JPS61103159A

JPS61103159A - 光受容部材

Info

Publication number: JPS61103159A
Application number: JP59224039A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Masahiro Kanai; 正博金井; Tetsuo Sueda; 末田　哲夫; Teruo Misumi; 三角　輝男; Yoshio Tsuetsuki; 津江月　義男; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-10-26
Filing date: 1984-10-26
Publication date: 1986-05-21

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。９らに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いて該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ−Ｍｅレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有す
る）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く。

社会的には無公害である点で例えば特開昭５４−８６３
４１号公報や特開昭５８−８３７４８号公報に開示され
ているシリコン原子を含む非晶質材料（以後ｒａ−５ｉ
Ｊ　と略記する）から成る光受容部材が注目されている
。

当年ら、光受容層を単層構成のａ−９ｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１ＯＬ２Ωｃｍ以上の暗抵抗を確保す、るには、水素原
子やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを
特定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させ
る必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行
う必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可
成りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては１例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以−ヒの層構成として、光受
容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５
２１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８
１５９号、同５８１８０号、同５８１８１号の各公報に
記載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び
光受容層のと部表面に障壁層を設けた多層構造としたり
して、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案され
ている。

この様な提案によって、ａ　−３ｉ系先光受容材はその
商品化設計りの許容度に於いて、或いは製造トの管理の
容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向
けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の各々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良゛り　　　　　の
要因となる。殊に階調性の高い中間調の画像を形成する
場合には、画像の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光Ｉｏと上部界面１０２で反射した反射光ＲＩ、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を入λ ４差で不均一であると、反射光Ｒ１＋Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ
入（ｍは整数、反射光は強め合う）と２ｎｄ＝（ｍ　＋
　−）λ（ｍは整数、反射光は弱め合う）の条件のどち
らに合うかによって、ある層の吸収光量および透過光量
に変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材」−に転写、定着された可視
画像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００八〜±　１００００への凹
凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８
−１８２９７５号公報）アルミニウム支持体表面を黒色
アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボン、着
色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（
例えば特開昭５７−１８５８４５号公報）、アルミニウ
ム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンド
ブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭
５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

丙午ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ−Ｓｉ層を形成
する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光受
容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がａ−３ｉ
層形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本来
の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化による
その後のａ−Ｓｉ層の形成に悪影響を与えること等の不
都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光■。は、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ，となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光１．となる、透
過光１１は、支持体３０２の表面に於いて、その一部は
、光散乱されて拡散光Ｋｌ　＋に２　＋に３・・・とな
り、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が
出射光Ｒ３となって外部に出て行く。従って、反射光Ｒ
１と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然
として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防１卜
する為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、
光受容層内で光が拡散してノ＼レーションを生ずる為解
像度が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則に荒しても、第１層
４０２での表面での反射光Ｒ２，第２層での反射光Ｒ１
＋支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロー／　層間に於いてバ
ラツキが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均
一があって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較
的大きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯か
る大きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因
となっていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄｌ＝ｍλまた
は２１ｄ、　＝　（ｍ＋郊）入が成立ち、夫々明部また
は暗部となる。また、光受容層全体で　　　　１は光受
容層の層厚ｄｘ　、ｄ２．ｄ３．ｄａの夫々の差のある
ため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の［目的は、前述の欠点を解消した光に感受性の
ある新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は１画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高く、電子写真特性に優れた光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く、ハーフト
ーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る
ことが出来る電子写真用に適した光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の他の目的は、光受容部材の表面における光反射
を低減し、入射光を効率よく利用できる光受容部材を提
供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、支持体と；シリコン原子とゲル
マニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１の層
と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され光導電性
を示す第２の層と、反射防止機能を有する表面層とが支
持体側より順に設けられた多層構成の光受容層とを有し
ており、前記第１の層及び前記第２の層の少なくとも一
方に伝導性を支配する物質が含有され、かつ前記第１の
層中に於けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に
不均一であると共に、前記光受容層は、酸素原子、炭素
原子、窒素原子の中から選択される少なくとも一種を含
有し、且つショートレンジ内に１対以りの非平行な界面
を有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少な
くとも−・方向に多数配列し、該非平行な界面が配列方
向において各々なめらかに連結していることを特徴とす
る。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って多
層構成の光受容層を有し、該先受］テ□　　　　客層は
第６図の一部に拡大して示されるように。

第２層６０２の層厚がｄｓからｄｓと連続的に変化して
いる為に、界面６０３と界面６０４とは互いに傾向きを
有している。従って、この微小部分（ショートレンジ）
ｌに入射した可干渉性光は該微小部分ｌに於て干渉を起
し、微小な干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光Ｉ０に対する
反射光Ｒ，と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に比べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非平行な
場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明
暗の差が無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２層８０２の層厚がマ
クロ的にも不均一（ｄ）≠ｄｅ　）であっても同様に云
える為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図
のｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光■。に対
して、反射光Ｒ，、Ｒ２，Ｒ３Ｒ４，Ｒｓが存在する。

その九番々の層で第７図を似って前記に説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現われることはない、又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には同等支障を生じない。

本発明に於いて、なめらかな凹凸の傾斜面は反射光を一
方向へ確実に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ま
しい。

本発明に適した微小部分の大きさｌ（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、ｌ≦Ｌであ
る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
ｌに於ける層厚の差（ｄｓ　−ｄｓ）は、照射光め波長
を入とすると、 λ （ｎ：第２層８０２の屈折率）であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分ｔの層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に１層
厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズマ
気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用
される。

支持体表面に設けられるなめらかな凹凸は、円弧状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削却下機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削前玉することで、所９のなめらかな凹凸形状
、ピッチ、深さで形成される。この様な切削加工法によ
って形成される凹凸が作り出す正弦関数形線状突起部は
、円筒状支持体の中心軸を中心にした螺、ｌ ”（旋構造を有する。この様な構造の一例を第２９図に
示す、第２８図においてＬは支持体の長さであり、ｒは
支持体の直径であり、Ｐは螺旋ピッチであり、Ｄは溝の
深さである。

正弦関数膨突起部の螺旋構造は、二重、三重の多重螺旋
構造、又は交叉螺旋構造とされても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れるなめらかな凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を
考慮した丘で１本発明の目的を結果的に達成出来る様に
設定される。

即ち、第１は光受容層を構成するａ−Ｓｉ層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じ
て層品質は大きく変化する。

従って、　　ａ−Ｓｉ層の層品質の低下を招来しない様
に支持体表面に設けられるなめらかな凹凸のディメンジ
ョンを設定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端ななめらかな凹凸が
あると、画像形成後のクリーニングに於　　　　　（て
クリーニングを完全に行なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレートのい
たみがＶくなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセスＥの
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピー、チは、好ましくは５００μ〜
０．３ｐ　、より好まし、くは２００μ〜ｌ　ｐｔａ　
、最適には５０．〜５−であるのが申ましい。

又、凹部の最大の深さは、好ましくは０．１−〜５−１
より好ましくは０．３−〜３騨、最適には０．８μ〜２
ＩＬ１ｍとされるのがψましい、支持体表面の凹部のピ
ッチと最大深さが上記の範囲にある場合、隣接する凹部
と凸部の各々の極小点と極大点とをむすぶ傾斜面の傾き
は、好ましくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１
５度、最適には４度〜１０度とされるのがψましい。

又、この様な支持体とに堆積される各層の層厚の不扁−
性に基〈層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１−〜２　）ｕｓ　、より好ましくは０．１μ〜　１
．５鱗、最適には０．２−〜１μとされるのが望ましい
。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性・を示す第２の層と反射防止機ス駈を有する
表面層とが支持体側より順に設けられた多層構成となっ
ており、前記第１の層中に於けるゲルマニウム原−Ｅの
分布状態が層厚′、方向に不均一となっているため、極
めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧
性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマッチングに優れ、且つ光
応答が速い。

