JPS6159342A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線。

可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波
に感受性のある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。

中でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザー
としては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導
体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有
する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−
８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後ｒＡ−ＳｉＪと略記する）から成る光
受容部材が注目されている。

面乍ら、光受容層を単層構成のＡ−３ｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１０１２Ωｃｆｆ１以上の暗抵抗を確保するには、水素
原子やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子と
を特定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有さ
せる必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に
行う必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に
可成りの制限がある。

この設＝１上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低
暗抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様
にしたものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４
３号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−
４１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特
性の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受
容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５
２１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８
１５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報に
記載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び
光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたり
して、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案され
ている。

この様な提案によって、Ａ−Ｓｉ系光受容部材はその商
品化設剖上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の容
易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向け
ての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成する　　１ある
層に入射した光ＩＯと上部界面１０２で反射した反射光
Ｒ１、下部界面ｌｏｔで反射した反射光Ｒ２を示してい
る。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をの層厚差で
不均一であると、反射光Ｒ１，Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ入（ｍ
は整数、反射光は強め合先は弱め合う）の条件のどちら
に合うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に
変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００人〜±１００００人の凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）アルミニウム支持体表面を黒色ア
ルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボン、着色
顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（例
えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウム
支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンドブ
ラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持体
表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭５
７−１６５５４号公報）等が提案されてｌ、％る。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像」二に現われる干
渉縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ−Ｓｉ層を形成
する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光受
容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がＡ−Ｓｔ
層形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本来
の吸収機能を低減させると共に。

表面状態の悪化によるその後のＡ−３ｉ層の形成に悪影
響を与えること等の不都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光ＩＱは。

光受容Ｒ３０２の表面でその一部が反射されて反射光Ｒ
１となり、残りは、光受容層３０２の内部に進入して透
過光■１となる。透過光１１は、支持体３０２の表面に
於いて、その一部は、光散乱されて拡散光Ｋｌ　、に２
　、に３φ・となり、残りが正反射されて反射光Ｒ２と
なり、その一部が出射光Ｒ３となって外部に出て行く。

従って、反射光Ｒ１と干渉する成分である出射光Ｒ３が
残留する為、依然として干渉縞模様は完全に消すことが
出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２での表面での反射光Ｒ２，第２層での反射光Ｒ
１，支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して
、光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる
。従って、多層構成の光受容部材においては、支す、４
体４０１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に
防止することは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、ＦＬつ同−口ｙ　Ｉ・に於いても粗面度に不
均一があって、製造Ｖ理」二具合が悪かった。加えて、
比較的大きな突起がランダムに形成ごれる機会が多く、
斯かる大きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの
原因となっていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄ１＝ｍλまた
は２　ｎ　ｄ　ｉ　＝　　（ｍ＋３４）λが成立ち、夫
々明部または暗部となる。また、光受容層全体では光受
容層の層厚ｄ１、ｄ２、ｄ３、λ ｄ４の夫々の差の中の最大が一以上である様ｎ な層厚の不均一性があるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同蒔にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つ別の目的は、電気的耐圧性及び光感度
が高く、電子写真特性に優れた光受容部材を提供するこ
とでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く、ハーフト
ーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る
ことが出来る電子写真用に適した光受容部材を提供する
ことでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、シリコン原子とゲルマニウム原
子とを含む非晶質材料で構成ｙれた第１の層と、シリコ
ン原子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示す第
２の層とが支持体側より順に設けられた多層構成の光受
容層を有する光受容部材に於いて、前記第１の層中に於
けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一で
あり、且つ前記第１の層及び前記第２の層の少なくとも
一方に伝導性を支配する物質が含有され、該物質が含有
されている層領域に於いて、該物質の分布状態が層厚方
向に不均一であると共に前記光受容層は、酸素原子、窒
素原子の中から選択される少なくとも一種を含有し、且
つショートレンジ内に１対以上の非平行な界面を有し、
該非平行な界面が、層厚方向と垂直な面内の少なくとも
一方向に多数配列している事を特徴とする。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って多
層構成の光受容層を有し、該光受容層は第６図の一部に
拡大して示されるように、第２層６０２の層厚がｄ５か
らｄ６と連続的に変化している為に、界面６０３と界面
６０４とは互いに傾向きを有している。従って、この微
小部分（ショートレンジ）文に入射した可干渉性光は、
該微小部分りに於て干渉を起し、微小な干渉縞模様を生
ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光ＩＯに対する
反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ（Ｂ）Ｊ）よりも非平行な場合（
ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明暗の差
が無視し得る程度に小さくなる。その結果、微小部分の
入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２層６０２の層厚がマ
クロ的にも不均一（ｄ７＼ｄ８）であっても同様に云え
る為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図の
ｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光量０に対
して、反射光Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が存在する
。

その為各々の層で第７図を似って前記に説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現われることはない。又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には何等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕−Ｅげとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ文（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、交≦Ｌであ
る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
立に於ける層厚の差（ｄ　５−　ｄ　ｅ）は、照射光の
波長をλとすると、 （ｎ：第２層６０２の屈折率） であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分立の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於てｒｒＩＩ制御されるが、この
条件を満足するならばａｋｆｌｔ小カラム内にいずれか
２つの層界面が平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於゛ける層厚の差が 入 ２ｎ　　　　　（ｎ’層の屈折率） 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、層
厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズマ
気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用
される。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械の所定位
置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に従って設
計されたプロゲラムに従って回転させながら規則的に所
定方向に移動させることにより、支持体表面を正確に切
削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さで形成
される。この様な切削加工法によって形成される凹凸が
作り出す逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持体の中心軸
を中心にした鎖線構造を有する。逆Ｖ字形突起部の＠線
構造は、二重、三重の多重＠線構造、又は交叉＠線構造
とされても差支えない。

或いは、鎖線構造に加えて中心軸に泊った直線構造を導
入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体」−に直接設けられる層と
の間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為
に逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第９図に示される様
に実質的に二等辺三角形、直角三角形成いは不等辺三角
形とされるのが望ましい。これ等の形状の中殊に二等辺
三角形、直角三角形が望ましい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した」
二で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定され
る。

即ち、第１は光受容層を構成するＡ−３ｔ層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じ
て層品質は大きく変化する。

従って、Ａ−Ｓｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定する
必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

」二重した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス」
二の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結
果、支持体表面の四部のピッチは、好ましくは５００７
ｚｍ　〜０．３１Ｌｍ　、より好ましくは２００　ｐｍ
　−１＃Ｌｍ、最適には５０ｇｍ〜５μｍであるのが望
ましい。

又、四部の最大の深さは、好ましくはｏ、１８Ｌｍ　〜
５　ｇ　ｍ　、より好ましくは０．３　ｐ、　ｍ　〜３
ｐＬｍ　、最適には０．６７ｐｍ〜２ｇｍとされるのが
望ましい。支持体表面の四部のピッチと最大深さが」二
重の範囲にある場合、四部（又は線上突起部）の傾斜面
の傾きは、好ましくは１度〜２０度、より好ましくは３
度〜１５度、最適には４度〜１０度とされるのが望まし
い。

又、この様な支持体」二に堆積される各層の層厚の不均
一性に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは
０．１７ｚｍ〜２Ｊｊ、ｍ、より好ましくは０．１　ｇ
ｍ　〜１．５　、ｇｍ、最適には０．２　ｇ　ｍ〜Ｉｇ
ｍとされるのが望ましい。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の層とが支持体側より１＃ｆ４に
設けられた多層構成となっており、前記第１の層中に於
けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一と
なっているため、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが幣明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就て詳細に
説明する。

第１０図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１Ｏ図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の」−に、光受容層１０００を有
し、該光受容層１０００は自由表面１００５を一方の端
面にイ〕している。

光受容層１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と、心安に応じて水素原子又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）とを含有するａ−３ｉ（以後ｒａ−３ｉＧｅ　（
Ｈ，Ｘ）　」と略記する）で構成された第１の層（Ｇ）
１００．２と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）とを含有するａ−３ｉ（以後ｒａ−３ｉ（
Ｈ，Ｘ）Ｊと略記する）で構成され、光導電性を有する
第２の層（Ｓ）１００３とが順に積層された層構造を有
する。

