JPS60201356A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線。

可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波
に感受性のある光受容部材に関する。

さε・に詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用い
るのに適した光受容部材に関する。

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応して変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。

中でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザー
としては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導
体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有
する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−
８３７．４６号公報に開示されているシリコン原子を含
む非晶質材料（以後ｒＡ−３ｉＪと略記する）から成る
光受容部材が注目されている。

面乍ら、光受容層を単層構成のＡ−３ｔ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１０１２ΩＣ１１以上の暗抵抗を確保するには、水素原
子やハロゲン原子或いはこれ等に加えてボロン原子とを
特定の邦−範囲で層中に制御された形で構造的に含有さ
せる必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に
行う必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に
可成りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えは、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２シ）公報に記載されである様に光受容層を伝導特
性の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受
容層内部に空乏層を形成したり、或いは福開閉５７−５
２１７８号、同５２１７９シー）、同５２１８０号、同
５８１５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公
報に記載されである様に支持体と光受容層の間、又は／
及び光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造とし
たりして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案
されている。

この様な提案によって、Ａ−３ｉ系先光受容材はその商
品化設計」−の許容度に於いて、或いは製造」二の管理
の容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に
向けての開発スピードか急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚にＤＩがある為に、レ
ーザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレ
ーザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び
支持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び
層界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射
して来る反射光の夫々が干渉を起す可能性かあ・る。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光ＩＱと上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１，
下部界面ｌｏｔで反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をλとして、
ある層の層厚がなだら力りこ７１以上の層厚差で不均一
であると、反射光Ｒ１，Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ入（ｍは整数
、反射光は強め合う）と２ｎｄ＝ｍ＋−）入（ｍは整数
、反射光は弱め合う）の条件のどちらに合うかによって
、ある層の吸収光量および透過光量に変化を生しる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００人〜士１ｏｏｏｏＡの凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）アルミニウム支持体表面を黒色ア
ルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボン、着色
顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（例
えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウム
支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンドブ
ラスト 状の微細凹凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反甜
防止層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５５４号
公報）等が提案されテｌ，％る。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像」−に現われる干
渉縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スボ・ントに拡がりが生
じ、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ−５ｉ層を形成
する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光受
容層の層重質が著しく低下すること、樹脂層がＡ−３ｉ
層形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本来
の吸収機能を低減させると共に、表面状ｙＥの悪化によ
るその後のＡ−３ｉ層の形成に悪影響を与えること等の
不都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光ＩＱは、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光１１となる。透
過光１１は、支持体３０２の表面に於いて、その一部は
、光散乱されて拡散光Ｋｌ　、に２　、に３　・・とな
り、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が
出射光Ｒ３となって外部に出て行く。従って、反射光Ｒ
１と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然
として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーシ・ヨンを生ずる為解像
度が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２での表面での反射光Ｒ２，第２層での反射光Ｒ
１，支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して
、光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる
。従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４
０１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止
することは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同−ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起かランタムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、巾に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
１ｊになる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄｌ＝ｍ入また
は２　ｎ　ｄ１＝　（ｍ＋３４）入か成立ち、夫々明部
または暗部となる。また、光受容層全体では光受容層の
層厚ｄＢ、ｄ２　、ｄ３、な層厚の不均一性があるため
明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との・干渉の他に、各層間の界面で
の反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部
材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高く、電子写真特性に優れた光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く、ハーフト
ーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る
ことが出来る電子写真用に適した光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の光受容部材は、シリコン原子とゲルマニウム原
子とを含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコ
ン原子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示す第
２の層とが支持体側にり順に設けられた多層構成の光受
容層を有する光受容部材に於いて、前記第１の層及びｉ
ＩＪ記第２の層の少なくとも一方に伝導性を支配する物
質が含有され且つ前記第１の層中に於けるゲルマニウム
原子の分布状態が層厚方向に不均一であると共に前記光
受容層がショートレンジ内に１対以上の非平行な界面を
有し、該非平行な界面が、層厚方向と垂直な面内の少な
くとも一方向に多数配列している事を特徴とする。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するだめの説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って多
層構成の光受容層を有し、該光受容層は第６図の一部に
拡大して示されるように、第２層６０２の層厚がｄ５か
らｄ６と連続的に変化している為に、界面６０３と界面
６０４とは互いに傾向きを有している。従って、この微
小部分（ショートレンジ）文に入射した可干渉性光は、
該微小部分立に於て干渉を起し、微小な干渉縞模様を生
ずる。

又、第７図に示す様に第１Ｎ７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光ＩＱに対する
反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非平行な
場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ、）　ｌよ干渉しても干渉縞模様
の明暗の差が無視し得る程度にｊ−さくなる。その結果
、微小部分の入射光量Ｃ±平均化される。

このことは、第６図に示す極側と第２層６０２の層厚が
マクロ的にも不均一（ｃｉ７＼ｄ８）でも同様に云える
為、全層領域番と於て入射光量力く均一になる（第６図
のｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合番と於１．）て照
射側から第２層まで可干渉性光カ嘴透過した場合に就い
て本発明の効果を述べれ番ｆ、第８図に示す様に、入射
光ＩＣ１４と対して、反射光Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、
Ｒ５が存在する。

その為各々の層で第７図を似って前記各こ説１１１１し
たことが生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為１本発明によれｉｆ、光受容層を構成す
る層の数が増大するしこつれ、より一層干渉効果を防止
することが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微／ＪＸ部分の
大きさが照射光スポ−／　）径より小さし）為、即ち、
解像度限界より小さい為、画像番ご現われる、ことはな
い。又、仮に画像に現われて（、Ｎるとしても眼の分解
能以下なので実質的にｔ士に１等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ文（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスボ１．ト径をＬとすれば、文≦Ｌで
ある。

