JPS60247693A - 薄膜ｅｌ表示装置の駆動方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ表示装置の駆動方法Info
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- JPS60247693A JPS60247693A JP59105375A JP10537584A JPS60247693A JP S60247693 A JPS60247693 A JP S60247693A JP 59105375 A JP59105375 A JP 59105375A JP 10537584 A JP10537584 A JP 10537584A JP S60247693 A JPS60247693 A JP S60247693A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
この発明は薄膜ＥＬ表示装置の駆動方法に関する。
〈発明の背景〉 −
現在マ） ＩＪフックス造を有する薄膜ＥＬ表示装置の
駆動は線順次方式を採用しており、フレーム周波数の上
限はある程度走査側電極数で制限される。最近のＥＬ表
示装置の大表示容量化に伴い走査側電極数が多くなった
ことで、フレーム周波数の低下が避けられない状況とな
っている。
駆動は線順次方式を採用しており、フレーム周波数の上
限はある程度走査側電極数で制限される。最近のＥＬ表
示装置の大表示容量化に伴い走査側電極数が多くなった
ことで、フレーム周波数の低下が避けられない状況とな
っている。
薄膜ＥＬ表示装置の基本的な構造を第２図に示す。図に
おいて、４は薄膜ＥＬ表示装置の発光層となるＺｎＳ層
で、発光中心を形成する活性物質としてＭｎ等を添加し
である。３および５はＳ ｉ ３ Ｎ４ ＋’ Ｓ ｉ
０２ 、’Ａ ｌ ２０３等の誘電体層、２は表示側
に設けたＩ；Ｔ、０− （Ｉｎｓｉｕｍ Ｔｉｎ０ｘｉ
ｄｅ）等の透明電極、６はＡ１等の背面電極である。さ
らに、１はガラス基板である。
おいて、４は薄膜ＥＬ表示装置の発光層となるＺｎＳ層
で、発光中心を形成する活性物質としてＭｎ等を添加し
である。３および５はＳ ｉ ３ Ｎ４ ＋’ Ｓ ｉ
０２ 、’Ａ ｌ ２０３等の誘電体層、２は表示側
に設けたＩ；Ｔ、０− （Ｉｎｓｉｕｍ Ｔｉｎ０ｘｉ
ｄｅ）等の透明電極、６はＡ１等の背面電極である。さ
らに、１はガラス基板である。
この様な構造を有する薄膜ＥＩ、表示装置に適当な交流
パルス電圧７を印加するとＥＬ発光を行なうが、第３図
に示すように１サイクル当り２回の断続的な発光が得ら
れる（ｆ：周波数）。たとえば、６０ Ｈｚ交流パルス
に対しては１２０Ｈｚの発光が得られる。この２回の発
光は、素子構造が発光層に対して完全対称でない等の理
由により、それぞれの発光量が異なっており、最大数十
％の差が生じる。
パルス電圧７を印加するとＥＬ発光を行なうが、第３図
に示すように１サイクル当り２回の断続的な発光が得ら
れる（ｆ：周波数）。たとえば、６０ Ｈｚ交流パルス
に対しては１２０Ｈｚの発光が得られる。この２回の発
光は、素子構造が発光層に対して完全対称でない等の理
由により、それぞれの発光量が異なっており、最大数十
％の差が生じる。
人間の視覚は、断続的な発光体に対し、その周波数が特
定の値より低いと７リツカーとして感じる。この限界は
、個人差、発光波形により異なるが、４０〜５０Ｈｚと
言われる。薄膜ＥＬ表示装置の場合、印加交流パルスが
３０）（ｚであっても発光パルスは６０Ｈｚになるので
、通常フリッカ−は感じないはずであるが、１サイクル
２回の発光量が全く同等でないため、人間の視覚には３
０Ｈｚのフリッカ−を感じる事になる。これは薄膜ＥＬ
表示装置の表示品質を著しく損なうものである。
定の値より低いと７リツカーとして感じる。この限界は
、個人差、発光波形により異なるが、４０〜５０Ｈｚと
言われる。薄膜ＥＬ表示装置の場合、印加交流パルスが
３０）（ｚであっても発光パルスは６０Ｈｚになるので
、通常フリッカ−は感じないはずであるが、１サイクル
２回の発光量が全く同等でないため、人間の視覚には３
０Ｈｚのフリッカ−を感じる事になる。これは薄膜ＥＬ
表示装置の表示品質を著しく損なうものである。
〈発明の目的〉
本発明はこのような問題に関して有効な手段を与えるも
ので、発光量に差のある２種類の発光パルスを、近接す
る電極間で、はぼ同時（１／６０ ＝１６．７ｍｓ ｅ
ｃ以内）に発光させることにより、視覚に対しては異
種発光パルスの平均発光量を感じさせるようにして、フ
リッカ−を感じなくする方法を提供するものである。
ので、発光量に差のある２種類の発光パルスを、近接す
る電極間で、はぼ同時（１／６０ ＝１６．７ｍｓ ｅ
ｃ以内）に発光させることにより、視覚に対しては異
種発光パルスの平均発光量を感じさせるようにして、フ
リッカ−を感じなくする方法を提供するものである。
〈発明の構成〉
ＥＬ発光層を挾んで対向する２電極の複数組を設けた薄
膜ＥＬ表示装置を駆動するにあたって、対向する電極の
交点（絵素）に印加される交流パルスの極性が、隣り合
う或いは近傍の絵素間で、同時またけ近接した時間内に
互いに逆極性になるように印加することにより、発光の
チラッキを視覚的になくすることを特徴とするものであ
る。
膜ＥＬ表示装置を駆動するにあたって、対向する電極の
交点（絵素）に印加される交流パルスの極性が、隣り合
う或いは近傍の絵素間で、同時またけ近接した時間内に
互いに逆極性になるように印加することにより、発光の
チラッキを視覚的になくすることを特徴とするものであ
る。
〈発明の概要〉
第４図は薄膜ＥＬ表示装置の電極構成を示す図である。
発光層、絶縁層から成る三層を挾むように、それぞれ平
行電極群Ｘｏ 、 Ｘｌ ・・Ｘｍ（Ｘ電極）及びＹｏ
、Ｙｔ・・・Ｙｎ（Ｘ電極）が設けである。このＸ電極
、Ｘ電極はＥＬ層を挾んで互いに直交するように配置さ
れていて、各電極の交点が１発光点（絵素）を構成して
いる。
行電極群Ｘｏ 、 Ｘｌ ・・Ｘｍ（Ｘ電極）及びＹｏ
、Ｙｔ・・・Ｙｎ（Ｘ電極）が設けである。このＸ電極
