殊に
好適に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（ＰＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含
有量が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
０．０１〜５　ＸＩＯ４ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、より
好適には０．５〜ｌ　ＸＩＯ’　　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ　、最適には、１〜５　Ｘ　ｔｏ３ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好
適には５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１０
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とすることによって、例
えば該含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場合
には、光受容層の自由表面がΦ極性に帯電処理を受けた
際に支持体側からの光受容層中への電子の注入を効果的
に阻止することが出来、又、前記含有させる物質（Ｃ）
が前記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面が
Ｏ極性に帯電処理を受けた際に支持体側から光受容層中
への正孔の注入を効果的に阻止することが出来る。

」二記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（Ｐ
Ｎ）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（Ｐ　Ｎ
）に含有される伝導特性を支配する物質の伝導型の極性
とは別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質を含有
させても良いし、或いは、同極性の伝導型を有する伝導
特性を支配する物質を層領域（ＰＮ）に含有させる実際
の量よりも一段と少ない量にして含有させても良いもの
である。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＮ
）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に応じて
所望に従って適宜決定されるものであるが、好ましくは
、０．００１〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ　、より
好適には（１，０５〜５００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ　、
最適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされ
るのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが好ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有さｉた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触匍域
に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り１例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。

第１１図乃至第１９図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＰＮ）中に含有される伝導性を支配する物質
（Ｃ）の層厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第１１図乃至第１９図において、横軸は物質（Ｃ）の分
布濃度Ｃを、縦軸は第１の層（Ｇ）の層厚を示し、ｔＢ
は支持体側の第１の層（Ｇ）の端面の位置を、１丁は支
持体側とは反対側の層（Ｇ）の端面の位置を示す。即ち
、物質（Ｃ）の含有される第１の層（Ｇ）はｔＢ側より
ｔ、側に向って層形成がなされる。

第１１図には、第１の層（Ｇ）に含有される物質（Ｃ）
の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第１１図に示される例では、物質（Ｃ）の含有される第
１の層（Ｇ）が形成される表面と該第１の層（Ｇ）の表
面とが接する界面位置ｔＢより１．の位置までは、物質
（Ｃ）の分布濃度ＣがＣ１なる一定の値を取り乍ら物質
（Ｃ）が形成される第１の層（Ｇ）に含有され、位置ｔ
１よりは濃度Ｃ２より界面位置１丁に至るまで徐々に連
続的に減少されている。界面位置１丁においては物質（
Ｃ）の分布濃度ＣはＣ３とされる。

第１２図に示される例においては、含有される物質（Ｇ
）の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置を丁に至るまで濃度
Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔ。

において濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

ｔ５１３図の場合には、位置１ＢよりＩ２までは、物質
（Ｃ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位置ｔ
２と位置を丁との間において、濃度Ｃ７がら徐々に連続
的に減少され、位置１丁において、分布濃度Ｃは実質的
に零とされている（ここで実質的に零とは検出限界量未
満の場合である）。

第１４図の場合には、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置を丁に至るまで、濃度Ｃ８より連続的に徐々
に減少され、位置１Ｔにおいて実質的に零とされている
。

第１５図に示す例に於ては、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは
、位置ｔＢと位置１３間においては濃度Ｃ９と一定値で
あり、位置ｔ１に於ては濃度Ｃ１゜とされる。位置ｔ３
と位置ｔ□との間では、分布濃度Ｃは一次関数的に位置
Ｌ３より位置ｔ１に至るまで減少されている。

第１８図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置し４までは濃度ＣＩ＋の一定値を取り、位置
ｔ４より位置ｔＴまでは濃度ＣＩ２より濃度ＣＩ３まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては、位置ｔＢより位置を丁に
至るまで、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは濃度ＣＩ４より実
質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第１８図においては、位置１．より位置ｔ５に至るまで
は物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩ５より濃度Ｃ１
Ｇまで一次関数的に減少され１位置し５と位置１丁との
間においては、濃度ＣＩ６の一定値とされた例が示され
ている。

第１９図に示される例において、物質（Ｃ）の分布濃度
Ｃは、位置１．において濃度ＣＩ？であり、位置ｔ６に
至るまではこの濃度ＣＩ？より初めはゆっくりと減少さ
れ、Ｉ６の位置付近においては、急激に減少されてＩ６
では濃度ｃｔｅとされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されてＩ７で濃
度Ｃ１□となり１位置ｔ７と位置ｔ８との間では、極め
てゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８ににおいて、濃
度Ｃ２０に至る。位置ｔ８と位置ｔ□との間においては
濃度Ｃ２０より実質的に零となる様に図に示す如き形状
の曲線に従って減少されている。

以」二、第１１図乃至第１８図により１層領域（ＰＮ）
中に含有される物質（Ｃ）の層厚方向の分布状態の典型
例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支持体
側において、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃの高い部分を有し
、界面１丁−側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側
に比べて可成り低くされた部分を有する物質（Ｃ）の分
布状態が第１の層（Ｇ）又は第２の層（Ｓ）に設けられ
ているのが望ましい。

本発明における光受容部材を構成する光受容層を構成す
る第１の層（Ｇ）又は第２の層（Ｓ）は好ましくは上記
した様に支持体側の方に物質（Ｇ）が比較的高濃度で含
有されている局在領域（Ａ）を有するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ａ）は、第１１図乃至第１
９図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより
５ｐ以内に設けられるのが望ましいものである。

本発明に於ては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置１Ｂ
より５１Ｌ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ　）の一部とされる場合もある
。

第１の層（Ｇ）　１００２中に含有されるゲムマニウム
原子は、該第１の層（Ｇ）　１００２の層厚方向及び支
持体の表面と平行な面内方向に連続的であって、且つ均
一な分布状態となる様に前記第１の層（Ｇ）１００２中
に含有される。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）」−に設けられる第
２の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有ｙれてお
らず、この様な層構造に光受容層を形成することによっ
て、可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的短波長
迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受
容部材として得るものである。