第１の層（Ｇ）１００２中に含有されるゲルマニウム原
子は、該第１の層（Ｇ）１００２の層厚方向には連続的
であって目、つ前記支持体１００１の設けられである側
とは反対の側（光受容層１００１の表面１００５側）の
方に対して前記支持体１００１側の方に多く分布した状
態となる様に前記第１の層（Ｇ）１００２中に含有され
る。

本発明の光受容部材においては、第１の層（Ｇ）中に含
有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向にお
いては、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面と平
行な面内方向には均一な分布状態とされるのが望ましい
。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域を含む、比較的短波長から比較的長波長連
の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受容
部材として得るものである。

又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布し、
ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側よ
り第２の層（Ｓ）に向って減少する変化が与えられてい
るので、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との間に於け
る親和性に優れ、且つ後述する様に、支持体側端部に於
いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大きくする
ことにより、゛１４導体レーザ等を使用した場合の、第
２の層（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第
１の層（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが
出来、支持体面からの反射による干渉を防１１−するこ
とが出来る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分成されている。

第１１図乃至第１９図には、本発明における光受容部材
の第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の層
厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第１１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層（Ｇ）の層厚を示
し、ｔＢは支持体側の第１の層（Ｇ）の端面の位置を、
ｔＴは支持体側とは反対側の層（Ｇ）の端面の位置を示
す。即ち、ゲル・マ二つ、ム原子の含有される第１の層
ＣＧ）はｔＢ側よりｔＴ側に向って層形成がなされる。

第１１図には、第１の層ＣＧ）中に含有されるゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる第１の層（Ｇ）が形成される表面と該第１の層（Ｇ
）の表面とが接する界面位置ｔＢよりｔｌの位置までは
、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃが０１なる一定の値を
取り乍らゲルマニウム原子が形成される第１の層（Ｇ）
に含有され、位置ｔ１よりは濃度Ｃ２より界面位置ｔＴ
に至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位ｒＦ
ｔ　ｔ　Ｔにおいてはゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
濃度Ｃ２とされる。

第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るま
で濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔ７におい
て濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ
、位置ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に
減少され、位置ｔ７において、分布濃度Ｃは実質的に零
とされている（ここで実質的に零とは検出限界袖未溝の
場合である）。

第１４図の場合には、ゲルマニウム原子ノ分布濃度Ｃは
位置を日より位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ８よりｉ！Ｉ
！続的に徐々に減少され、位ａｔＴにおいて実質的に零
とされている。

第１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置を日と位置ｔ３間においては、濃度Ｃ９と
一定値であり、位置ｔＴに於ては濃度ＣＩＯとされる。

位置ｔ３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関数
的に位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで減少されている。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置を
日より位置ｔ４までは濃度Ｃ１１の一定値を取り、位置
ｔ４より位置ｔＴまでは濃度Ｃ１２より濃度Ｃ１３まで
一次関数的に減少、する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに
至まで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４よ
り実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第１８図においては、位置ｔＢより位置ｔ５に至までは
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１５より濃度
Ｃ１６まで一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置ｔＴ
との間においては、濃度Ｃ１６の一定値とされた例が示
されている。

１’ｔ　１９図に示される例において、ゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃは、位置を日において濃度Ｃ１７であり
、位置計〇に至るまではこの濃度Ｃ１７より初めはゆっ
くりと減少され、七６の位置付近においては、急激に減
少されて位置し〇では濃度Ｃ１８とされる。

位置計〇と位置ｔ−７との間においては、初め急激に減
少されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ
７で濃度Ｃ１９となり、位置ｔ７と位置計８との間では
、極めてゆっくりと徐々に減少されて位置計８において
、濃度Ｃ２０に至る。位置計８と位置ｔＴとの間におい
ては濃度Ｃ２０より実質的に零になる様に図に示す如き
形状の曲線に従って減少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、第１の層（Ｇ）中
に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の
典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支
持体側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い
部分を有し、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは
支持体側に比べて可成り低くされた部分を有するゲルマ
ニウム原子の分布状態が第１の層（Ｇ）に設けられてい
るのが望ましい。

本発明における光受容部材を構成する光受容層を構成す
る第１の層ＣＧ）は好ましくは上記した様に支持体側の
方にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有されている
局在領域（Ａ）を有するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ａ）は、第１１図乃至第１
９図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより
５μ以内に設けられるのが望ましいものである。

本発明に於ては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔＢ
より５＃Ｌ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜決められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃｍａｘがシリコン原子に対して、好ましく
は１００１０００ａｔｏ　　ｐｐｍ以上、より好適には
５０００ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍ以上、最適には１×１
０４１０４ａｔｏ　　ｐｐｍ以」−とされる様な分布状
ｙ１１となり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の層ＣＧ）は、支持体側からの層厚で５川以内（
を日から５ｊ１．厚の層領域に分布濃度の最大値Ｃｍａ
ｘが存在する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲ
ン原子（Ｘ）の量または水素原子とハロゲン原子の量の
和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜４０　ａ　ｔ　ｏ　ｍ
　ｉ　ｃ％、より好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％、最
適には５〜２５ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明において、第１の層（Ｇ）中Ｉ含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜決められるが、好まし
くは１〜９．５×１０５１０５ａｔｏ　　ｐｐｍ、より
好ましくは１００〜８Ｘ１０５ａｔｏｍｉｃ　　　ｐ　
　ｐ　　ｍ　　、最適には５００〜７Ｘ１０５ａｔｏｍ
ｉｃＰＰｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて第１の層ＣＧ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢは、好まし
くは３０人〜５０１１．、より好ましくは、４０人〜４
０ｇ、最適には、５０人〜３０ルとされるのが望ましい
。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０ル、より好ましくは１〜８０ＪＬ最適には２〜５０μ
とされるのが望ましい。

第１の層ＣＧ）の層厚ＴＢと第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（ＴＢ＋Ｔ）としては、両層領域に要求される特性と
光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連
性に基いて、先受容部材の層設計の際に所望に従って、
適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、」二重の（Ｔ　Ｂ　＋
　Ｔ）の数値範囲としては、好ましくは１〜１００）ｔ
、よＩＪ好適には１〜８ｏＩ１．、最適には２〜５０ル
とされるのが望ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴＢ／Ｔ≦１な
る関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択の
於いて、より好ましくは、ＴＢ／Ｔ≦０．９．最適には
Ｔ　Ｂ　／　Ｔ　＜　０．８なる関係が満足される様に
層厚丁日及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいもの
である。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量がＩＸ１ｌＸ１０５ａｔｏ　　ｐｐ
ｍ以上の場合には、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢとしては
、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０ル以
下、より好ましくは２５角以下、最適には２０舊以下と
されるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する第１の層（Ｇ）及
び第２の層（Ｓ）中に必要に応じて含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明において、ａ−３ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）　テ構成さ
れる第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー放電法によッテ、ａ−３ｆ　Ｇｅ　（Ｈ、
Ｘ）で構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、基本
的には、シリコン原子（Ｓ　ｉ）を供給し得るＳｉ供給
用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得る
Ｇｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）導
入用の原料ガス又ハ／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
原Ｉｔガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガ
ス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面」
−に含有されるゲルマニウム原子の分布農度を所望の変
化率曲線に従って制御し乍らａ−５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）か
ら成る層を形成させれば良い。又、スパッタリング法で
形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又
はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳ
ｉで構成されたターゲットとＧｅで構成されたターゲッ
トの二枚を使用して、又はＳｉとＧｅの混合されたター
ゲ、ットを使用してスパッタリングする際、必要に応じ
て水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
のガスをスパッタリング用の堆積室に導入してやれば良
い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、Ｓ　ｒ　Ｈ４＋Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３
Ｈ−ｅ、５ｉ４Ｈｔｏ等のガス状態の又ガス化し得る水
素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効
率の良さ等の点でＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，が好ましいも
のとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４，Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３ＨＢ。