、Ｘ電極はＥＬ層を挾んで互いに直交するように配置さ
れていて、各電極の交点が１発光点（絵素）を構成して
いる。
第５図は、同図に示すパルス電圧を、それぞれＸ電極、
Ｘ電極に印加した場合に、絵素にかかる電圧パルス波形
（印加波形）と発光波形を示すタイムチャートである。
Ｘ電極に印加した場合に、絵素にかかる電圧パルス波形
（印加波形）と発光波形を示すタイムチャートである。
図の様に、Ｘ電極から見たＸ電極の極性が正と負で、発
光パルスの発光量が異なっている。それぞれの発光量を
Ｂ＋ 、Ｂ−とすると、発光量の差の比γは、 る。
光パルスの発光量が異なっている。それぞれの発光量を
Ｂ＋ 、Ｂ−とすると、発光量の差の比γは、 る。
この状態でも交流周波数が高い場合、たとえば印加電圧
パルスが６０Ｈｚ以上では全くフリッカ−を感じないが
、低い周波数たとえば３０Ｈｚの電圧パルスに対しては
、発光量の差が５％以上になると、はとんどの人がフリ
ッカ−を感じる。
パルスが６０Ｈｚ以上では全くフリッカ−を感じないが
、低い周波数たとえば３０Ｈｚの電圧パルスに対しては
、発光量の差が５％以上になると、はとんどの人がフリ
ッカ−を感じる。
本発明はこの様な場合にフリッカ−を感じない様にする
もので、第６図及び第１図に駆動方法を示す。
もので、第６図及び第１図に駆動方法を示す。
第１図は、隣り合った電極Ｙｊ、Ｙｊ＋、上の絵素に印
加される交流パルス電圧波形、および発光波形を示すタ
イム・チャートである。図に示す様に、Ｙｊ−ライン上
の絵素にかかるパルスは、Ｙｊ＋１ライン上の絵素にか
かるパルスに対して逆極性になっており、かつ、それら
のパルスの印加タイミング時間差Δｔが１６．７ｍ５ｅ
ｃ以内になっていることが特徴である。
加される交流パルス電圧波形、および発光波形を示すタ
イム・チャートである。図に示す様に、Ｙｊ−ライン上
の絵素にかかるパルスは、Ｙｊ＋１ライン上の絵素にか
かるパルスに対して逆極性になっており、かつ、それら
のパルスの印加タイミング時間差Δｔが１６．７ｍ５ｅ
ｃ以内になっていることが特徴である。
上記の方法で全面駆動したＥＬ表示装置の発光は、ある
時刻ｔに電極Ｙｊ上の絵素から発せられた光Ｂ＋と、こ
れよりｊｔ後のｔ十ΔＬに電極Ｙｊ＋１上の絵素から発
せられた光Ｂ−とが、視覚 ′より、ＥＬ表示装置に発
光の非対称性が存在しても知覚的になくすることが可能
となり、フリッカ−が防止できる。
時刻ｔに電極Ｙｊ上の絵素から発せられた光Ｂ＋と、こ
れよりｊｔ後のｔ十ΔＬに電極Ｙｊ＋１上の絵素から発
せられた光Ｂ−とが、視覚 ′より、ＥＬ表示装置に発
光の非対称性が存在しても知覚的になくすることが可能
となり、フリッカ−が防止できる。
本発明が特に有効なの、は、フレーム周波数が５０ Ｈ
ｚ以下の駆動に対し、ＥＬ表示装置の発光波形が、印加
電圧の極性により発光量が等しくない場合であるが、５
０ Ｈｚ以下の駆動に対しても、表示品質を向上させる
効果は有る。
ｚ以下の駆動に対し、ＥＬ表示装置の発光波形が、印加
電圧の極性により発光量が等しくない場合であるが、５
０ Ｈｚ以下の駆動に対しても、表示品質を向上させる
効果は有る。
なお、以上に説明した方法に於ては、逆極性のパルスを
隣り合った電極間に印加しているが、２〜３ライン置き
に逆極性のパルスを印加するようにしても同様の効果は
得られる。
隣り合った電極間に印加しているが、２〜３ライン置き
に逆極性のパルスを印加するようにしても同様の効果は
得られる。
く駆動回路構成例〉
以下、具体的駆動回路構成例を説明する。
第７図は、本発明に係る駆動回路構成例を示す回路構成
図である。
図である。
１０は薄膜ＥＬ表示装置を示し、この図ではＸ方向電極
をデータ側電極とし、Ｙ方向電極を走査側電極として電
極のみを示している。２０．３０は、Ｙ方向電極の奇数
ラインと偶数ラインにそれぞれ対応する走査側Ｎ−ｃｈ
高耐圧ＭＯ８ＩＣで、２１．３１は各ＩＣ中のシフトレ
ジスタ等の論理回路である。４０．５０は同走査側ｐ−
ｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣで、４１．５１は各ＩＣ中のシフ
トレジスタ等の論理回路である。６０はデータ側Ｎ −
ｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣで、６１はＩＣ中ノシフトレジス
タ等の論理回路である。７０はデータ側のダイオードア
レイを示し、これはデータ側駆動線の分離及びスイッチ
ング素子の逆バイアス保護をする。８０は予備充電駆動
回路、９０は引き上げ充電駆動回路、１００は書込み駆
動回路である。
をデータ側電極とし、Ｙ方向電極を走査側電極として電
極のみを示している。２０．３０は、Ｙ方向電極の奇数
ラインと偶数ラインにそれぞれ対応する走査側Ｎ−ｃｈ
高耐圧ＭＯ８ＩＣで、２１．３１は各ＩＣ中のシフトレ
ジスタ等の論理回路である。４０．５０は同走査側ｐ−
ｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣで、４１．５１は各ＩＣ中のシフ
トレジスタ等の論理回路である。６０はデータ側Ｎ −
ｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣで、６１はＩＣ中ノシフトレジス
タ等の論理回路である。７０はデータ側のダイオードア
レイを示し、これはデータ側駆動線の分離及びスイッチ
ング素子の逆バイアス保護をする。８０は予備充電駆動
回路、９０は引き上げ充電駆動回路、１００は書込み駆
動回路である。
また、１１０は走査側Ｎ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ２０及
び３０のソース電位切換え回路で、通常はアース電位に
保たれる。
び３０のソース電位切換え回路で、通常はアース電位に
保たれる。
第８図に各高耐圧ＭＯ８）ランジスタ及び各駆動回路、
さらに電位切換え回路のオン・オフタイミング、第９図
に第７図中の絵素Ａ、Ｂを代表例とする印加電圧波形及
び発光波形を示す。