又本発明の目的をより効果的に達成する為しこは微小部
分立に於ける層厚の差（ｄ５−ｄ６）は、照射光の波長
を入とすると、 ｄ５−ｄ６≧　７１ （ｎ：第２層６０２の屈折率） であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分立の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、層
厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズマ
気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用
される。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状のνＪ刃を有
するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械の所定
位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に従って
設計されたプログラムに従って回転させながら規則的に
所定方向に移動させることにより、支持体表面を正確に
切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さで形
成される。この様な切削加工法によって形成される凹凸
か作り出す逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持体の中心
軸を中心にした鎖線構造を有する。逆Ｖ字形突起部の鎖
線構造は、二重、三重の多重鎖線構造、又は交叉ＩＩ線
構造とされても差支えない。

或いは、鎖線構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層との
間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第９図に示される様に
実質的に二等辺三角形、直角三角形成いは不等辺三角形
とされるのが望ましい。これ等の形状の中殊に二等辺三
角形、直角三角形が望ましい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は光受容層を構成するＡ−３ｉ層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じ
て層品質は大きく変化する。

従って、Ａ−９ｉ光受容層の層品質の低下を招来しない
様に支持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設
定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

」−記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス」
二の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検工・１シ
た結果、支持体表面の四部のピッチは、１１丁ましくは
５００Ｂｍ〜０．３ｇｍ、より好ましくは２００　ｇｍ
　−１ｐｍ、最適には５０Ｂｍ〜５ｇｍであるのが望ま
しい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１川ｍ〜、５ル
ｍ、より好ましくは０．３ｇｍ〜３μｍ、最適には０．
６ルｍ〜２ｇｍとされるのが望ましい。支持体表面の四
部のピ、ンチと最大深さが上記の範囲にある場合、四部
（又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ましく　ｒ’
ｔ　１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、最適
には４度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基く層厚差の最大は、同一ピ・ンチ内で好ましくは
０．１１Ｌｍ〜２ｐｍ、より好ましくは０．１ルｍ〜１
．５ルｍ、最適には０．２ｇｍ−１ｇｍとされるのが望
ましい。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニュウム原子とを含む非晶質材料で構成さ
れた第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成さ
れ、光導電性を示す第２の層とが支持体側より順に設け
られた多層構成となっており、前記第１の層中に於ける
ゲルマニウム原子の分ＩＩＪ状７１ｉ％が層厚方向に不
均一となっているため、極めて優れた電気的、光学的、
光４電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフト−ンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマンチングに優れ、且つ光
応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就て詳細に
説明する。

第１０図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１０図ｔこ示す光受容部材１００４は、光受容部材用
としての支持体ｔｏｏｌの上に、光受容層１０００を有
し、該光受容層１ｏｏｏは自由表面１００５を一方の端
面に有している。

光受容Ｍ１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）とを含有するａ−５ｉ（以後１．ａ−３ｆＧｅ　
（Ｈ，Ｘ）Ｊ　と略記する）で構成された第１の層（Ｇ
）１００２と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）とを含有するａ−３ｔ（以後ｒａ−５ｔ（
Ｈ、Ｘ）Ｊと略記する）で構成され、光導電性を有する
第２の層（Ｓ）１００３とが順に積層された層構造を有
する。

ゲルマニウム原子は、該第１の層（Ｇ）１００２の層厚
方向及び支持体１００１の表面と平行な面内方向に連続
的均一に分布した状態となる様にＩｊｂ記第１の層’（
Ｇ）１００２中に含有される。

本発明の光受容部材１００４に於いては、少なくとも第
１の層（Ｇ）１００２又は／及び第２の層（Ｓ）１００
３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）か含有されており、
該物質（Ｃ）が含有される層に所望の伝導特性が与えら
れている。

未発［す］に於いては、第１の層（Ｇ）１００２又は／
及び第２の層（Ｓ）１００３に含有される伝導特性を支
配する物質（Ｃ）は、物質（Ｃ）が含有される層の全層
領域に万遍なく均一に含イ１されても良く、物質（Ｃ）
が含有される層の一部の層領域に偏在する様に含有され
ても良い。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層ＣＧ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（Ｇ）
中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有される
層領域（Ｐ　Ｎ’）は、第１の層（Ｇ）の端部層領域と
して設けられるのが望ましい。殊に、第１の層（Ｇ）の
支持体側の端部層領域として前記層領域（Ｐ　Ｎ）が設
けられる場合には、該層領域（Ｐ　Ｎ）中に含有される
前記物質（Ｃ）の種類及びその含有量を所望に応じて適
宜選択することによって支持体から第２の層（Ｓ）中へ
の特定の極性の電荷の注入を効果的に阻止することが出
来る。

本発明の光受容部材に於いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物質（Ｃ）を、光受容層の一部を構成する＄
１の層（Ｇ）中に、前記したように該層（Ｇ）の全域に
万遍なく、或いは層厚方向に偏在する様に含有させるの
が好ましいものであるが、更には、第１の層（Ｇ）に加
えて第１の層（Ｇ）上に設けられる第２の層（Ｓ）中に
も前記物質（Ｃ）を含有させても良い。

又、別の好適な実施態様例に於いては、前記物質（Ｃ）
は第１の層（Ｇ）には含有させずに、第２の層（Ｓ）に
のみ含有される。

この場合、前記物質（Ｃ）は第２の層（Ｓ）の全領域に
万遍なく含有させても良いし、或いは、第２の層（Ｓ）
の一部の層領域のみと含有させて偏在させても良い。偏
在させる場合には、第２の層（Ｓ）の第１の層ＣＧ）側
の端部層領域に含有させるのが好ましく、この場合には
、前記物質（Ｃ）の種類及びその含有量を適宜選択する
ことで支持体側から第２の層（Ｓ）への４・シ定の極性
の電気の注入を効果的に阻止することができる。