反射防ロー機能を持つ表面の厚さは、次のように決定さ
れる。

表面層の材料の屈折率をｎとし、照射光の波長を入とす
ると、反射防止機走を持つ表面層の厚さｄは、が好ましいものである。

また、表面層の材料としては、その上に表面層を堆積す
る層の屈折率をｎａとすると、ｎ＝慝の屈折率を有する材料が最適である。

この様な光学的条件か加味すれば、反射防止層の層厚は
、露光光の波長が近赤外から可視光の波長域にあるもの
として、０．０５〜２−とされるのが”°會・　　０．
あ、。

本発明に於いて、反射防止機能を持つ表面層の材料とし
て有効に使用されるものとしては、例えば、　ＭｇＦ２
、Ａｌ１２０３．　ｚｒｏ２、ＴｉＯ２、ＺｎＳ、Ｃｅ
Ｏ２。

ＣｅＦ＋、５ｉ０７．ＳｉＯ、Ｔａ２０５　　、ＡｌＦ
２、ＮａＦ　　、５１３Ｎ４等の無機弗化物や無機窒化
物、或いは、ポリ塩化ビニル、ポリアミド樹脂、ポリイ
ミド樹脂、弗化ビニリデン、メラミン樹脂、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、酢酸セルロース等の有機化合物が
挙げられる。

これらの材料は、本発明の目的をより効果的且つ容易に
達成する為に、層厚を光学的レベルで正確に制御できる
ことから、蒸着法、スパッタリング法、プラズマ気相法
（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、塗布法が採
用される。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就いて詳細
に説明する。

第１０図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を有し
、該光受容層１０００は自由表面１００５を一方の端面
に右している。

光受容層１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と、必要に応じて水素原子又は／及び／Ｘロゲン原
子（Ｘ）とを含有するａ−Ｓｉ（以後ｒａ−ＳｉＧｅ　
（Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された第１の層（Ｇ
）１００２と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）とを含有するａ−９ｉ（以後ｒａ−９ｉ　
（Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成され、光導電性を有
する第２の層（Ｓ）　１００３と、反射防止機能を有す
る表面層１００６とが順に積層された層構造を有する。

本発明の光受容部材１（１０４に於いては、少なくとも
第１の層（Ｇ）　１００２又は／及び第２の層（Ｓ）１
００３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有されてお
り、該物質（Ｃ）が含有される層に所望の伝導特性が与
えられている。

本発明に於いては、第１ｅ層（Ｇ）　１００２又は／及
び第２の層（Ｓ）１００３に含有される伝導特性を支配
する物質（Ｃ）は、物質（Ｃ）が含有される層の全層領
域に万遍なく均一に含有されても良く、物質（Ｃ）が含
有される層の一部の層領域に偏在する様に含有されても
良い。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ，）を第１
の層（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（Ｇ
）中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有され
る層領域（ＰＮ）は、第１の層（Ｇ）の端部層領域とし
て設けられるのが望ましい、殊、に、第１．の層（Ｇ）
の支持体側の端部層領域として前記層領域（ＰＮ）が設
けられる場合には、該層領域（ＰＮ）中に含有される前
記物質（Ｃ）の種類及びその含有量を所望に応じて適宜
選択することによって支持体から第２の層（Ｓ、）中へ
の特定の極性の電荷の注入を効果的に阻止することが出
来る。

本発明の光受容部材に於いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物質（Ｃ）を、光受容層の一部を構成する第
１の屑（Ｇ）中に、前記したように該層（Ｇ）の全域に
万遍なく、或いは層厚方向に偏在する様に含有させるの
が好ましいものであるが、更には、第１の層（Ｇ）に加
えて第１の層（Ｇ）七に設けられる第２の層（Ｓ）中に
も前記物質（Ｃ）を含有させても良い。

又、別の好適な実施態様例に於いては前記物質（Ｃ）は
、第１の層ＣＧ）には含有させずに、第２の層（Ｓ）の
み含有される。

この場合、前記物質（Ｃ）は、第２の層（Ｓ）の全層領
域に万一なく含有させても良いし、或いは、第２の層（
Ｓ）の一部の層領域のみに含有させて偏在させても良い
、偏在させる場合には、第２の層（Ｓ）の第１の層（Ｇ
）側の端部層領域に含有させるのが好ましく、この場合
には、前記物質（Ｃ）の種類及びその含有量を適宜選択
することで支持体側から第２の層（Ｓ）への特定の極性
の電荷の注入を結果的に阻止することが出来る。

第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含有させる場合に
は、第１の層（Ｇ）中に含有される前記物質（Ｃ）の種
類やその含有量及びその含有の仕方は、その都度所♀に
応じて適宜法められる。

本発明に於いては、第２の層（Ｓ）中に前記物ｆｉ　（
Ｃ）を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の
層ＣＧ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）
を含有させるのが望ましい。

第１の層ＣＧ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質、（Ｃ）を含有させる場合、第１の層（Ｇ）
に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、第
２の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている
層領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ましい。

又、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに
於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その含有
量は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

面′乍ら、本発明に於いては、各層に含有される前記物
質（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の
層（Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は、電気的特
性の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有
させるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）又は／及び第２の層（Ｓ）の中に、伝導特性
を支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質
（Ｃ）の含有される層領域（ｆｔＳｌの層（Ｇ）又は第
２の層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良い
〕の伝導特性を所望に従って任意に制御することが出来
るものであるが、この様な物質（Ｃ）としては、所謂、
半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来、本発
明に於いては、形成される光受容層を構成するａ　−９
ｉ　（Ｈ、Ｘ）又は／及びａ−ＳｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）に対
して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型伝導特
性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）１例えば、Ｂ（硼素）’、Ａ／（
アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム
）、ＴＪ！（タリウム）等があり、殊に好適に用いられ
るのは、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）１例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（
アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に、好適
に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（ｐｓ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、故地の層領域との接触界面の於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含
有量が適宜選択される。

本発明に於いて１層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
０．０１〜５Ｘ１０’　　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、よ
り好適には０．５〜ｌ　Ｘ　１Ｇ’　　ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ　、最適には、１〜５　Ｘ　１０３１０３ａｔｏ
　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下、より好
適には５０　ａｔｏ謬ｉｃ　ＰＰ１１以上、最適には　
＋００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐＨ以トとすることによッテ
、例えば該含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の
場合には、光受容層の自由表面がＯ極性に帯電処理を受
けた際に支持体側からの光受容層中への電子の注入を効
果的に阻止することが出来、又、前記含有させる物質（
Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表
面がＯ極性に帯電処理を受けた際に支持体側から光受容
層中への正孔の注入を効果的に阻止することが出来る。

Ｌ記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（Ｐ　Ｎ）
に含有される伝導特性を支配する物“、ＩＩｌ　　　　
　質の伝導型の極性とは別の伝導型の極性の伝導特性を
支配する物質（Ｃ）を含有させても良いし。

或いは、同極性の伝導型を有する伝導特性を支配する物
質を層領域（ＰＮ）に含有させる実際の量よりも一段と
少ない量にして含有させても良いものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有され　　−る
前記伝導特性を支配する物質の含有量としては１層領域
（ＰＮ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に
応じて所望に従って適宜決定されるもにであるが、好ま
しくは、ｏ、ｏｏｔ〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ　
、より好′適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃｐｐ
ｍ　、最適にはＱ、１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させ　　　　　　ま
た層領域と、他方の極性の伝導型を有する伝導性を支配
する物質を含有させた層領域とを直に接触する様に設け
て、該接触領域に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り１例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。

第１の層（Ｇ）　１００２中に含有されるゲルマニウム
原子は、該第１の層（Ｇ）　１００２の層厚方向には連
続的であって且つ前記支持体１００１の設けられである
側とは反対の側（光受容層１００１の表面１００５側）
の方に対して前記支持体１００１例の方に多く分布した
状態となる様に前記第１の層（Ｇ）　１００２中に含有
される。

本発明の光受容部材においては、第１の層（Ｇ）中に含
有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向にお
いては、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面と平
行な面内方向には均一な分布状態とされるのが望ましい
。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）−ヒに設けられる第
２の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されてお
らず、この様な層構造に光受容層を形成することによっ
て、可視光領域を含む、比較的短波長から比較的短波長
迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受
容部材とし得るものである。