さらに電位切換え回路のオン・オフタイミング、第９図
に第７図中の絵素Ａ、Ｂを代表例とする印加電圧波形及
び発光波形を示す。
以下、第８図と第９図を参照して本案駆動装置の動作を
説明する。なお、ここでは、線順次駆動で、絵素Ａを含
むＹｌと絵素Ｂを含むＹ２の走査側電極が選択されるも
のとする。また、後述のように、１ライン毎に絵素に印
加される電圧の極性を反転して駆動されるが、奇数ライ
ン上の絵素に正の書込みパルスを印加するフィールドを
Ｎ−Ｐフィールド、偶数ライン上の絵素に正の書込みパ
ルスを印加するフィールドをＰ−Ｎフィールドと呼ぶ。
説明する。なお、ここでは、線順次駆動で、絵素Ａを含
むＹｌと絵素Ｂを含むＹ２の走査側電極が選択されるも
のとする。また、後述のように、１ライン毎に絵素に印
加される電圧の極性を反転して駆動されるが、奇数ライ
ン上の絵素に正の書込みパルスを印加するフィールドを
Ｎ−Ｐフィールド、偶数ライン上の絵素に正の書込みパ
ルスを印加するフィールドをＰ−Ｎフィールドと呼ぶ。
Ｎ−Ｐ フィールド
（Ａ）１ず、絵素Ａを含む１ライン目（奇数ライン）の
駆動から説明する。
駆動から説明する。
°第１段階Ｔｌ ：予備充電期間（奇数ライン）まず、
ソース電位切り換え回路１１０をアース電位にして、走
査側Ｎ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ２０，３０中のすべての
ＭＯＳ）ランジスタＮＴＩ〜ＮＴｉ をオン状態にする
。同時に、予備充電駆動回路８０（電圧１／２ＶＭ＝３
０ｖ＞をオン状態にし、データ側ダイオードアレイ７０
を介してパネル全面を充電する。この時、データ側Ｎ−
ａｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ６０内の全ＭＯＳトランジスタＮ
ｔ、〜Ｎｔｊ及び走査側Ｐ−ａｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ４０
，５０内の全ＭＯ８）ランシタＰＴ＋−ＰＴｉはすべて
オフ状態に保たれる。
ソース電位切り換え回路１１０をアース電位にして、走
査側Ｎ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ２０，３０中のすべての
ＭＯＳ）ランジスタＮＴＩ〜ＮＴｉ をオン状態にする
。同時に、予備充電駆動回路８０（電圧１／２ＶＭ＝３
０ｖ＞をオン状態にし、データ側ダイオードアレイ７０
を介してパネル全面を充電する。この時、データ側Ｎ−
ａｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ６０内の全ＭＯＳトランジスタＮ
ｔ、〜Ｎｔｊ及び走査側Ｐ−ａｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ４０
，５０内の全ＭＯ８）ランシタＰＴ＋−ＰＴｉはすべて
オフ状態に保たれる。
第２段階Ｔｌ ：放電／引上げ充電期間（奇数ライン）
次に、走査側Ｎ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ２０，３０内の
全ＭＯ８）ランジスタＮ Ｔ ｓ 〜ＮＴｉ をオフ状
態にして、かつデータ側Ｎ−ａｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ６０
内の選択されたデータ側駆動電極（例えばＸ２）に接続
されたＭＯＳ）ランジスタ（Ｎｔｚ）のみオフ状態のま
まにし、他のデーター４１！ｌｌ駆動電極に接続された
ＭＯＳ、）ランジスタＮｔｘ、ＮＬａ〜Ｎｔｊをオン状
態に切換える。また同時に、走査側Ｐ−ａｈ高耐圧ＭＯ
８ＩＣ４０。
全ＭＯ８）ランジスタＮ Ｔ ｓ 〜ＮＴｉ をオフ状
態にして、かつデータ側Ｎ−ａｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ６０
内の選択されたデータ側駆動電極（例えばＸ２）に接続
されたＭＯＳ）ランジスタ（Ｎｔｚ）のみオフ状態のま
まにし、他のデーター４１！ｌｌ駆動電極に接続された
ＭＯＳ、）ランジスタＮｔｘ、ＮＬａ〜Ｎｔｊをオン状
態に切換える。また同時に、走査側Ｐ−ａｈ高耐圧ＭＯ
８ＩＣ４０。
５０内の全ＭＯ８）ランジスタＰＴ１〜ＰＴｉをオン状
態にする。データ側の非選択電極（Ｘｊ〜２）の電荷は
、オン状態のデータ側Ｎ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ６０内
のＭＯＳ）ランジスタＮ ｔ ｌ−Ｎ ｔ ｊ（Ｎ ｔ
２をのぞく）と、走査側Ｐ−ａｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ４
０，，５０内の全ＭＯＳトランジスタＰＴ１〜ＰＴｉ及
び書込み駆動回路−１００内のダイオード１０１による
接地ループ形成で放電する。
態にする。データ側の非選択電極（Ｘｊ〜２）の電荷は
、オン状態のデータ側Ｎ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ６０内
のＭＯＳ）ランジスタＮ ｔ ｌ−Ｎ ｔ ｊ（Ｎ ｔ
２をのぞく）と、走査側Ｐ−ａｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ４
０，，５０内の全ＭＯＳトランジスタＰＴ１〜ＰＴｉ及
び書込み駆動回路−１００内のダイオード１０１による
接地ループ形成で放電する。
その後、引上げ充電駆動回路９０（電圧１／２ＶＭ＝３
０Ｖ）をオン状態として、走査側電極ラスへて３０ｖの
電位に引上げる。この時、走査側Ｎ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８
ＩＣ２０，３０内の全ＭＯ８）ランジスタＮ Ｔ ｔ
〜ＮＴｉ はオフ状態にしておく。この結果、走査側電
極（Ｙ）を中心に考えると、選択されたデータ側電極（
Ｘ２）は＋３０Ｖ、非選択データ側電極（Ｘｊ〜２）は
−＞ＯＶの状態にある。
０Ｖ）をオン状態として、走査側電極ラスへて３０ｖの