Ｇｅ４Ｈ１０，Ｇｅ５Ｈ１２，Ｇｅ６Ｈ１４，Ｇｅ７Ｈ
１６，Ｇｅ８Ｈｚｅ、Ｇｅ９Ｈ２ｏ等のガス状態の又は
ガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるも
のとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、
Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、
Ｇｅ３ＨＢが好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

ヌ、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、ＣｕＦ。

ＣｕＦ３．ＢｒＦ５．ＢｒＦ３．ＩＦ３゜ＩＦ７．ＩＣ
ｕ、ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げることが出来る
。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
　ｔ　Ｆ　４　、　Ｓ　ｓ　２　Ｆ　６　＊５ｆＣｆ１
４．ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素を好ましいものとし
て挙げる事が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｔを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素カスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−５ｉＧｅか
ら成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層Ｃ
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｔ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガス
となる水素化ゲルマニウムとＡｒ　、Ｆ２　、Ｈｅ等の
ガス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の
層（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起
してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによ
って、所望の支持体」−に第１の層（Ｇ）を形成し得る
ものであるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易に
なる様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素
原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成し
ても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ッテａ　　Ｓ　ＸＧｅ　（Ｈ、Ｘ）から成る第１の
層（Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング法の場
合にはＳｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲッ
トの二枚を、或いはＳｉとＧｅから成るターゲットを使
用して、これを所望のガスブラズ°マ雰囲気中テスパッ
タリングし、イオンブレーティング法の場合には、例え
ば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマ
ニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸
着ポートに収容し、このノＮ発源を抵抗加熱法、或いは
エレクトロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発さ
せ飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させ
る事で行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラグ、３９ マ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て」１記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅
素化合物が有効なものとして使用されるものであるが、
その他に、ＨＦ。

Ｆ０文、ＨＢｒ、ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ
２，５ｉＨ２Ｉ２．５ｉＦ２Ｃ文２ＳｉＨＣｕ３，５ｉ
Ｈ２Ｂｒ２，５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化硅素
、及びＧｅＨＦ３ＧｅＨ２Ｆ２．ＧｅＨ３Ｆ、ＧｅＨＣ
ｕ３゜ＧｅＦ２０Ｍ２．ＧｅＨ３Ｃ１，ＧｅＨＢｒ３Ｇ
ｅＨ２Ｂｒ２．ＧｅＨ３Ｂｒ、ＧｅＨＩ３゜ＧｅＦ２Ｉ
２．ＧｅＨ３’Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム等
の水素原子を構成要素のｌっとするハロゲン化物、Ｇｅ
Ｆ４．ＧｅＣｕ４゜ＧｅＢｒ４．ＧｅＩ４．ＧｅＦ２．
ＧｅＣｕ２ＧｅＢｒ２．ａｅｘ２等のハロゲン化ゲルマ
ニウム、等々のガス状態の或いはガス化し得る物質も有
効な第１の層（Ｇ）形成用の出発物質ととして挙げる事
が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層ＣＧ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＦ２、或いはＳｉＨ４゜５ｉ２Ｈｅ、５ｔ３
Ｈｅ、５ｉ４Ｈｔｏ等の水素化硅素をＧｅを供給する為
のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或いは、’
ＧｅＨ４゜Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈｅ、Ｇｅ４Ｈ１ｏ、Ｇ
ｅ５Ｈ１２，Ｇｅ６Ｈ１４，Ｇｅ７Ｈ１６，Ｇｅ８Ｈ１
Ｂ。

Ｇｅ９Ｈ２０等の水素化ゲルマニウムとＳｉを供給する
為のシリコン又はシリコン化合物と、を堆積室中に共存
させて放電を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層ＣＧ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４０
ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０ａｔｏｍ
ｉｃ％、最適には％０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ％とされ
るのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層領域（Ｇ
）形成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用の原料
ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層（Ｓ）
形成用の出発物質（ＩＩ））を使用して、第１の層（Ｇ
）を形成する場合と、同様の方法と条件に従って行うこ
とが出来る。

即ち、本発明において、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例え
ば、グロー放電法によってａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的には前記し
たシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料
ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が
減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー
放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所定の
支持体表面上にａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成さ
せれば良い。又、スパッタリング法で形成する場合には
、例えばＡｒ。

Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした４
昆合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットをス
パッタリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室
に導入しておけば良い。

本発明の光受容部材１００４に於いては、少なくとも第
１の層（Ｇ）１００２又は／及び第２の層（Ｓ）１００
３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有されており、
該物質（Ｃ）が含有される層に所望の伝導特性が与えら
れている。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）１００２又は／及び
第２の層（Ｓ）１００３に含有される伝導特性を支配す
る物質（Ｃ）は、物質（Ｃ）が含有される層の全層領域
に含有されても良く、物質（Ｃ）が含有される層の一部
の層領域に偏存する様に含有されても良い。

しかし、いずれの場合に於いても、前記物質（Ｃ）の含
有される層領域（ＰＮ）に於いて、該物質の層厚方向の
分布状態は不均一とされる。詰り、例えば、第１の層（
Ｇ）の全層領域に前記物質（Ｃ）を含有させるのであれ
ば、第１の層（Ｇ）の支持体側の方に多く分布する様に
前記物質（Ｃ）が第１の層（Ｇ）中に含有される。

この様に層領域（ＰＮ）に於いて、前記物質接合を良好
にすることが出来る。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を＄１の
層（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（Ｇ）
中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有される
層領域（ＰＮ）は、第１の層（Ｇ）の端部層領域として
設けられ、その都度、所望に応じて適宜法められる。

本発明に於いては、第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の層（
Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を含
有させるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層（Ｇ）に
於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、第２
の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層
領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ましい。

又、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに
於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その含有
量は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

面乍ら、本発明に於いては、各層に含有される前記物質
（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の層
（Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は、電気的特性
の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有さ
せるのが女子ましし）。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）又は／及び第２の層（Ｓ）中に、伝導特性を
支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質（
Ｃ）の含有される層領域〔第１の層（Ｇ）の又は／及び
第２の層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良
い〕の伝導特性を所望に従って任意に制御することが出
来るものであるが、この様な物質（Ｃ）としては、所謂
、半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来、本
発明に於いては、形成される光受容層を構成するａ−Ｓ
ｊ（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）　に
対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型伝導
特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

基体的には、ｐ　Ｕ’！、不純物としては周期律表第■
族に屈する原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、
ＡＭ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（イン
ジウム）、Ｔ文（タリウム）等があり、殊に好適に用い
られるのは、Ｂ。

Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第■族に属する原子（第
■族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（
アンチモｙ）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に、好適
に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（Ｐ　Ｎ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（Ｐ
Ｎ）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その
支持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関
連性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含
有量が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
０．０１〜５Ｘ１０４ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍ、より好
適には０．５〜ＩＸ１ｌＸ１０４ａｔｏ　　ｐｐｍ、最
適には、１〜５Ｘ１０３ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍとされ
るのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
、好ましくは３０ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍ以」−２より
好適には５０ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍ以−］二、最適に
は１００１００ａｔｏ　　ｐｐｍ以」−とすることによ
って、例えば該含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純
物の場合には、光受容層の自由表面が■極性に帯電処理
を受けた際に支持体側からの光受容層中への電子の注入
を効果的に阻止することが出来、又、前記含有させる物
質（Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自
由表面がｅ極性に帯電処理を受けた際に支持体側から光
受容層中への正孔の注入を効果的に阻止することが出来
る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）に
含有される伝導特性を支配する物質の伝導型の極性とは
別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質を含有させ
ても良いし、或いは、同極性の伝導型を有する伝導特性
を支配する物質を層領域（ＰＮ）に含有させる実際の量
よりも一段と少ない礒にして含有させても良いものであ
る。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＮ
）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に応じて
所望に従って適宜決定されるものであるが、好ましくは
、０．００１〜１００１０００ａｔｏ　　ｐｐｍ、より
〃７適には０．０５〜５００ａｔ　ｏｍｉｃｐｐｍ、最
適には０．１〜２００ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍとされる
のが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３
０ａｔ　ｏｍｊ　ｃｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３
０ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ以下とするのが好ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導に１を支配する物質を含
有させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領
域に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。