又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分４１シ
、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側
より第２の層（Ｓ）に向って減少する変化が与えられて
いるので、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との間に於
ける親和性に優れ、且つ後述する様に、支持体側端部に
於いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大きくす
ることにより、半導体レーザ等を使用した場合の、第２
の層（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第１
の層（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが出
来、支持体面からの反射による干渉を防止することが出
来る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分成されている。

第１１図乃至第１３図には、本発明における光受容部材
の第１の層ＣＧ）中に含有されるゲルマニウム原子の層
厚方向の分布状態の典型的例が示される。尚、各図に於
いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値で示すと各々
の図の違いが明確でなくなる為、極端な形で図示してお
り、これらの図は模式的なものと理解されたい、実際の
分布としては、本発明の目的が達成される可く、所望さ
れる分布濃度線が得られるように、　ｔｉ（１≦ｉ≦８
）又はＣ１（１≦ｉ≦１７）の値を選ぶか、或いは分布
カーブ全体に適当な係数を掛けたものをとるべきである
。

第１１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層（Ｇ）１　　　　
　の層厚を示し、１日は支持体側の第１のＷ　（Ｇ）の
端面の位置を、を丁は支持体側とは反対側の層（Ｇ）の
端面の位置を示す、即ち、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の層（Ｇ）はｔＢ側よりｔ□側に向って層形成が
なされる。

第１１図には、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる第１の層（Ｇ）が形成される表面と該第１の層（Ｇ
）の表面とが接する界面位１１ｔｓよりｔｌの位置まで
は、ゲルマニウム原子の分布濃度ＣがＣ１なる一定の値
を取り乍らゲルマニウム原子が形成される第１の層（Ｇ
）に含有され、位置し１よりは濃度Ｃ２より界面位ｉ１
を丁に至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位
置１丁においてはゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは実質
的に零とされる（ここで実質的に零とは検出限界量未満
の場合である）。

第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置しＴに至るま
で濃度Ｃ３から徐々に連続的に減少して位置１丁におい
て濃度Ｃ６となる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置１日より位置ｔ７までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度らと一定値とされ１
位置Ｌ２と位置ｔｒとの間において、徐々に連続的に減
少され、位置１丁において、分布濃度Ｃは実質的に零と
されている第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔｏより位ｉｔｂに至るまで、１８度Ｃ６より初め
連続的に徐々に減少され、位置ｔ３よりは急速に連続的
に減少されて、位置１．において実質的に零とされてい
る。

第１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分Ｓａ
度Ｃは、位置１．と位置ｔ４間においては、濃度Ｃ７と
一定値であり、位１１ｔＬｒに於ては分布濃度Ｃは零と
される。位置し４と位置１丁との間では、分布濃度Ｃは
一次関数的に位置し４より位置ｔＴに至るまで減少され
ている。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置Ｌ
８より位置ｔ５までは濃度Ｃ８の一定値を取り、位置１
．より位＋ｍｂまでは濃度Ｃ９より濃度ＣＯＯまで一次
関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては、位置ｔＢより位置１丁に
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは。

濃度０１１より実質的に零に至る様に一次関数的に連続
して減少し零に至っている。

第１８図においては、位置１．より位置ｔ６に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度０１２より濃
度Ｃ１３まで一次関数的に減少され１位置し６と位置１
丁との間においては、濃度ＣＩ３の一定値とされた例が
示されている。

第１９図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは、位置り、において濃度Ｃ＋ａであり、位
置ｔ７に至るまではこの濃度Ｃ＋ａより初めはゆっくり
と減少され、ｔ７の位置付近においては、急激に減少さ
れて位置ｔ７では濃度Ｃ’ｌＳとされる。

位置ｔ７と位置ｔ８との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置Ｌ８
で濃度ＣＩ６となり、位置し８と位置し９との間では、
徐々に減少されて位ｉＺｌ　ｔ９において、濃度０１７
に至る。位１１Ｌ９と位置ｔ７との間においては、濃度
０１７より実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲
線に従って減少されている。

以上、第１１図乃至第１８図により、第１の層（Ｇ）中
に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の
典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支
持体側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い
部分を有し、界面Ｌτ側においては、前記分Ｉａ濤度Ｃ
は支持体側に比べて可成り低くされた部分を有するゲル
マニウム原子の分布状態がｆｉＩＪｌの層（Ｇ）に設け
られているのが望ましい。

本発明における光受容部材を構成する第１の層（Ｇ）は
好ましくは上記した様に支持体側の方にゲルマニウム原
子が比較的高濃度で含有されている局在領域（Ａ）を有
するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ａ）は第１１図乃至］　　
　　第１３図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置
し日より５ｗ以内に設けられるのが望ましい。

本発明に於ては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置り日
より５用厚までの全層領域（Ｌ）とされる場合もあるし
、又、層領域（Ｌ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（Ｌ）の一部とするか又は全部
とするかは、形成される光受容層に要求される特性に従
って適宜法められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃ■ａ！がシリコン原子に対して、好ましく
は１０００　ａｔｏ麿ｉｃ　ｐｐ鳳以上、より好適には
５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１Ｘ１
０’　　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とされる様な分布状
態となり得る様に層形成されるのが９ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の層（Ｇ）は、支持体側からの層厚で５牌以内（
ｔｓから５牌厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃ腸ａＸ
が存在する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）のＬｌｌ−又は
ハロゲン原子（Ｘ）のＭまたは水素原子とハロゲン原子
の量の和（Ｈ十Ｘ）は、好ましくは１〜４０　ａｔｏｍ
ｉｃ％、より好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％、最適に
は５〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明において、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜法められるが、好まし
くは１〜９．５Ｘ　１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍ　、よ
り好ましくは１００〜８ＸＩＯ５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
とされるのが望ましい。

本発明に於いて第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は１本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢは、好まし
くは３〇八〜５Ｌ）ｔ、より好ましくは、４０Ａ〜４０
延、最適には、５〇八〜３０Ｊｊ、とされるのが望まし
い。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜８
０ル、より好ましくは１〜８０ル最適には２〜５０終と
されるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚■８と第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（丁ｓ＋Ｔ）としては１両層領域に要求される特性と
光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連
性に基いて、光受容部材の層設計の際に所望に従って、
適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（１６十Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００終、より好適
には１〜８０弘、最適には２〜５０勝とされるのが望ま
しい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚丁Ｂ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴ、　／　Ｔ≦
１なる関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数
値が選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚Ｔ、及び層厚Ｔのａ（ｒｉの選
択に於いて、より好ましくは、Ｔ！Ｉ／Ｔ≦０．９．最
適にはＴ、　／　Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に
層厚Ｔ１１及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいも
のである。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量がＩ　Ｘ　１０５ａｔｏｍ１０５ａ
ｔｏ以りの場合には、第１の層ＣＧ）の層厚ｒｉ＋とし
ては、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０
に以下、より好ましくは２５鉢以下、最適には２０４以
下とされるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する第１の層（Ｇ）及
び第２の層（Ｓ）中に必要に応じて含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明において、ａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）で構成さ
れる第１の層ＣＧ）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンプレーテインク法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー放電法によって、ａ−５ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ
）で構成される第１の層ＣＧ）を形成するには、基本的
には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧｅ
供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）導入様
の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料
ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状
態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予
め所定位置に設置されである所定の支持体表面上に含有
されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化率曲線
に従って制御し乍らａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）から成
る層を形成させれば良い、又、スパッタリング法で形成
する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこ
れ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳＬで
構成されたターゲットとＧｅで構成されたターゲットの
二枚を使用して、又はＳｔとＧｅの混合されたターゲッ
トを使用してスパッタリングする際、必要に応じて水素
原子（Ｈ）又は／及び／Ｘロゲン原子（Ｘ）導入用のガ
スをスパッタリング用の堆積室に導入してやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４，５ｉ７Ｈ６。