電位に引上げる。この時、走査側Ｎ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８
ＩＣ２０，３０内の全ＭＯ８）ランジスタＮ Ｔ ｔ
〜ＮＴｉ はオフ状態にしておく。この結果、走査側電
極（Ｙ）を中心に考えると、選択されたデータ側電極（
Ｘ２）は＋３０Ｖ、非選択データ側電極（Ｘｊ〜２）は
−＞ＯＶの状態にある。
第１段階Ｔｌ ：書込み駆動期間（奇数ライン）今、線
順次駆動で選択された走査側電極はＹｌであるので、走
査側Ｎ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ２０内のＹｌに接続され
たＭＯＳ）ランジスタＮＴｌのみをオン状態に切り換え
、また奇数ライン側のＰ−ｃ’ｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ４０
内の全ＭＯ８）ラツジスタＰＴ１〜ＰＴ１−１をオフ状
態にする。
順次駆動で選択された走査側電極はＹｌであるので、走
査側Ｎ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ２０内のＹｌに接続され
たＭＯＳ）ランジスタＮＴｌのみをオン状態に切り換え
、また奇数ライン側のＰ−ｃ’ｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ４０
内の全ＭＯ８）ラツジスタＰＴ１〜ＰＴ１−１をオフ状
態にする。
この時、対向する偶数ライン側のＰ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８
ＩＣ５０内の全ＭＯ８）ランジスタＰＴ２〜ＰＴｉはオ
ン状態にある。そして同時に、書込み駆動回路１００（
ここでは電圧ＶＷ＝１９０■）をオン状態にする事によ
り、偶数ライン側Ｐ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ５０内の全
ＭＯ８）ランジスタＰＴ２〜ＰＴｉを介してすべての偶
数番目走査側電極を１９０ｖに引き上げる。
ＩＣ５０内の全ＭＯ８）ランジスタＰＴ２〜ＰＴｉはオ
ン状態にある。そして同時に、書込み駆動回路１００（
ここでは電圧ＶＷ＝１９０■）をオン状態にする事によ
り、偶数ライン側Ｐ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ５０内の全
ＭＯ８）ランジスタＰＴ２〜ＰＴｉを介してすべての偶
数番目走査側電極を１９０ｖに引き上げる。
これによって容量結合の性質から、データ側選に引上げ
られる０ （Ｂ） 次に絵素Ｂを含む２ライン目（偶数ライン）の
駆動を説明する。
られる０ （Ｂ） 次に絵素Ｂを含む２ライン目（偶数ライン）の
駆動を説明する。
第４段階Ｔ４ ：予備充電期間（偶数ライン）この予備
充電期間は、Ｎ−Ｐフィールド第１段階と全く同様に行
う。
充電期間は、Ｎ−Ｐフィールド第１段階と全く同様に行
う。
第１段階Ｔｌ ：放電／引上げ充電期間（偶数ライン）
次に、走査側Ｎ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ２０。
３０内の全ＭＯ８）ランジスタＮ Ｔ １〜ＮＴｉをオ
フ状態にして、かつデータ側Ｎｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ６
０内では、選択されたデータ側駆動電極に接続されたＭ
ＯＳトランジスタ（例えばＮｔｚ）のみオン状態にし、
他のデータ側駆動電極に接続されたＭＯＳトランジスタ
Ｎ ｔ ｌ〜Ｎ ｔ ｊ（Ｎ ｔ ２を除く）をオフ状
態にする。また同時に、走査側Ｐ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８Ｉ
Ｃ４０。
フ状態にして、かつデータ側Ｎｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ６
０内では、選択されたデータ側駆動電極に接続されたＭ
ＯＳトランジスタ（例えばＮｔｚ）のみオン状態にし、
他のデータ側駆動電極に接続されたＭＯＳトランジスタ
Ｎ ｔ ｌ〜Ｎ ｔ ｊ（Ｎ ｔ ２を除く）をオフ状
態にする。また同時に、走査側Ｐ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８Ｉ
Ｃ４０。
５０内の全Ｍ’Ｏ８）ランジスタＰ Ｔ ＋〜ＰＴｉを
オン状態にする。データ側の選択電極の電荷は、オン状
態のデータ側Ｎ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ６０内のＭＯＳ
トランジスタＮ ｔ ２と走査側Ｐ−ａｈ高耐圧ＭＯ８
ＩＣ４０，５０内の全ＭＯＳトランジスタＰＴ１〜ＰＴ
ｉ 及び書込み駆動回路１００内のダイオード１０１に
よる接地ループ形成で放電する。
オン状態にする。データ側の選択電極の電荷は、オン状
態のデータ側Ｎ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ６０内のＭＯＳ
トランジスタＮ ｔ ２と走査側Ｐ−ａｈ高耐圧ＭＯ８
ＩＣ４０，５０内の全ＭＯＳトランジスタＰＴ１〜ＰＴ
ｉ 及び書込み駆動回路１００内のダイオード１０１に
よる接地ループ形成で放電する。
そして次に、引上げ充電駆動回路９０をオン状態にして
、走査側電極（Ｙ）をすべて１／２ＶＭ−’３０Ｖの電
位に引上げる。この時、走査側Ｎ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８Ｉ
Ｃ２０，３０内の全ＭＯＳトランジスタＮＴＩ〜ＮＴｉ
はオフ状態にしておく。この・結果、走査側電極（Ｙ）
を中心に考えると、選択されたデータ側電極（ｘ２）は
−３０Ｖ、非選択電極（Ｘｊ師２）は＋３０Ｖとなる。
、走査側電極（Ｙ）をすべて１／２ＶＭ−’３０Ｖの電
位に引上げる。この時、走査側Ｎ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８Ｉ
Ｃ２０，３０内の全ＭＯＳトランジスタＮＴＩ〜ＮＴｉ
はオフ状態にしておく。この・結果、走査側電極（Ｙ）