第２７図及至第３５図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＰＮ）中に含有される物質層（Ｃ）の層厚方
向の分布状態の典型的例が示される。尚、各図に於いて
、層厚及び濃度の表示はそのままの値価で示すと各々の
図の違いが明確でなくなる為、極端な形で図示しており
これらの図は模式的なものと理解されたい。

実際の分布としては、本発明の目的が達成される可く、
所望される分布濃度線が得られるように、ｔｉ（１≦ｉ
≦８）又はＣｉ（１≦ｉ≦１７）の（Ｆｉを選らぶか、
或いは分布カーブ全体に適当な係数を掛けたものをとる
べきである。

第２７図乃至第３５図において、横軸は物質（Ｃ）の分
布濃度Ｃを、縦軸は層領域（ＰＮ）の層厚を示し、ｔＢ
は支持体側の層領域（Ｇ）の端面の位置を、ｔ７は支持
体側とは反対側の層領域（ＰＮ）の端面の位置を示す。

即ち、物質（Ｃ）の含有される層領域（ＰＮ）はｔＢ側
よりｔＴ側に向って層形成がなされる。

第２７図には、層領域（ＰＮ）中に含有される物質（Ｃ
）の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２７図に示される例では、物質（Ｃ）の含有される層
領域（ＰＮ）が形成される表面と該層（Ｇ）の表面とが
接する界面位ｍ　ｔ　Ｂよりｔｌの位置までは、物質（
Ｃ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ１なる一定の値を取り乍ら物
質（Ｃ）が、形成ネれる層（ＰＮ）に含有５れ、位置ｔ
１よりは濃度Ｃ２より界面位置ｔＴに至るまで除々　、
に連続的に減少されている。界面位置しＴにおいては物
質（Ｃ）の分布濃度Ｃは実質的に零とされる。（ここで
は実質的に零とは検出限界量未満の場合である。） ２８図に示される例においては、含有される物質（Ｃ）
の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで濃度Ｃ
から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて濃度Ｃ４
となる様な分布状態を形成している。

第２９図の場合には１位置ｔＢより位置ｔ２までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ５と一定値とされ
、位置ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的の
減少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零
とされている。

第３０図の場合には、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置Ｔに至るまで、濃度Ｃ６より初め連続的に徐
々に減少され、位置し３よりは、急速に連続的に減少さ
れて、位置ｔＴにおいて実質的に零とされている。

第３１図に示す例に於ては、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは
、位置を日と位置ｔ４間においては濃度Ｃ７と一定値で
あり、位置ｔＴに於いては分布濃度Ｃは零とされる。位
置ｔ４と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関数的
に位置より位置ｔＴに至るまで減少されている。

第３２図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ５までは濃度Ｃ８の一定値を取り、位置ｔ
５より位置ｔＴまでは濃度Ｃ９より濃度ＣｔＯまで一次
関数的に減少する分布状態とされている。

第３３図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔ４に
至るまで、物質（Ｃ）の分布農度Ｃは濃度Ｃ１１より一
次関数的に連続して減少されて、零に至っている。

第３４図においては、位置ｔＢより位置ｔ６に至までは
物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１２より濃度Ｃ１３
まで一次関数的に減少され、位置計〇と位置しＴとの間
においては、濃度Ｃ１３の一定値とされた例が示されて
いる。

第３５図に示される例において、物質（Ｃ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１４であり、位置し７に
至るまではこの濃度Ｃ１４より初めはゆっくりと減少さ
れ、ｔ７の位置付近においては、急激に減少Ｓれて位置
ｔ７では濃度Ｃ１５とされる。

位置ｔ７と位置計８との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ８
で濃度Ｃ１６となり、位置ｔ８と位置ｔ９との間では、
徐々に減少されて位置ｔ９において、濃度Ｃ１７に至る
。位置ｔ９と位置ｔＴとの間においては濃度Ｃ１７より
実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線に従って
減少されている。

以上、第２７図乃至第３５図により、層領域（ＰＮ）中
に含有される物質（Ｃ）の層厚方向の分布状態の典型例
の幾つかを説明した様に、本発明においては、支持体側
において、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃの高い部分を有し、
界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に較
べて可成り低くされた部分を有する物質（Ｃ）の分布状
態が層領域（ＰＮ）に設けられているのが望ましい。

本発明における光受容部材を構成する層領域（ＰＮ）は
好ましくは上記した様に支持体側の方に物質（Ｃ）が比
較的高濃度で含有されている局在領域（Ｂ）を有するの
が望ましい。

本発明においては局在領域（Ｂ）は、第２７図乃至第３
５図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置を日より
５ＪＬ以内に設けられるのが望ましい。

本発明に於ては、」−記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
Ｂより５μ厚までの全層領域（Ｌ）とされる場合もある
し、又、層領域（Ｌ）の一部とされる場合もある。

局在領域ＣＢ）を層領域（Ｌ）の一部とするか又は全部
とするかは、形成される光受容層に要求される特性に従
って適宜状められる。

光受容層を構成する層中に、伝導特性を制御する物質（
Ｃ）、例えば、第■族原子或いは第Ｖ族原子を構造的に
導入して前記物質（Ｃ）の含有された層領域（ＰＮ）を
形成するには、層形成の際に、第■族原子導入用の出発
物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で堆
積室中に各層を形成する為の他の出発物質と共に導入し
てやれば良い。

この様な第■族原子導入用の出発物質と成り得るものと
しては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条
件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。その様な第■族原子導入用の出発物質として、具体
的には硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６，Ｂ４Ｈ１０
゜Ｂ５Ｈ９、Ｂ５Ｈ１１，Ｂ６Ｈ１０，Ｂ６Ｈ１２゜Ｂ
６Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ３．ＢＣＣ８４ＢＢｒ３
等のハロゲン化硼素等が挙げられる。

このほか、ＡｕＣｕ３　、ＧａＣｌ３　。

Ｇａ　（ＣＨ３）３　、Ｉｎｃｕ３．Ｔ１０文３等も」
−げろことが出来る。

第■族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３、
Ｐ２Ｈ４等の水素化燐、ＰＨ４Ｉ　、ＰＦ３　、ＰＦ５
．ＰＣＫＬ３　、ＰＣｕ５ＰＢｒ３．ＰＢｒ３　　、Ｐ
Ｉ３等ツノ＼ロゲン化燐が挙げられる。この他ＡｓＨ３
、ＡＳＦ３　　。

ＡｓＣｕ３　　、ＡｓＢｒ３　　、ＡｓＦ５　　、Ｓｂ
Ｈ３゜ＳｂＦ３　　、ＳｂＣ立５．ＳｂＣ文　＋　Ｂ　
ｉ　Ｈ３＋Ｂ１Ｃｕ３　　、Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子
導入用の出発物質の有効なものとして挙げることが出来
る。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との１．５９ 間の密着性の改良を図る目的の為に、光受容層中には、
酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択される少な
くとも一種の原子が層厚方向には均一、又は不均一な分
布状態で含有される。

光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＮ）は、光
受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは、光受
容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在させて
も良い。

原子（ＯＣＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＣＮ）が、
光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ）
の含有されている層領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領
域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密
着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受
容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

〜６０ 前者の場合、層領域（ｏ　ｃ　Ｎ）中に含有される原子
（ＯＣＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的
少なくされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化
を確実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（ＯＣＮ）の含有量は、層領域（Ｏ
ＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（ＯＣＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、該支持
体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性
に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＯＣＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、故地の層領域の特性や、故地の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜選択される。