第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含有させる場合に
は、第１の層（Ｇ）中に含有される前記物質（Ｃ）の種
類やその含有量及びその含有の仕方は、その都度、所望
に応じて適宜法められる。

本発明に於いては、第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の層Ｃ
Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を含
有させるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層（Ｇ）に
於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、第２
の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層
領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ましい。

又、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに
於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その含有
量は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

面乍ら、本発明に於いては、各層に含有される前記物質
（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の層
（Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は、電気的特性
の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有さ
せるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）又は／及び第２の層（Ｓ）中に、伝導特性を
支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質（
Ｃ）の含有される層領域〔第１の層（Ｇ）の又は／及び
第２の層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良
い〕の伝導特性を所望に従って任意に制御することが出
来るものであるが、この様な物質（Ｃ）としては、所Ｊ
’ｆ、半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来
、本発明に於いては、形成される光受容層を構成するａ
−３ｉ（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ−３ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）
に対して、ｐ７！２伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ
５伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第る原子（第
■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）。

Ａｉ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）。

Ｉｎ（インジウム）、Ｔｉ（タリウム）等があり、殊に
好適に用いられるのは、Ｂ、Ｇａである。

ｎ５不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、　Ｓｂ
　（アンチモン）、　Ｂｉ　（ビスマス）等であり、殊
に、好適に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

木発廚に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（ＰＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含
有量が適宜選択される。

本発明に於いて１層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
Ｏ，Ｏｆ〜５Ｘ１０４ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より＆Ｙ
適には０．５〜１ＸＩＯ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適
には・１〜５Ｘ１０３　ａｔｏｍｆｃ　ｐｐｍとされる
のが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
、好ましくは３０ａｔｏｍｉｃ　ＰＰｍ以上、より好適
には５０ａｔｏｍｉｃ　ＰＰｍ以上、最適には１００１
００ａｔｏ　ｐｐｍ以上とすることによって、例えば該
含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場合には、
光受容層の自由表面が■極性に・：（？主処理を受けた
際に支持体側からの光受容層中への電子の注入を効果的
に阻止することが出来、又、前記含有させる物質（Ｃ）
が前記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面が
ｅ極性に帯電処理を受けた際に支持体側から光受容層中
への正孔の住人を効果的に阻止することか出来る。

」１記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（Ｐ
Ｎ）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）
に含有される伝導特性を支配する物質の伝導型の極性と
は別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質を含有さ
せても良いし、或いは、同極性の伝導型を有する伝導特
性を支配する物質を層領域（ＰＮ）に含有させる実際の
量よりも一段と少ない量にして含有させても良いもので
ある。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＮ
）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に応じて
所望に従って適宜決定されるものであるが、好ましくは
。

０．００１〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ、より好適
には０．０５〜５００ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ、最適に
はＯ，１〜２００ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍとされるのが
望ましい。

本発明に於いて１層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３
０ａｔｏｍｉｃｐｐｍ以下とするのが望ましい。

木発すＪに於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型
を有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、
他方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含
有させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領
域に所謂空乏層を設けることも出来る。

晶り、例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。

第１の層（Ｇ）１００２中に含有されるゲルマニウム原
子は、該第１の層（Ｇ）１００２の層厚方向には連続的
であって且つ前記支持体ｆｏｏｌの設けられである側と
は反対の側（光受容層１ｏｏｉの表面１００５側）の方
に対して前記支持体１００１側の方に多く分布した状態
となる様に前記第１の層（Ｇ）１００２中に含有される
。

本発明の光受容部材においては、第１の層（Ｇ）中に含
有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向にお
いては、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面と平
行な面内方向には均一な分布状態とされるのが望ましい
ものである。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域を含む、比較的短波長から比較的短波長迄
の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受容
部材として得るものである。

又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布し、
ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側よ
り第２の層（Ｓ）に向って減少する変化が与えられてい
るので、第１のＦｊ　（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との間に
於ける親和性に優れ、且つ後述する様に、支持体側端部
に於いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大きく
することにより、半導体レーザ等を使用した場合の、第
２の層Ｃ３）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第
１の層（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが
出来、支持体面からの反射による干渉を防止することが
出来る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々かシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分成されている。

第１１図乃至第１９図には、本発明における光受容部材
の第１の層ＣＧ）中に含有されるゲルマニウム原子の層
厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第１１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層（Ｇ）の層厚を示
し、ｔＢは支持体側の第１の層（Ｇ）の端面の位置を、
ｔ７は支持体側とは反対側の層（Ｇ）の端面の位置を示
す。即ち、ゲルマニウム原子の含有される第１の層（Ｇ
）はｔＢ側よりｔ７側に向って層形成かなされる。

第１１図には、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる第１の層（Ｇ）が形成される表面と該第１の層（Ｇ
）の表面とが接する界面位置ｔＢよりｔｌの位置までは
、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃが０１なる一定の値を
取り乍らゲルマニウム原子が形成される第１の層（Ｇ）
に含有され、位Ｍ、　ｔ　１よりは濃度Ｃ２より界面位
置ｔ７に至るまで徐々に連続的に減少されている。界面
位置ｔＴにおいてはゲルマニウム原子の分布濃度ＣはＣ
２とされる。