を中心に考えると、選択されたデータ側電極（ｘ２）は
−３０Ｖ、非選択電極（Ｘｊ師２）は＋３０Ｖとなる。
第１段階Ｔｌ ：書込み駆動期間（偶数ライン）選択さ
れた走査側電極がＹ２であるとすると、走査側Ｐ−ｃｈ
高耐圧ＩＣ５０内のＹ２に接続されたＭＯＳ）ランジス
タＰ”Ｔ２のみをオン状態のままとして、他をオフ状態
に切換える。また、偶数ライン側の走査側Ｎ−ｃｈ高耐
圧ＭＯ８ＩＣ３０内の全ＭＯ８）ランジスタＮ Ｔ ２
〜Ｎ Ｔ ｉをオフ状態に保ち、対向する奇数ライン側
の走トランジスタＮ Ｔ １〜ＮＴ、−１をオン状態に
切換える。そして、書込み駆動回路１００（電圧ＶＷ−
１９０ｖと１／２ＶＭ＝３０Ｖの和）ヲオン状態にして
、オン状態のＭＯＳ）ランジスタＰ Ｔ ２を介して走
査側電極Ｙ２に２２０ｖの電圧を供給する。一方、この
時ソース電位切換え回路１１０は１／２ＶＭ＝３０’ｖ
の電圧に切換えられ、奇数ライン側のＮ−ａｈ高耐圧Ｍ
Ｏ８ＩＣ２０内のソース電位を３０Ｖとして、奇数側の
走査側電極を＋３０Ｖに引下げる。これによって、容量
結合の性質から選択されたデータ側駆動電極Ｘ’２は一
２２０■に引下げられ、非選択のデータ側電極Ｘｊ４２
は一１６０■に引下げられる。
れた走査側電極がＹ２であるとすると、走査側Ｐ−ｃｈ
高耐圧ＩＣ５０内のＹ２に接続されたＭＯＳ）ランジス
タＰ”Ｔ２のみをオン状態のままとして、他をオフ状態
に切換える。また、偶数ライン側の走査側Ｎ−ｃｈ高耐
圧ＭＯ８ＩＣ３０内の全ＭＯ８）ランジスタＮ Ｔ ２
〜Ｎ Ｔ ｉをオフ状態に保ち、対向する奇数ライン側
の走トランジスタＮ Ｔ １〜ＮＴ、−１をオン状態に
切換える。そして、書込み駆動回路１００（電圧ＶＷ−
１９０ｖと１／２ＶＭ＝３０Ｖの和）ヲオン状態にして
、オン状態のＭＯＳ）ランジスタＰ Ｔ ２を介して走
査側電極Ｙ２に２２０ｖの電圧を供給する。一方、この
時ソース電位切換え回路１１０は１／２ＶＭ＝３０’ｖ
の電圧に切換えられ、奇数ライン側のＮ−ａｈ高耐圧Ｍ
Ｏ８ＩＣ２０内のソース電位を３０Ｖとして、奇数側の
走査側電極を＋３０Ｖに引下げる。これによって、容量
結合の性質から選択されたデータ側駆動電極Ｘ’２は一
２２０■に引下げられ、非選択のデータ側電極Ｘｊ４２
は一１６０■に引下げられる。
以上の第１段階Ｔｌから第１段階Ｔｌ迄を奇数ラインに
、第４段階Ｔ４から第１段階Ｔｌ迄を偶数ラインに順次
行なう事により、Ｎ−Ｐフィールドの駆動を完了する。
、第４段階Ｔ４から第１段階Ｔｌ迄を偶数ラインに順次
行なう事により、Ｎ−Ｐフィールドの駆動を完了する。
む１ライン目（奇数ライン）の駆動から行う。
第１段階Ｔ１″：予備充電期間（奇数ライン）この予備
充電期間は、Ｎ−Ｐフィールド第１段階と全く同様に行
う。
充電期間は、Ｎ−Ｐフィールド第１段階と全く同様に行
う。
第２膜
ライン）
この放電／引上げ充電期間は、Ｎ−Ｐフィールド第５段
階と全く同様に行う。
階と全く同様に行う。
第３段階Ｔ３′：書込み駆動期間（奇数ライン選択され
た走査側電極がＹｌであるとすると走査側Ｐ−ａｈ高耐
圧ＭＯ８ＩＣ４０内のＹｌに接続されたＭＯＳ）ランジ
スタＰＴ１のみをオン状態のままとして、他をオフ状態
に切換える１また奇数ライン側の走査側Ｎ−ａｈ高耐圧
ＭＯ８ＩＣ２０内の全ＭＯＳトランジスタＮ Ｔ ｌ
〜Ｎ’ｒｉ−１をオフ状態に保ち、対向する偶数ライン
側の走査側Ｎ−ａｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ３０ 内の全ＭＯ
８）ランジスタＮ Ｔ ２〜ＮＴｉ をオン状態に切換
える０そして書込み駆動回路１００（電圧ＶＷ＝ １
９ ０ Ｖと１／２ＶＭ＝３０Ｖの和）をオン状態にし
て、オン状態のＭＯＳ）ランジスタＰＴＩを介して走査
側電極￥１に２２０Ｖの電圧を供給する。一方、この時
ソース電位切換え回路１１０は１／２ＶＭ＝３０Ｖの電
圧に切換えられ、偶数ライン側のＮ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８
ＩＣ３ ０内のソース電位を３０Ｖとして、偶数側の走
査側電極を＋３０Ｖに引下げる。これによって、容量結
合の性質から選択されたデータ） 側駆動電極Ｘ２は一
２２０Ｖに引下げられ、非選択のデータ電極Ｘｊ１は一
１６０Ｖに引下げられる。
た走査側電極がＹｌであるとすると走査側Ｐ−ａｈ高耐
圧ＭＯ８ＩＣ４０内のＹｌに接続されたＭＯＳ）ランジ
スタＰＴ１のみをオン状態のままとして、他をオフ状態
に切換える１また奇数ライン側の走査側Ｎ−ａｈ高耐圧
ＭＯ８ＩＣ２０内の全ＭＯＳトランジスタＮ Ｔ ｌ
〜Ｎ’ｒｉ−１をオフ状態に保ち、対向する偶数ライン
側の走査側Ｎ−ａｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ３０ 内の全ＭＯ
８）ランジスタＮ Ｔ ２〜ＮＴｉ をオン状態に切換
える０そして書込み駆動回路１００（電圧ＶＷ＝ １
９ ０ Ｖと１／２ＶＭ＝３０Ｖの和）をオン状態にし
て、オン状態のＭＯＳ）ランジスタＰＴＩを介して走査
側電極￥１に２２０Ｖの電圧を供給する。一方、この時
ソース電位切換え回路１１０は１／２ＶＭ＝３０Ｖの電
圧に切換えられ、偶数ライン側のＮ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８
ＩＣ３ ０内のソース電位を３０Ｖとして、偶数側の走
査側電極を＋３０Ｖに引下げる。これによって、容量結
合の性質から選択されたデータ） 側駆動電極Ｘ２は一
２２０Ｖに引下げられ、非選択のデータ電極Ｘｊ１は一
１６０Ｖに引下げられる。
（Ｂ） 次に、絵素Ｂを含む２ライン目（偶数ライン）
） の駆動を説明する。
） の駆動を説明する。
第４段階Ｔ４′：予備充電期間（偶数ライン）この予備
充電期間は、Ｎ−ｐフィールド第１段階と全く同様に行
う。
充電期間は、Ｎ−ｐフィールド第１段階と全く同様に行
う。
第５膜
ライン）
この放電／引上げ充電期間は、Ｎ−Ｐフィールド第２段
階と全く同様に行う。
階と全く同様に行う。
第６段階Ｔ６′：書込み駆動期間（偶数ライン）