層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の量は
、形成される光受容部材に要求される特性に応じて所望
に従って適宜法められるが、好ましくは０．００１〜５
０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％、より好ましくは、０．００２〜
４０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％、最適には０．００３〜３０　
ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層
領域（ＯＣＮ）の層厚ＴＯの光受容層の層厚Ｔに占める
割合が充分多い場合には、層領域（ＯＣＮ）に含有され
る原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前記の値より充分
少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の」−眼としては、好ましくは３０ａｔ　ｏｍ
ｉ　ｃ％以下、より好ましくは２０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％
以下、最適には１０ａｔ　ｏｍｉｃ％以下とされるのが
望ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の第１の層には、少な
くとも含有されるのが望ましい。詰り、光受容層の支持
体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有させることで、
支持体と光受容層との間の密着性の強化を計ることが出
来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向」二と高光感度の確保が一層出
来るので、光受容層に所望量゛含有されることが望まし
い。

又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い。即ち、例えば、第１の層中には、酸素
原子を含有させ、第２の層中には、窒素原子を含有させ
たり、或いは、同一層領域中に例えば酸素原子と窒素原
子とを共存させる形で含有させても良い。

第４３図乃至第５１図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の層
厚方向の分布状態が不均一な場合の典型的例が示される
。

第４３図乃至第５１図において、横軸は原子（ＯＣＮ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は、層領域（ＯＣＮ）の層厚を示
し、ｔＢは支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端面の位置を
、ｔＴは支持体側とは反対側の層領域（ＯＣＮ）の端面
の位置を示す。即ち、原子（ＯＣＮ）の含有される層領
域（ＯＣＮ）はｔＢ側よりｔＴ側に向って層形成がなさ
れる。

第４３図には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が不均一な場合の第１の
典型例が示される。

第４３図に示される例では、原子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（ＯＣＮ）が形成される表面と該層領域（ＯＣ
Ｎ）の表面とが接する界面位置ｔ７よりｔｌの位置まで
は、原子（ＯＣＮ）の分布濃度ＣがＣ１なる一定の値を
取り乍ら原子（ＯＣＮ）が形成される層領域（ＯＣＮ）
に含有され、位置ｔ１よりは濃度Ｃ２より界面位置ｔＴ
に至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置ｔ
Ｔにおいては原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ３と
される。

第４４図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の分布濃度Ｃは位置ＴＢより位置ｔ７に至るまで
濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔ４において
濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第４５図の場合には、位置を日より位置ｔ２までは原子
（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位
置ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減少
され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とさ
れている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合
である）。

第４６図の場合には、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは位
置１日より位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ８より連続的に
徐々に減少され、位置ｔＴにおいて、実質的に零とされ
ている。

第４７図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位置１日と位置ｔ３間においては濃度Ｃ９と一定
値であり、位置し３よりｔＴに至るまで、濃度Ｃ９より
実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第４８図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置Ｅ
日より位置ｔ４までは濃度Ｃ１１の一定値を取り、位置
ｔ４より位置ｔＴまでは濃度Ｃ１２より濃度Ｃ１３まで
は一次関数的に減少して位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃ
は実質的に零とされる。

第４９図に示す例においては、位置１日より位置ｔＢに
至るまで、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４よ
り実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第５０図においては、位置を日より位置ｔ５に至るまで
は原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１５よりＣ１
６まで連続的に徐々に減少され、位置ｔ５と位置ｔＴと
の間においては、濃度０１６の一定値とされた例が示さ
れている。

第５１図に示される例においては、原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃは１位置を日においては濃度Ｃ１７であり、位
置計６に至るまではこの濃度Ｃ１７より初めは緩やかに
減少され、七〇の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ６では濃度Ｃ１Ｂとされる。

位置計６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度Ｃ１，９となり、位置ｔ７と位置計８との間では
、極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８において
、濃度Ｃ２０に至る。位置計８と位置ｔ７の間において
は、濃度Ｃ２０より実質的に零になる様に図に示す如き
形状の曲線に従って減少されている。

以上、第４３図乃至第３０図により、層領域（ＯＣＮ）
中に含有される原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が
不均一な場合の典型例の幾〈つかを説明した様に、本発
明においては、支持体側において、原子（ｏ　ＣＮ）の
分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面ｔＴ側においては、
前記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた部
分を有する原子（ＯＣＮ）の分布状態が層領域（ＯＣＮ
）に設けられている。

原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（ＯＣＮ）は、」−
記した様に支持体側の方に原子（ＯＣＮ）が比較的高濃
度で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとして
設けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光受
容層との間の密着性をより一層向」；させることが出来
る。

−１−記局在領域（Ｂ）は、第４３図乃至第５１図に示
す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５１Ｌ以
内に設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
Ｂより５ｐＬ厚までの全領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域ＣＢ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（ＯＣＮ）の
層厚方向の分布状態として原子（ＯＣＮ）分布濃度Ｃ（
７）最大値Ｃｍａｘが、好ましくは５００ａｔｏｍｉｃ
　　ｐｐｍ以上。

より好適には８００ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍ以上。

最適には１００１０００ａｔｏ　　ｐｐｍ以上とされる
様な分布状態となり得る様に層形成されるのが望ましい
。

即ち、本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層領域（ＯＣＮ）は、支持体側からの層厚で５ｐ以内（
を日から５１Ｌ厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃｍ
ａｘが存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（ＯＣＮ
）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やかに変
化する様に、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態を形
成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が層接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防止することが出来る。

又、層領域（ＯＣＮ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃度
Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で、連続し
て緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から、例えば第４３図乃至第４６図。

第４９図及び第５１図に示される分布状態となる様に、
原子（ｏ　ｃ　Ｎ）を層領域（ＯＣＮ）中に含有される
のが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
た層領域（ＯＣＮ）を設けるには、光受容層の形成の際
に原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質を前記した光受容層
形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中にそ
の量を制御し乍ら含有してやればよい。

層冑域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質が加えられる。その様な原子（ＯＣＮ）導入用
の出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成
原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化
したものの中の大概のものが使用される。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）、−
酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒
素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四重酸化窒
素（Ｎ２０４）。

三二酸化窒素（Ｎ２０５）、三二酸化窒素（ＮＯ３）、
シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ
）とを構成原子とする、例えばジシロキサン（Ｈ３Ｓｉ
ＯＳｉＨ３）、トリシロキサン（Ｈ３Ｓ　ｉＯ３１Ｈ２
０ｓ　１Ｈ３）等の低級シロキサン、メタン（ＣＩ（４
）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、ｎ−
ブタン（ｎ−Ｃ４Ｈ１０）、ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）等
の炭素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）
、プロピレン（Ｃ３Ｈｅ）、ブテン−１（Ｃ４）（８）
、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）。

イソブチレン（Ｃ４Ｈｅ）　、ペンテン（Ｃ５）（１０
）等の炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、アセチレン
（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン
（ｃ　４　Ｈ６）等の炭素数２〜４のアセチレン系炭化
水素、窒素（Ｎ２）。

アンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、
アジ化水素（ＨＮ３Ｎ）３　　、アジ化アンモニウム（
ＨＨ４Ｎ３）、三弗化窒素ＣＦ３Ｎ）、四弗化窒素ＣＦ
　４　Ｎ）等々を挙げることが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質として、
Ｓ　ｉＯ２＋Ｓｉ３Ｎ４．カーボンブラック等を挙げる
ことが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットと共にス
パッタリング用のターゲットとしての形で使用される。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣＮ
）の含有される層領域（ＯＣＮ）を設ける場合、該層領
域（ＯＣＮ）に含有される原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃ
を層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状ｇ（ｄ
ｅｐｆｈｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域（ＯＣＮ）を
形成するには、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃを変
化させるべき原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質のガスを
、そのガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜変化さ
せ乍ら、堆積室内に導入することによって成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い。このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（ＯＣＮ）をスパッタリング法によって形成する
場合、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚方
向で変化させて、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の所望の分
布状８（ｄ　ｅ　ｐ　ｆ　ｈｐｒｏｆｉｌｅ）を形成す
るにには、第一には、グロー放電法による場合と同様に
、原子導入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを
堆積質中へ導入する際のガス流量を所望に従って適宜変
化させることによって成される。第二にはスパッタリン
グ用のターゲットを、例えばＳＸと５ｉ０２との混合さ
れたターゲットを使用するのであれば、ＳｉとＳ　ｉ０
２との混合比をターゲットの層厚方向に於いて、予め変
化させておくことによって成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、ＡＪＩ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａ
ｕ、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げ
られる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、Ａｌ
１．Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ。

Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３゜５ｎ０２　
、　ＩＴＯ（Ｉ　ｎ２０３＋５ｎ０２）等から成る薄膜
を設けることによって導電性が付与され、或いはポリエ
ステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣ
ｒ、Ａ文、Ａｇ。

Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ　、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ。

Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着
、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け
、又は前記金属でその表面をラミネート処理して、その
表面に導電性が付与される。支持体の形状としては、円
筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によっ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１０図の光受
容部材１００４を電子写真用光受容部材として使用する
のであれば連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は
円筒状とするのが望ましい。支持体の厚さは、所望通り
の光受容部材が形成される様に適宜決定されるが、光受
容部材として可撓性が要求される場合には、支持体とし
ての機能が充分発揮される範囲内であれば可能な限り薄
くされる。面乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い」二、機械的強度等の点から、好ましくは１０ｗ以
上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２０図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００６のガスボンベには、本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例としてたとえば２００２はＳｉＨ４ガス（純度９
９．９９９％。

以下、Ｓ　ｉ　Ｈ４と略す）ボンベ、２００３はＧｅＨ
４ガス（純度９９．９９９Ｌ以下ＧｅＨ４と略す）ボン
ベ、２００４はＮｏガス（純度９９．９９％、以下ＮＯ
と略す）ボンへ、２００５はＨ２で稀釈されたＢ２Ｈ６
ガス（純度９９，９９９％以下Ｂ　２　Ｈ６／Ｈ２と略
す）ボンベ、２００６はＨ２ガス（純度９９．９９９％
）ボンベである。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００６のバルブ２０２２〜２０２６、
リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ２０１２〜２０１６、流出バルブ２０１
７〜２０２１、補助バルブ２０３２．２０３３が開かれ
ていることを確認して、先ずメインバルブ２０３４を開
いて反応室２００１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計２０３６の読みが約５Ｘ１０−８ｔｏｒｒにな
った時点で補助バルブ２０３２，２０３３、流出バルブ
２０１７〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２よりＳｉＨ
４ガス、ガスポンベ２００３よりＧｅＨ４ガス、ガスボ
ンベ２００４よりＮｏガス、ガスポンベ２００５よりＢ
２Ｈ６／Ｈ２ガス、２００６よりＨ２ガスをバルブ２０
２２．２０２３．２０２４．２０２５　。

２０２６を開いて出口圧ゲージ２０２７．２０２８．２
０２９．２０３０．２０３１の圧をＩ　Ｋ　ｇ　／　ｃ
　ｍ２に調整し、流入バルブ２０１２゜２０１３．２０
１４，２０１５．２０１６を徐々に開ケて、マスフロコ
ントローラ２００７　。

２００８．２００９，２０１０．２０１１内に夫々流入
させる。引き続いて流出バルブ２０１７．２０１８，２
０１９，２０２０，２０２１、補助バルブ２０３２．２
０３３を徐々に開いて夫々のガスを反応室２００１に流
入させる。このときのＳｉＨ４ガス流量、ＧｅＨ４ガス
流量、ＮＯガス流量、Ｂ２Ｈ６／Ｈ２ガス流量とＨ２ガ
ス流量の比が所望の値になるように流出バルブ２０１７
，２０１８，２０１９，２０２０゜２０２１を調整し、
また、反応室２００１内の圧力が所望の値になるように
真空計２０３６の読みを見ながらメインバルブ２０３４
の開口を調整する。そして、基体２０３７の温度が加熱
ヒーター２０３８により５０〜４００℃の範囲の温度に
設定されていることを確認された後、電源２０４０を所
望の電力に設定して反応室２００１内にグロー放電を生
起させ、同時にあらかじめ設計された変化率曲線に従っ
て、ＨｅＨ４ガスの流量及びＢ２Ｈ６ガスの流量を手動
あるいは外部駆動モータ等の方法によってバルブ２０１
８．２０２０の開口を漸次変化させる操作を行って形成
される層中に含有されるゲルマニウム原子及び硼素原子
の分布奥度を制御する。

」１記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望
層厚に、基体２０３７上に第１の層（Ｇ）を形成する。

所望層厚に第１の層（Ｇ）が形成された段階に於て、流
出バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じて
放電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所
望時間グロー放電を維持することで第１の層（Ｇ）」−
にゲルマニウム原子の実質的に含有されない第２の層（
Ｓ）を形成することが出来る。また、第１の層（Ｇ）及
び第２の層（Ｓ）を含有させる場合には、ガスボンベ２
００４のＮＯガスを例えばＮＨ３ガスあるいはＣＨ４ガ
ス等に代えて、層形成を行なえばよい。また、使用する
ガスの種類を増やす場合には所望のガスボンベを増設し
て、同様に層形成を行なえばよい。層形成を行っている
間は層形成の均一化を計るため基体２０３７はモーター
２０３９により一定速度で回転させてやるのが望ましい
。

以下実施例について説明する。

実施例１ ＡＪＪ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍ
ｍ）を第２表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッチ、Ｄ
：深さ）に示すように４種類旋盤で加工した。

次に、第１表に示す条件で、第２０図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってａ−Ｓｉ系電子写真用光受容部材
を作製した（試料Ｎｏ。

１０１〜１０４）。

なお、第１層は、ＧｅＨ４，ＳｉＨ４，Ｂ２Ｈ６／Ｈ２
の各ガスの流量を第２２図及び第３６図のようになるよ
うに、マスフロコントローラー２００７．２００８及び
２０１０をコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制
御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０ｐＬｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。試料Ｎ０１１０１−１０４のいずれ
の画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもの
であった。

実施例２ Ａ４Ｑ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍ
ｍ）を第２表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッチ、Ｄ
：深さ）に示すように４種類旋盤で加工した。

次に、第１表に示す条件で、第２０図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってａ−３ｉ系主電子写真用光受容材
を作製した（試料Ｎｏ。

２０１〜２０４）。

なお、第１層は、ＧｅＨ４，ＳｉＨ４゜Ｂ２Ｈ６／Ｈ２
の各ガスの流部を第２３図及び第３７図のようになるよ
うに、マスフロコントローラー２００７．２００８及び
２０１０をコンピューター（ＨＰＱ８４５Ｂ）により制
御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第３表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装Ｒ（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポット径８０Ｉｔ、ｍ）で画像露光を行ない、それを
現像、転写して画像を得た。試料Ｎｏ、２０１〜２０４
のいずれの画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十
分なものであった。

実施例３ ＡＭ支持体（長さく　Ｌ　）　３５７　ｍ　ｍ　＋径（
ｒ）８０ｍｍ）を第５表に示す条件で、第２１図（Ｐ：
ピッチ、Ｄ：深さ）に示すように４種類旋盤で加工した
。

次に、第１表に示す条件で、第２０図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってａ−３ｉ系電子写真用光受容部材
を作製した（試料Ｎｏ。

３０１〜３０４）。

なお、第１層は、ＧｅＨ４，Ｓ　ｔＨ４゜Ｂ２Ｈ８／Ｈ
２の各ガスの流量を第２４図及び第３８図のようになる
ように、マスフロコンＩ・ローラー２００７．２００８
及び２０１０をコンピューター（ＨＰ９Ｂ４５Ｂ）によ
り制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第５表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポット径８０μｍ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。試料Ｎｏ、３０１〜３０４のい
ずれの画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分な
ものであった。

実施例４ ＡＭ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第２表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッチ、Ｄ：
深さ）に示すように４種類旋盤で加工した。

次に、第１表に示す条件で、第２０図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってａ−３ｉ系電子写真用光受容部材
を作製した（試料Ｎｏ。

４０１〜４０４）。

なお、第１層は、ＧｅＨ４，ＳｉＨ４゜Ｂ２Ｈ６／Ｈ２
の各ガスの流量を第２５図及び第３９図のようになるよ
うに、マスフロコントローラー２００７．２００８及び
２０１０をコンピューター（）ｌＦ９８４５Ｂ）により
制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第６表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０ｇｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。試料Ｎｏ、４０１〜４０４のいずれの
画像にも干渉縞模様はｉ５１測されず、実用に十分なも
のであった。

実施例５ Ａｎ支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、径（ｒ）８
０ｍｍ）を第２表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッチ
、Ｄ：深さ）に示すように４種類旋盤で加工した。

次に、第７表に示す条件で、第２０図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってａ−３ｉ系電子写真用光受容部材
を作製した（試料Ｎｏ。

５０１〜５０４）。

尚、第１層及びＡ層は、ＧｅＨ４、Ｓ　ｉＨ４。

Ｂ　２　Ｈ６／Ｈ２の各ガスの流量を第４０図のように
なるように、マスフロコントローラー２００７．２００
８及び２０１０をコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）に
より制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第８表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０　ｐｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。画像には干渉縞模様は観測されず、
実用に十分なものであった・ 実施例６ Ａｎ支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、径（ｒ）８
０ｍｍ）を第１０表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッ
チ、Ｄ：深さ）に示すように４種類旋盤で加工した。

次に、第９表に示す条件で、第２０図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってａ−３ｉ系電子写真用光受容部材
を作製した（試料Ｎｏ。

６０１〜６０４）。

尚、第１層及びＡ層は、ＧｅＨ４，ＳｉＨ４゜Ｂ　２　
Ｈｓ／Ｈ２の各ガスの流量を第４１図のようになるよう
に、マスフロコントローラー２００７．２００８及び２
０１０をコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御
した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１０表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポット径８０ｇｍ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。画像には干渉縞模様は観測され
ず、実用に十分なものであった。

実施例７ Ａｎ支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、径（ｒ）８
０ｍｍ）を第１２表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッ
チ、Ｄ：深さ）に示すように４種類旋盤で加工した。

次に、第１１表に示す条件で、第２０図の膜堆積装置で
種々の操作手順に従ってａ−３ｉ系電子写真用光受容部
材を作製した（試料Ｎｏ。

７０１〜７０４）。

尚、第１層及びＡ層は、ＧｅＨ４，Ｓ　ｉＨ４゜Ｂ２Ｈ
６／Ｈ２の各ガスの流量を第４２図のようになるように
、マスフロコントローラー２００７．２００８及び２０
１０をコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御し
た。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１２表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径ｇｏｐｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。試料Ｎｏ、２０１〜２０４のいずれの
画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例８ 実施例１において使用したＮｏガスをＮＨ３ガスに変え
た以外は実施例１と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓｉ
系電子写真用光受容部材を作成した。（資料Ｎｏ、８０
１〜８０４）これらの電子写真用光受容部材について第
２６図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　
ｎｍ　、スポット径８０ＪＬｍ）で画像露光干渉ｌａ模
様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例９ 実施例１において使用したＮｏガスをＣＨ４ガスに変え
た以外は実施例１と同様の条件と手順これらの電子写真
用光受容部材について第２６図に示す画像露光装置（レ
ーザー光の波長７８０ｎｍ、スポット径８０ルｍ）で画
像露光干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであ
った。

実施例１０ 実施例３において使用したＮＨ３ガスをＮｏガスに変え
た以外は実施例３と同様の条件と手順これらの電子写真
用光受容部材について第２６図に示す画像露光装置（レ
ーザー光の波長７８０ｎｍ、スポット径８０ｐｍ）で画
像露光にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもの
であった。

実施例１１ 実施例３に於いて使用したＮＨ３ガスをＣＨ４ガスに変
えた以外は実施例３と同様の条件と手これらの電子写真
用光受容部材について第２６図に示す画像露光装置（レ
ーザー光の波長７８０ｎｍ、スポット径８０７ｐｍ）で
画像露光にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なも
のであった。

実施例１２ 実施例５において使用したＣＨ４ガスをＮｏガスに変え
た以外は実施例５と同様の条件と手順これらの電子写真
用光受容部材について第２６図に示す画像露光装置（レ
ーザー光の波長７８０ｎｍ、スポット径８０ｇｍ）で画
像露光にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもの
であった。

実施例１３ 実施例５において使用したＣＨ４ガスをＮＨ３ガスに変
えた以外は実施例５と同様の条件と手これらの電子写真
用光受容部材について第２６図に示す画像露光装置（レ
ーザー光の波長７８０ｎｍ、スポット径８０ｐｍ）で画
像露光にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもの
であった。

実施例１４ ＡｆＬ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍ
ｍ）を第１４表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッチ、
Ｄ＝深　さ）に示すように旋盤で加工した。

次に、第１３表に示す条件で、第２０図の堆積装置で種
々の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した
（試料Ｎｏ、１４０１〜１４０４）。

なお、Ｓ　ｉＨ４、ＧｅＨ４，Ｂ２Ｈ６／Ｈ２よウニな
るように、各々Ｓ　ｉＨ４、ＧｅＨ４。

Ｂ２Ｈ６／Ｈ２およびＮＨ３のマスフロコントローラー
２００７．２００８．２０１０　。

２００９をコンピュータ（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御
して形成した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１４表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装Ｍ（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０ルｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。画像には干渉縞模様は観測されず、実
用に十分なものであった。

実施例１５ 実施例１４に於て使用したＮＨ３ガスをＮ。

ガスに変えた以外は実施例１４と同様の条件と手順に従
ってａ−Ｓｉ系電子写真用光受部材を作製した（試料Ｎ
ｏ、１５０１〜１５０４）。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画ｆ＃、露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、ス
ポット径８０μｍ）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

試料Ｎｏ、１５０１〜１５０４（７）いずれの画像にも
干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例１６ 実施例１４に於て使用したＮＨ３ガスをＣＨ４ガスに変
えた以外は実施例１４と同様の条件と手順に従ってａ−
Ｓｉ系電子写真用光受部材を作製した（試料Ｎｏ、１６
０１〜１６０４）。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０　ｇｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

試料Ｎｏ、１６０１〜１６０４のいずれの画像にも干渉
縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例１７ ＡＪＩ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍ
ｍ）を第１６表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッチ、
Ｄ＝深さ）に示すように旋盤で加工した。

次に、第１５表に示す条件で、第２０図の堆積装置で種
々の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した
。（試料Ｎｏ、１７０１〜なお、ＳｉＨ４，ＧｅＨ４，
Ｂ２Ｈｅ／Ｈ２うになるように、各々５ｉＨ４，ＧｅＨ
４゜Ｂ　２　Ｈ６／Ｈ２およびＣＨ４のマスフロコント
ローラー２００７．２００８，２０１０゜２００９をコ
ンピュータ（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御して形成した
。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１６表の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第２６図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　
、スポット径８０　ｇｍ）で画像露光を行ない、それを
現像、転写して画像を得た。画像には干渉縞模様は観察
されず、実用に十分なものであった。

実施例１８ 実施例１７に於て使用したＣＨ４ガスをＮ。

ガスに変えた以外は実施例１７と同様の条件と手順に従
ってａ−Ｓｉ系電子写真用光受部材を作製した（試料Ｎ
ｏ、１８０１〜１８０４）。

このようにして作成した電子写真用光受容部材について
、第２６図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｎｍ、スポット径８０μｍ）で画像露光を行ない、そ
れを現像、転写して画像を得た。試料Ｎｏ、１８０１〜
１８０４のいずれの画像にも干渉縞模様は観測されず、
実用に十分なものであった。

実施例１９ 実施例１７に於て使用したＣＨ４ガスをＮＨ３ガスに変
えた以外は実施例１７と同様の条件と手順に従ってａ−
Ｓｉ系電子写真用光受部材を作製した（試料Ｎｏ、１９
０１−１９０４）。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０Ｉｉ、ｍ）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

試料Ｎ　ｏ、、　１９０１〜１９０４のいずれの画像に
も干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった
。

実施例２０ ＡＭ支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、径（ｒ）８
０ｍｍ）を第１８表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッ
チ、Ｄ＝深さ）に示すように旋盤で加工した。

次に、第１７表に示す条件で、第２０図の堆積装置で種
々の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した
（試料Ｎｏ、２００１〜２００４）。

なお、ＳｉＨ４，ＧｅＨ４，Ｂ２Ｈ６／Ｈ２るように、
各々５ｉＨ４，ＧｅＨ４，Ｂ２Ｈｅ／Ｈ２およびＮＯの
マスフロコントローラー２００７．２００８，２０１０
．２００９をコンピュータ（ＨＰ　９８４５　Ｂ）によ
り制御して形成した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１８表の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第２６図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　
、スポット径８０ｇｍ）で画像露光を行ない、それを現
像、転写して画像を得た。画像には干渉縞模様は観察さ
れず、実用に十分なものであった。

実施例２１ 実施例２０に於て使用したＮｏガスをＮＨ３ガスに変え
た以外は実施例２０と同様の条件と手順に従ってａ−３
ｔ系電子写真用光先受材を作製した（試料Ｎｏ、２１０
１〜２１０４）。

このようにして作成した電子写真用光受容部材について
、第２６図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０　ｎ　ｍ　、スポット径８０ｊＬｍ）で画像露光を行
ない、それを現像、転写して画像を得た。

試料Ｎｏ、２１０１〜２１０４ｃ７）いずれの画像にも
干渉縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例２２ 実施例２０に於て使用したＮｏガスをＣＨ４ガスに変え
た以外は実施例２０と同様の条件と手順に従ってａ−３
ｉ系電子写真用光先受材を作製した（試料Ｎｏ、２２０
１〜２２０４）。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポット径８０ｐＬｍ）で画像露光を行ない、それを現
像、転写して画像を得た。

試料Ｎｏ、２２０１〜２２０４のいずれの画像にも干渉
縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例２３ Ａｎ支持体（長さく　Ｌ　）　３５７　ｍ　ｍ　、　Ｂ
　（ｒ　）８０ｍｍ）を第２０表に示す条件で、第２１
図（Ｐ：ピッチ、Ｄ：深さ）に示すように旋盤で加工し
た。

次に、第１９表に示す条件で、第２０図の堆積装置で種
々の操作手順に従って電子写真用ｉｏ。

光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、２３０１〜２３０４
）。

なお、Ｓ　ｉＨ４、ＧｅＨ４、Ｂ２Ｈ６／Ｈ２なるよう
に、各々Ｓ　ｉＨ４，ＧｅＨ４、Ｂ２Ｈ６／Ｈ２および
ＮＨ３のマスフロコントローラー２００７．２００８，
２０１０．２００９をコンピュータ（ＨＰ９８４５Ｂ）
によりルＩ御して形成した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２０表の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第２６図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　
、スポット径８０　Ｉｉ、ｍ）で画像露光を行ない、そ
れを現像、転写して画像を得た。画像には干渉縞模様は
観察されず、実用に十分なものであった。

実施例２４ 実施例２３に於て使用したＮＨ３ガスをＮ。

ガスに変えた以外は実施例２３と同様の条件と手順に従
ってａ−３ｉ系電子写真用光先受材を作製した（試料Ｎ
ｏ、２４０１〜２４０４）。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０ｇｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。

試料Ｎｏ、２４０１〜２４０４のいずれの画像にも干渉
縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例２５ 実施例２３に於て使用したＮＨ３ガスをＣＨ４ガスに変
えた以外は実施例２３と同様の条件と手順に従ってａ−
５ｉ系電子写真用光先受材を作製した（試料Ｎｏ、２５
０１〜２５０４）。

このようにして作成した電子写真用光受容部材について
、第２６図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｎｍ、スポット径８０＃Ｌｍ）で画像露光を行ない、
それを現像、転写して画像を得た。

試料Ｎｏ、２５０１〜２５０４のいずれの画像にも干渉
縞模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例２６ 実施例１から実施例２５までについて、Ｂ２で３０００
ｖｏｌ　　ｐｐｍに稀釈したＢ２Ｈ６ガスノりにＢ２で
３０００ｖｏｌ　　ｐ　　ｐ　ｍに稀釈したＰＨ３ガス
を使用して、電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、２６０１〜２７００） なお、他の作成条件は、実施例１から実施例２５までと
同様にした。

これらの電子写真用の光受容部材について、第２６図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０ｐｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。画像には干渉縞模様は観察されず、
実用に十分なものであった。

第　　２　　表 第３表 第　　５　　表 第　　６　　表

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は光受容部材の
各層の界面が非平行な場合に干渉縞が現われないことの
説明図である。 第７図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、光受容部材の各層の
界面が平行である場合と非平行である場合の反射光強度
の比較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ代表的な支持
体の表面状態の説明図である。 第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。 第１１図から第１９図は、第１の層におけるゲルマニウ
ム原子の分布状態を説明する為の説明図である。 第２０図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である。 第２１図は、実施例で用いたＡｎ支持体の表面状態の説
明図である。 第２２図から第２５図ｙ及び第３６図から第４２図及び
第５２図〜５９図曇は、実施例におけるガス流量の変化
を示す説明図である。 第２６図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。 第２７図から第３５図は、層領域（ＰＮ）に於ける物質
（Ｃ）の分布状態を説明する為の説明図である。 第４３図から第５１図は、層領域（ＯＣＮ）中の原子（
０，Ｃ，Ｎ）の分布状態を説明するための説明図である
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質
   材料で構成された第１の層と、シリコン原子を含む非晶
   質材料で構成され、光導電性を示す第２の層とが支持体
   側より順に設けられた多層構成の光受容層を有する光受
   容部材に於いて、前記第１の層中に於けるゲルマニウム
   原子の分布状態が層厚方向に不均一であり、且つ前記第
   １の層及び前記第２の層の少なくとも一方に伝導性を支
   配する物質が含有され、該物質が含有されている層領域
   に於いて、該物質の分布状態が層厚方向に不均一である
   と共に、前記光受容層は、酸素原子、炭素原子、窒素原
   子の中から選択される少なくとも一種を含有し、且つシ
   ョートレンジ内に１対以上の非平行な界面を有し、該非
   平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向
   に多数配列している事を特徴とする光受容部材。 （２）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
   の中から選択される少なくとも一種を、層厚方向には均
   一な状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の光受
   容部材。 （３）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
   の中から選択される少なくとも一種を、層厚方向には不
   均一な状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の光
   受容部材。 （４）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （５）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （６）前記ショートレンジが０．３〜５００μである特
   許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。（７）前記非
   平行な界面は前記支持体の表面に設けられた規則的に配
   列している凹凸に基づいて形成されている特許請求の範
   囲第１項に記載の光受容部材。 （８）前記凹凸が逆Ｖ字形線状突起によって形成されて
   いる特許請求の範囲第７項に記載の光受容部材。 （９）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に二
   等辺三角形である特許請求の範囲第８項に記載の光受容
   部材。 （１０）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に
   直角三角形である特許請求の範囲第８項に記載の光受容
   部材。 （１１）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に
   不等辺三角形である特許請求の範囲第８項に記載の光受
   容部材。 （１２）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１
   項に記載の光受容部材。 （１３）逆Ｖ字形線状突起が前記支持体の面内に於いて
   螺線構造を有する特許請求の範囲第１２項に記載の光受
   容部材。 （１４）前記螺線構造が多重螺線構造である特許請求の
   範囲第１３項に記載の光受容部材。（１５）前記逆Ｖ字
   形線状突起がその稜線方向に於いて区分されている特許
   請求の範囲第８項に記載の光受容部材。 （１６）前記逆Ｖ字形線状突起の稜線方向が円筒状支持
   体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第１２項に記載
   の光受容部材。 （１７）前記凹凸は傾斜面を有する特許請求の範囲第７
   項に記載の光受容部材。 （１８）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
   範囲第１７項に記載の光受容部材。（１９）光受容層の
   自由表面には、支持体表面に設けられた凹凸と同一のピ
   ッチで配列された凹凸が形成されている特許請求の範囲
   第７項に記載の光受容部材。