第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ７に至るま
で濃度Ｃ４から徐々に連続的の減少して位置ｔＴにおい
て濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置ｔ、Ｂより位置ｔ２までは、
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とさ
れ、位置ｔ２と位置ｔ７との間において、徐々に連続的
の減少され、位置ｔ７において、分布濃度Ｃは実質的に
零とされている（ここで実質的に零とは検出限界量未満
の場合である）。

第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ８より連続的
に徐々に減少され、位置ｔ７において実質的に零とされ
ている。

第１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢと位置ｔＢ間においては、濃度Ｃ９と
一定値であり、位置ｔＴに於ては濃度Ｃ１ｏとされる。

位Ｍｔ３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関数
的に位置ｔ３より位置ｔＴに至るまで減少されている。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ４までは濃度Ｃ１ｌの一定価を取り、位置
ｔ４より位置ｔＴまでは濃度Ｃ１２より濃度Ｃ１３まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては、位ｉｔＢより位置ｔ７に
至まで、ゲルマニウム原子の分布農度Ｃは濃度Ｃ１４よ
り実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第１８図においては、位置ｔＢより位置ｔ５に至までは
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１５より濃度
ＣＩＢまで一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置ｔ７
との間においては、農度ＣＩＯの一定値とされた例が示
されている。

第１９図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて農度Ｃ１？であり、位置
ｔ６に至るまではこの濃度ＣＩ７より初めはゆっくりと
減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ６では濃度Ｃ１８とされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度Ｃ１９となり、位置ｔ７と位置ｔ８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８において、
濃度Ｃ２０に至る。位置ｔ８と位置ｔ７との間において
は濃度Ｃ２０Ｊ’り実質的に零になる様に図に示す如き
形状の曲線に従って減少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、第１の層（Ｇ）中
に含有されるゲルマニウム原子０層厚方向の分布状態の
典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支
持体側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い
部分を有し、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは
支持体側に比べて可成り低くされた部分を有するゲルマ
ニウム原子の分布状態が第１の層（Ｇ）に設けられてい
る。

本発明における光受容部材を構成する光受容層を構成す
る第１の層（Ｇ）は好ましくは上記した様に支持体側の
方にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有されている
局在領域（λ）を有するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ａ）は、第１１図乃至第１
９図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより
５ｐＬ以内に設けられるのが望ましいものである。

本発明に於ては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔＢ
より５に厚までの全層債城（ＬＴ、）とされる場合もあ
るし、又、層領域（Ｌ、）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜法められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値ｃｍａｘがシリコン原子に対して、好ましく
は１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ以」二、より好適には
５０００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適にはｌＸ１０
４　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とされる様な分布状態と
なり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち１本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の層（Ｇ）は、支持体側からの層厚で５川以内（
ｔＢから５牌層の層領域に分布農度の最大値Ｃｍａｘが
存在する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲ
ン原子（Ｘ）の量または水素原子とハロゲン原子の量の
和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜４０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ
％、より好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％、最適には５
〜２５ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明において、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜法められるが、好まし
くは１〜９．５Ｘ１０５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好
ましくはｔｏｏ−８Ｘ１０５　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、
最適には５００−７Ｘ１０５　ａ−ｔ　ｏ　ｍ　ｆ　ｃ
ｐｐｍとされるのが望ましいものである。

本発明に於いて第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある・ 本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢは、好まし
くは３０人〜５０ル、より好１しくは、４０人〜４０舊
、最適には、５０人〜３０ルとされるのが望ましい。

又、第２の層１）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９０
ＪＬ、より好ましくは１〜８０ｐＬ最適には２〜５０ル
とされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢと第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（ＴＢ＋Ｔ）としては、両層領域に要求される特性と
光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連
性に基いて、光受容部材の層設針の際に所望に従って、
適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（ＴＢ＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００．、より好適
には１〜８０ｐＬ、最適には２〜５０にとされるのが望
ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、−Ｌ記の
層厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴＢ　／Ｔ≦
１なる関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数
値が選択されるのが望ましい。

Ｌ記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数（＋ｆｉの
選択の於いて、より好ましくは、ＴＢ／Ｔ≦０．９．最
適にはＴＢ／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚
ＴＢ及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましい。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量がＩＸ１ｌＸ１０５ａｔｏ　ｐｐｍ
以」二の場合には、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢとしては
、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０．以
下、より好ましくは２５終以下、最適には２０ｊＬ以下
とされるのが望ましい。

本発明において、必要に応じて光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）中に含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には１、フッ素、塩素、臭
素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なもの
として挙げることが出来る。

本発明において、ａ−３ｉ　Ｇｅ　（Ｈ、Ｘ）　テ構成
される８１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。

例えば、グロー放電法によって、ａ−Ｓ　ｉＧｅ　（Ｈ
、Ｘ）　テ構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、
基本的には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供
給用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得
るＧｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）
導入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望°の
ガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起
させ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面
上に含有されるゲルマニウム原子の分１１ｉ　ｍ度を所
望の変化率曲線に従って制御し乍らａ−３ｉＧｅ（Ｈ，
Ｘ）から成る層を形成させれば良い。又、スパッタリン
グ法で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性
ガス又はこれ等のガスをベースとした混合カスの雰囲気
中でＳｔで構成されたターゲットとＧｅで構成されたタ
ーゲットの二枚を使用して、又はＳｉとＧｅの混合され
たターゲットを使用してスパッタリングする際、必要に
応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入してやれ
ば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４゜Ｓｉ２　Ｈ６、Ｓｉ３　
ＨＢ　、Ｓｉ４　ＨＩＯ等のガス状態の又カス化し得る
水素化硅素（シラン類）か有効に使用されるものとして
挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給
効率の良さ等の点でＳ　ｉＨ４、Ｓｉ２　Ｈｅ　、が好
ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、Ｇｅ）
１４　、Ｇｅ２　Ｈｅ　、Ｇｅ３　ＨＢ　。