５ｉ３ＨＢ　、　５ｉ４Ｈ１゜等のガス状態の又ガス化
し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるもの
として挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓ
ｔ供給効率の良さ等の点でＳ！Ｈａ、　Ｓｉ２Ｈ６。

が好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４＋　Ｇｅ２Ｈ６＋　Ｇｅ３Ｈ８＋　Ｇｅ４Ｈ１０＋　
Ｇｅ５Ｈ１２＋Ｇｅ（、Ｈ１４、０ｅ７Ｈ＋６　、　Ｇ
ｅｐＡ　ＩＲ、ＧｅｇＨ２ｏ等のガス状８の又はガス化
し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとし
て挙げられ、殊に１層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供
給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ／Ｉ、　Ｇｅ７Ｈ，、、
Ｇ［４３ＨＦｌが好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、αＦ、ＣＩ　Ｆ３　、　ＢｒＦ５　。

ＢｒＦ３　、ＩＦ３　、　ＩＦ７　、Ｉα、　ＩＢｒ等
のハロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４．　Ｓｉ２Ｆ６　、　Ｓｉα４　、　ＳｉＢｒ４
等のハロゲン化硅素を好ましいものとして挙げる事が出
来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｔを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−９ｉにｅか
ら成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガス
となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ７，Ｈｅ等のガス
等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層（
Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起して
これ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって
、所望の支持体トに第１の層（Ｇ）を形成し得るもので
あるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる様
に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子を
含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても良
い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものであ′ラ　　、。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）から成る第１の層
（Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング法の場合
にはＳｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲット
の二枚を、或いはＳｉとＧｅから成るターゲットを使用
して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリ
ングし、イオンブレーティング法の場合には、例えば、
多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウ
ム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源としてへ着ポ
ートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレク
トロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔
蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で
行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
てＥ記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ　、　　ＨＣＩ　、　ＨＢｒ。

ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２　、　ＳｉＨ２
Ｉ７　。

５ｉＨ７α２　、５ｉＨＣｉｌ　、　５ｉＨ２Ｂｒ７　
、５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化硅素、及びＧｅ
ＨＦ３　、　ＧｅＨＢｒ３　、　ＧｅＨ３Ｆ。

ＧｅＨＣｌ　３　　、　　ＧｅＨ７Ｃ１２、Ｇｅ）＋３
α、　ＧｅＨＢｒ３　。

Ｇｅ）＋７’Ｂｒ７　、　ＧｅＨＢｒ３水素化ハロゲン
化ゲルマニウム等の水素原子を構成要素の１つとするハ
ロゲン化物、ＧｅＦ４゜ＧｅＣ１，、ＧｅＢｒＱ、　Ｇ
ｅ１．、　ＧｅＦ７．　Ｃｅα７　、　ＧｅＢｒ２　。

ＧｅＬ７等のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態
の或いはガス化し得る物質も有効な第１の層（Ｇ）形成
用の出発物質として挙げるπが出来る゛。

これ等の物質の中、木Ｊ原子を含むハロゲン化物は、第
１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＨ２，或いは５ｉＨａ　、　５ｉ２Ｈ６。

５ｉ３ＨＢ　ｒ　Ｓ’ｉａＨ＋ｏ等の水素化硅素をＧｅ
を供給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と
、或いは、ＧｅＨ，、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢ　、　Ｇ
ｅ５Ｈ１２＋　Ｇｅ５Ｈ１２＋Ｇｅ６Ｈ１４１Ｇｅ７Ｈ
ｔｌ）　ｌ　ＧｅＢＨ１８Ｔ　ＧｅｑＨ２０等の水素化
ゲルマニウムとＳｉを供給する為のシリコン又はシリコ
ン化合物とを堆積室中に共存させて放電を生起させる事
でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１−４０
　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０　ａｔ
ｏｍｉｃ％、最適には０．１〜’２５ａｔｏｍｉｃ％と
されるのが望ましい。

５Ｓｌの層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支
持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原
子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装
置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い
。

本発明に於いて、ａ−５ｉ　（Ｈ、Ｘ）で構成される第
２の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層（Ｇ）
形成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用の原料ガ
スとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層（Ｓ）形
成用の出発物質（ＴＩ））を使用して、ｉｔの層（Ｇ）
を形成する場合と、同様の方法と条件に従って行うこと
が出来る。

即ち、本発明において、ａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例え
ば、グロー放電法によってａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的には前記し
たシリコン原子（Ｓ　ｔ）を供給し得るＳｉ供給用の原
料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部
が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロ
ー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所定
の支持体表面上にａ　−３ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形
成させれば良い。又、スパッタリング法で形成する場合
には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガ
スをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成され
たターゲットをスパッタリングする際、水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタ
リング用の堆積室に導入しておけば良い。

光受容層を構成する層中に、　伝導特性を制御する物質
（Ｃ）、例えば、第■族原子或いは第■族原子を構造的
に導入して前記物質（Ｃ）の含有された層領域（ＰＮ）
を形成するには、層形成の際に、第■族原子導入用の出
発物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で
堆積室中に光受容層を形成する為の他の出発物質と共に
導入してやれば良い、この様な第■族原子導入用の出発
物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状の又は
、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが
採用されるのが望ましい、その様な第■族原（導入用の
出発物質として具体的には砿素原ｆ導入用としては、Ｂ
、ＨＧ　、ＢＪ　Ｉ。、Ｂ、、８９Ｂ！、ＨＩＩ　、Ｂ
６ＨＩ。、Ｂ６Ｈｔ７．Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、Ｂ
Ｆ３８ＣＪ！　、、　　、　ＢＢｒ３等のハロゲン化硼
素等が挙げられる。この他、Ａ１Ｃｌ３　、　　ＧａＧ
ｊ！　３　、　Ｇａ　（ＣＨ３）３　。

ＩｎＣｌ３　、　ＴＣＪ！３等も挙げることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として１本発明においた有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３、
Ｐ２Ｈ４等の水素北端、Ｐｔ（４１、ＰＦ３　＋ＰＦ５
　、　ＰＣｊ！　３　、　ＰＣ：／Ｓ　、　ＰＢｒ３．
　ＰＢｒ３．　ＰＩ３等のハロゲン化燐が挙げられる。

この他、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３　。

ＡｓＣｊ！　３　、　　ＡｓＢｒ３．　ＡｓＦ５．　Ｓ
ｂＨ３，５ｂＦ）、　ＳｂＦ５゜ＳＭ：ｊ！３　、　　
ＳＭ；ｌｙ、　、　ＳｉＨ３，ＳｉＣ／３　、　　Ｂ１
６ｒ３等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものと
して挙げることが出来る。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
層厚方向には均一、又は不均一な分布状態で含有される
。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＮ）は、
光受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは、光
受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在させ
ても良い。

原子（ＯＣＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＣＮ）が、
光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＧＮ）
の含有されている層領域（ＤＯＮ）は、光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領
域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密
着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受
容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（ＤＣＮ）中に含有される原子（Ｑ
Ｃ：Ｎ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少
なくされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を
確実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（ＯＣＮ）の含有量は１層領域（Ｏ
ＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（ＯＣＮ
）が支持体との接触して設けられる場合には、１１に支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、ｍｒ記層領域（［１ＧＮ）に直に接触して他の層領
域が設けられる場合には、故地の層領域の特性’ｉ　　
　　や、故地の層領域との接触界面に於ける特性との関
係も考慮されて、原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜選択さ
れる。