今、線順次駆動で選択された走査側電極はＴ２であるの
で、走査側Ｎ−ａｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ３０内のＴ２に接
続されたＭＯ８’）ランジスタＮ Ｔ２のみをオン状態
に切り換え、また偶数ライン側（７）Ｐ ７ｃｈ高耐圧
ＭＯ８工Ｃ５０内の全ＭＯＳトランジスタＰ Ｔ ２〜
ＰＴｉ をオフ状態にする。
で、走査側Ｎ−ａｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ３０内のＴ２に接
続されたＭＯ８’）ランジスタＮ Ｔ２のみをオン状態
に切り換え、また偶数ライン側（７）Ｐ ７ｃｈ高耐圧
ＭＯ８工Ｃ５０内の全ＭＯＳトランジスタＰ Ｔ ２〜
ＰＴｉ をオフ状態にする。
この時、対向する奇数ライン側のＰ−ａｈ高耐圧ＭＯ８
ＩＣ４０内の全ＭＯ８）ランジスタＰＴｌ〜ＰＴｉ−１
はオン状態にある。そして同時に、書込み勲動向路１０
０（ここでは電圧ＶＷ＝１９０Ｖ．）をオン状態にする
ことにより、奇数ライン側Ｐ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８ ＩＣ
４’０内の全ＭＯ８）ランジスタＰＴＩ 〜ＰＴｉ−
ｔを介してすべての奇数番目走査側電極を１９０Ｖに引
上げる。これによって、容量結合の性質から、データ側
選択駆動電極はＶＷ＋ −ＶＭ＝ ２ ２ ０ Ｖに引
き上げられ、データ側非選択電極はｖｗ−ｉＶＭ−４６
０Ｖに引上げられる。
ＩＣ４０内の全ＭＯ８）ランジスタＰＴｌ〜ＰＴｉ−１
はオン状態にある。そして同時に、書込み勲動向路１０
０（ここでは電圧ＶＷ＝１９０Ｖ．）をオン状態にする
ことにより、奇数ライン側Ｐ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８ ＩＣ
４’０内の全ＭＯ８）ランジスタＰＴＩ 〜ＰＴｉ−
ｔを介してすべての奇数番目走査側電極を１９０Ｖに引
上げる。これによって、容量結合の性質から、データ側
選択駆動電極はＶＷ＋ −ＶＭ＝ ２ ２ ０ Ｖに引
き上げられ、データ側非選択電極はｖｗ−ｉＶＭ−４６
０Ｖに引上げられる。
以上の第１段階Ｔ１１から第３段階Ｔ３′迄を奇数ライ
ンに、第１段階Ｔ１１から第６段階Ｔ６′迄を偶数ライ
ンに順次行なう事により、Ｐ−Ｎフィールドの駆動を完
了する。
ンに、第１段階Ｔ１１から第６段階Ｔ６′迄を偶数ライ
ンに順次行なう事により、Ｐ−Ｎフィールドの駆動を完
了する。
以上、説明したＮ−ＰフィールドとＰ−Ｎフィールドの
駆動を交互に繰り返す事により、第９図のタイムチャー
トに明らかなように、選択交点絵素には、Ｎ−Ｐフィー
ルドとＰ−Ｎフィールドとで極性の反転した、発光に充
分な書込み電圧ＶＷＰフィールドとＰ−Ｎフィールドの
２フイールドによって、薄膜ＥＬ表示装置に必要とされ
る交流サイクルを閉じる。非選択絵素にはＶＷ−−ＶＭ
（−１ ６０Ｖ）が加わるが、これは発光しきい値以下
である。
駆動を交互に繰り返す事により、第９図のタイムチャー
トに明らかなように、選択交点絵素には、Ｎ−Ｐフィー
ルドとＰ−Ｎフィールドとで極性の反転した、発光に充
分な書込み電圧ＶＷＰフィールドとＰ−Ｎフィールドの
２フイールドによって、薄膜ＥＬ表示装置に必要とされ
る交流サイクルを閉じる。非選択絵素にはＶＷ−−ＶＭ
（−１ ６０Ｖ）が加わるが、これは発光しきい値以下
である。
さらに、１ライン毎に書込み電圧の正，負を反転させて
印加することにより、フィールド毎の発光強度の差をな
くすことができ（第９図に示す、絵素人の発光波形に於
けるＡＮとＡＰ，、及び絵素Ｂの発光波形に於けるＢＰ
とＢＮは、それぞれ発光量に差があるが、絵素Ａ及びＢ
発光種分波形に於ける（ＡＮ＋ＢＰ）と（ＡＰ十ＢＮ）
とは等しい発光量となる）、１フイールド毎に正、負の
書込み電圧を印加した場合に起こる１フイールド毎の発
光強度の差が原因となるフリッカを低減乃至防止できる
ものである。この時、１ライン毎に発光強度差は存在す
るが、視覚的には、平均化されてフリッカを感じない。
印加することにより、フィールド毎の発光強度の差をな
くすことができ（第９図に示す、絵素人の発光波形に於
けるＡＮとＡＰ，、及び絵素Ｂの発光波形に於けるＢＰ
とＢＮは、それぞれ発光量に差があるが、絵素Ａ及びＢ
発光種分波形に於ける（ＡＮ＋ＢＰ）と（ＡＰ十ＢＮ）
とは等しい発光量となる）、１フイールド毎に正、負の
書込み電圧を印加した場合に起こる１フイールド毎の発
光強度の差が原因となるフリッカを低減乃至防止できる
ものである。この時、１ライン毎に発光強度差は存在す
るが、視覚的には、平均化されてフリッカを感じない。
以上のように、走査側電極の駆動回路として、Ｎ−ａｈ
高耐圧ＭＯＳドライバーとＰ−ｃｈ高耐圧ＭＯＳドライ
バーを備えたフィールド反転駆動において、１ライン毎
に絵素に加わる書込み波形の極性を変える事により、パ
ネルの印加電圧極性による発光強度のバラツキが平均化
される事により、フリッカを低減でき、表示品質上で良
好な結果を与える有用な駆動装置が提供できる。
高耐圧ＭＯＳドライバーとＰ−ｃｈ高耐圧ＭＯＳドライ
バーを備えたフィールド反転駆動において、１ライン毎
に絵素に加わる書込み波形の極性を変える事により、パ
ネルの印加電圧極性による発光強度のバラツキが平均化
される事により、フリッカを低減でき、表示品質上で良
好な結果を与える有用な駆動装置が提供できる。
また、複数ライン毎に絵素に加わる書込み波形の極性を
変える事により発光強度のバラツキを平均化し、フリ７
７−カを低減する場合においても本発以上の如く、本発
明は、ＥＩ、パネルを線順次駆動する場合、交互に印加
電圧の極性を反転させ、発光の重なりによって発光強度
の極性による差を均一化し、フリッカを低減する事を要
旨とするものである。
変える事により発光強度のバラツキを平均化し、フリ７
７−カを低減する場合においても本発以上の如く、本発
明は、ＥＩ、パネルを線順次駆動する場合、交互に印加
電圧の極性を反転させ、発光の重なりによって発光強度
の極性による差を均一化し、フリッカを低減する事を要