Ｇｅ４　ＨＩＯ，Ｇｅ５　Ｈ１２，Ｇｅ６　Ｈ１４，Ｇ
ｅ７Ｈ１Ｂ＝　Ｇ　ｅ８　Ｈ１８＝　Ｇｅ９　Ｈ２０等
のガス状態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有
効に　。

使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作業時の
取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４、
Ｇｅ２　Ｈ６、Ｇｅ３　ＨＢが好ましいものとして挙げ
られる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロケン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のカス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロケン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、ＩＭ素、臭素、ヨウ素のハロ
ゲンガス、ＢｒＦ、ＣＩＦ。

ＣｌＦ３　、ＢｒＦ５　、ＢｒＦ３　、ＩＦ３　。

ＩＦ７　、ＩＣＩ、ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げ
ることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４　、Ｓｉ２　ＦＢ　。

５ｉＣｕ４　、ＳｉＢｒ４等（７）　ハロゲン化合物が
好ましいものとして挙げる事が出来る。

この様ハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロー
放電法によって本発明の特徴的な光受容部拐を形成する
場合には、Ｇｅ供給用の原料カスと共にＳｉを供給し得
る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−３ｉＧｅから
成る第１の層（Ｇ）を形成する事が一層る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えば＄ｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガス
となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｉ２．Ｈｅ等のカス
等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層（
Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起して
これ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって
、所望の支持体上に第１の層（Ｇ）を形成し得るもので
あるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる様
に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子を
含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても良
い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ッテａ−３ｉ　Ｇｅ　（Ｈ、Ｘ）　？１Ｑら成る第
１の層（Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング法
の場合にはＳｉから成るターゲットとＧｅから成るター
ゲットの二枚を、或いはＳｉとＧｅから成るターゲット
を使用して、これを所望のカスプラズマ雰囲気中でスパ
ッタリングし、イオンブレーティング法の場合には、例
えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲル
マニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として
蒸着ポートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは
エレクトロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発さ
せ飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させ
る事で行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えは、Ｉ２．或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ。

Ｈｅ文、ＨＢｒ、ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ
２，５ｉＨ２Ｉ２，５ｉＩ２Ｃ文２゜５ｉＨＣｕ３　、
Ｓ　ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素
化硅素、及びＧｅＨＦ３゜ＧｅＢ２　Ｆ２　、ＧｅＢ３
　Ｆ、ＧｅＨＣｌ３　。

ＧｅＢ２　Ｃｎ２　、ＧｅＢ３　Ｃ１，ＧｅＨＢ　ｒ３
゜ＧｅＢ２　Ｂ　ｒ２　、ＧｅＢ３　Ｂｒ、ＧｅＨＩ３
　。

ＧｅＢ２　Ｉ２　、ＧｅＢ３　Ｉ等の水素化ハロゲン化
ゲルマニウム等の水素原子を構成要素の１つとするハロ
ゲン化物、ＧｅＦ４　、ＧｅＣｌ４　。

ＧｅＢ　ｒ４’、Ｇｅ　Ｉ４　、ＧｅＦ２　、ＧｅＣ１
２゜ＧｅＢｒ２　、Ｇｅ　Ｉ２　等のハロゲン化ゲルマ
ニウム、等々のカス状７ｕ１の或いはガス化し得る物質
も有効な第１の層（Ｇ）形成用の出発物質ととして挙げ
る事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ、）中に構造的に導入するには
、上記の他にＢ２、或いは５ｊＨ４゜Ｓｉ２　Ｈ６、Ｓ
ｉ３　ＨＢ　、Ｓｉ４　ＨＩＯ等の水素化硅素をＧｅを
供給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、
或いは、ＧｅＨ４。

Ｇｅ２　ＨＢ　、Ｇｅ３　ＨＢ　、Ｇｅ４　Ｈｌｏ、Ｇ
ｅ５Ｈ１２，ＧｅＥＩ　Ｂ１４．Ｇｅ７　ＩＩ８．Ｇｅ
８　Ｂ１８゜Ｇｅ８Ｈ２０′８の水素化ゲルマニウムと
Ｓ　ｌ　全供給する為のシリコン又はシリコン化合物と
、を堆積室中に共存させて放電を生起させる事でも行う
事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
是又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４０
　ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％、より好適には０．０５−
３０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％、最適には０．１〜２５　ａ　
ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％とされるのか望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層領域（Ｇ
）形成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用の原料
ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層（Ｓ）
形成用の出発物質（ＩＩ））を使用して、第１の層（Ｇ
）を形成する場合と、同様の方法と条件に従って行うこ
とが出来る。

即ち、本発明において、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例え
ば、グロー放電法によってａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的には前記し
たシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料
カスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の又は
／及び／％ロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部
が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロ
ー放電を生起さぜ、予め所定位置に設Ｈａれである所定
の支持体表面一ヒにａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形
成させれば良い。又、スパッタリング法で形成する場合
には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等、の
ガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成さ
れたターゲットをスパッタリングする際、水素原子（Ｈ
）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッ
タリング用の堆積室に導入しておけば良い。

光受容層を構成する層中に、伝導特性を制御する物質（
Ｃ）、例えは、第ｍ族原子或いは第Ｖ族原子を構造的に
導入して前記物質（Ｃ）の含有された層領域（ＰＮ）を
形成するには、層形成の際に、第■族原子導入用の出発
物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で堆
積室中に光受容層を形成する為の他の出発物質と共に導
入してやれば良い。

この様な第■族原子導入用の出発物質と成り得るものと
しては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条
件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。その様な第ｍ族原子導入用の出発物質として具体的
には硼素原子導入用としては、　Ｂ２　Ｈｆ（、Ｂ４　
）（ｔｏ。

Ｂ５　Ｂ９　・Ｂ５Ｈ１１・Ｂ６ＨＩＯ・Ｂ１３Ｈ１２
・１３ｅｌ（ｔａ等の水素化硼素、ＢＦ３．ＢＣＣ８４
ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等が挙げられる。

この他、ＡｌＣｌ　、ＧａＣ１、Ｇａ　（ＣＨ）。

ＩｎＣＭ　、ＴＣＩ　等も挙げることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明においた有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３、
Ｂ２　Ｈ４等の水素化燐、ＰＨ４Ｉ　、ＰＦ３　、ＰＦ
５　、ＰＣ文３．ＰＣＪ１５゜ＰＢ　ｒ３．ＰＢ　ｒ５
　、ＰＩ３等（７）　ハ’Ｏゲン化燐が挙げられる。こ
の他、Ａ　ｓ　Ｂ３．Ａ　ｓ　Ｂ３．Ａ　ｓ　Ｃ又３゜
Ａ　ｓ　Ｂ　ｒ３．Ａ　ｓ　Ｂ５．Ｓ　ｂＨ３，Ｓ　ｂ
　Ｂ３．Ｓ　ｂ　Ｂ５゜５ｂＣ１３，ＳｂＣｌ２．Ｓｉ
Ｈ３，Ｓｉ０文３゜Ｂ　ｉ　Ｂ　ｒ３等も第Ｖ族原子導
入用の出発物質の有効なものとして挙げることが出来る
。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａ、Ｑ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａ
ｕ、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げ
られる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィル
ム又はシート、ガラス、−！！ラミック、紙等が通常使
用される。

これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に
他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、ＡＭ
、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ。

Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３。

５ｎ０２　、ＩＴＯ（Ｉｎ２０３＋５ｎ０２）等から成
る薄膜を設けることによって導電性が付与され、或いは
ポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、
ＮｉＣｒ　、Ａｇ。

Ａｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ。

Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属の７１シＩ
模を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でそ
の表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネート処
理して、その表面に導電性が付与される。支持体の形状
としては、円筒状、ベルト状、＆状等任意の形状Ｘとし
得、所望によって、その形状は決定されるが、例えば、
第１０図の光受容部材１００４を電子写真用光受容部材
として使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚
さは、所望通りの光受容部材が形成される様に適宜決定
されるが、光受容部材として可撓性が要求される場合に
は、支持体としての機能が充分発揮される範囲内であれ
ば可能な限り薄くされる。面乍ら、この様な場合支持体
の製造上及び取扱い」−１機械的強度等の点から、好ま
しくはＩＪｔ以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

？ｆＪ２０図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中の２００２〜２００６のカスボンベには、本発明の
光受容部材を形成するための原料ガスが電封されており
、その−例として例えば２００２は、ＳｉＨ４ガス（純
度９９．９９９％。

以下ＳｉＨ４と略す。）ボンベ、２００３はＧｅＨ４ガ
ス（純度９９．９９９％、以下ＧｅＨ４と略す。）ボン
ベ、２００４はＳｉＦ、４ガス（純度９９．９９％、以
下ＳｉＦ　と略す。）ボンベ、２００５はＢ２で稀釈さ
れたＢ２　Ｈｅガス（純度９９．９９９％、以下Ｂ２Ｈ
Ｂ／Ｈ２ト略ス。）ボンベ、２００６はＢ２ガス（純度
９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００６の／ヘルプ２０２２〜２０２６
、リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認し
、又、流入バルブ２０１２〜２０１６、流出バルブ２０
１７〜２０２１、補助バルブ２０３２．２０３３が開か
れていることを確認して、先ずメインバルブ２０３４を
開いて反応室２００１、及び各ガス配管内を排気する。

次に真空計２０３６の読みが約５Ｘ１　ｏ−ｅｔ　ｏ　
ｒ　ｒになった時点で補助バルブ２０３２．２０３３．
流出バルブ２０１７〜２０２１を閉じる。

次にシリンター状基体２ｏ３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２よ’ＪＳｉ
Ｈ４ガス、ガスボンベ２００３、Ｊ：すＧｅＨ４ガスス
、カスポンベ２ｏ。

５よりＢ２　Ｈｅ　／Ｈ２ガス、２００６よりＨ２カス
を／ヘルプ２０２２，２０２３，２０２５．２０２６を
開いて出口圧ゲージ２０２７　。

２０２８．２０３０．２０３１の圧を１Ｋｇ／Ｃｍ２に
調整し、流入パルプ２０１２．２０１３．２０１５．２
０１６を徐々に開けて、マス７Ｃｆｆ１７トローラ２０
０７．２００８．２０１０．２０１１内に夫々流入させ
る。引き続いて流出／＜　）ｌ、ｒブ”２０１７，２０
１８，２０２０゜２０２１、補助／＜　Ｊｌ／ブ２０３
２．２０３３を徐々に開いて夫々のガスを反応室２００
１に流入させる。このときのＳｉＨ４ガス流量、Ｇ　ｅ
　Ｈ４ガス流量、Ｂ２Ｈ６／Ｈ２ガス流量、Ｈ２ガス流
量の比が所望の値になるように流出ノヘルブ２０１７，
２０１８，２０２０．２０２１を調整し、また、反応室
２００１内の圧力が所望の値になるように真空計２０３
６の読みを見ながらメインバルブ２０３４の開口を調整
する。

そして、基体２０３７の温度が加熱ヒーター２０３８に
より５０〜４００℃の範囲の温度に設定されていること
を確認された後、電源２０４０を所望の電力に設定して
反応室２００Ｉ内にグロー放電を生起させ、同時にあら
かじめ設計された変化率１曲線に従ってＧｅＨ４ガスの
流量を手動あるいは外部駆動モータ等の方法によってバ
ルブ２０１８の開口を漸次変化させる操作を行って形成
される層中に含有されるゲルマニウム原子の分布農度を
制御する。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の層（Ｇ）を形成する。所
望層厚に第１の層（Ｇ）が形成された段階に於て、流出
バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じて放
電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所望
時間グロー放電を維持することで第１の層（Ｇ）上にゲ
ルマニウム原子の実質的に含有されない第２の層（Ｓ）
を形成することが出来る。

又、第１の層（Ｓ）及び第２の層（Ｇ）の各層には、！
出バルブ２０２０を適宜開閉することや硼素を含有させ
たり、含有させなかったり、或いは各層の一部の層領域
にだ（す硼素を含有させることも出来る。

層形成を行っている間は層形成の均一化を計るためき基
体２０３７はモーター２０３９により一定速度で回転さ
せてやるのか望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ Ａｌ支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、　ｆＬ（ｒ
）８０ｍｍ）を第２表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピ
ッチ、Ｄ＝深さ）に示すように旋盤で加工した（Ｎｏ、
２０１〜２０４）。

次に、第１表に示す条件で、第２０図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってａ−３ｉ系の電子写真用光受容部
材を作製した（試料Ｎｏ。

２０１〜２０４） なお、第１層のａ−ＳｉＧｅ：Ｈ：Ｂ層は、Ｇ　ｅ　Ｈ
４およびＳｉＨ４の流量を第２２図のよをコンピュータ
ー、（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポット径８０ＪＬｍ）で画像露光を行ない、それを現
像、転写して画像を得た。

Ｎｏ、２０１〜２０４の試料のいずれの画像にも干渉縞
模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例２ ＡＭ支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、径（ｒ）８
０ｍｍ）を第３表に示す条件で、第２１図（ト：ピッチ
、Ｄ：深さ）に示すように旋盤で加工した（試料Ｎｏ、
３０１〜３０４）。

次に、第１表に示す条件で、第２０図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってａ−３ｉ′系の電子写真用光受容
部材を作製した（試料Ｎｏ。

３０１〜３０４）。

なお、第１１３ノａ−Ｓ　ｉ　Ｇｅ　：　Ｈ：　Ｂ層は
、ＧｅＨ４および５ｉＨ４（７）流量を第２３図り制御
した。

このようにして作製した光受容ゴ材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第３表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０ＩＬｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

試料Ｎｏ、３０１〜３０４のいずれの画像にも干渉縞模
様は観測されず、実用に十分なもので“°１°　７ ／′ 実施例３ Ａ文支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、径（ｒ）８
０ｍｍ’）を第５表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッ
チ、Ｄ、：深さ）に示すように旋盤で５加工した。（試
料Ｎｏ、５０１〜５０４）次に、第４表に示す条ヂ１．
で、第２０図の膜堆積装置で種々の操作手順に従ってａ
−Ｓｉ’系電子電子写真用光受容部材製した（試料Ｎｏ
。

５０１〜５０４）。

なお、第１層ｃ７）ａ−３ｉＧｅ：Ｈ：Ｂ層は、ＧｅＨ
４およびＳｉＨ４の流量を第２４図８ ÷４をコンピューター（）（Ｐ９Ｂ４５Ｂ）により制御
した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第５表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポット径８０ルｍ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。

試料Ｎｏ、５０１〜５０４いずれの画像にも干渉縞模様
は観察されず、実用に十分なものであった。

実施例４ Ａｎ支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、径（ｒ）８
０ｍｍ）を第６表に示す条件で、第２１図、（Ｐ：ピッ
チ、Ｄ：深さ）に示すように旋盤で加工した（試料Ｎｏ
、６０１〜６０４）。

次に、第４表に示す条件で、第２０図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってａ−３ｉ系の電子写真用光受容部
材を作製した（試料Ｎｏ。

６０１〜６０４）。

なお、第１層のａ−３ｉＧｅ：Ｈ：Ｂ層は、ＧｅＨ４お
よびＳｉＨ４の流量を第２５図り制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第６表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポット径８０ルｍ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。

試料Ｎｏ、６０１〜６０４いずれの画像にも干渉縞模様
は観察されず、実用に十分なものであつ実施例５ ＡＵ支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、径（ｒ）８
０ｍｍ）を第２表に示す条件で、第２１図・（Ｐ：ピン
チ、Ｄ：深さ）に示すように旋盤で加工した。

次に、第７表に示す条件で、第２０図の堆積装置で種々
の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した（
試料Ｎｏ、８０１〜８０４）。

なお、第１層のａ−３ｉＧｅ：Ｈ二Ｂ層は、Ｇｅｔ（４
およびＳｉＨ４の流量を第２２図のよをコンピューター
（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第８表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ、ス
ポット径８０ＪＬｍ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

実施例６ ＡＩ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第１Ｏ表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッチ、Ｄ
：深さ）に示すように旋盤で加工した。

次に、第９表に示す条件で、第２０図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってａ−５ｉ系の電子写真用光受容部
材を作製した（試料Ｎｏ。

１００１〜１００４）。

なお、第１層ノａ−３ｉＧｅ　：　Ｈ：　Ｂ層は、Ｇｅ
Ｈ４および５ｉＨ４（７）流量を第２４図８ 番尋、をコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御
した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第６表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スボン
ト径８０ルｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分実施例７ ＡＭ支持体（長さくＬ）　３５７ｍｍ　、　径（ｒ）８
０ｍｍ）を第７表に示す条件で、第２１図・（Ｐ：ピッ
チ、Ｄ：深さ）に示すように旋盤で加工した。

次に、第１１表に示す条件で、第２０図の堆積装置で種
々の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した
（試料Ｎｏ、１００１〜１００４）。

なお、第１層のａ−３ｉＧｅ：Ｈ：Ｂ層は、ＧｅＨ４お
よびＳｉＨ４の流量を第２５図のよをコンピューター（
ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１２表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０壓ｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。

画像には干＃縞模様は観察されず、実用に十分実施例８ Ａｎ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第１２表に示す条件で、第２１図・（Ｐ：ピッチ、
Ｄ＝深さ）に示すように旋盤で加工した。

次に、第１３表に示す条件で、第２０図の堆積装置で種
々の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した
（試料Ｎｏ、１２０１〜１２０４）。

なお、第１層のａ−３ｉＧｅ：Ｈ：Ｂ層は、ＧｅＨ４お
よびＳｉＨ４の流量を第２３図のよをコンピューター（
ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１４表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０ルｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。

画像にはｆ渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった・ 実施例９ 実施例１から実施例８までについて、Ｈ６で３０００ｖ
ｏｌ　ｐｐｍに稀釈した８２Ｈ鴬ガスの代りにＨ２で３
０．ｏＯｖｏ　ｌ　ｐ　ｐｍに稀釈したＰＨ３ガスを使
用して、電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、
２００１〜２０２８）。

なお、他の作製条件は、実施例１から実施例８までと同
様にした。

これらの電子写真用光受容部材について第１１図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｍｍ、スポット
径８０ｐＬｍ）で画像露光を行い、それを現像転写して
画像を得た。いずれの画像にも干渉縞模様は観察されず
実用に十分なものであった。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）は光受容部材の各層の
界面が非平行な場合に干渉縞が現われないことの説明図
である。 第７図（Ａ）ＣＢ）（Ｃ）は、光受容部材の各層の界面
が平行である場合と非平行である場合の反射光強度の比
較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９図（Ａ）　（Ｂ）　（Ｃ）はそれぞれ代表的な支持
体の表面状態の説明図である。 第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。 第１１図から第１９図は、第１の層におけるゲルマニウ
ム原子の分布状態を説明する為の説明図であ・る。 第２０図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である。 第２１図は、実施例で用いたＡ文支持体の表面状態の説
明図である。 ｔｆｊ２２図から第２５図までは、実施例におけるガス
流量の変化を示す説明図である。 第２６図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。 １０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層ｔｏｏｌ・・・・・・・・・・・・・・・・・・ＡＭ
支持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・
第１の層１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・
・第２の層１００４・・・・・・・・・・・・・・・・
・・光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・
・・・・光受容部材の自由表面２６０１・・・・・・・
・・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２６０２
・・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー
２６０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆθレ
ンズ２６０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポ
リゴンミラー２６０５・・・・・・・・・・・・・・・
・・・露光装置の平面図２６０６・・・・・・・・・・
・・・・・・・・露光装置の側面図出願人　キャノン株
式会社 第１崗 第６目 （０） 工尺 第１３図 Ｃ υ 嘉／ｑ図 Ｃ 晴間（９） ｓ１膏間（勺）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質
   材料で構成された第１の層と、シリコン原子を含む非晶
   質材料で構成され、光導電性を示す第２の層とが支持体
   側より順に設けられた多層構成の光受容層を有する光受
   容部材に於いて、前記第１の層及び前記第２の層の少な
   くとも一方に伝導性を支配する物質が含有され且つ前記
   第１の層中に於けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚
   方向に不均一であると共に、前記光受容層がショ−トレ
   ンジ内に１対以上の非平行な界面を有し、該非平行な界
   面が層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向に多数配
   列している事を特徴とする光受容部材。 （２）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （３）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （４）前記ショートレンジが０．３〜５００ルである特
   許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （５）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的に配列している凹凸に基づいて形成されている
   特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （６）前記凹凸が逆Ｖ字形線状突起によって形成されて
   いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。 （７）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に二
   等辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容
   部材。 （８）前記逆■字形線状突起の縦断面形状が実質的に直
   角三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容部
   材。 （９）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に不
   等辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容
   部材。 （１０）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１
   項に記載の光受容部材。 （工１）逆Ｖ字形線状突起が前記支持体の面内に於いて
   螺線描造を有する特許請求の範囲第１０項に記載の光受
   容部材。 （１２）前記！ｌＩｗ線構造が多重螺線構造である特許
   請求の範囲第１１項に記載の光受容部材。 （１３）前記逆Ｖ字形線状突起がその稜線方向に於いて
   区分されている特許請求の範囲第６項に記載の光受容部
   材。 （１４）前記逆Ｖ字形線状突起の稜線方向が円筒状支持
   体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第１０項に記載
   の光受容部材。 （１５）前記凹凸は傾斜面を有する特許請求の範囲第５
   項に記載の光受容部材。 （１６）前記傾斜面か鏡面仕上げされている特許請求の
   範囲第１５項に記載の光受容部材。 （１７）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
   れた凹凸と同一のピッチで配列された凹凸か形成されて
   いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。 （１８）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
   方に水素原子が含有されている特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （１８）第１′の層及び第２の層の少なくともいずれか
   一方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範囲第
   １項及び同第１８項に記載の光受容部材。 （２０）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属す
   る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
   。 （２１）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属す
   る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
   。