又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状？ａ’ｌは全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分
布しているので、半導体レーザ等を使用した場合の、第
２の層（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第
１の層（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが
出来、支持体面からの反射による干渉を防止することが
出来る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層゛（Ｇ）
と第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリ
コン原子という共通の構成要素を有しているので積層界
面に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されている。

本発明において、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜法められるが、好まし
くは１〜Ｌ５Ｘ　１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍ　、　よ
り好ましくは１００〜８×１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍ
とされるのが望ましい。

本発明に於いて第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層ＣＧ）の層厚ＴＢは、好まし
くは３０Ａ〜５０ｐＬ、より好ましくは、４０Ａ〜４０
ＪＬ、最適には、５０人〜３０１Ｌとされるのが望まし
い。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜８
０川、より好ましくは１〜８０１Ｌ最適には２〜５０７
ｔとされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚Ｔ、と第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（丁８十Ｔ）としては、両層領域に要求される特性と
光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連
性に基いて、光受容部材の層設針の際に所望に従って、
適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（■８十Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００ｋ、より好適
には１〜８０ｇ、最適には２〜５０ＩＬとされるのが望
ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚Ｔ８及び層厚Ｔとしては、好ましくは丁ａ／Ｔ≦１な
る関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい。

−１−記の場合に於ける層厚Ｔ８及び層厚Ｔの数値の選
択に於いて、より好ましくは、ｒａ　／　Ｔ≦０．８．
最適には丁ａ／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層
厚丁Ｂ及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいもので
ある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量がＩ　Ｘ　１０５ａｔｏ１０５ａｔ
ｏ以上の場合には、第１の層ＣＧ）の層厚Ｔ、としては
、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０ｐ以
下、より好ましくは２５Ｊ１．以下、最適には２０ＩＬ
以下とされるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する第１の層（Ｇ）及
び第２の層（Ｓ）中に必要に応じて含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明において、ａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）で構成さ
れる第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー放電法によって、ａ−９ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ
）で構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、基本的
には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧｅ
供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）導入様
の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料
ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状
態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予
め所定位置に設置されである所定の支持体表面上に含有
されるゲルマニウム原子の分４１濃度を所望の変化率曲
線に従って制御し乍らａ−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）から成
る層を形成させれば良い。又、スパッタリング法で形成
する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこ
れ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｔで
構成されたターゲットとＧｅで構成されたターゲットの
二枚を使用して、又はＳｉとＧｅの混合されたターゲッ
トを使用してスパッタリングする際、必要に応じて水素
原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガス
をスパッタリング用の堆積室に導入してやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６。

５ｉ３ＨＢ　＋　５ｉＪｘ。等のガス状態の又ガス化し
得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものと
して挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｔ
供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６。

が好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢ　、　Ｇｅ４Ｈ１ｏ　、　
Ｇｅ５Ｈ１２１Ｇｅ６Ｈ１４＋　Ｇｅ７Ｈ１６＋　Ｇｅ
８Ｈ１８＋　”’９Ｈ２０等のガス状態の又はガス化し
得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとして
挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給
効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈ
Ｂが好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。・又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成
要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子
を含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明にお
いては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、ＣＩ　Ｆ、ｃｔ　Ｆ３　、　ＢｒＦ５
゜ＢｒＦ３　、ＩＦ３　、　ＩＦ７　、ＩＣｉ　、ＩＢ
ｒ等のハロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４’、　Ｓｉ２Ｆ６　、５ｉＣＩ４　、　ＳｉＢｒ
４等のハロゲン化硅素を好ましいものとして挙げる事が
出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−９ｉＧｅか
ら成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガス
となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガス
等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層（
Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起して
これ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって
、所望の支持体上に第１の層（Ｇ）を形成し得るもので
あるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる様
に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子を
含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても良
い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ−ＳｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）から成る第１の層（
Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング法の場合に
はＳｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲットの
二枚を、或いはＳｉとＧｅから成るターゲットを使用し
て、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリン
グし、イオンブレーティング法の場合には、例えば、多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム
又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ポー
トに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクト
ロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸
発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で行
う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｉ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるもノテあるが、そ
の他に、ＨＦ　、　　ＨＣｔ、　ＨＢｒ。

ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２　、　ＳｉＨ２
Ｉ２　！５ｉＨ２Ｃ１２、Ｓ：ＨＣｌ３　、５ｉＨ２Ｂ
ｒ２　、５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化硅素、及
びＧｅＨＦ３　、　ＧｅＩ２Ｆ２　、　ＧｅＨ３Ｆ。

ＧｅＨα３　、　ＧｅＩ２　Ｃ１２、ＧｅＨＢｒ３　、
　ＧｅＨＢｒ３　＋ＧｅＨ２Ｂｒ２　、　ＧｅＨＢｒ３ 水素化ハロゲン化ゲルマニウム等の水素原子を構成要素
の１つとするハロゲン化物、Ｇｅ４Ｈ１０（４４、Ｇｅ
Ｂｒ４　、　ＧｅＩ４．　ＧｅＦ２．　ＧｅＣ１２、Ｇ
ｅＢｒ２　。

ＧｅＩ２等のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態
の或いはガス化し得る物質も有効な第１の層（Ｇ）形成
用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層ＣＧ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層ＣＧ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＩ２　＋或いはＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６。

Ｓｉ３Ｈｇ　、　５ｉ４Ｈ１゜等の水素化硅素をＧｅを
供給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、
或いは、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６＊　Ｇｅ：ｉＨａ　＊　
Ｇｅ４Ｈ１０＊　Ｇｅ５Ｈ１２＋Ｇｅ６Ｈ１４＋　Ｇｅ
７Ｈ１Ｇ　＋　Ｇｅ、３Ｈ１８ｒ　ＧｅｇＨ２０等の水
素化ゲルマニウムとＳｉを供給する為のシリコン又はシ
リコン化合物とを堆積室中に共存させて放電を生起させ
る事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４０
　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０　ａｔ
ｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ％とさ
れるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有さぜる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−３ｉ　（Ｈ、Ｘ）で構成される第
２の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層（Ｇ）
形成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用の原料ガ
スとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層（Ｓ）形
成用の出発物質（■）〕を使用して、第１の層（Ｇ）を
形成する場合と、同様の方法と条件に従って行うことが
出来る。

即ち、本発明において、ａ−Ｓｉ　（Ｈ、Ｘ）で構成さ
れる第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー放電法によってａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成
される第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的には前記
したシリコン原子（Ｓｔ）を供給し得るＳｉ供給用の原
料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部
が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロ
ー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所定
の支持体表面上にａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成
させれば良い。又、スパッタリング法で形成する場合に
は、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガス
をベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成された
ターゲットをスパッタリングする際、水素原子（Ｈ）又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリ
ング用の堆積室に導入しておけば良い。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
層厚方向には均一、又は不均一な分布状態で含有される
。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＮ）は、
光受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは、光
受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在させ
ても良い。

原子（ＯＣＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＣＮ）が、
光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＧＮ）
の含有されている層領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領
域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密
着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受
容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確
実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（０ＯＮ）の含有量は、層領域（Ｏ
ＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（ＯＣＮ
）が支持体との接触して設けられる場合には、該支持体
との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に
於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＯＣＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜選択される。

層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＱＣ：Ｎ）の量
には、形成される光受容部材に要求される特性に応じて
所望に従って適宜法められるが、好ましくは０．００１
〜５０ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは、　０．００２
〜４０ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．００３〜３０ａｔ
ｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層
領域（ＱＣ：Ｎ）の層厚Ｔｏの光受容層の層厚Ｔに占め
る割合が充分多い場合には、層領域（ＯＣＮ）に含有さ
れる原子（ＯＧＮ）の含有量の上限は、前記の値より充
分多なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣ：Ｎ）の層厚Ｔｏが光
受容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上とな
る様な場合には、層領域（ＱＣ：Ｎ）中に含有される原
子（ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３０ａｔｏｍ
ｉｃ％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｉｃ％以下、
最適には１０ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ましい
。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の第１の層には、少な
くとも含有されるのが望ましい。詰り、光受容層の支持
体側端部層領域に原子（ＱＣ：Ｎ）を含有されることで
、支持体と光受容層との間の密着性の強化を図ることが
出来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が一層出来
るので、光受容層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い。即ち、例えば、第１の層中には、酸素
原子を含有させたり、或いは、同一層領域中に例えば酸
素原子と窒素原子とを共存させる形で含有させても良い
。

第２０図乃至第２８図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＱＣ：Ｎ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の
層厚方向の分布状態が不均一な場合の典型的例が示され
る。

第２０図乃至第２８図において、横軸は原子（ＯＣＮ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は層領域（ＯＣＮ）の層厚を示し
、ｔＢは支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端面の位置を、
ｔｌは支持体側とは反対側の層領域（ＯＣＮ）の端面の
位置を示す。即ち、原子（ＯＣＮ）の含有される層領域
（ＯＣ：Ｎ）はｔＢ側より１丁側に向って層形成がなさ
れる。

第２０図には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が不均一な場合の第１の
典型例が示される。

第２０図に示される例では、原子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（ＯＣＮ）が形成される表面と該層領域（ＱＣ
：Ｎ）の表面とが接する界面位置１丁よりｔｌの位置ま
では、原子（ＱＣ：Ｎ）の分布濃度ＣがＣＩなる一定の
値を取り乍ら原子（ＱＣ：Ｎ）が形成される層領域（Ｏ
ＣＮ）に含有され、位置ｔ１よりは濃度Ｃ２より界面位
置１丁に至るまで徐々に連続的に減少されている。界面
位置ｔ□においては原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度
Ｃ３とされる。

第２１図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＧＮ）の分布濃度Ｃは位置ｔＢより１丁に至るまで濃度
Ｃ０から徐々に連続的に減少して位置ｔ１において濃度
Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第２２図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは原子
（ＤＯＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位
置ｔ２と位置ｔ□との間において、徐々に連続的に減少
され１位置し、において、分布濃度Ｃは実質的に零とさ
れている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合
である）。

第２３図の場合には、原子（ＯＣ：Ｎ）の分布濃度Ｃは
位置ｔＢより位置１丁に至るまで、濃度Ｃ８より連続的
に徐々に減少され、位置ｔ工において、実質的に零とさ
れている。

第２４図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位置ｔａと位置１３間においては濃度Ｃ９と一定
値であり、位置ｔ３より位置１．に至るまで、濃度Ｃ９
により実質的に零に至る様に一次関数的に減少している
。

第２５図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ４までは濃度Ｃｔ＋の一定値を取り、位置
し４より位置１丁までは濃度ＣＩ２より濃度Ｃ１３まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。

第２６図に示す例においては、位置ｔａより位置１丁に
至るまで、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１゜よ
り実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第２７図においては、位置ｔＢより位置ｔ５に至るまで
は原子（ＯＧＮ）の分布濃度Ｃは、濃度ｃｉｓよりＣ，
６までの連続的に徐々に減少され１位置ｔ５と位置を丁
との間においては、濃度Ｃ１＆の一定値とされた例が示
されている。

第２８図に示される例においては、原子（ＯＣｌ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいては濃度ＣＩ７であり、位
置ｔ６に至るまではこの濃度Ｃ１７より初めは緩やかに
減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ６では濃度Ｃ１１ｌとされる。

位置し６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度Ｃｔ９となり、位置ｔ７と位置Ｌ８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されてｔ８において、濃度
Ｃ’２６に至る。位置ｔ。と位置ｔ□の間においては濃
度Ｃ２ｏより実質的に零になる様に図に示す如き形状の
曲線に従って減少されている。

以上、第２０図乃至第２８図により、層領域（ＯＣＮ）
中に含有される原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が
不均一な場合の典型例の幾つかを説明した様に、本発明
においては、支持体側において、原子（ＯＣＮ）の分布
濃度Ｃの高い部分を有し、界面１Ｔ側においては、前記
分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた部分を
有する原子（ＯＧＮ）の分布状態が層領域（ＯＧＮ）に
設けられている。

原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（ＯＣＮ）は、上記
した様に支持体側の方に原子（ｆ：１ｃＨ）が比較的高
濃度で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとし
て設けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光
受容層との間の密着性をより一層向上させることが出来
る。

」−記局在領域（Ｂ）は、第２０図乃至第２８図に示す
記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５川以内に
設けられるのが望ましい。

本発明においては、」二記局在領域ＣＢ）は、界面位置
しＢより５Ｎ、厚までの全領域（ＬＴ）とされる場合も
あるし、又、層領域（Ｌ、）の一部とされる場合もある
。

局在領域（Ｂ）を層領域（Ｌ、）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜決められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（ＯＣＮ）の
層厚方向の分布状ｆｇとして原子（ＯＣＮ）分布濃度Ｃ
の最大値Ｃｍａｘが、好ましくは５００ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ以」−１より好適には８００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ以」二、最適には１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ以」
−とされる様な分布状態となり得る様に層形成されるの
が望ましい。

即ち、本発明においては、原子（ＱＣ：Ｎ）の含有され
る層領域（ＯＣＮ）は、支持体側からの層厚で５ＪＪ。

以内（ｔａから５井厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値
Ｃｍａｙが存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（ＯＣＮ
）と他の層領域との界面において。屈折率が緩やかに変
化する様に、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態を形
成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が層接触
界面で反射されるのをＭｌ−＋ｈＬ、干渉縞模様の発現
をより効果的に防止することが出来る。

又１層領域（ＯＣＮ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃度
Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を４える点で、連続し
て緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から、例えば第２０図乃至第２３図、第２６図及
び第２８図に示される分布状態となる様に、原子（ＯＣ
Ｎ）を層領域（０１１１：Ｎ）巾に含有されるのが望ま
しい。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
た層領域（ＯＣＮ）を設けるには、光受容層の形成の際
に原子（ＤＣＮ）導入用の出発物質を前記した光受容層
形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中にそ
の量を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化し
たものの中の大概のものが使用される。

具体的には１例えば酸素（０２）、オゾン（０３）−酸
化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）　、−二酸化窒
素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３　）　、四重酸
化窒素（Ｎ２０Ａ）、三二酸化窒素（Ｎ２０５）、三酸
化窒素（ＮＯ３）　、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子
（０）と水素原子（Ｈ）とを構Ｉ＆原子とする、例えば
ジシロキサン（Ｈ３５ｉＯＳｉＨ３）、トリシクロキサ
ン（Ｈ３ＳｉＯ９ｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級シクロキ
サン、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ４）、プロパ
ン（Ｃ３Ｈ８）、ｎ−ブタン（ｎ−［１：４Ｈ１０）　
、ペンタン（Ｃ：５ＨＩ２）等の炭素数１〜５の飽和炭
化水素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６
）、ブテン−１（Ｃ：４Ｈ８）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８
）　、インブチレン（Ｃ４Ｈ８）　、ペンテン（ＣｓＨ
ｌ。）等の炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、アセチ
レン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（［１：３Ｈ＋）
、　ブチン（Ｃａ　Ｈ６）等の炭素数２〜４のアセチレ
ン系炭化水素、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、
ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（ＨＮ３）、
アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）　、三弗化窒素ＣＦ
３Ｎ）、四弗化窒素ＣＦ４Ｍ）等々を挙げることが出来
る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質として、
５ｉ０２、Ｓｉ３Ｎ４、カーボンブラック等を挙げるこ
とが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットと共にスパ
ッタリング用のターゲットとしての形で使用される。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣＮ
）の含有される層領域（ＯＣＮ）を設ける場合、該層領
域（ＯＧＮ）に含有される原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃ
を層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状態（ｄ
ａｐｔｈｐｒｏｆ　１ｌｅ）を有する層領域（ＯＧＮ）
を珍成するには、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃを
変化させるべき原子（ＯＧＮ）導入用の出発物質のガス
を、そのガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜変化
させ乍ら、堆積室内に導入することによって成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い。このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（ＱＣ：Ｎ）をスパッタリング法によって形成す
る場合、原子（ＤＣＮ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚
方向で変化させて、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の所望の
分布状態（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するには
、第一には、グロー放電法による場合と同様に、原子導
入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積空中
へ導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させる
ことによって成される。第二にはスパッタリング用のタ
ーゲットを、例えばＳｉと５ｉ０２との混合されたター
ゲットを使用するのであれば、Ｓｉと５ｉ０２との混合
比をターゲットの層厚方向に於いて、予め変化させてお
くことによ成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ｍ、Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ａ
ｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ等
の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、７セテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面にＭｉｎｔ、Ａｆ、
　Ｏｒ、　Ｎｏ、　Ａｕ、Ｉｔ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ
、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ、Ｉｎ７０３　、５ｎ０２、
ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋　５ｎ０２　）等から成る薄膜を
設けることによって導電性が付与され、或いはポリエス
テルフィルム等の合成＠Ａ脂フィルムであれば、ＮｉＣ
ｒ、　Ａｌ、　Ａｇ、　Ｐｂ、　Ｚｎ、　Ｎｉ、Ａｕ、
Ｃ「、Ｍｏ、Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　
Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパ
ッタリング等でその表面に設け、又は前記金属でその表
面をラミネート処理して、その表面に導電性が付与され
る。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等
任意の形状とし得、所望によって、その形状は決定され
るが、例えば、第１０図の光受容部材１００４を電子写
真用光受容部材として使用するのであれば連続高速複写
の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成され
る様に適宜決定されるが、光受容部材として、可撓性が
要求される場合には、支持体としての機能が充分発揮さ
れる範囲内であれば可能な限り薄くされる。前年ら、こ
の様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機能的強度の
点から、好ましくは１０ｇ以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２９図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００６のガスボンベには、本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例として例えば２００２はＳｉＨ４ガス（純度９９
．９９９％、以下、ＳｉＨ４と略す）ボンベ、２００３
はＧｅＨ４ガス（純度９９．１１１１９％、以下ＧｅＨ
４と略す）ボンベ、２００４はＮＯガス（純度９９．９
９９％、以下ＮＯと略す）ボンベ、２００５はＨ２で稀
釈されたＢ２Ｈ６ガス（純度９９．９１１８％、以下８
２　Ｈ６／　Ｈ２と略す）ボンベ、２００ＧはＨ２ガス
（純度１３９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００Ｂのバルブ２０２２〜２０２６、
リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ２０１２〜２０１６、流出バルブ２０１
７〜２０２１、補助バルブ２０３２．２０３３が開かれ
ていることを確認して、先ずメインバルブ２０３４を開
いて反応室２００１、及び各ガス配管内を排気する０次
に真空計２０３６の読みが約５　Ｘ　１０’　ｔｏｒｒ
になった時点で補助バルブ２０３２．２０３３、流出バ
ルブ２０１７〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２よりＳ　ｉ
　Ｈ４ガス、ガスボンベ２００３よりＧｅＨ４ガス、ガ
スボンベ２００４よりＮＯガス、ガスボンベ２００５よ
りＢ２Ｈ６／　Ｈ２ガス、２００６よりＨ２ガスをバル
ブ２０２２．２０２３．２０２４．２０２５．２０２６
を開いて出口圧ゲージ２０２７．２０２８．２０２９．
２０３０．２０３１の圧をＩ　Ｋｇ／ｃｒｎ’に調整し
、流入バルブ２０１２．２０１３．２０１４．２０１５
．２０１６ヲ徐々に開けて、マスフロコントローラ２０
０７．２００８．２００９．２０１０．２０１１内に夫
々流入させる。引き続いて流出バルブ２０１７．２０１
８．２０１８．２０２０．２０２１、補助バルブ２０３
２．２０３３を徐々に開いて夫々のガスを反応室２００
１に流入させる。このときのＳｉＨ４ガス流１ｉＧｅＨ
４ガス流量、ＮＯガス流量の比が所望の値になるように
流出バルブ２０１７．２０１８．２０１９゜２０２０．
２０２１を調整し、また、反応室２００１内の圧力が所
望の値になるように真空計２０３８の読みを見ながらメ
インバルブ２０３４の開口を調整する。そして、基体２
０３７の温度が加熱ヒーター２ｏ３８により５０〜４０
０°Ｃの範囲の温度に設定されていることを確認した後
、電源２０４０を所望の電力に設定して反応室２００１
内にグロー放電を生起させる。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の層（Ｇ）を形成する。所
望層厚に第】の層（Ｇ）が形成された段階に於て、流出
バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じて放
電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所望
時間グロー放電を維持することで第１の層（Ｇ）上にゲ
ルマニウム原子の実質的に含有されない第２の層（Ｓ）
を形成することが出来る。

なお、第１の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）の各層には、
流出バルブ２０１８あるいは２０２０を適宜開閉したり
することで酸素原子あるいは硼素原子を含有させたり、
含有させなかったり、各層の一部の層領域にだけ酸素原
子あるいは硼素原子を含有させることも出来る。また、
酸素原子に代えて層中に窒素原子あるいは炭素原子を含
有させる場合には、ガスボンベ２００４のＮＯガスを例
えばＮＨ３ガスあるいはＯＨ４ガス等に代えて、層形成
を行なえばよい。

また、使用するガスの種類を増やす場合には所望のガス
ボンベを増設して、同様に層形成を行なえばよい。層形
成を行っている間は層形成の均一化を計るため基体２０
３７はモーター２０３９により一定速度で回転させてや
るのが望ましい。

最後に、上記第２の層（Ｓ）を形成後、例えば２００Ｂ
の水素（Ｈ２）ガスボンベをメタン（Ｃ：Ｈ４）ガスボ
ンヘニ取す検光、マスフローコントローラー２００７と
２０１１を所定の流量に設定する以外は、同様な条件と
手順に従って所望時間グロー放電を維持することで、第
２の層（Ｓ）」二にシリコン原子と炭素原子から主に形
成される表面層を形成することができる。

上記シリコン原子と炭素原子から主に形成される表面層
をスパッタリングで形成する場合には、例えば２００８
の水素（Ｈ２）ガスボンベをアルゴン（Ａｒ）ガスボン
ベに取り換え、堆積装置を清掃し、カソード電極上に例
えばＳｉからなるスパッタリング用ターゲットとグラフ
ァイトからなるスパッタリング用ターゲットを、所望の
面積比になるように一面に張る。その後、装置内に第２
の層（Ｓ）まで形成したものを設置し、減圧した後アル
ゴンガスを導入し、グロー放電を生起させ表面層材料を
スパッタリングして、所望層厚に表面層を形成する。

〔実施例〕

以下実施例について説明する。

実施例１ へ！支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、外径（ｒ
）８０ｍｍ）を旅館で第３０図（＋３）に示すような表
面性に加工した。

次に、第１表に示す条件で、第２９図の膜堆積装置を使
用し、所定の操作手順に従ってａ　−５ｉ系電子写真用
光受容部材を作製した。また、シリコン原子と炭素原子
とから主に形成される表面層の堆積は、次のように行な
われた。

すなわち、第２層の堆積後、第１表に示したように、Ｇ
Ｈ４ガス流量のＳｉＨ４ガスの流量に対する流量比がＳ
ｉＨ４／　ＣＨ４＝　１　／　３０となるように、これ
らのガスの各々に対応するマスフロコントローラーを設
定し、高周波電力を３００ｗとしてグロー放電を生じさ
せることにより、表面層の形成を行なった。

このようにして作製した光受容部材の表面状態は、第３
０図（Ｃ）に示すようであった。この場合。

ＡＨ支持体の中央部と両端部とでの平均層厚の層厚差は
、２ｕ＋であった。

以」−の電子写真用光受容部材について、第３３図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０ＩＬｆｆｌ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。得られた画像には、干渉縞模様
は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例２ 次に、第２表に示す条件で行なう以外は、実施例１と同
様にして、第２９図の膜堆積装置で種々の操作手順に従
ってａ−９ｉ系電子写真用光受容部材を作成した。

以上のようにして形成された電子写真用光受容部材につ
いて、第３３図に示す画像露光装置（レーザー光の波長
７８０１１１１１、スポット径８０μ）で画像露光を行
ない、それを現像、転写して画像を得た。

得られた画像には、渉縞模様は観測されず、実用に十分
なものであった。

実施例３ 第３表に示す条件で行なう以外は、実施例１と　　゛同
様にして第２８図の膜堆積装置で種々の操作手順に従っ
てａ−９ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

以」二のようにして形成された電子写真用光受容部材に
ついて、第３３図に示す画像露光装Ｎ（レーザー光の波
長７８０ｎｍ、スポット径ｓｏｐ　）で画像露光を行な
い、それを現像、転写して画像を得た。

得られた画像には、干渉縞模様は観測されず、実用に十
分なものであった。

実施例４ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）の表面を、第３０図（Ｂ）、第３１図及び
第３２図に示すような表面性に３種類旋盤で加工した。

次に、第４表に示す条件で、第２８図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってａ　−Ｓｉ系電子写真用光受容部
材を作製した。なお１表面層は実施例３と同様にして形
成した。

これらの電子写真用光受容部材について、第３３図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、　スポ
ット径８０ｕ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。得られた画像は、そのいずれにも干渉
縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例５ 実施例３に於いて使用したＣＨ４ガスをＮ１（３ガスに
代えた以外は、実施例３と同様にしてａ　−３ｉ系電子
写真用光受容部材をそれぞれ作製した。

このようにして作製した光受容部材のそれぞれについて
、第３３図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｎｍ、スポット径８０ｕ）で画像露光を行ない、それ
を現像、転写して画像を得た。得られた画像には、その
いずれにも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもの
であった。

実施例６ 実施例４に於いて使用したＮＯガスをＣＨ４ガスに代え
た以外は、実施例４と同様にしてａ　−９ｉ系電子写真
用光受容部材をそれぞれ作製した。

このようにして作製した光受容部材のそれぞれについて
、第３３図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｎｍ、スポット径８０ｕ）で画像露光を行ない、それ
を現像、転写して画像を得た。得られた画像には、その
いずれにも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもの
であった。

実施例７ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８Ｑｍｍ）を、第３０図（Ｂ）に示すような表面性に
瑛盤で加工した。

次に、この支持体を用いて第５表に示す条件で行なう以
外は、実施例１と同様にして第２９図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってａ−３ｉ系電子写真用光受容部材
を作製した。

なお、硼素含有層は、８２　Ｈ６／　Ｈ２の流量を第３
４図のようになるようにして、またＮＨ３の流量を第３
８図のようになるように、各々Ｂ２　Ｈ６／　Ｈ２及び
ＮＨ３のマスフロコントローラー２０１０．２００９を
コンピューター（ＩＰ９８４５Ｂ）により制御した。

以上のようにして形成された電子写真用光受容部材につ
いて、第３３図に示す画像露光装置（レーザー光の波長
７８０ｎ１１、スポット径８０μ）で画像露光を行ない
、それを現像、転写して画像を得た。

得られた画像には、干渉縞模様は観測されず、実用に十
分なものであった。

実施例８ 実施例７に於いて使用したＮＨ３ガスをＮＯガスに代え
た以外は、実施例７と同様にしてａ　−５ｉ系電子写真
用光受容部材を作製した。

形成された電子写真用光受容部材について、第３３図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｆｆｌ、
スポット径８０戸）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。得られた画像には、干渉縞模様は
観測されず、実用に十分なものであった。

実施例９ 実施例７に於いて使用したＮＨ３ガスをＣＨ４ガスに代
えた以外は、実施例７と同様にしてａ　−３ｉ系電子写
真用光受容部材を作製した。

形成された電子写真用光受容部材について、第３３図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０μ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。得られた画像には、干渉縞模様は観測
されず、実用に十分なものであった。

実施例１Ｏ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８ｈｍ）を、第３０図（Ｂ）に示すような表面性に旋
盤で加工した。

次に、この支持体を用いて第６表に示す条件で行なう以
外は、実施例１と同様にして第２９図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってａ−３ｉ系電子写真用光受容部材
を作製した。

なお、硼素含有層は、　８２　Ｈ６／　Ｈ２の流量を第
３５図のようになるようにして、またＣＨ４の流量を第
３８図のようになるように、各々Ｂ２　Ｈ６／　Ｈ２及
びＣＨ４のマスフロコントローラー２０１０．２００１
３ヲコンピユーター（ＩＰ９８４５Ｂ）により制御した
。

このようにして作製した光受容部材について、第３３図
に示す画像露光装−（レーザー光の波長７８０　ｎｍ、
スポット径８０μｓ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。得られた画像には干渉縞模様は
観測されず、実用に十分なものであった。

実施例１１ 実施例１０に於いて使用したＣＨ４ガスをＮＯガスに代
える以外は、実施例１０と同様にして、ａ　−３ｉ系電
子写真用光受容部材を作製した。

このようにして作製した光受容部材について、第３３図
に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎｍ、
　スポット径８０膵）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。得られた画像には干渉縞模様は
観測されず、実用に十分なものであった。

実施例１２ 実施例１Ｏに於いて使用したＣＨ４ガスをＮＨ３ガスに
代える以外は、実施例１０と同様にして、ａ−３ｉ系電
子写真用光受容部材を作製した。

このようにして作製した光受容部材について、第３３図
に示す画像露光装置（レーザー光の波長７ＢＯｎ＋ｓ、
スポット径８０ｕ）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。得られた画像には干渉縞模様は観
測されず、実用に十分なものであった。

実施例１３ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、第３０図（Ｂ）に示すような表面性に
昶盤で加工した。

次に、この支持体を用い第７表に示す条件で行なう以外
は実施例１と同様にして、第２８図の堆積装置で種々の
操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した。

なお、硼素含有層は、８２　Ｈ６／　Ｈ２の流量を第３
８図のようになるようにして、またＮＯの流量を第４０
図のようになるように、各々Ｂ２　Ｈ６／　Ｈ２及びＮ
Ｏのマスフロコントローラー２０１０．２００８をコン
ピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材について、第３３図
に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、ス
ポット径８０μ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。得られた画像には干渉縞模様は観察
されず、実用に十分なものであった。

実施例１４ 実施例１３に於いて使用したＮＯガスをＮＨ３ガスに代
える以外は、実施例１３と同様にして、ａ　−９ｉ系電
子写真用光受容部材を作製した。

このようにして作製した光受容部材について、第３３図
に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｒ＋ｍ
、スポット径８０ｕ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。得られた画像には干渉縞模様は
観測されず、実用に十分なものであった・ 実施例１５ 実施例１３に於いて使用したＮＯガスをＣＨ４ガスに代
える以外は、実施例１３と同様にして、ａ　−９ｉ系電
子写真用光受容部材を作製した。

このようにして作製した光受容部材について、第３３図
に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎｍ、
スポット径８０騨）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。得られた画像には干渉縞模様は観
測されず、実用に十分なものであった。

実施例１６ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、第３０図（Ｂ）に示すような表面性に
旅館で加工した。

次に、この支持体を用い第８表に示す条件で行なう以外
は、実施例１と同様にして第２８図の堆積装置で種々の
操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した。

なお、硼素含有層は、８２　Ｈ６／　Ｈ２の流量を第３
７図のようになるようにして、またＮＨ３の流量を第４
１図のようになるように、各々Ｅ２　Ｈ６／　Ｈ２及び
ＮＨ３のマスフロコントローラー２０１０．２００９ヲ
コンピユーター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材について、第３３図
に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、ス
ポット径８０μ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。得られた画像には干渉縞模様は観察
されず、実用に十分なものであった。

実施例１７ 実施例１６に於いて使用したＮＨ３ガスをＮＯガスに代
える以外は、実施例１６と同様にして、ａ　−３ｉ系電
子写真用光受容部材を作製した。

このようにして作製した光受容部材について、第３３図
に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎｍ、
スポット径ｓｏｐ　）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。得られた画像には干渉縞模様は
観測されず、実用に十分なものであった。

実施例１８ 実施例１６に於いて使用したＮＨ３ガスをＣＨ４ガスに
代える以外は、実施例工８と同様にして、ａ−９ｒ系電
子写真用光受容部材を作製した。

このようにして作製した光受容部材について、第３３図
に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎｍ、
スポット径８０μ）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。得られた画像には干渉縞模様は観
測されず、実用に十分なものであった。

実施例１８ 実施例１から実施例１８までについて、Ｈ２で３０００
ｖｏｌ　ｐＰｍに稀釈したＢ２Ｈ６ガスの代わりにＨ２
で３０００ｖｏｌ　ＰＰｍに稀釈したＰＨ３ガスを使用
して、電子写真用光受容部材を作製した。

なお、他の製作条件は、実施例１から実施例１８までと
同様にした。

このようにして作製した光受容部材のそれぞれについて
、第３３図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｎｍ、スポット径８０μ）で画像露光を行ない、それ
を現像、転写して画像を得た。得られた画像のいずれに
も干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであった
。

実施例２０ 第３０図（Ｂ）に示すような表面性に、その表面を旋盤
で加工したＭ支持体〔長さくＬ）　３５７ｍｍ　、径（
ｒ）８０ｍｍ）を用い、表面層形成時に於けるＳｉＨ４
ガスとＣＨ４ガスの流量比を第９表に示すようにそれぞ
れ変化させて、表面層の形成を行なう以外は、実施例１
と同様の条件と手順に従って、ａ　−９ｉ系電子写真用
光受容部材を作製した（試料Ａｌ１１２７０１〜２７０
８）。

このようにして作製した光受容部材のそれぞれについて
、第３３図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７Ｂ
Ｏｒ＋ｍ、スポット径８０押）で画像露光し、作像、現
像、転写、クリーニングの一連の工程を５万回繰り返し
た後、画像評価を行なったところ、第９表に示したよう
な結果が得られた。

実施例２１ 第３０図（Ｂ）に示すような表面性に、その表面を旋盤
で加工したＭ支持体〔長さくＬ）　３５７ｍｍ　、径（
ｒ）８０ｍｍ）を用い、表面層形成時に於ける原料ガス
をＳｉＨ４ガス、ＣＨ４及びＳｉＦ４とし、これらガス
のの流量比を第１０表に示すようにそれぞれ変化させて
、表面層の形成を行なう以外は、実施例２０と同様の条
件と手順に従って、ａ−３ｉ系電子写真用光受容部材を
作製した（試料正２８０１〜２１３０＋１）。

このようにして作製した光受容部材のそれぞれについて
、第３３図に示す画像露光跡Ｍ（レーザー光の波長７８
０ｎｍ、スポット径８０ｕ）で画像露光し、作像、現像
、転写、クリーニングの一連の工程を５万回繰り返した
後、画像評価を行なったところ、第１θ表に示したよう
な結果が得られた。

実施例２２ 第３０図（Ｂ）に示すような表面性に、その表面を旋盤
で加工したＭ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｍ１、
径（ｒ）８ｏｍ層〕を用い、表面層を以下のようにＳｉ
ターゲットとＣターゲットとの面積比を第１１表に示す
ようにそれぞれ変化させる以外は、実施例１と同様の条
件と手順に従って、ａ−９ｉ系電子写真用光受容部材を
作製した（試料ａ／１２１３０１〜２９０８）。

すなわち、まず第２層の形成後、該層まで形成した支持
体を第２０図の堆積装置内から取り出し、該装置の水素
（Ｈ２）ガスボンベをアルゴン（Ａｒ）ガスボンベに交
換してから装置内を清掃した後、カソード電極上にＳｉ
からなる厚さ５ｍｍのスパッタリング用ターゲットとグ
ラフアイ１からなる厚さ５ｍｍのスパッタリング用ター
ゲットを、その面積比がそれぞれ第１７表に示したよう
になるように一面に張った。その後、装置内に第２層ま
で形成した支持体を設置し、減圧した後、アルゴンガス
を装置内に導入し、高周波電力を３００　Ｗとしてグロ
ー放電を生起させ、カソード電極上の表面層形成用材料
を、支持体上の第２層上に更にスパッタリングすること
により所定の混合比のシリコン原子と炭素原子とからな
る表面層をそれぞれ形成した。

このようにして作製した光受容部材のそれぞれについて
、第３３図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｎｍ、スポット径８０ｕ）で画像露光し、作像、現像
、転写、クリーニングの一連の工程を５万回繰り返した
後、画像評価を行なったところ、第１１表に示したよう
な結果が得られた。

］０８ 〔発明の効果〕 以上、詳細に説明した様に、本発明によれば、可干渉性
単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易であり
、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転現像時の
斑点の現出を同時にしかも完全に解消することができ、
しかも機械的耐久性、特に耐摩耗性及び光受容特性に優
れた光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は光受容部材の
各層の界面が非平行な場合に干渉縞が現われないことの
説明図である。 第７図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、光受容部材の各層の
界面が平行である場合と非平行である場合の反射光強度
の比較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９図（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ代表的な支持体の表面
状態の説明図である。 第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。 第１１図から第１９図は、それぞれ層領域（ＰＮ）中に
含有される伝導性を支配する物質（Ｃ）の分布状態を説
明するための説明図である。 第２０図から第２８図は、それぞれ層領域（ＯＣＮ）中
の原子（０，Ｇ、Ｎ）の分布状態を説明するための説明
図である。 第２８図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である６ 第３０図（Ａ）、ＣＢ）、第３１図及び第３２図は、実
施例で用いたＭ支持体の表面状態の説明図、第３０図（
Ｃ）は実施例で形成した光受容層の表面状態を示す図で
ある。 第３３図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。 第３４図から第３７図はそれぞれ実施例におけるＢ２　
Ｈ６／　Ｈ２ガスの流量の変化率曲線を示すものある。 第３８図から第４１図はそれぞれ実施例におけるガス流
量比の変化率曲線を示すものある。 １０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層１００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｍ支
持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・第
１の層１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・・
第２の層１００４・・・・・・・・・・・・・・・・・
・光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・・
・・・光受容部材の自由表面１００６・・・・・・・・
・・・・・・・・・・表面層２８０１・・・・・・・・
・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２８０２・
・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー２
６０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆθレン
ズ２６０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポリ
ゴンミラー２６０５・・・・・・・・・・・・・・・・
・・露光装置の平面図２６０６・・・・・・・・・・・
・・・・・・・露光装置の側面図第１Ｉｌ 第２図 第３図 第４図 第Ｌ！図 第１２図 第１３図 第１４図 多＼　夏５　図 第１（１図 第ｔ７．図 第１８図 □Ｃ 第２０図 第２！図 第２２図 第２３図 第討図 第２５図 第２１図 第２７図 第２８図 （Ａ） ｏＪｍ） （Ｊ、１ｍ） 第３１図 （ｌＪｍ） 楡ａ１頷 次ＫＱ定黛以 〃スヲ昆量几 力°ステを量ＩＬ ブ久ｉｔｌル 第４０図 １ス″、免責ＩＬ 第４１図

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）所定の切断位置での断面形状が主ピークに副ピー
   クが重畳された凸状形状である凸部が多数表面に形成さ
   れている支持体と、シリコン原子とゲルマニウム原子と
   を含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコン原
   子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示す第２の
   層と、シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料から
   なる表面層とが前記支持体側よりこの順に設けられた多
   層構成の光受容層とを有しており、前記第１の層及び第
   ２の層の少なくとも一方に伝導性を支配する物質が含有
   され、該物質の含有されている層領域に於いて、該物質
   の分布状態が層厚方向に不均一であると共に、前記光受
   容層は、酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択さ
   れる少なくとも一種を含有することを特徴とする光受容
   部材。
2. （２）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
   の中から選択される少なくとも一種の原子を、層厚方向
   に均一な分布状態で含有する特許請求の範囲の第１項に
   記載の光受容部材。
3. （３）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
   の中から選択される少なくとも一種の原子を、層厚方向
   に不均一な分布状態で含有する特許請求の範囲の第１項
   に記載の光受容部材。
4. （４）前記凸部が規則的に配列されている特許請求の範
   囲第１項記載の光受容部材。
5. （５）前記凸部が周期的に配列されている特許請求の範
   囲第１項記載の光受容部材。
6. （６）前記凸部の夫々は、一次近似的に同一形状を有す
   る特許請求の範囲第１項記載の光受容部材。
7. （７）前記凸部は、副ピークを複数有する特許請求の範
   囲第１項記載の光受容部材。
8. （８）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
   て対称形状である特許請求の範囲第１項記載の光受容部
   材。
9. （９）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
   て非対称形状である特許請求の範囲第１項記載の光受容
   部材。
10. （１０）前記凸部は、機械的加工によって形成されたも
    のである特許請求の範囲第１項記載の光受容部材。