旨とするものである。
〈発明の効果〉
以上詳細に説明したように、本発明によれば、７リツカ
ーを防止でき、表示品質を著しく向上させることができ
る、きわめて有用な薄膜ＥＬ表示装置駆動方法を提供す
ることができるものである。
ーを防止でき、表示品質を著しく向上させることができ
る、きわめて有用な薄膜ＥＬ表示装置駆動方法を提供す
ることができるものである。
第１図はタイムチャート、第２図は断面図、第３図はタ
イムチャート、第４図は電極構成図、第５図はタイムチ
ャート、第６図は電極構成図、第７図は回路構成図、第
８図及び第９図はタイムチャートである。 符号の説明 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３，５・・・
誘電体層、４・・・）洸揮、６・・・背面電極、７・・
・交流パルス電圧、１０・・・薄膜ＥＬ表示装置、２０
．３０・・・走査側Ｎ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ１４０、
５０・・・走査側Ｐ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ１６０・・
・データ側Ｎ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ１７０・・・ダイ
オードアレイ、８０・・・予備充電駆動回路、９０・・
・引上げ充電駆動回路、１００・・・書込み駆動回路、
１１０・・・ソース電位切換え回路。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第１図 第２図 第４図 第５図 第７図
イムチャート、第４図は電極構成図、第５図はタイムチ
ャート、第６図は電極構成図、第７図は回路構成図、第
８図及び第９図はタイムチャートである。 符号の説明 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３，５・・・
誘電体層、４・・・）洸揮、６・・・背面電極、７・・
・交流パルス電圧、１０・・・薄膜ＥＬ表示装置、２０
．３０・・・走査側Ｎ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ１４０、
５０・・・走査側Ｐ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ１６０・・
・データ側Ｎ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ１７０・・・ダイ
オードアレイ、８０・・・予備充電駆動回路、９０・・
・引上げ充電駆動回路、１００・・・書込み駆動回路、
１１０・・・ソース電位切換え回路。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第１図 第２図 第４図 第５図 第７図
Claims (1)
- １、薄膜ＥＬ発光層を挾んで対向する２電極の複数組を
設けた薄膜ＥＬ表示装置を駆動するにあたって、対向す
る電極の交点（絵素）に印加される交流パルスの極性が
、隣り合う或いは近傍の絵素間で、同時または近接した
時間内に互いに逆極性になるように印加することにより
、発光のチラッキを視覚的になくすることを特徴とする
、薄膜ＥＬ表示装置の駆動方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59105375A JPS60247693A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動方法 |
| GB08513058A GB2161011B (en) | 1984-05-23 | 1985-05-23 | El display arrangements |
| DE19853518596 DE3518596A1 (de) | 1984-05-23 | 1985-05-23 | Verfahren zur ansteuerung einer duennfilm-elektrolumineszenz-anzeigeeinrichtung |
| US07/229,751 US4935671A (en) | 1984-05-23 | 1988-08-08 | Thin-film EL display panel drive |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59105375A JPS60247693A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60247693A true JPS60247693A (ja) | 1985-12-07 |
| JPH0572589B2 JPH0572589B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=14405940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59105375A Granted JPS60247693A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4935671A (ja) |
| JP (1) | JPS60247693A (ja) |
| DE (1) | DE3518596A1 (ja) |
| GB (1) | GB2161011B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0239093A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-08 | Sharp Corp | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6183596A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-28 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動方法 |