層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＧＮ）の量に
は、形成される光受容部材に要求される特性に応じて所
望に従って適宜法められるが、好ましくは０．００１〜
５０ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは、　０．００２〜
４０ａｔｏｍｉｃ％、最適には０−００３〜３０ａｔｏ
ｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ　）が光受容層の全域
を占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、
層領域（ＱＣ：Ｎ）の層厚Ｔｏの光受容層の層厚Ｔに占
める割合が充分多い場合には、層領域（０ＯＮ）に含有
される原子（０ＯＮ）の含有量の上限は、前記の値より
充分多なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域（ＱＣ：Ｎ）中に含有される原子
（ＯＣＮ）のセ、限としては、好ましくは３０ａｔａｖ
ｉｃ％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｉｃ％以下、
最適には１０ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ましい
。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の第１の層には、少な
くとも含有されるのが望ましい。詰り、光受容層の支持
体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有されることで、
支持体と光受容層との間の密着性の強化を図ることが出
来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が一層出来
るので、光受容層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（０１１１：Ｎ　）は、光受容層中に
複数種含有させても良い、即ち、例えば、第１の層中に
は、酸素原子を含有させたり、或いは、同一層領域中に
例えば酸素原子と窒素原子とを共存させる形で含有させ
ても良い。

第２０図乃至第２８図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＯＣＳ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の層
厚方向の分布状態が不均一な場合の典型的例が示される
。

第２０図乃至第２８図において、横軸は原子（ＯＧＮ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は層領域（ＱＣ：Ｎ）の層厚を示
し、ｔＢは支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端面の位置を
、ｔアは支持体側と・は反対側の層領域（ＯＧＮ）の端
面の位置を示す、即ち、原子（ＯＣＮ）の含有される層
領域（ＯＣＮ）は１日側よりｔ□側に向って層形成がな
される。

ｉ２０図には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＧＮ）の層厚方向の分布状態が不均一な場合の第１の
典型例が示される。

第２０図に示される例では、原子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（ＯＣＮ）が形成される表面と該層領域（０Ｏ
Ｎ）の表面とが接する界面位ｊＥｔ　ｔＢより１．の位
置までは、原子（ＱＣ：Ｎ）の分布濃度Ｃが０１なる一
定の値を取り乍ら原子（ＯＣＮ）が形成される層領域（
ＱＣ：Ｎ）に含有され、位置１１よりは濃度らより界面
位置１丁に至るまで徐々に連続的に減少されている。界
面位置り丁においては原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃
度Ｃ３とされる。

第２１図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＣＳ）の分１５濃度Ｃは位置ｔＢより１丁に至るまで濃
度Ｃ，ｌから徐々に連続的に減少して位置Ｅ、において
濃度ちとなる様な分布状態を形成している。

第２２図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは原子
（ＱＣ：Ｎ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ。

位置し２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減
少され、位置１丁において、分布濃度Ｃは実質的に零と
されている（ここで実質的に零とは検出限界埴未満の場
合である）。

第２３図の場合には、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは位
置ｔＢより位置１Ｔに至るまで、濃度ＣＢより連続的に
徐々に減少され１位１ｔ□において、実質的に零とされ
ている。

第２４図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢと位置１３間においては濃度Ｃ９と一定
値であり、位置１丁においては濃度ＣＩＯとされる。位
置Ｌ３と位置り丁との間では、分布濃度Ｃは一次関数的
に位置Ｌ３より位置１．に至るまで減少している。

第２５図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置１
６より位置し４までは濃度ＣＯの一定値を取り、位置ｔ
４より位置１丁までは濃度Ｃｔ２より濃度Ｃ＋３までは
一次関数的に減少する分布状態とされている。

第２６図に示す例においては、位置箱より位Ｂｆｔｔに
至るまで、原子（０１１１：Ｎ）の分布濃度Ｃは濃度ｃ
ｔｉｔより実質的に零に至る様に一次関数的に減少して
いる。

第２７図においては、位置１６より位置ｔ５に至るまで
は原子（０ＯＮ）の分布濃度Ｃは、濃度０１５′よりＣ
ｒ６までの一次関数的に減少され、位Ｂｉｔｓと位置１
丁との間においては、濃度Ｃ１６の一定値とされた例が
示されている。

第２８図に示される例においては、原子（０（：Ｎ）の
分布濃度Ｃは、位置１．においては濃度ＣＩ７であり、
位置ｔ６に至るまではこの濃度Ｃ０７より初めは緩やか
に減少され、し６の位置付近においては、急激に減少さ
れて位置ｔもでは濃度ＣＩ８とされる。

位置し６と位置ｔ７との間においては、初め急激に　　
　　（減少されて、その後は、緩やかに徐々に減少され
て位置ｔ７で濃度ＣＩ９となり、位置ｔ７と位置ｔ８と
の間では、極めてゆっくりと徐々に減少されてｔ８にお
いて、濃度０２０に至る０位置ｔ８と位置ｔ□の間にお
いては濃度Ｃ２゜より実質的に零になる様に図に示す如
き形状の曲線に従って減少されている。

以上、第２０図乃至第２８図により、層領域（ＯＣＮ）
中に含有される原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が
不均一な場合の典型例の幾つかを説明した様に、本発明
においては、支持体側において、原子（ＱＣ：Ｎ）の分
布濃度Ｃの高い部分を有し、界面１Ｔ側においては、前
記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた部分
を有する原子（ＯＣＮ）の分布状態が層領域（ＯＣＮ）
に設けられている。

原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（ＯＣＮ）は、上記
した様に支持体側の方に原子（ＯＣＮ）が比較的高濃度
で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとして設
けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光受容
層との間の密着性をより一層向トさせることが出来る。

１−記局在領域ＣＢ）は、第２０図乃至第２８図に示す
記号を用いて説明すれば、界面位置り、より５延以内に
設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域ＣＢ）は、界面位置１
６より５川厚までの全領域（ＬＴ　）とされる場合もあ
るし、又、層領域（Ｌｔ　）の一部とされる場合もある
。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜状められる。

局在領域ＣＢ）はその中に含有される原子（ＱＣ：Ｎ）
の層厚方向の分布状態として原子（ＯＣＮ）分布濃度Ｃ
の最大値Ｃｓ＋ａｘが、好ましくは５００ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ以上、より好適には８００ａｔｏ■ｉｃ　ｐＨ
ｌ１１以上、最適には１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ以
上とされる様な分布状態となり得る様に層・形成される
のが望ましい。

即ち、本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層領域（０ＯＮ）は、支持体側からの層厚で５ＰＬ以内
（ｔｆｌから５１Ｌ厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値
Ｃｗａｘが存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（ＯＣＮ
）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やかに変
化する様に、原子（ＱＣＮ）の層厚方向の分布状態を形
成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が層接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防止することが出来る。

又、層領域（ＯＣＮ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃度
Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で、連続し
て緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から、例えば第２０図乃至第２３図、第２６図及
び第２８図に示される分布状態となる様に、原子（ＯＣ
Ｎ）を層領域（ＯＣＮ）中に含有されるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
た層領域（ＯＣＮ）を設けるには、光受容層の形成の際
に原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質を前記した光受容層
形成用の出発物質と共に使用して、形成：°り　　、わ
、□４．。１□、１５ｏいやゎ、１よい。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化し
たものの中の大概のものが使用される。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）−酸
化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）　、−二酸化窒
素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３　）　、画工酸
化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２０Ｓ）、三酸
化窒素（８０３）、　　シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原
子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば
ジシロキサン（Ｈ３５ｉＯＳｉＨ３）、トリシクロキサ
ン（Ｈ３ＳｉＯＳｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級シクロキ
サン、メタン（ＣＨ４）　、エタン（のＨ６）、プロパ
ン（Ｃ３Ｈ８）、ｎ−ブタン（ｎ−ＣａＨ＋ｏ）　、ペ
ンタン（ｌｌｌＡＨ１２）等の炭素数１〜５の飽和炭化
水素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、　　　　　　１プロピレ
ン（Ｃ３Ｈ６）、　ブテン−１（ＣａＨｓ）、ブテン−
２（ＣａＨｓ）　、イソブチレン（ＣａＨｓ）、ペンテ
ン（Ｃ５Ｈ１゜）等の炭素数２〜５のエチレン系炭化水
素、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３
Ｈ４）、ブチン（Ｃａ　Ｈ６）等の炭素数２〜４のアセ
チレン系炭化水素、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３
）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（ＨＮ３
）　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）　、三弗化窒
素（Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素ＣＦ４Ｎ）等々を挙げること
が出来る。

スパッタリング法の場合には、原ｊ−（ＯＧＮ）導入用
の出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記
のガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質として
、　５ｉ０２、Ｓｉ３Ｎ、、カーボンブラック等を挙げ
ることが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットと共に
スパッタリング用のターゲットとしての形で使用される
。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣＮ
）の含有される層領域（ＱＣ：Ｎ）を設ける場合、該層
領域（ＯＣＮ）に含有される原子（ＯＣＮ）の分布濃度
Ｃを層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分４ｊ状７
９　（ｄｅｐｔｈｐｒａｆ　ｉ　Ｉｅ）を有する層領域
（ＯＣＮ）を形成するには、グロー放電の場合には１分
布濃度Ｃを変化させるべき原子（ＯＣＮ）導入用の出発
物質のガスを、そのガス流量を所望の変化率曲線に従っ
て適宜変化させ乍ら、堆積室内に導入することによって
成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い、このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（ＯＣＮ）をスパッタリング法によって形成する
場合、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚方
向で変化させて、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の所望の分
布状態（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するには、
第一には、グロー放電法による場合と同様に、原子導入
用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ
導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させるこ
とによって成される。第二にはスパッタリング用のター
ゲットを、例えばＳｉと５ｉ０２との混合されたターゲ
ットを使用するのであれば、Ｓｉと８１０２との混合比
をターゲットの層厚方向に於いて、予め変化させておく
ことによって成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
′心気絶縁性であっても良い。導電性支持体′としては
１例えば、旧Ｃｒ、ステンレス、Ｍ。

Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ
、　Ｐｔ、　Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられ
る。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、ア　゛セテート、
ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン
、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又
はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される
。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともそ
の一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側
に他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面にＮｉＣｒ、Ａｌｌ
！、　　Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ａｕ、　　Ｉｒ、　　Ｎｂ、
　　Ｔａ、　Ｖ、　　Ｔｉ、　　Ｐｔ、　　Ｐｄ。

Ｉｎ７０３　、５ｎ０２、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋　Ｓｎ
Ｏ，）等から成る薄膜を設けることによって導電性が付
与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィ
ルムであれば、旧Ｃｒ、　ＡＩ、Ａｇ、　Ｐｂ、　Ｚｎ
、　Ｎｉ、　Ａｕ、　Ｃｒ。

Ｎｏ、　Ｉｒ、Ｗｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　ＰＬ等
の金属の８１ｎｑを真空法着、電子ビームへ着、スパッ
タリング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面
をラミネート処理して、その表面に導電性が付与される
。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任
意の形状とし得、所望によって、その形状は決定される
が、例えば、第１０図の光受容部材１００４を電子写真
用光受容部材として使用するのであれば連続高速複写の
場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい
、支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成される
様に適宜決定されるが、光受容部材として、可撓性が要
求される場合には、支持体としての機能が充分発揮され
る範囲内であれば可能な限り薄くされる。丙午ら、この
様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機能的強度の点
から、好ましくは１０ＩＬ以りとされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第９図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００６のガスボンベには、本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例として例えば２００２はＳｉＨ，ガス（純度９９
．９９９％、以下、Ｓ　ｉ　Ｈ４と略す）ボンベ、２０
０３はＧｅＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下ＧｅＨ
，と略す）ボンベ、２００４はＮＯガス（純度９９．９
９９％、以下ＮＯと略す）ボンベ、２００５はＢ２で稀
釈されたＢ２）（６ガス（純度９９．！９９９％、以下
８２　Ｈ６／　Ｂ２と略す）ボンベ、２００６はＢ２ガ
ス（純度９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００Ｂのバルブ２０２２〜２０２６、
リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ２０１２〜２０１６、流出バルブ２０１
７〜２０２１、補助バルブ２０３２．２０３３が開かれ
ていることを確認して、先ずメインバルブ２０３４を開
いて反応室２００１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計２０３６の読みが約５　Ｘ　１０’　ｔｏｒｒ
になった時点で補助バルブ２０３２．２０３３、流出バ
ルブ２０１７〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２よりＳ　ｉ
　Ｈ，ガス、ガスポンベ２００３よりＧｅＨ４ガス、ガ
スボンベ２００４よりＮＯガス、ガスポンベ２００５よ
りＢ２Ｈ６／　Ｂ２ガス、２００６よりＢ２ガスをバル
ブ２０２２．２０２３．２０２４、２０２５．２０２Ｂ
を開いて出口圧ゲージｔｏ２ｒ。

２０２８、２０２９．２０３０．２０３１の圧をｌ　Ｋ
ｇ／ｃｒｎ’に調整し、流入バルブ２０１２．２０１３
．２０１４．２０１５．２０１６ヲ徐々に開けて、マス
フロコントローラ２００７．２００８．２００９．２０
１０．２０１１内に夫々流入させる。引き続いて流出バ
ルブ２０１７．２０１８．２０１９．２０２０．２０２
１、補助バルブ２０３２．２０３３を徐々に開いて夫々
のガスを反応室２００１に流入させる。このと゛きのＳ
ｉＨ，１ガス浣量ＧｅＨ４ガス流量、ＮＯガス流量の比
が所望の値になるように流出バルブ２０１７．２０１８
．２０１９．２０２０．２０２１を調整し、また１反応
室２００１内の圧力が所望の値になるように貞空計２０
３８の読みを見ながらメインバルブ２０３４の開口を調
整する。

そして、ノ、（体２０３７の温度が加熱ヒーター２０３
８により５０〜４００℃の範囲の温度に設定されている
ことを確認した後、電源２０４０を所望の電力に設定し
て反応室２００１内にグロー放電を生起させ、同時にあ
らかじめ設計された変化率曲線に従って、ＧｅＨ４ガス
の流量を手動あるいは外部駆動モータ等の方法によって
バルブ２０１８の開口を暫時変化させる操作を行って形
成される層中に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度
を制御する。

に記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の層（Ｇ）を形成する。所
望層厚に第１の層（Ｇ）が形成された段階に於て、流出
バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じて放
電条件を変える以外は、同様な、　　　　条件と手順９
従・て所望時間グ０−放電を維持す１　　　６ｏお１層
０層ＣＧ）　）：＜ゲ、あ−、つ、原子。実質的に含有
されない第２の層（Ｓ）を形成することが出来る。

なお、第１の層ＣＧ）及び第２の層（Ｓ）の各層には、
流出バルブ２０１９あるいは２０２０を適宜開閉するこ
とで酸素原子あるいはａ素原子を含有させたり、含有さ
せなかったり、あるいは各層の一部の層領域にだけ酸素
原子あるいは硼素原子を含有させることも出来る。また
、酸素原子に代えて層中に窒素原子あるいは炭素原子を
含有させる場合には、ガスボンベ２００４のＮＯガスを
例えばＮＨ３ガスあるいはＣＨａガス等に代えて、層形
成を行なえばよい、また、使用するガスの種類を増やす
場合には所望のガスボンベを増設して、同様に層形成を
行なえばよい０層形成を行っている間は層形成の均一化
を計るため基体２０３７はモーター２０３９により一定
速度で回転させてやるのが望ましい。

最後に、第２の層（Ｓ）上に反射防止機能を待つ表面層
を堆積させるために、例えば２００Ｂの水素（Ｈ２）ガ
スボンベをアルゴン（Ａｒ）ガスボンベに取り変え、堆
積装置を清掃し、カソード電極上に表面層の材料を一面
に張る。その後、装置内に第２の層（Ｓ）まで形成した
ものを設置し、減圧した後アルゴンガスを導入し、グロ
ー放電を生起させ表面層材料をスパッタリングして、所
望層厚に表面層を形成する。

以下本発明の実施例について説明する。

実施例１円筒状のＭ支持体（長さくＬ）　３５７＋＊ｍ、径（ｒ
）　８０ｆｆ１１１）七に旋盤でピッチ（Ｐ）　２５．
で深さくＩｌ）　０．８９で螺旋状の溝を作成した。こ
のときの溝の形を第２９図に示す。

次に、第３表に示す条件で、第９図の膜堆積装置を使用
し、所定の操作手順に従ってａ　−３ｉ系主電子写真用
光受容材を作製した。

（試料Ｎｏ、１−１）なお、第１層のａ−３ｉＧｅ：Ｈ：Ｂ：０層は、ＧｅＨ
４およびＳｉＨ，１の流量を第３０図のようになるよう
マスフロコントローラー２００７．２００８及び２０１
０をコンピューター（）ＩＰ９８４５Ｂ）により制御し
た。

また、表面層は、第９図の装置のカソード電極」−に本
例ではＺｒＯ２を一面に張り、第１層および第２層形成
時に使用したＨ２ガスをＡｒガスに取りかえた後、装置
内を約５　Ｘ　１０’　ｔｏｏｒの真空とし、次いでＡ
ｒガスを導入して高周波電力を３００Ｗとしてグロー放
電を起し、カソード電極ＥのＺｒ０７をスパッタリング
・することによって形成した。

別に、同一の表面性の同筒状Ｍ支持体上に高周波電力を
４０Ｗとした以外は、上記の場合と同様の条件と作製手
段で第１の層と第２の層と表面層とを支持体上に形成し
たところ第３３図に示すように光受容層の表面Ｂ５０５
は、支持体Ｂ５０１の平面に対して平行になっていた。

このときＭ支持体の中央と両端部とで全層の層厚の差は
１μｓであった。

（試ＮＮｏ、　　１−２）また、前記の高周波電力を１８０Ｗにした場合には、第
４０図のように光受容層の表面６４０５と支持体６４０
１の表面とは非平行であった。この場合Ｍ支持体の中央
と両端部とでの平均層厚の層厚差は２鱗であった・以上２種類の電子写真用の光受容部材について、波長７
８０ｎｍの半導体レーザーをスポット径８０騨で第３４
図に示す装置で画像露光を行い、それを現像、転写して
画像を得た０層作製時の高周波電力４０Ｗで、第３９図
に示す表面性の光受容部材では、干渉縞模様が観察され
た。

一方、第４０図に示す表面性を有する光受容部材では、
干渉縞模様は、観察されず、実用に十分な電子写真特性
を示すものが得られた。

実施例２シリンダー状Ｍ支持体の表面を旋盤で、第１表のように
加工した。これ等（シリンダー＃１ｉ１０１〜１０８）
の円筒状のＭ支持体上に、実施例１の干渉縞模様の消え
た条件（高周波電力１８０Ｗ）と同様の条件で、電子写
真用光受容部材を作製した（試″料遂１１１〜１１６　
）　。

このときの電子写真用光受容部材のＭ支持体の中央と両
端部での平均層厚の差は２．２−であった。

これらの電子写真用光受容部材の断面を電子顕微鏡で観
察し、第２の層のピッチ内での差を測定したところ、第
２表のような結果を得た。これらの光受容部材について
、実施例１と同様に第３４図の装置で波長７８０ｎｍの
半導体レーザーを使い、スポット径８０）ｔａ＋で画像
露光を行ったところ第２表の結果を得た。

実施例３第３表に示す条件で第１層のａ　−９ｉＧｅ　二Ｈ：Ｂ
：０層を形成する際、ＧｅＨ４およびＳｉＨ４の流量を
第３１図のようになるように、ＧｅＨ４および５ｉＨａ
のマスフロコントローラー２００８及ヒ２００？をコン
ピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した以外は実
施例１の試料ＮＯ，１−１の場合と同様にして電子写真
用光受容部材を形成した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写して可視画像を得た。

得られた画像は、干渉縞模様は観察されず、実用に十分
な電子写真特性を示すものだった。

実施例４実施例３に於て使用したＮＯガスをＮＨ３ガスに変えた
以外は実施例３の場合と同様の条件と手順に従ってａ−
Ｓｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写して可視１ｉｔｊ像を得た。

実施例５実施例３に於て使用したＮＯガスをＣＨ４ガスに変えた
以外は実施例３の場合と同様の条件と手順に従ってａ−
９ｉ系主電子写真用光受容材を作製した。

実施例６第４表に示す条件で実施例１の試料ＮＯ，ｌ−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成し凱なお、ｆｉＳ１層ノａ　−９ｉＧｅ：　Ｈ：　Ｂ　：　
Ｎ層を形成する際、Ｇ　ｅ　Ｈ，ｓおよびＳｉＨ，＋の
流量を第３２図のようになるように、ＧｅＨ４およびＳ
ｉＨ４のマスフロコントローラー２００８および２００
７をコンピュータ（ｌ（Ｐ９８４５Ｂ）により制御した
。

実施例７第４表に示す条件で実施例１の試料ＮＯ，１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層ノａ−９ｉＧｅ：　Ｈ：　Ｂ　二Ｎ層は、
ＧｅＨ４およびＳｉＨ４の流量を第３３図のようになる
ように、Ｇｅｔ（、およヒＳｉＨ，のマスフロコントロ
ーラー２００８オ、Ｊ−び２００７をコンビ、　−タ（
ＨＰ８８４５Ｂ）　ヨり制御した。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例ｌと同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写して可視画像を得た。

実施例８実施例６に於て使用したＮＨ３ガスをＮｏガスに変えた
以外は実施例６と同様の条件と手順に従ってａ−３ｉ系
主電子写真用光受容材を作製した。

以りの電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写して可視画像を得た。

得られた画像は、干渉縞模様は観察されず、実用にト分
な電子写真特性を示すものだった。

実施例９実施例６に於て使用したＭＨ，ガスをＣＨ４ガスに変え
た以外は実施例６と同様の条件と手順に従っ“１）　　
　て°−５ｉ系電子写真用光受容部材を作製した・”１
　　　　以上の電子写真用光受容部材について、実施例
１と同様な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、
現像、転写して可視画像を得た。

実施例１０第５表に示す条件で実施例１の試料ＮＯ，ｌ−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層（７）ａ−５ｉＧｅ：Ｈ：Ｂ：０層は。

ＧｅＨａおよびＳｉＨ４の流量を第３０図のようになる
ように、ＧｅＨ４ガスよＵ　Ｓ　ｉ　Ｈ，のマスフロコ
ントローラー２００８および２００７をコンピュータ（
ＨＰ９８４５Ｂ）によりＩｆ御した。

また、　　ＣＨ４ガスのＧｅＨ４ガスと５ｉ）Ｉｎガス
との和に対する流量比を第３５図に示す変化率曲線に従
って変化させた。

実施例１１実施例１Ｏに於て使用したＣＨ４ガスをＮｏガスに変え
た以外は実施例１０と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓ
ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

得られた画像は、干渉ｗＲ模様は観察されず、実用に十
分な電子写真特性を示すものだった。

実施例１２実施例１０に於て使用したＣＯ，、ガスをＮＨ３ガスに
変えた以外は実施例１０と同様の条件と手順に従ってａ
−９ｉ系主電子写真用光受容材を作製した。

以−Ｈの電子写真用光受容部材について、実施例１と同
様な画像露光装置を用いて１画像露光を行ない、現像、
転写して可視画像を得た。

°　　実施例１３第６表に示す条件で実施例１の試料ＮＯ，ｌ−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層のａ−ＳｉＧｅ：Ｈ：Ｂ：０層は、ＧｅＨ
，およびＳｉＨ４の流量を第３２図のようになるように
、ＧｅＨａ８よびＳｉＨ４のマスフロコントローラー２
００８および２００７をコンピュータ（ＩＰ９８４５Ｂ
）により制御した。

また、ＮｏガスのＧｅ１（、ガスとＳｉＨ４ガスとの和
に対する流量比を第３８図に示す変化率曲線に従って変
化させた。

実施例１４第７表に示す条件で実施例１の試料ＮＯ，１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層のａ−ＳｉＧｅ：　Ｈ：　Ｂ　：　Ｎ層は
。

ＧｅＨ，およびＳ　ｉ　Ｈ４の流量を第３３図のように
なるように、Ｇｅ）１４およヒ５ｉＨ４のマスフロコン
トローラー２００８および２００７をコンピュータ（Ｉ
Ｐ９８４５Ｂ）により制御した。

また、　ＮＨ３ガスのＧｅＨ，＋ガスとＳｒ−ガスとの
和に対する流量比を第３７図に示す変化率曲線に従って
変化させた。

以上の電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて１画像露光を行ない、現像、転
写して可視画像を得た。

実施例１５第８表に示す条件で実施例１の試料ＮＯ，１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

なお、第１層のａ−９ｉＧｅ：Ｈ：Ｂ：Ｃ層は、ＧｅＨ
４およびＳ　ｉ　）１．の流量を第３１図のようになる
ように、ＧｅＨ４およびＳｉＨ４のマスフロコントロー
ラー２００８および２００７をコンピュータ（ＨＰ９８
４５Ｂ）により制御した。

また、　ＣＨ４ガスのＧｅ）Ｉ４ガスとＳｉＨ４ガスと
の和に対する流量比を第３８図に示す変化率曲線に従っ
て変化させた。

実施例１６実施例３から実施例１５までについて、Ｈ２で３０００
ｖｏｌ　ＰＰ１１に稀釈したＢ２Ｈ，ガスの代りにＨ２
−１１’　３０００マｏｌ　ｐｐｉ＋に稀釈したＰＨ３
ガスを使用して、電子写真用光受容部材を作製した。

なお、他の作製条件は実施例３から実施例１５までと同
様にした。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｒ＋ｍ、スポ−
／　）径８０騨）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

いずれの画像にも干渉縞模様は観察されず、実用に十分
なものであった。

実施例１７実施例１で用いた支持体を用い、表面層材質を第９表に
示す各種の材料とし、表面層形成時間を２種（１つは実
施例１と同じ、もう１つは実施例のほぼ２倍）採用する
以外は、実施例１と同様の条件と手順に突ってａ　−Ｓ
ｉ系電子写真用光受容部材を作成した（試料正２７０１
〜２７２２）　。

これらの電子写真用光受容部材について、第３４図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。試料遂２７０１〜２７２２のいずれかの
画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

比較例比較実験として、実施例１の電子写真用光受容部材を作
製した際に使用したＡＩ支持体に代えて、サンドブラス
ト法によりＡ１支持体の表＋ｍを粗面化したＡＩ支持体
を採用したほかは前述の実施例１の試料ＮＯ，１−１の
場合と全く同様の方法でａ　−５ｉ電子写真用光受容部
材を作製した。この際のサンドブラスト法により表面粗
面化処理したＡＩ支持体の表面状態については光受容層
を設ける前に小板研究所の万能表面形状測定器（ＳＥ−
３０）で測定したが、この時平均表面粗さは１．８１Ａ
ｊｌであることが判明した。

この比較用電子写真用光受容部材を実施例１で用いた第
３４図の装置に取付けて、同様の測定を行なったところ
、全面黒色画像中には明瞭な干渉縞が形成されていた。

［発明の効果］以上、詳細に説明した様に、本発明によれば、可干渉性
単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易であり
、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転時の斑点
の現出を同時にしかも完全に解消することができ、しか
も表面における光反射を低減し、入射光を効率よく利用
できる光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。第６図（Ａ）、ＣＢ）、（Ｃ）、（ロ）は光受容部材の
各層の界面が非平行な場合に干渉縞が現われないことの
説明図である。第７図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、光受容部材の各層の
界面が平行である場合と非平行である場合の反射光強度
の比較の説明図である。第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。第９図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図で
ある。第１０図は、光受容部材の層領域の説明図である。第１１図から第１Ｓ図は、第１の層におけるゲルマニウ
ム原子の分布状態を説明する為の説明図である。第２０図から第２８図は１層領域（ＯＣＭ）中の原子（
０，Ｃ，Ｎ）の分布状態を説明するための説明図である
。第２９図は、実施例で用いたＭ支持体の表面状態の説明
図である。第３０図から第３３図までは、実施例におけるガス流量
の変化を示す説明図である。第３４図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。第３５図から第３８図までは、夫々本発明の実施例にお
けるガス流量比の変化率曲線を示す説明図である。第３９図及び第４０図は実施例で作成した光受容部材の
層構造を示す説明図である。１０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層１００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｍ支
持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・第
１の層１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・・
第２の層１００４・・・・・・・・・・・・・・・・・
・光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・・
・・・光受容部材の自由表面２６０１・・・・・・・・
・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２Ｂ０２・
・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー２
６０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆＯレン
ズ２６０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポリ
ゴンミラー２６０５・・・・・・・・・・・・・・・・
・・露光装置の乎面図２６０６・・・・・・・・・・・
・・・・・・・露光装置の側面図第＋！Ｉｔ第２図第３図第４図第５図第１Ｏ図第１１図第１２図第１３図第１４図第１５図第１６図第１７図第１８図第１９図第２０図第２１図第２２図第２３図第２４図第２５図第２６図第２７図 □Ｃ第２８図第２９図第３０図第ａｔ図Ｂ１間（分）第３２図第３３図第３４図り“入流量ｊｌｌ− 第３５図力１ス５丸量工乙第８７図カ′ス汎量す乙第３８図　　　　　　１

Claims

【特許請求の範囲】

（１）支持体と；シリコン原子とゲルマニウム原子とを
含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコン原子
を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す第２の層と
、反射防止機能を有する表面層とが支持体側より順に設
けられた多層構成の光受容層とを有しており、前記第１
の層及び前記第２の層の少なくとも一方に伝導性を支配
する物質が含有され、かつ前記第１の層中に於けるゲル
マニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一であると共
に、前記光受容層は、酸素原子、炭素原子、窒素原子の
中から選択される少なくとも一種を含有し、且つショー
トレンジ内に１対以上の非平行な界面を有し、該非平行
な界面が層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向に多
数配列し、該非平行な界面が配列方向において各々なめ
らかに連結していることを特徴とする、光受容部材。
（２）前記配列が規則的である、特許請求の範囲第１項
に記載の光受容部材。
（３）前記配列が周期的である、特許請求の範囲第１項
に記載の光受容部材。
（４）前記ショートレンジが０．３〜５００μｍである
、特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（５）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
た規則的に配列しているなめらかな凹凸に基づいて形成
されている、特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
。
（６）前記なめらかな凹凸が正弦関数形線状突起によっ
て形成されている、特許請求の範囲第５項に記載の光受
容部材。
（７）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１項
に記載の光受容部材。
（８）前記正弦関数形線状突起が前記支持体の面内に於
いて螺旋構造を有する、特許請求の範囲第６項に記載の
光受容部材。
（９）前記螺旋構造が多重螺旋構造である、特許請求の
範囲第８項に記載の光受容部材。
（１０）前記正弦関数形線状がその稜線方向に於いて区
分されている、特許請求の範囲第６項に記載の光受容部
材。
（１１）前記正弦関数形線状突起の稜線方向が円筒状支
持体の中心軸に沿っている、特許請求の範囲第７項に記
載の光受容部材。
（１２）前記なめらかな凹凸は傾斜面を有する、特許請
求の範囲第５項に記載の光受容部材。
（１３）前記傾斜面が鏡面仕上げされている、特許請求
の範囲第１２項に記載の光受容部材。
（１４）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
れたなめらかな凹凸と同一のピッチで配列されたなめら
かな凹凸が形成されている、特許請求の範囲第５項に記
載の光受容部材。
（１５）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原
子の中から選択される少なくとも一種を、層厚方向には
均一な状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の光
受容部材。
（１６）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原
子の中から選択される少なくとも一種を、層厚方向には
不均一な状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の
光受容部材。
（１７）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
方に水素原子が含有されている特許請求の範囲第１項に
記載の光受容部材。
（１８）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範囲第１
項または同第１７項に記載の光受容部材。
（１９）伝導性を支配する物質が周期律表第III族に属
する原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部
材。