JPS60260058A - 電子写真用光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来の技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に４応じて転写、定着などの処
理を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。

中でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザー
としては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導
体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有
する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材をしては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−
８３７４゛６号公報に開示されているシリコン原子を含
む非晶質材料（以後ｒＡ−ＳｉＪと略記する）から成る
光受容部材が注目されている。

面乍ら、感光層を単層構成のＡ−Ｓｔ層とすると、その
高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される１
０Ｉ２Ωｃｍ以上の暗抵抗の確保するには、水素原子や
ハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを特定
の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる必
要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行う必
要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可成り
の制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出劣る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層したニ一層以上の層構成として、光受
容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５
２１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８
１５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報に
記載されである様に光受容層を支持体と感光層の間、又
は／及び感光層の上部表面に障壁層を設けた多層構造と
したりして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提
案されている。

この様な提案によって、Ａ−３ｔ系先光受容材はその商
品化設計りの許容度に於いて、或いは製造」二の管理の
容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向
けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）よ４１反射
して来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる、殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。　まして、使用する半導体レ
ーザー光の波長領域が長波長になるにつれ感光層に於け
る該レーザー光の吸収が減少してくるので前記の干渉現
象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光Ｉ０と上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をλ厚差で不
均一であると、反射光Ｒ１，、Ｒ２が２ｎｄ−ｍ入（ｍ
は整数、反射光は強め合う）と２ｎｄの条件のどちらに
合うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に変
化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００人〜±１００００人の凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）、アルミニウム支持体表面を黒色
アルマイト処理したり、或いは樹脂中にカーボン、着色
顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（例
えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウム
支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンドブ
ラストにより、砂目状の微細凹凸を設けたり七て、支持
体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭
５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法で、は・、−画像上に現われ
る干渉縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確か番と光散乱効果によ
る干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱とし
て′土依然として正反射光成分が現存している為に、該
正反射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支
持体表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが
生じ、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ７Ｓｉ感光層を
形成する際、樹脂一層よりの脱気現象が生じ、形成され
る感光層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がＡ−
３ｉ系感光層形成の際のプリズマによってダメージを受
けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状態の
悪化によるその後のＡ−３ｉ系感光層の形成に悪影響を
与えること等の不都合がある。

支持体表面を不規則に荒す第３の方法は、第３図に示す
様に、例えば入射光Ｉ０は、光受容層３０２の表面でそ
の一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、光受容
層３０２の内部に進入して透過光１１となる。透過光１
１は、支持体３０２の表面に於いて、その一部は、光散
乱されて拡散光ＫＩ　＋　Ｋ２　＋　Ｋ３　・・Φ・と
なり、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部
が出射光Ｒ３となって外部に出て行く。従って、反射光
Ｒ１と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依
然として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２での反射光Ｒ２＋第２層での反射光Ｒ１＋支持
体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、光受容
部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。従って
、多層構成の光受容部材においては、支持体４０１表面
を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止すること
は不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように通常、支持体５０１表面の凹凸形状に沿
って、−光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄ１＝ｍ入また
は２　ｎ　ｄ　１＝　（ｍ＋ｙ２）入が成立ち、夫々明
部または暗部となる。又、光受容層全体では光受容層の
層厚’　！　１　ｄ２１　ｄ３＋　ｄ４の夫々−性があ
るため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの目的は、電子写真法を利用するデジ
タル画像記録、取分け、ハーフトーン情報を有するデジ
タル画像記録が鮮明に且つ高解像度、高品質で行える光
受容部材を提供することでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を有する光
受容部材を提供することでもある。

本発明の他の目的は、上記の様な優れた特性のほか、更
に耐久性、連続繰返し特性、電気的耐圧性、使用環境特
性、機械的耐久性及び光受容特性に優れた光受容部材を
提供することにある。

仁発明の概要〕 本発明の光受容部材は、所定の切断′位置での断面形状
が主ピークに副ピークが重畳された凸状形状である凸部
が多数表面に形成されている支持体と；シリコン原子を
含む非晶質材料からなり少なくとも一部の層領域が感光
性を有する層と、シリコン原子と炭素原子とを含む非晶
質材料からなる表面層とからなる光受容層と；を有する
光受容部材であって、前記少なくとも一部の層領域が感
光性を有する層は、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の
中から選択される少なくとも一種を含有する事を特徴と
している。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明において装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状
を有する支持体（下図水）上に、その凹°凸の傾斜面に
沿って、１つ以上の感光層を有する多層構成の光受容層
は、第６図（Ａ）に拡大して示されるように、第２層６
０２の層厚ｄ５からｄもと連続的に変化している為に、
界面６０３と界面６０４とは互いに傾向きを有している
。従って、この微小部分（ショートレンジ）見に入射し
た可干渉性光は、該微小部分立に於て干渉を起し、微小
な干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７゜４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光Ｉ。にする反
射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る為
、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　（
Ｂ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合ｒ　（Ｂ）Ｊよりも非平行な場合ｒ　
（Ａ）Ｊは干渉しても干渉縞模様の明暗の差が無視し得
る程度に小さくなる。その結果、微小部分の入射光量は
平均化される。

このことは、第６図に示す様に、第２層６０２の層厚が
マクロ的にも不均一（ｃ１７触ｄｏ）でも同様に伝える
為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図の「
（Ｄ）」参照） また、光受容層が多層構成である場合に於て照射側から
第２層まで可干渉性光が透過した場合に続いて本発明の
効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光ＩＯに対し
て、反射光Ｒ，，Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が存在する。

その為各々の層で第７図を以って前記に説明したことが
生ずる。

その上、微小部分内の各層界面は、一種のスリットとし
て働き、そこで回折現像を生じる。

そのため各層での干渉は、層厚の差による干渉と層界面
の回折による干渉との積として効果が現われる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現れることはない。又、仮に画像
に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的に
は何等支障を生じない。

本発明に於て、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実に
揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ文（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、文≦Ｌであ
る。

又、本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部
公文に於ける層厚の差（ｄｓ　ｄ６）は、照射光の波長
を入とすると、 であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部公文の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於る層厚の差が、 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する感光層、電荷注入防止層、電気絶縁
性材料からなる障壁層等の各層の形成には本発明の目的
をより効果的且つ容易に達成する為に、層厚を光学的レ
ベルで正確に制御できることからプリズマ気相法（ＰＣ
ＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用される。

本発明の目的を達するための支持体の加工方法としては
、化学エツチング、電気メッキなどの化学的方法、蒸着
、スパッタリングなどの物理的方法、旋盤加工などの機
械的方法などが利用できる。しかし、生産管理を容易に
行うために、旋盤などの機械的加工方法が好ましいもの
である。

たとえば、支持体を旋盤で加工する場合、７字形状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深
さで形成される。この様な切削加工法によって形成され
る凹凸が作り出す線状突起部は、円筒状支持体の中心軸
を中心にした鎖線構造を有する。突起部の鎖線構造は、
二重、三重゛の多重鎖線構造、又は交叉螺線構造とされ
ても差支えない。

或いは、鎖線構造に加えて中心軸に沿った連線構造を導
入しても良い。

本発明の支持体の所定断面内の凸部は、本発明の効果を
高めるためと、加工管理を容易にするために、−次近似
的に同一形状とすることが好ましい。

又、前記凸部は、本発明の効果を高めるために規則的ま
たは、周期的に配列されていることが好ましい。又、更
に、前記凸部は、本発明の効果を一層高め、光受容層と
支持体との密着性を高めるために、副ピークを複数有す
ることが好ましい。

これ等の夫々に加えて、入射光を効率よく一方向に散乱
するために、前記凸部が主ピークを中心に対称（第９図
（Ａ））または非対称形（第９図（Ｂ））に統一されて
いることが好ましい。しかし、支持体の加工管理の自由
度を高める為には両方が混在しているのが良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を効果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１には感光層を構成するＡ−３ｔ層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じ
て層品質は大きく変化する。

従って、Ａ−３ｉ感光層の層品質の低下を招来しない様
に支持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定
する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００ｐｍ　
〜０．３ＩＬｍ、より好ましくは２００　ｇ　ｍ　〜１
　ｇ　ｍ、最適には５ｏＩＬｍ〜５ＩＬｍであるのが望
ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０　、１　ｐｍ〜５
　ｐ、　ｍ、より好ましくは０．３ｐｍ〜３ｐＬｍ、最
適には０．６ｐｍ〜２ｐＬｍとされるのが望ましい。支
持体表面の凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にある
場合、四部（又は線状突起部）の傾斜面の傾きは、好ま
しくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、最
適には４度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層圧の不均一
に基〈層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくはＯ，
ｉｐ、ｍ〜２１Ｌｍ、より好ましくは０．１ｇｍ　〜１
．５４ｍ、最適には０．２ｐｍ〜ｌｐｍとされるのが望
ましい。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、少なくとも一部の層領域が感光性を有
する層中には、酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から
選枳される少なくとも一種の原子が含有される。少なく
とも一部の層領域が感光性を有する層中に含有されるこ
の様な原子（ＯＣＮ）は、少なくとも一部の層領域が感
光性を有する層の全層領域に万偏なく含有されても良い
し、或いは、少なくとも一部の層領域が感光性を有する
層の一部の層領域のみに含有させることで偏在させても
良い。原子（ＯＣＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＣＮ
）が、光受容層の層厚方向及び支持体の表面と平行な面
内に於いて均一であることが望ましい。

本発明に於いて、少なくとも一部の層領域が感光性を有
する層に設けられる原子（ＯＣＮ）の含有されている層
領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵抗の向上を主たる目的
とする場合には、少なくとも一部の層領域が感光性を有
する層の全層領域を占める様に設けられ、支持体と光受
容層との間の密着性の強化を図るのを主たる目的とする
場合には、少なくとも一部の層領域が感光性を有する層
の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の含有量が、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確
実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、少なくとも一部の層領域が感光性を有
する層に設けられる層領域（ＯＣＮ）に含有される原子
（ＯＣＮ）の含有量は、層領域（ＯＣＮ）自体に要求さ
れる特性、或いは該層領域（０，ＣＮ）が支持体に直に
接触して設けられる場合には、該支持体との接触界面に
於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、適宜選
択することが出来る。又、前記層領域（ＯＣＮ）に直に
接触して他の層領域が設けられる場合には、該他の層領
域の特性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性と
の関係も考慮されて、原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜選
択される。層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣ
Ｎ）の量は、形成される光受容部材の要求される特性に
応じて所望に従って適宜状められるが、好ましくはｏ、
ｏｏｉ〜５０　ａｔｏｍｉｃ　％、より好ましくは、０
．００２〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％、最適には０．００
３〜３０　ａｔｏｍｉｃ　％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層
領域（ＯＣＮ）の層圧Ｔ０の光受容層の層圧Ｔに占める
割合が充分多い場合には、層領域（ＯＣＮ）に含有され
る原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前記の値より充分
小なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔが光受容
層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる様
な場合には１層領域（ｏｃＮｓ中に含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の上限としては、好ましくは３０　ａ　ｔ　ｏ　
ｍ　ｉ　ｃ％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｉｃｉ
％以下、より好ましくは２０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％以下、
最適にはｌｏａｔｍｉ　ｃ％以下とされるのが望ましい
。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の電荷注入防止層及び
衝撃層には、少なくとも含有される。詰り、少なくとも
一部の層領域が感光性を有する層の支持体側端部層領域
に原子（ＯＣＮ）を含有させることで、支持体と光受容
層との間の密着性の強化を図ることが出来る。更に、窒
素原子の場合には、例えば、ホウ素原子との共存下に於
いて、暗抵抗の向上と高光光感度の確保が出来るので、
感光層に所望量含有されることが望ましい又、これ等の
原子（ＯＣＮ）は、少なくとも一部の層領域が感光性を
有する層中に複数種含有させても良い。即ち、例えば、
電荷注入防止層中には、酸素原子を含有させ、感光層中
には、窒素原子を含有させたり、或いは、同一層領域中
に例えば酸素原子と窒素原子とを共存させる形で含有さ
せても良い。本発明において、水素原子又は／及びハロ
ゲン原子を含有するＡ−３ｉ　（ｒＡ−３ｉ（Ｈ、Ｘ）
Ｊ　と記す）で構成される感光層を形成するには例えば
グロー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレー
ティング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって
成される。例えば、グロー放電法によって、ａ−３ｉ　
（Ｈ、Ｘ）で構成される感光層を形成するには、基本的
には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の原料
ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを
、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導
入しそ、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定
位置に設置されである所定の支持体表面上にａ−３ｉ（
Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、スパッタ
リング法で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不
活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰
囲気中でＳｉで構成されたターゲットを使用して、必要
に応じてＨｅ、Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈された水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをス
パッタリング用の堆積室に導入し、所望のガスのプラズ
マ雰囲気を形成して前記のターゲットをスパッタリング
してやれば良い。イオンブレーティング法の場合には、
例えば多結晶シリコンヌは単結晶シリコンを、夫々蒸発
源として蒸着ポートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法
、或いは、エレクトロンビーム法（ＥＢ法）等によって
加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気
中を通過させる以外は、スパッタリング法の場合と同様
にする事で行うことが出来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
うる物算と、しては、ＳｉＨ４，５ｉ２Ｈｂ　＋　Ｓ　
ｉ３　ＨＢ　、　Ｓ　ｉ４　Ｈｌ。等のガス状態の又は
ガス化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用され
るものとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易
さ、Ｓｔ供給効率の良さ等の点でＳ　’Ｉ　Ｈ４＋　Ｓ
　１２　Ｈ６＊が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化物が挙げられ、
例えばハロゲンガス、ハロゲン化合物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要
素とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を
含む水素化ケイ素化合物も有効なものとして本発明にお
いては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、ＣＩＦ、ＣＩＦ　３　＋　Ｂ　ｒＦ　
５　＋　Ｂ　Ｔ　Ｆ　３　＋　Ｉ　Ｆ　３　＋　Ｉ　Ｆ
　７＊　工ＣＭ、ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げる
ことが出来る。

ハロゲン原子を含むホウ素化合物、所謂、ハロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
ＳｉＦ４　、Ｓｉ２　Ｆ６　、ＳｉＣ、Ｑ４．５ｉＢｒ
、等のハロゲン化硅素が好ましいものとしで挙げること
が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスとしての水素化
、磁、素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハロ
ゲン原子を含むａ−Ｓｉから成る感光層を形成する事が
出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む感光層を作
成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の原料ガス
となるハロゲン化硅素とＡｒ。

Ｈ２，Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量になる
様にして感光層を形成する堆積室に導入し、グロー放電
を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成するこ
とによって、所望の支持体上に感光層を形成し得るもの
であるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる
様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子
を含むホウ素化合物のガスも所望量混合して層形成して
も良い。又、各ガスは単独様のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含むホ
ウ素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成してやれば良いものである。又、水素原
子を導入する場合は、水素原子導入用の原料ガス、例え
ば、Ｈ２、或いは前記したシラン類のガス類をスパッタ
リング用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲
気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素化
合物が有効なものとして使用されるものであるが、その
他に、ＨＦ　、　ＨＣＩ　、　ＨＢｒ、ＨＩ等（７）ハ
ロゲン化水素、５ｉＨ７Ｆ２゜Ｓ　ｉＨ２Ｉ’、Ｓ　ｉ
Ｈ７ＣＪＪ７　、Ｓ　ｊＨｃＭ：＋　。

５ｉＨ２Ｂｒ２　．５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等の
ハロゲン置換水素化ホウ素等のガス状態の或いはガス化
し得る物質も有効な感光層形成用の出発物質として挙げ
る事が出来る。これ等の物質の中、水素原子を含むハロ
ゲン化物は、感光層形成の際に層中にハロゲン原子の導
入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効
な水素原子を導入されるので、本発明においては好適な
ハロゲン導入用の原料として使用される。

光受容層を構成する電荷注入防止層又は感光層中に、伝
導特性を制御する物質（Ｃ）、例えば、第ｍ族原子或い
は第■族原子を構造的に導入するには、各層の形成の際
に、第■族原子導入用の出発物質或いは第Ｖ族原子導入
用の出発物質をガス状態で堆積室中に光受容層を形成す
る為の他の出発物質と共に導入してやれば良い。この様
な第■族原子導入用の出発物質と成り得るものとしては
、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件下で
容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。そ
の様な第ｍ族原子導入の出発物質として具体的には硼素
原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６，Ｂ　４　Ｈ１ｏ・Ｂ５
Ｈ５・ＢＳＨＩＩ・Ｂ　ｂ　Ｈｒ。

、Ｂ６Ｈ，λ＊　”　６　ＨＩψ等の水素化硼素、ＢＦ
３　。

８０文３．ＢＢｒ３等のハロゲン化ホウ素等が挙げられ
る。この他、Ａ又Ｃ立３　、Ｇａ０文、、Ｇａ　（ＣＨ
３）３　、Ｉ’ｎＣＪ１３　、Ｔ！ＬＣ１３等も挙げる
ことが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、Ｐ’Ｈ３
、Ｈ２Ｈ４等の水素合溝、ＰＨ４Ｉ、ＰＦ３　、ＰＦ５
．ＰＣＪｌ、、ＰＣ，１３，ＰＢ　Ｈ３、ＰＢｒｓ　、
ＰＩ３等のハロゲン合溝が挙げられる。この他ＡｓＨ３
、ＡｓＦ３．ＡｓＣ０文。

、ＡｓＢｒ３　、ＡｓＦ５　、ＳｂＨ３、ＳｂＦ３　。

ＳｂＦ５．Ｓｂ０文、、ｓｂｃ文５．ＢｉＨ３゜Ｂ　ｉ
Ｃｌ　３　＋　Ｂ　ｉ　Ｂ　丁３等も第Ｖ族原子導入用
の出発物質の有効なものとして挙げることが出来る本発
明に於いて、少なくとも一部の層領域が感光性を有する
層に原子（ＯＣＮ）の含有された層領域（ＯＣＮ）を設
けるには、少なくとも一部の層領域が感光性を有する層
の形成の際に原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質を前記し
た光受容層形成用の出発物質と共に使用して、形成され
る層中にその量を制御し乍ら含有してやれば良い。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質が加えられる。その様な原子（ＯＣＮ）導入用
の出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成
原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化
したものの中の大概のものカシ使用され得る。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）、−
酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）゛、−二酸化
窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３　）　、四Ｔ
ｌ酸化窒素（Ｎ　２０ｏ　）　、　五二ＷＪ　化窒素（
Ｎ２０５）、三酸化窒素（ＮＯ３）シリコン原子（Ｓ　
ｉ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子と
する、例えば、ジシロキサン（Ｈ３５ｉＯ３ｉＨ３）、
）ジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ３ｉＨ２０Ｓ　ｉＨ３）等
の低級シロキサン、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ
６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）＋　ｎ−ブタン（ｎ　Ｃ４
Ｈ＋ｏ）　、ペンタン（ＣｓＨ＋２）等の炭素数ｌ〜５
の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレン（
Ｃ３Ｈ６）、ブテン−Ｉ　ＣＣａ　Ｈｅ　）　、ブテン
−２（Ｃ４Ｈ８）、イソブチレン（’Ｃ４Ｈ８）　、ペ
ンテン（Ｃ５Ｈｌ。）等の炭素数２〜５のエチレン系炭
化水素、アセチレン（ＣｚＨｚ）、メチルアセチレン（
’Ｃ３）（ａ　）　、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等の炭素数２
〜４のアセチレン系炭化水素、窒素（Ｎ２）、アンモニ
ア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水
素（’ＨＮ３　Ｎ、）　３　、アジ化アンモニウ１、（
’ＮＨ，ＮＪ　）　、三弗化窒素ＣＦ３　Ｎ）、四弗化
窒素（Ｈ４Ｎ２　）等々を挙げることが出来る。スパッ
タリング法の場合には、原子（ＯＣＮ）導入用の出発物
質としては、グロー放電法の際に列挙した前記のガス化
可能な出発物質の他に、固体化出発物質として、Ｓ　ｉ
Ｏ２＋　Ｓ　１３　Ｎ　ａ、カーボンブラック等を挙げ
ることが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットと共に
スパッタリング用のターゲットとしての形で使用される
。

次に、本発明に係る多層構成の光受容部材の具体例を示
す。

第ｉｏ図に示される光受容部材１０００は、本発明の目
的を達成する様に表面切削加工された支持体１００１上
に、光受容層１００２を有し、該光受容層１００２は支
持体１００１側より電荷注入防止層１００３．感光層１
００４．表面層１００５で構成されている。

支持体１００１としては、導電性でも電気絶縁性であっ
てもよい。導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ、
ステンレス、Ａｔ、Ｃｒ、Ｍｏ。

Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又は
これ等の合金があげられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側の他
の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであればその表面にＮｉＣｒ。

Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ２，５ｎ０２　。

ＩＴＯ（Ｉ　ｎ２０３＋５ｎ０２　）等から成る薄膜を
設けることによって導電性が付与され、或いはポリエス
テルフィルム等の合成樹脂フィルムであればＮｉＣｒ　
、Ａｌ　、Ａｇ、Ｐｄ、Ｚｎ　、Ｎｉ　。

Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ
、等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッ
タリング等でその表面に設け、又は、前記金属でその表
面をラミネート処理して、その表面に導電性が付与され
る。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等
任意の形状として得、所望によって、その形状は決定さ
れるが、例えば、第１０図の光受容部材１０００を電子
写真用像形成部材として使用するのであれば連続複写の
場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい
。支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成される
様に適宜決定されるが、光受容部材として可撓性が要求
される場合には、支持体としての機能が十分発揮される
範囲内であれば可能な限り薄くされる。しかしながら、
この様な場合、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強
度等の点から、好ましくは１０．以上とされる。

電荷注入防止層１００３は、感光層１００４への支持体
重００１側からの電荷の注入を防いで見掛上の高抵抗化
を計る目的で設けられる。

電荷注入防止層１００３は、水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（ｘ）を含有するＡ−Ｓｉ（以後ｒＡ−Ｓ　ｉ　
（Ｈ、Ｘ）　Ｊ　と記す）で構成されると共に伝導性を
支配する物質（Ｃ）が含有される。

電荷注入防止層１００３に含有される伝導性を支配する
物質（Ｃ）としては、いわゆる半導体分野で言われる不
純物を挙げることができ、本発明に於ては、Ｓｉに対し
て、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型伝導性を
与えるｎ型不純物を挙げることができる。具体的には、
ｐ型不純物としては周期律表第■族に属する原子（第■
族原子）例えばＢ（硼素）、ＡＩ（アルミニウム）　、
Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ（タリウ
ム）等があり、殊に好適に用いられるのは、Ｂ、Ｇａで
ある。

ｎ型不純物としては周期律表第Ｖ族に属する原子（第Ｖ
族原子）、例えばＰ（燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（アン
チモン）　、Ｂｉ　（ビスマス）等であり、殊に好適に
用いられるのは、Ｐ、Ａｓ。

である。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３に含有される伝
導性を支配する物質（Ｃ）の含有量は、要求される電荷
注入防止特性、或いは該電荷注入防止層１００３が支持
体１００１上に直に接触して設けられる場合には、該支
持体ｔｏｏ　ｉとの接触界面に於ける特性との関係等、
有機的関連性に於て、適宜選択することが出来る。又、
前記電荷注入防止層に直に接触して設けら°れ１他に層
領域の特性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性
との関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有
量が適宜選択される。

本発明に於て、電荷注入防止層中に含有される伝導性を
制御する物質の含有量としては、好適には、０．００１
〜５Ｘ１０”　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好適には０
．５〜１ＸＩＯ”　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ、最適には１〜
５Ｘ１０３　ａｔｏｍｉＣｐｐｍとされるのが望ましい
。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３に於ける物質（
Ｃ）の含有量は、好ましくは、３０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ以−Ｌ、より好適には５０ａｔ　。

ｍｉｃ　ＰＰｍ以上、最適には１００ａｔ　ｏｍｉｃ　
ｐ’ｐｍ以上とすることによって、例えば含有させる物
質（Ｃ）が前記のｐ型不純物゛の場合には光受容層の自
由表面がΦ極性に帯電処理を受けた際に支持体側から感
光層中へ注入される電子の移動を、より効果的に阻止す
ることが出来、又、前記含有させる物質（Ｃ）が前記の
ｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面がｅ極性に
帯電処理を受けた際に支持体側から感光層中へ注入され
る正孔の移動を、より効果的に阻止することが出来る。

電荷注入防止層１００３の層厚は、好ましくは３０八〜
ｔｏｇ、より好適には４０人〜８Ｗ、最適には５０人〜
５ＩＬとされるのが望ましい。

感光層１００４　ハ、Ａ−Ｓ　ｉ　（Ｈ、Ｘ）　テ構成
され、レーザー光の照射によってフォトキャリアを発生
する電荷発生機能と、該電荷を輸送する電荷輸送機能の
両者を有する。

感光層１００４は層厚としては、好ましくは、１〜１０
０　ｇ　ｍ　、より好ましくは１〜８０ｇｍ。

最適には２〜５０ｐｍとされるのが望ましい。

感光層１００４には、電荷注入防止層１００３に含有さ
れる伝導特性を支配する物質の極性とは別の極性の伝導
特性を支配する物質を含有させても良いし、或いは、同
極性の伝導特性を支配する物質を、電荷注入防止層１０
０３に含有される実際の量よりも一段と少ない量として
含有させても良い。

この様な場合、前記感光層１００４中に含有される前記
伝導特性を支配する物質の含有量としては、電荷注入防
止層１００３に含有される前記物質の極性や含有量に応
じて所望に従って適宜決定されるものであるが、好まし
くは０．００１〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ、より
好適には０：０５〜５００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適
には０．１〜２００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが
望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感光層１０
０４に同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合に
は、感光層１００４に於ける含有量としては、好ましく
は３０　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感光層１０
０４中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原
子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ
＋Ｘ）は好ましくは１〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％、より
好適には５〜３０ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％とされるの
が望ましい。

ハロゲン原子（Ｘ）としては、Ｆ、Ｃ１，Ｂｒ。

■が挙げられ、これ等の中でＦ、ＣＩが好ましいものと
して挙げられる。

第１０図に示す光受容部材に於ては、電荷注入防止層１
００３の代りに電気絶縁性材料から成る、いわゆる障壁
層を設けても良い。或いは、該障壁層と電荷注入防止層
１００３とを併用しても差支えない。

障壁層形成材料としては、Ａ交２０３．ＳｉＯ２＋　Ｓ
　ｉ３　Ｎ４等の無機電気絶縁材料やポリカーボネート
等の有機電気絶縁材料を挙げることができる。

第１０図に示される光受容部材１０００におｌ、）では
、感光層１００４上に形成される表面層１００５は自由
表面を有し、主に耐湿性、連続繰返し特性、電気的耐圧
性、使用環境特性、機械的耐久性、光受容特性において
本発明の目的を達成する為に設けられる。

本発明に於ける表面層１００５は、シリコン原子（Ｓｉ
）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料（以後
、ｒ　ａ（Ｓ　ｉｘ　Ｃ１ｘ　）、（Ｈ、Ｘ）　Ｉ　Ｊ
　と記す。但し、Ｏ（ｘ、ｙく１）で構成される。

ａ−（Ｓｉ　Ｃ１）　（Ｈ，Ｘ）ｔ　、テｘ　−ｘ　ｙ 構成される表面層１００５の形成はグロー放電法のよう
なプラズマ気相法、（ＰＣＶＤ法）、あるいは光ＣＶＤ
法、熱ＣＶＤ法、スパッタリング法、エレクトロンビー
ム法等によって成される。

これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度
、製造規模、作製される光導電部材に所望される特性等
の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望する
特性を有する光受容部材を製造するための作製条件の制
御が比較的容易である、シリコン原子と共に炭素原子及
びハロゲン原子を、作製する表面層１００５中に導入す
るのが容易に行える等の利点からグロー放電法或はス、
＜ツタ−リング法が好適に採用される。更に、本発明に
於いては、グロー放電法とスノぐツタ−リング法とを同
一装置系内で併用して表面層１００５を形成してもよい
。

グロー放電法によって表面層１００５を形成するにはａ
−（Ｓｉ　Ｃ＋　）　（）Ｉ、Ｘ）＋　ｊｘ　−ｘｙ 形成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の
混合比で混合して、支持体の設置しである真空堆積室に
導入し、導入されたガスを、グロー放電を生起させるこ
とでガスプラズマ化して、前記支持体上に形成されであ
る層上に ａ　−（Ｓｉ　Ｃ，）　（Ｈ，Ｘ）　１−ｊｘ　−ｘ　
ｙ を堆積させれば良い。

本発明に於いて、ａ−（ＳｉＣ１） ）ｃ　−ｘ　ｙ （Ｈ，Ｘ）＋　形成用の原料ガスとしては、シ　ｙ リコン原子（Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）
、ハロゲン原子（Ｘ）の中の少なくとも一つを構成原子
とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化した
ものの中の大概のものが使用され得る。

Ｓｔ、Ｃ，Ｈ，Ｘの中ノーツトシテ、Ｓｉを構成原子と
する原料カスを使用する場合は、例えば、Ｓｉを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、
必要に応じて、Ｈを構成原子とする原料カス又は／及び
Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又はＳｉを構成原子とする原料ガスと、
Ｃ及びＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＣ及びＸ
を構成原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合
比で、混合するか、或いは、Ｓｔを構成原子とする原料
ガスと、Ｓｉ、Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガ
ス又は、Ｓｉ、Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガ
スとを混合して使用することができる。

又、別には、ＳｉとＨとを構成原子とする原料ガスにＣ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし
、ＳｉとＸとを構成原子とする原料ガスにＣを構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

本発明に於いて、表面層１００５中に含有されるハロゲ
ン原子（Ｘ）として好適なのは、Ｆ。

Ｃ１，Ｂｒ、Ｉであり、殊にＦ、ＣＭが望ましいもので
ある。

本発明に於いて、表面層１００５を形成するのに有効に
使用される原料ガスと成り得るものとしては、常温常圧
に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質を
挙げることができる。

本発明に於いて、表面層１００５形成用の原料カスとし
て有効に使用されるのは、ＳｉとＨとを構成原子とする
ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８＋　Ｓ　’　４　Ｈ
Ｘ）等のシラｙ（ＳｉＭａｎｅ）類等の水素化硅素ガス
、ＣとＨとを構成原子とする、例えば、炭素数１〜４の
飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭
素数２〜３のアセチレン系炭化水素、ハロゲン単体、ハ
ロゲン化水素、ハロゲン間化合物、ハロゲン化硅素、ハ
ロゲン置換水素化硅素、水素化硅素等を挙げる事ができ
る。具体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨ４
）、　エタ７　ＣＣ２Ｈ６）、プロパ７（Ｃ３Ｈｅ）、
ｎ−ブタ７　（ｎ−Ｃ４ＨＸ））　、ペンタン（Ｃ５Ｈ
１２）、エチレン炭化水素としては、エチＬ／　７　（
Ｃ２Ｈ４）　、プロピレフ　（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１
（Ｃ４Ｈ８）、ブテン−２（Ｃ４Ｈｅ　）、インブチレ
ン（Ｃ４Ｈ８）、ぺｙ７　ン（Ｃｓ　ＨＸ）　）、アセ
チレン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、
メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）、
ハロゲン単体としては、フン素、塩素、臭素、ヨウ素の
ハロゲンガス、ハロゲン化水素としては、ＦＨ，ＨＩ、
ＨＣｕ、ＨＢｒ、ハロゲン間化合物としては、ＢｒＦ、
ＣｎＦ、ＣｌＦ３　＋Ｃ交Ｆｓ　、ＢｒＦ５　、ＢｒＦ
３　、ＩＦ７　。

ＩＦｓ、ＩＣ交、ＩＢｒ、ハロゲン化硅素としては、Ｓ
ｉＦ４　、Ｓｉ２　Ｈ６、ＳｉＣ文、Ｂｒ、Ｓｉ０文２
　Ｂｒ２　．５ｉＣＪＩＢ”ｒ３　、Ｓｉ０文３Ｉ＋Ｓ
ｉＢｒ４．ハロゲン置換水素化硅素としては、ＳｉＨ２
Ｆ２　、ＳｉＨ２Ｃ文３，５ｉＨ３Ｃ文。

ＳｉＨ３Ｂｒ、５ｉＨ３Ｂｒ、ＳｉＨ２Ｂｒ２　。

５ｉＨＢｒ３．水素化硅素としては、５ｉ）１４゜５ｉ
２）（Ｂ　、５ｉ３ＨＢ　、５ｉ４Ｈ）ｏ等のシラン（
Ｓ　ｉ　ｌ　ａ　ｎ　ｅ）類、等々を挙げることができ
る。

これ等の他にＣＦ４　、ＣＣ１，、ＣＢｒ４　。

ＣＨＦ３　、ＣＨ２Ｆ２　、　Ｃ）Ｉ３　Ｆ　、ＣＨ３
Ｃｌ　。

ＣＨ３Ｂｒ、ＣＨ３Ｉ、Ｃ２Ｈ３ＯＭ、等のハロゲン置
換パラフィン系炭化水素、ＳＦ４　、ＳＦ６の７−／素
化硫黄化合物、Ｓｉ　（ＣＨ３）４　．３ｉ（Ｃ２Ｈ５
）４．等のケイ化アルキルやＳｉＣ見（Ｃ）（３）　３
　、Ｓｉ　０文２　（ＣＨ４）　２　、　Ｓ　ｉ　Ｃ１
３ＣＨ３等のハロゲン含有ケイ化アルキル等のシラン誘
導体も有効なものとして挙げることができる。

これ等の表面層１００５形成物質は形成される表面層１
００５中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素原子及
びハロゲン原子と必要に応じて水素原子とが含有される
様に、表面層１００５の形成の際に所望に従って選択さ
れて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され得る５ｉ
（Ｃ）（３）ｎと　ハロゲン原子を含有されるものとし
ての５ｉＨＣ！Ｌ３　、ＳｉＨ２０文２　、ＳｉＣ文。

、或いは、５ｉＨ３Ｃ９，等を所定の混合比にして、ガ
ス状態で表面層１００５形、床用の装置内に導入してグ
ロー放電を生起させことにとッテａ　−（Ｓ　ｉ　Ｃｓ
　）（ＣＪｌ＋Ｈｘ　−ｙ ）１−ｙ　から成る表面層１００５を形成することがで
きる。

スパッターリング法によって表面層１００５を形成する
には、単結晶又は、多結晶のＳｉウェーハー又はＣウェ
ーハー又はＳｊとＣが混合されて含有されているウェー
ハーをターゲットとして、これらを必要に応じてハロゲ
ン原子又は／及び水素原子を構成要素として含む種々の
ガス雰囲気中でスパッターリングすることによって行え
ば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、ＣとＨ又は／及びＸを導入するための原料ガスを、必
要に応じて稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し
、これらのガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェ
ーハーをスパッターリングすれば良い。

又、別には、ＳｉとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｉとＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を含有するガス雰囲気中で、スパッターリングするこ
とによって成される。Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原料ガス
となる物質としては、先述したグロー放電の例で示した
表面層１００５形成用の物質がスパッターリング法の場
合にも有効な物質として使用され得る。

本発明に於いて、表面層１００５をグロー放電法又はス
パッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガスと
しては、所謂、＃ｉガス、例えば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ等
が好適なものとして挙げることができる。

本発明に於ける表面層１００５は、その要求される特性
が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｔ　、Ｃ，必要に応じてＨ又は／及びＸを構成
原子とする物質は、その作成条件によって構造的には結
晶からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には
、導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光
導電的性質から非光導電的性質を、各々示すので、本発
明に於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ−（
ＳｉＸＣ１）　（Ｈ、Ｘ）　ｌ−が形成される様に。

Ｘ　ｙ　ｙ 所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成される。例
えば、表面層１００５を電気的耐圧性の向上を主な目的
として設けるには、ａ−（ＳｉＣＩ）　（Ｈ，Ｘ）、　
は使用環境に於いて電−ｘ　ｙ　−ｙ 気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成される。

　又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主た
る目的として表面層１００５が設けられる場合には上記
の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光
に対しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ−
（ＳｉＣ１−）　（Ｈ，Ｘ）１　作成がされるつ ｘ　ｙ　−ｙ 第２の層表面にａ−（Ｓｉ　ＣＨ−）　（Ｈ＋ｘ　ｘｙ Ｘ）＋　から成る表面層１００４を形成する際、−メ 層形成中の支持体温度は、形成される′層の構造及び特
性を左右する重要な因子であって、本発明に於いては、
目的とする特性を有するａ　（Ｓ　１ｘＣＩ　）　（Ｈ
，Ｘ）ｔ　が所望通りに作−ｘ　ｙ　−ｙ 成され得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御され
るのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の表面層１００５の形成法に併せて適宜最適範囲が選択
されて、表面層１００５の形成が実行されるが好ましく
は、２０〜４００℃、より好適には５０〜３５０℃、最
適には１００〜３００°Ｃとされるのが望ましいもので
ある０表面層１００５の形成には、層を構成する原子の
組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて、
比較的容易である事等のために、グロー放電法やスパッ
ターリング法の採用が有利であるが、これ等の層形成法
で表面層１００５を形成する場合には前記の支持体温度
と同様に層形成の際の放電パワーが作成されるａ　（Ｓ
ｉ　Ｃ＋　）　（Ｈ１ｘ’−ｘｙ ｘ）ｒ　ｙの特性を左右する重要な因子の−っである。

本発明に於ける目的が達成されるための特性を有するａ
−（Ｓｉ　（、＋　）　（Ｈ，Ｘ）＋　ｙｘ　−ｘ　ｙ が生産性良く効果的に作成されるための放電パワー条件
としては好ましくはｌＯ〜ｔｏｏｏｗ、より好適には２
０〜７５０Ｗ、最適には５０〜６５０Ｗとされるのが望
ましいものである。

堆積室のガス圧は好ましくは０．０１〜ｌＴ。

ｒｒ、より好適には０．１−０．５Ｔｏｒｒ程度とされ
るのが望ましい。

本発明に於いては、表面層１００５を作成するための支
持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記し
た範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクター
は、独立的に別々に、決められるものではなく、所望特
性のａ−（ＳｉＣｒ　ｘ　）ｙ　（Ｈ、Ｘ　）　１力ラ
成ル表面Ｆｊｔ　１０　ｙ ０５が形成される様に相互的有機的関連性に基づいて各
層作成ファクターの最適値が決められるのが望ましい。

本発明の光受容部材に於ける表面層１００５に含有され
る炭素原子の量は、表面層１００５の作成条件と同様、
本発明の目的を達成する所望の特性が得られる表面層１
００５が形成される重要な因子である。

本発明に於ける表面層１００５に含有される炭素原子の
量は、表面層１００５を構成する非晶質材料の種類及び
その特性に応じて適宜所望に応じて決められるものであ
る。

即ち、前記一般式ａ−（ＳｉＣ１） ｘ　−ｘｙ （Ｈ，Ｘ）１−ｙ　で示される非晶質材料は、大別する
と、シリコン原子と炭素原子とで構成される非晶質材料
（以後、ｒａ−ＳｉＣＬ　」と記ａ　−ａ す。但し、０＜ａ＜１）、シリコン原子と炭素原子と水
素原子とで構成される非晶質材料（以後、ｒａ−（Ｓｔ
　Ｃ１）　ＨＩ　Ｊと記す。

ｂ　ｂｃ　−ｃ 但し、０＜ｂ、ｃａｌ）、シリコン原子と炭素原子とハ
ロゲン原子と必要に応じて水素原子とで構成される非晶
質材料（以後、ｒ　ａ　（Ｓ　ｉｄＣｓ−）　（Ｈ，Ｘ
）ｔ　］と記す。但しＯｄｄ。

ｄ　ｅ　−６ ｅ＜１）　、に分類される。

本発明に於いて、表面層ｔｏｏｓがａ−３ｔａＣ１−ａ
で構成される場合、表面層１００５に含有される炭素原
子の量は好ましくは、Ｉ　Ｘ　１０−２〜９０ａｔ、ｏ
ｍｉｃ％、より好適には１〜８０ａｔｏｎｉｃ％、最適
には１０〜７５ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％とされるのが望まし
ものである。即ち、先のａ−Ｓｉ　Ｃ１のａの表示で行
えば、ａが好まａ　−ａ しくは０．１−０．９９９９９、より好適には０．２〜
０．９９、最適には、０．２５〜０．９である。

本発明に於いて、表面層１００５がａ　（ＳｉｂＣ＋−
１，）。Ｈｌ−ｏで構成される場合、表面層１００５に
含有される炭素原子の量は、好ましくは１×１０″３〜
９０　ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％とされ、より好ましく
は、１〜９０ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０ａｔ
ｏｍｉｃ％とされるのが望ましいものである。水素原子
の含有量としては、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ％
、より好ましくは２〜３５ａｔｏｍｉｃ％、最適には５
〜３０ａｔ。

ｍ　ｉ　ｃ％とされるのが望ましく、これ等の範囲に水
素含有量がある場合に形成される光受容部材は、実際面
に於いて優れたものとして充分適用させ得る。

即ち、先のａ　（Ｓ　１ＣＩ−１，）　ｃ　Ｈｓ　ｃの
表示で行なえばｂが好ましくは、０．１−０゜９９９９
９、より好適には、０．１−０．９９、最適には、０．
１５〜０．９、Ｃが好ましくは、０．６〜０．９９、よ
り好適には０．６５〜０゜９８、最適には０．７〜０．
９５であるのが望ましい。

表面層１００５が、ａ−（Ｓｉ　Ｃ１ｄ）ｅ（Ｈ，Ｘ）
＋−で構成される場合には、表面層１００５中に含有さ
れる炭素原子の含有量としては、好ましくは、ｌＸｌ０
’　９０ａｔ　Ｏｍｉ　ｃ％、より好適には、１〜９０
ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０ａｔｏｍｉｃ％と
されるのが望ましいものである。ハロゲン原子の含有量
としては、好ましくは、１〜２０ａｔｏｍｉｃ％とされ
るのが望ましく、これ等の範囲にハロゲン原子含有量が
ある場合に作成される光受容部材を実際面に充分適用さ
せ得るものである。必要に応じて含有される水素原子の
含有量としては、好ましくは１９ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　
ｃ％以下、より好適には１３ａｔ　ｏｎｉｃ％とされる
のが望ましいものである。

即ち、先’）　ａ　（Ｓ　ｔ　ｄＣ１，１）　ｅ　（Ｈ
、ｘ）１−　のｄ、ｅの表示で行なえば、ｄが好ましく
は、０．１〜０．９９９９９、より好適には、０．１〜
０．９９、最適には０．１５〜０．９、ｅが好ましくは
、０．８〜０゜９９、より好適には０．８２〜０．９９
、最適には０．８５〜０゜９８であるのが望ましい。

本発明に於ける表面層１００５の層厚の数範囲は本発明
の目的を効果的に達成するための重要な因子の−・つで
ある。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められる。

又、表面層１００５の層厚は、該層中に含有される炭素
原子の量や第１の層、第２゛の層の層厚との関係に於い
ても、各々の層領域に要求される特性に応じた有機的な
関連性の下に所望に従って適宜決定される必要がある。

更に加え得るに、生産性や景産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。本発明に於ける表
面層１００５の層厚としては、好ましくは０．００３〜
３０１Ｌ、好適には０．００４〜２０ＪＬ、最適には、
０．００５〜ｌＯ給とされるのが望ましいものである。

表面層１００５には、機械的耐久性に対する保護層とし
ての働き、及び光学的には反射防止層としての働きを主
に荷わせることができる。

表面層１００５は、次の条件を満すとき、反射防止層と
しての機能を果すのに適している。

即ち、表面層１００５の屈折率をｎ９層厚をｄ、入射光
の波長をλとすると、 入 ヰ孔 のとき、又はそのｈ数倍のとき、表面層は、反射防止層
として適している。又、感光層の屈折率をｎａとした場
合、表面層の屈折率ｎが １１＝Ｆｒｉ を満し、且つ表面層の層厚ｄが 又はその奇数倍であるとき、表面層は反射防止層として
最適である。ａ、−Ｓｉ：Ｈを感光層として用いる場合
、ａ−３ｉ：Ｈの屈折率は、約３．３であるので、表面
層としては、屈折率１．８２の材料が適している。ａ−
３ｉ：ＨはＣの量を調整することにより、このような値
の屈折率とすることができ、かつ機械的耐久性、層間の
密着性及び電気的特性も十分に満足させることができる
ので、表面層の材料としては最適なものである。

また表面層１００５を反射防止層としての役割に重点を
置く場合には、表面層の層厚としては、０．０５〜２Ｉ
Ｌｍとされるのがより望ましい。

以下本発明の実施例について説明する。

実施例１ 本実施例ではスポット系８０ｐＬｍの半導体レーザー（
波長７８０　ｎ　ｍ）を使用した。したがってＡ−３ｉ
：Ｈを堆積させる円筒状のＡｎ支持体（長さくＬ）３５
７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ）上に旋盤で螺線状の溝を作
成した。このときの溝の断面形状を第１１図（Ｂ’）に
示す。

このＡｎ支持体上に第１２図の装置で電荷注入防止層、
感光層、を次の様にして堆積した。

まず装置の構成を説明する。１２０１は高周波電源、１
２０２はマツチングボックス、１２０３は拡散ポンプお
よびメカニカルブースターポンプ、１２０４はＡ文支特
体回転用モータ、１２０５はＡｎ支持体、１２０６はＡ
４ｕ支持体加熱用ヒータ、１２０７はガス導入管、１２
０８は高周波導入用カソード電極、１２０９はシールド
板、１２１０はヒータ用電源、１２２１〜１２２５゜１
２４１　Ｎ１２４５はバルブ、１２３１〜１２３５はマ
スフロコントローラー、１２５１〜１２５５はレギュレ
ーター、１２６１は水素（Ｈ２）ボンベ、１２６２はシ
ラン（Ｓ　ｉ　Ｈ４）ボンベ、１２６３はジポラン（Ｂ
２　Ｈ６）ポイベ、１２６４は酸化窒素（Ｎｏ）ボンベ
、１２６５はメタン（ｃＨｎ、）ボンベである。

次に作製手順を説明する。１２６１−１２６５のボンベ
の元栓をすべてしめ、すべてのマスフロコントローラー
およびバルブを開け、１２０３の拡散ポンプにより堆積
装置内を１０　’Ｔｏｒｒまで減圧した。それと同時に
１２０６のヒータにより１２０５のＡｎ支持体を２５０
℃まで加熱し２５０℃で一定に保った。１２０５のＡＩ
Ｌ支持体の温度が２５０℃で一定になった後１２２１〜
１２２５．１２４１　Ｎ１２４５．１２５１−１２５５
のバルブを閉じ、１２６１〜１２６５のボンベの元栓を
開け、１２０３の拡散ポンプをメカニカルブースターポ
ンプに代える。１２５１〜１２５５のレギュレーター付
きバルブの二次圧を１゜５　Ｋ　ｇ　／　ｃｍ’に設定
した。１２３１のマスフロコントローラーを３００３Ｃ
ＣＭに設定し、１２４１のバルブと１２２１のバルブを
順に開き堆積装置内にＨ２ガスを導入した。

次ニ１２６１　（１）　Ｓ　ｉ　Ｈ４ガスを１２３２　
ｔｙ）　−２スフロコントローラーの設定を１５０３Ｃ
ＣＭに設定して、Ｈ２ガスの導入と同様の操作でＳｉＨ
４ガスを堆積装置に導入した０次に１２６３のＢ２Ｈ６
ガス流量をＳｉＨ４ガス流量藏対して、１６００Ｖｏｌ
　ｐｐｍになるように１２３３のマスフローコントロー
ラーを設定して、Ｈ２ガスの導入と同様な操作でＢ２Ｈ
もガスを堆積装置内に導入した。

次に１２６４のＮｏガス流量をＳｉＨ４ガス流星に対し
て、３．４Ｖｏ　１％になるように１２３４のマスフロ
ーコントローラーを設定して、Ｈ２ガスの導入と同様な
操作でＮＯガスを堆積装置内に導入した。

そして堆積装置内の内圧が０．２Ｔｏｒｒで安定したら
、ｌ’２０１の高周波電源のスイッチを入れ１２０２の
マツチングボックスを調節して、１２０５のＡｎ支持体
と１２０８のカソード電極間にグロー放電を生じさせ、
高周波電力を１５０ｗとし５ｐＬｍ厚でＡ−３ｉ：Ｈ：
Ｂ層（Ｂを含むＰ型のＡ−３ｉ：Ｈ層となる）を堆積し
た（電荷注入防止層）。この様にして５Ｂｍ厚のＡ−３
ｉ：Ｈ：Ｂ（Ｐ型）を堆積したのち放電を切らずに、１
２２３のバルブを閉め８２Ｈらの流入を止める。

そして高周波電力１５０Ｗで２０Ｉｉ、ｍ厚のＡ−３ｉ
　：Ｈ層（ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ）を堆積した（感光層）
。その後、１２３２のマスフロコントローラーの設定を
３５３ＣＣＭに変え、１２６５のＣＨ４ガス流量がＳｉ
Ｈ４ガス流量に対して流量比がＳ　ｆ　）Ｉ　４　／　
ＣＨｎ　＝　１　／　３０　トナル様ニアらかじめ設定
されている１２３５のマスフロコントローラーから、バ
ルブ１２２５を開けることによってＣＨ４ガスを導入し
、高周波電力１５０ＷでＯｏ−５ｐＬ厚のａ−３ｔＣ（
）Ｉ）を堆積した（表面層）。

高周波電源及びガスのバルブをすべて閉じ堆積装置を排
気し、ＡＩ支持体の温度を室温まで下げて、光受容層を
形成した支持体を取り出した。

この光受容部材は第１１図（Ｂ）、（Ｃ）のように感光
層の表面と支持体の表面とは非平行であった。この場合
Ａ１支持体の中央と両端部とでの平均層厚の層厚差は２
ｐｍであった。

以、Ｆの電子写真用の光受容部材について、波長７８０
ｎｍの半導体レーザーをスポット径８０ｋｍで第１３図
に示す装置で画像露光し、作像、現像、クリーニング工
程を約５万回繰り返した後、画像評価を行なったところ
、干渉縞模様は観察されず、実用に十分な電子写真特性
を示すものであった。

実施例　２ 実施例１と同様な方法で、支持体上に感光層まで形成し
たものを７未作成した。

次に、１２６１の水素（Ｈ２）ボンベをアルゴン（、Ａ
ｒ）ガスボンベに取り換え、堆積装置を清掃し、カソー
ド電極上に、第１表（条件Ｎｏ１Ｏ１）に示す表面層材
料を一面にはる。前記感光層まで形成したものの１本を
設置し、堆積装置内を、拡散ポンプで十分に減圧する。

その後、アルゴンガスを０．０１５Ｔｏｒｒまで、導入
し、高周波電力１５０Ｗでグロー放電を起こし、表面材
料をスパッタリングして、前記支持体上に、第１表（条 件Ｎｏ、１０１）の表面層を堆積した。（サンプルＮｏ
ｔ　０１）同様に残りの６本について、第１表（条件Ｎ
ｏ１０２〜１０７）の条件で表面層を堆積した。（サン
プルＮｏ１０２〜１０７） これらは第１１図（Ｂ）、（Ｃ）のように感光層の表面
と支持体の表面とは非平行であった。この場合Ａｎ支持
体の中央と両端部とでの平均層厚の層厚差は２ｇｍであ
った・ 以上７種類の電子写真用の光受容部材について、波長７
８０ｎｍの反導体レーザーをスポット径８０ＪＬｍで第
１３図に示す装置で画像露光を行い、作像、現像、クリ
ーニング工程を約５万回繰り返した後、画像評価を行な
ったところ第１表の如き結果を得た。

実施例　３ 表面層の形成時、ＳｉＨ４ガヌとＣＨ，ガスとの流量比
を変えて、表面層におけるシリコン原子と炭素原子の含
有量を変化させる以外は実施例１と全く同様な方法によ
って電子写真用の光受容部材のそれぞれを作成した。こ
うして得られた電子写真用光受容部材のそれぞれにつき
、実施例１と同様にレーザーで画像露光し、転写までの
工程を約５万回繰り返した後、画像評価を行なったとこ
ろ、第２表の如き結果を得た。

実施例　４ 表面層の形成時、Ｓｉ″Ｈ４ガス、Ｓ　ｉ　Ｆ４ガス、
ＣＨ４ガスの流量比を変えて、表面層におけるシリコン
原子と炭素原子の含有量を変化させる以外は実施例１と
全く同様な方法によって電子写真用の光受容部材のそれ
ぞれを作成した。こうして得られた電子写真用光受容部
材のそれぞれにつき、実施例１と同様にレーザーで画像
露光し、転写までの工程を約５万回繰り返した後、画像
評価を行なったところ、第３表の如き結果を得た。

実施例　５ 表面層の層厚を変える以外は実施例１と全く同様な方法
によって電子写真用の光受容部材のそれぞれを作成した
。こうして得られた電子写真用光受容部材のそれぞれに
つき、実施例１と同様にレーザーで画像露光し、転写ま
での工程を約５万回繰り返した後、画像評価を行なった
ところ、第４表の如き結果を得た。

実施例　６ 表面層の作製時の放電電力を３００Ｗとし、平均層厚を
２ｇｍとする以外は実施例１と全く同様な方法によって
電子写真用光受容部材の表面層の平均層厚差は、中央と
両端で０　、５　ｐｍであった。また微少部分での層厚
差は０．１ＪＬｍであった。

この様な電子写真用光受容部材では、干渉縞模様は観察
されず、また実施例１と同様な装置で作像、現像、クリ
ーニング工程を繰り返し行なったが、実用に十分なもの
であった 実施例　７ シリンダー状Ａ文支持体の表面を旋盤で、第１４図のよ
うに加工した。

このシリンダー状ＡＬ；Ｌ支特体各々に実施例１５−と
同様な条件でＡ−３ｉ：Ｈの電子写真用光受容部材を作
製した。

この電子写真用光受容部材を実施例１と同様に第１３図
の装置で画像露光を行い、現像、転写して画像を得た。

この場合の転写画像には、干渉縞はみられず実用上十分
な特性であった。

実施例　８ 第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー状Ａｎ支
持体上に、第５表に示す条件で電子写真用光受容部材を
形成した。

これら電子写真用光受容部材については、実施例１と同
様な画像露光装置を用いて、画像露光を行い、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスを１０万回連続繰返し行った。

この場合、得られた画像の総てに於て干渉縞は見られず
、実用に十分な特性であった。又、初期の画像と１０万
回目の画像の間には、何等差違はなく、高品質の画像で
あった。

実施例　９ 第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー状Ａｎ支
持体上に、第６表に示す条件で電子写真用光受容部材を
形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な、画像露光装置を用いて、画像露光を行い、現像、転
写、定着して、普通紙上に可視画像を得た。

この場合に得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
に十分な特性であった。

実施例　１０ 第１５図、第１６に示す表面性のシリンダー状Ａｎ支持
体上に、第７表に示す条件で電子写真用光受容部材を形
成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な、画像、露光装置を用いて、画像露光を行い、現像、
転写、定着して普通紙上に可視画像を得た。

この場合に得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
に十分な特性であった。

実施例　１１ 第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー状Ａｊ２
支持体上に、第８表に示す条件で電子写真用光受容部材
を形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な、画像露光を用いて、画像露光を行い、現像、転写、
定着して、普通紙上に可視画像を得た。

この場合に得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
に十分な特性であった。

［発明の効果］ 以上、詳細に説明した様に、本発明によれば、可干渉性
単色光を用いる画像形成に、適し、製造管理が容易であ
り、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転現像時
の斑点の現出を同時にしかも完全に解消することができ
、更には、高光感度性、高ＳＮ比特性、及び支持体との
間に良好な電気的接触性を有し、デジタル画像記録に好
適で、しかも機械的耐久性、特に耐摩耗性、及び光受容
特性に優れた光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの説明図である。 第７図は　光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９図（Ａ）（Ｂ）はそれぞれ代表的な支持体の表面状
態の説明図である。 第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。 第１２図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明
図である。 第１３図は、実施例で使用した画像露光装置である。 第１１図、第１４図、第１５図、第１６図は、実施例で
使用したＡＭ支持体の表面状態の説明図である。 １ｏｏｏ、１ｔｏｏ・・・・・・・・・光受容部材１０
０２゜１１０６・・・・・・・・・光受容層 １００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・Ａ文支特体１００３・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・電荷注入防止層１００４・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・感光層１
００５・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・表面層１３０１・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・電子写真用光受容部材１３０２・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レ
ーザー１３０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・ｆθレンズ１３０４・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・ポリゴンミラー１３０５
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・露
光装置の平面図１３０６・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・露光装置の側面図（＼Ｊ　、　エ
　（１〆）Ｙノ 箪　３　図 第　４　図 第　５　開 イ’ｎ　、１ 笥　６ｔｌＩｊ （Ｄ） 任ｌ ＠　７　図 （八）　（Ｂ） （Ｃ） ｐ ＠　１３　図 （′ＩＪ（ＩＪ　百−０ λ

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）　所定の切断位置での断面形状が主ピークに副ピ
   ークが重畳された凸状形状である凸部が多数表面に形成
   されている支持体と；シリコン原子を含む非晶質材料か
   らなり少なくとも一部の層領域が感光性を有する層と、
   シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料からなる表
   面層とからなる光受容層と；を有する光受容部材であっ
   て、前記少なくとも一部の層領域が感光性を有する層は
   、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選択される
   少なくとも一種を含有する事を特徴とする光受容部材。
2. （２）　前記層領域が、光導電性を有する特許請求の範
   囲第１項に記載の光受容部材。
3. （３）　前記光受容層が多層構造を有する特許請求の範
   囲第１項に記載の光受容部材。
4. （４）　前記凸部が規則的に配列されている特許請求の
   範囲第１項に記載の光受容部材。
5. （５）　前記凸部が周期的に配列されている特許請求の
   範囲第１項に記載の光受容部材。
6. （６）　前記凸部の夫々は、−次近似的に同一形状を有
   する特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
7. （７）　前記凸部は、副ピークを特徴とする特許請求の
   範囲第１項に記載の光受容部材。
8. （８）　前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心に
   して対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受
   容部材。
9. （９）　前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心に
   して非対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光
   受容部材。
10. （１０）　前記凸部は、機械的加工によって形成された
    特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。