| JPH0634151B2 (ja) * | 1985-06-10 | 1994-05-02 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 |
| US4982183A (en) * | 1988-03-10 | 1991-01-01 | Planar Systems, Inc. | Alternate polarity symmetric drive for scanning electrodes in a split-screen AC TFEL display device |
| JPH0748143B2 (ja) * | 1988-12-28 | 1995-05-24 | シャープ株式会社 | 表示装置の駆動方法 |
| JP2682886B2 (ja) * | 1990-04-25 | 1997-11-26 | シャープ株式会社 | 表示装置の駆動方法 |
| US5432015A (en) * | 1992-05-08 | 1995-07-11 | Westaim Technologies, Inc. | Electroluminescent laminate with thick film dielectric |
| JPH09245969A (ja) * | 1996-03-01 | 1997-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 分散型エレクトロ・ルミネセンス素子およびそれを用いた照光式スイッチユニット |
| US6396218B1 (en) * | 2000-10-03 | 2002-05-28 | Xerox Corporation | Multisegment electroluminescent source for a scanner |
| US6661180B2 (en) * | 2001-03-22 | 2003-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method for the same and electronic apparatus |
| JP4659292B2 (ja) * | 2001-08-03 | 2011-03-30 | パイオニア株式会社 | 容量性発光素子表示パネルの駆動装置 |
| TWI413052B (zh) * | 2009-10-02 | 2013-10-21 | Innolux Corp | 畫素陣列與其驅動方法及採用該畫素陣列之顯示面板 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3885196A (en) * | 1972-11-30 | 1975-05-20 | Us Army | Pocketable direct current electroluminescent display device addressed by MOS or MNOS circuitry |
| US4032818A (en) * | 1975-11-10 | 1977-06-28 | Burroughs Corporation | Uniform current level control for display panels |
| US4338598A (en) * | 1980-01-07 | 1982-07-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film EL image display panel with power saving features |
| US4367468A (en) * | 1980-12-22 | 1983-01-04 | Ncr Corporation | D.C. Input shift panel driver circuits-biased inputs |
| US4485379A (en) * | 1981-02-17 | 1984-11-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Circuit and method for driving a thin-film EL panel |
-
1984
- 1984-05-23 JP JP59105375A patent/JPS60247693A/ja active Granted
-
1985
- 1985-05-23 GB GB08513058A patent/GB2161011B/en not_active Expired
- 1985-05-23 DE DE19853518596 patent/DE3518596A1/de active Granted
-
1988
- 1988-08-08 US US07/229,751 patent/US4935671A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0239093A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-08 | Sharp Corp | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3518596C2 (ja) | 1987-07-30 |
| GB2161011A (en) | 1986-01-02 |
| GB8513058D0 (en) | 1985-06-26 |
| US4935671A (en) | 1990-06-19 |
| JPH0572589B2 (ja) | 1993-10-12 |
| GB2161011B (en) | 1987-10-14 |
| DE3518596A1 (de) | 1985-11-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |