JPS60247693A - 薄膜el表示装置の駆動方法 - Google Patents
薄膜el表示装置の駆動方法Info
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- JPS60247693A JPS60247693A JP59105375A JP10537584A JPS60247693A JP S60247693 A JPS60247693 A JP S60247693A JP 59105375 A JP59105375 A JP 59105375A JP 10537584 A JP10537584 A JP 10537584A JP S60247693 A JPS60247693 A JP S60247693A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
この発明は薄膜EL表示装置の駆動方法に関する。
〈発明の背景〉 −
現在マ) IJフックス造を有する薄膜EL表示装置の
駆動は線順次方式を採用しており、フレーム周波数の上
限はある程度走査側電極数で制限される。最近のEL表
示装置の大表示容量化に伴い走査側電極数が多くなった
ことで、フレーム周波数の低下が避けられない状況とな
っている。
駆動は線順次方式を採用しており、フレーム周波数の上
限はある程度走査側電極数で制限される。最近のEL表
示装置の大表示容量化に伴い走査側電極数が多くなった
ことで、フレーム周波数の低下が避けられない状況とな
っている。
薄膜EL表示装置の基本的な構造を第2図に示す。図に
おいて、4は薄膜EL表示装置の発光層となるZnS層
で、発光中心を形成する活性物質としてMn等を添加し
である。3および5はS i 3 N4 +’ S i
02 、’A l 203等の誘電体層、2は表示側
に設けたI;T、0− (Insium Tin0xi
de)等の透明電極、6はA1等の背面電極である。さ
らに、1はガラス基板である。
おいて、4は薄膜EL表示装置の発光層となるZnS層
で、発光中心を形成する活性物質としてMn等を添加し
である。3および5はS i 3 N4 +’ S i
02 、’A l 203等の誘電体層、2は表示側
に設けたI;T、0− (Insium Tin0xi
de)等の透明電極、6はA1等の背面電極である。さ
らに、1はガラス基板である。
この様な構造を有する薄膜EI、表示装置に適当な交流
パルス電圧7を印加するとEL発光を行なうが、第3図
に示すように1サイクル当り2回の断続的な発光が得ら
れる(f:周波数)。たとえば、60 Hz交流パルス
に対しては120Hzの発光が得られる。この2回の発
光は、素子構造が発光層に対して完全対称でない等の理
由により、それぞれの発光量が異なっており、最大数十
%の差が生じる。
パルス電圧7を印加するとEL発光を行なうが、第3図
に示すように1サイクル当り2回の断続的な発光が得ら
れる(f:周波数)。たとえば、60 Hz交流パルス
に対しては120Hzの発光が得られる。この2回の発
光は、素子構造が発光層に対して完全対称でない等の理
由により、それぞれの発光量が異なっており、最大数十
%の差が生じる。
人間の視覚は、断続的な発光体に対し、その周波数が特
定の値より低いと7リツカーとして感じる。この限界は
、個人差、発光波形により異なるが、40〜50Hzと
言われる。薄膜EL表示装置の場合、印加交流パルスが
30)(zであっても発光パルスは60Hzになるので
、通常フリッカ−は感じないはずであるが、1サイクル
2回の発光量が全く同等でないため、人間の視覚には3
0Hzのフリッカ−を感じる事になる。これは薄膜EL
表示装置の表示品質を著しく損なうものである。
定の値より低いと7リツカーとして感じる。この限界は
、個人差、発光波形により異なるが、40〜50Hzと
言われる。薄膜EL表示装置の場合、印加交流パルスが
30)(zであっても発光パルスは60Hzになるので
、通常フリッカ−は感じないはずであるが、1サイクル
2回の発光量が全く同等でないため、人間の視覚には3
0Hzのフリッカ−を感じる事になる。これは薄膜EL
表示装置の表示品質を著しく損なうものである。
〈発明の目的〉
本発明はこのような問題に関して有効な手段を与えるも
ので、発光量に差のある2種類の発光パルスを、近接す
る電極間で、はぼ同時(1/60 =16.7ms e
c以内)に発光させることにより、視覚に対しては異
種発光パルスの平均発光量を感じさせるようにして、フ
リッカ−を感じなくする方法を提供するものである。
ので、発光量に差のある2種類の発光パルスを、近接す
る電極間で、はぼ同時(1/60 =16.7ms e
c以内)に発光させることにより、視覚に対しては異
種発光パルスの平均発光量を感じさせるようにして、フ
リッカ−を感じなくする方法を提供するものである。
〈発明の構成〉
EL発光層を挾んで対向する2電極の複数組を設けた薄
膜EL表示装置を駆動するにあたって、対向する電極の
交点(絵素)に印加される交流パルスの極性が、隣り合
う或いは近傍の絵素間で、同時またけ近接した時間内に
互いに逆極性になるように印加することにより、発光の
チラッキを視覚的になくすることを特徴とするものであ
る。
膜EL表示装置を駆動するにあたって、対向する電極の
交点(絵素)に印加される交流パルスの極性が、隣り合
う或いは近傍の絵素間で、同時またけ近接した時間内に
互いに逆極性になるように印加することにより、発光の
チラッキを視覚的になくすることを特徴とするものであ
る。
〈発明の概要〉
第4図は薄膜EL表示装置の電極構成を示す図である。
発光層、絶縁層から成る三層を挾むように、それぞれ平
行電極群Xo 、 Xl ・・Xm(X電極)及びYo
、Yt・・・Yn(X電極)が設けである。このX電極
、X電極はEL層を挾んで互いに直交するように配置さ
れていて、各電極の交点が1発光点(絵素)を構成して
いる。
行電極群Xo 、 Xl ・・Xm(X電極)及びYo
、Yt・・・Yn(X電極)が設けである。このX電極
、X電極はEL層を挾んで互いに直交するように配置さ
れていて、各電極の交点が1発光点(絵素)を構成して
いる。
第5図は、同図に示すパルス電圧を、それぞれX電極、
X電極に印加した場合に、絵素にかかる電圧パルス波形
(印加波形)と発光波形を示すタイムチャートである。
X電極に印加した場合に、絵素にかかる電圧パルス波形
(印加波形)と発光波形を示すタイムチャートである。
図の様に、X電極から見たX電極の極性が正と負で、発
光パルスの発光量が異なっている。それぞれの発光量を
B+ 、B−とすると、発光量の差の比γは、 る。
光パルスの発光量が異なっている。それぞれの発光量を
B+ 、B−とすると、発光量の差の比γは、 る。
この状態でも交流周波数が高い場合、たとえば印加電圧
パルスが60Hz以上では全くフリッカ−を感じないが
、低い周波数たとえば30Hzの電圧パルスに対しては
、発光量の差が5%以上になると、はとんどの人がフリ
ッカ−を感じる。
パルスが60Hz以上では全くフリッカ−を感じないが
、低い周波数たとえば30Hzの電圧パルスに対しては
、発光量の差が5%以上になると、はとんどの人がフリ
ッカ−を感じる。
本発明はこの様な場合にフリッカ−を感じない様にする
もので、第6図及び第1図に駆動方法を示す。
もので、第6図及び第1図に駆動方法を示す。
第1図は、隣り合った電極Yj、Yj+、上の絵素に印
加される交流パルス電圧波形、および発光波形を示すタ
イム・チャートである。図に示す様に、Yj−ライン上
の絵素にかかるパルスは、Yj+1ライン上の絵素にか
かるパルスに対して逆極性になっており、かつ、それら
のパルスの印加タイミング時間差Δtが16.7m5e
c以内になっていることが特徴である。
加される交流パルス電圧波形、および発光波形を示すタ
イム・チャートである。図に示す様に、Yj−ライン上
の絵素にかかるパルスは、Yj+1ライン上の絵素にか
かるパルスに対して逆極性になっており、かつ、それら
のパルスの印加タイミング時間差Δtが16.7m5e
c以内になっていることが特徴である。
上記の方法で全面駆動したEL表示装置の発光は、ある
時刻tに電極Yj上の絵素から発せられた光B+と、こ
れよりjt後のt十ΔLに電極Yj+1上の絵素から発
せられた光B−とが、視覚 ′より、EL表示装置に発
光の非対称性が存在しても知覚的になくすることが可能
となり、フリッカ−が防止できる。
時刻tに電極Yj上の絵素から発せられた光B+と、こ
れよりjt後のt十ΔLに電極Yj+1上の絵素から発
せられた光B−とが、視覚 ′より、EL表示装置に発
光の非対称性が存在しても知覚的になくすることが可能
となり、フリッカ−が防止できる。
本発明が特に有効なの、は、フレーム周波数が50 H
z以下の駆動に対し、EL表示装置の発光波形が、印加
電圧の極性により発光量が等しくない場合であるが、5
0 Hz以下の駆動に対しても、表示品質を向上させる
効果は有る。
z以下の駆動に対し、EL表示装置の発光波形が、印加
電圧の極性により発光量が等しくない場合であるが、5
0 Hz以下の駆動に対しても、表示品質を向上させる
効果は有る。
なお、以上に説明した方法に於ては、逆極性のパルスを
隣り合った電極間に印加しているが、2〜3ライン置き
に逆極性のパルスを印加するようにしても同様の効果は
得られる。
隣り合った電極間に印加しているが、2〜3ライン置き
に逆極性のパルスを印加するようにしても同様の効果は
得られる。
く駆動回路構成例〉
以下、具体的駆動回路構成例を説明する。
第7図は、本発明に係る駆動回路構成例を示す回路構成
図である。
図である。
10は薄膜EL表示装置を示し、この図ではX方向電極
をデータ側電極とし、Y方向電極を走査側電極として電
極のみを示している。20.30は、Y方向電極の奇数
ラインと偶数ラインにそれぞれ対応する走査側N−ch
高耐圧MO8ICで、21.31は各IC中のシフトレ
ジスタ等の論理回路である。40.50は同走査側p−
ch高耐圧MO8ICで、41.51は各IC中のシフ
トレジスタ等の論理回路である。60はデータ側N −
ch高耐圧MO8ICで、61はIC中ノシフトレジス
タ等の論理回路である。70はデータ側のダイオードア
レイを示し、これはデータ側駆動線の分離及びスイッチ
ング素子の逆バイアス保護をする。80は予備充電駆動
回路、90は引き上げ充電駆動回路、100は書込み駆
動回路である。
をデータ側電極とし、Y方向電極を走査側電極として電
極のみを示している。20.30は、Y方向電極の奇数
ラインと偶数ラインにそれぞれ対応する走査側N−ch
高耐圧MO8ICで、21.31は各IC中のシフトレ
ジスタ等の論理回路である。40.50は同走査側p−
ch高耐圧MO8ICで、41.51は各IC中のシフ
トレジスタ等の論理回路である。60はデータ側N −
ch高耐圧MO8ICで、61はIC中ノシフトレジス
タ等の論理回路である。70はデータ側のダイオードア
レイを示し、これはデータ側駆動線の分離及びスイッチ
ング素子の逆バイアス保護をする。80は予備充電駆動
回路、90は引き上げ充電駆動回路、100は書込み駆
動回路である。
また、110は走査側N−ch高耐圧MO8IC20及
び30のソース電位切換え回路で、通常はアース電位に
保たれる。
び30のソース電位切換え回路で、通常はアース電位に
保たれる。
第8図に各高耐圧MO8)ランジスタ及び各駆動回路、
さらに電位切換え回路のオン・オフタイミング、第9図
に第7図中の絵素A、Bを代表例とする印加電圧波形及
び発光波形を示す。
さらに電位切換え回路のオン・オフタイミング、第9図
に第7図中の絵素A、Bを代表例とする印加電圧波形及
び発光波形を示す。
以下、第8図と第9図を参照して本案駆動装置の動作を
説明する。なお、ここでは、線順次駆動で、絵素Aを含
むYlと絵素Bを含むY2の走査側電極が選択されるも
のとする。また、後述のように、1ライン毎に絵素に印
加される電圧の極性を反転して駆動されるが、奇数ライ
ン上の絵素に正の書込みパルスを印加するフィールドを
N−Pフィールド、偶数ライン上の絵素に正の書込みパ
ルスを印加するフィールドをP−Nフィールドと呼ぶ。
説明する。なお、ここでは、線順次駆動で、絵素Aを含
むYlと絵素Bを含むY2の走査側電極が選択されるも
のとする。また、後述のように、1ライン毎に絵素に印
加される電圧の極性を反転して駆動されるが、奇数ライ
ン上の絵素に正の書込みパルスを印加するフィールドを
N−Pフィールド、偶数ライン上の絵素に正の書込みパ
ルスを印加するフィールドをP−Nフィールドと呼ぶ。
N−P フィールド
(A)1ず、絵素Aを含む1ライン目(奇数ライン)の
駆動から説明する。
駆動から説明する。
°第1段階Tl :予備充電期間(奇数ライン)まず、
ソース電位切り換え回路110をアース電位にして、走
査側N−ch高耐圧MO8IC20,30中のすべての
MOS)ランジスタNTI〜NTi をオン状態にする
。同時に、予備充電駆動回路80(電圧1/2VM=3
0v>をオン状態にし、データ側ダイオードアレイ70
を介してパネル全面を充電する。この時、データ側N−
ah高耐圧MO8IC60内の全MOSトランジスタN
t、〜Ntj及び走査側P−ah高耐圧MO8IC40
,50内の全MO8)ランシタPT+−PTiはすべて
オフ状態に保たれる。
ソース電位切り換え回路110をアース電位にして、走
査側N−ch高耐圧MO8IC20,30中のすべての
MOS)ランジスタNTI〜NTi をオン状態にする
。同時に、予備充電駆動回路80(電圧1/2VM=3
0v>をオン状態にし、データ側ダイオードアレイ70
を介してパネル全面を充電する。この時、データ側N−
ah高耐圧MO8IC60内の全MOSトランジスタN
t、〜Ntj及び走査側P−ah高耐圧MO8IC40
,50内の全MO8)ランシタPT+−PTiはすべて
オフ状態に保たれる。
第2段階Tl :放電/引上げ充電期間(奇数ライン)
次に、走査側N−ch高耐圧MO8IC20,30内の
全MO8)ランジスタN T s 〜NTi をオフ状
態にして、かつデータ側N−ah高耐圧MO8IC60
内の選択されたデータ側駆動電極(例えばX2)に接続
されたMOS)ランジスタ(Ntz)のみオフ状態のま
まにし、他のデーター41!ll駆動電極に接続された
MOS、)ランジスタNtx、NLa〜Ntjをオン状
態に切換える。また同時に、走査側P−ah高耐圧MO
8IC40。
全MO8)ランジスタN T s 〜NTi をオフ状
態にして、かつデータ側N−ah高耐圧MO8IC60
内の選択されたデータ側駆動電極(例えばX2)に接続
されたMOS)ランジスタ(Ntz)のみオフ状態のま
まにし、他のデーター41!ll駆動電極に接続された
MOS、)ランジスタNtx、NLa〜Ntjをオン状
態に切換える。また同時に、走査側P−ah高耐圧MO
8IC40。
50内の全MO8)ランジスタPT1〜PTiをオン状
態にする。データ側の非選択電極(Xj〜2)の電荷は
、オン状態のデータ側N−ch高耐圧MO8IC60内
のMOS)ランジスタN t l−N t j(N t
2をのぞく)と、走査側P−ah高耐圧MO8IC4
0,,50内の全MOSトランジスタPT1〜PTi及
び書込み駆動回路−100内のダイオード101による
接地ループ形成で放電する。
態にする。データ側の非選択電極(Xj〜2)の電荷は
、オン状態のデータ側N−ch高耐圧MO8IC60内
のMOS)ランジスタN t l−N t j(N t
2をのぞく)と、走査側P−ah高耐圧MO8IC4
0,,50内の全MOSトランジスタPT1〜PTi及
び書込み駆動回路−100内のダイオード101による
接地ループ形成で放電する。
その後、引上げ充電駆動回路90(電圧1/2VM=3
0V)をオン状態として、走査側電極ラスへて30vの
電位に引上げる。この時、走査側N−ch高耐圧MO8
IC20,30内の全MO8)ランジスタN T t
〜NTi はオフ状態にしておく。この結果、走査側電
極(Y)を中心に考えると、選択されたデータ側電極(
X2)は+30V、非選択データ側電極(Xj〜2)は
−>OVの状態にある。
0V)をオン状態として、走査側電極ラスへて30vの
電位に引上げる。この時、走査側N−ch高耐圧MO8
IC20,30内の全MO8)ランジスタN T t
〜NTi はオフ状態にしておく。この結果、走査側電
極(Y)を中心に考えると、選択されたデータ側電極(
X2)は+30V、非選択データ側電極(Xj〜2)は
−>OVの状態にある。
第1段階Tl :書込み駆動期間(奇数ライン)今、線
順次駆動で選択された走査側電極はYlであるので、走
査側N−ch高耐圧MO8IC20内のYlに接続され
たMOS)ランジスタNTlのみをオン状態に切り換え
、また奇数ライン側のP−c’h高耐圧MO8IC40
内の全MO8)ラツジスタPT1〜PT1−1をオフ状
態にする。
順次駆動で選択された走査側電極はYlであるので、走
査側N−ch高耐圧MO8IC20内のYlに接続され
たMOS)ランジスタNTlのみをオン状態に切り換え
、また奇数ライン側のP−c’h高耐圧MO8IC40
内の全MO8)ラツジスタPT1〜PT1−1をオフ状
態にする。
この時、対向する偶数ライン側のP−ch高耐圧MO8
IC50内の全MO8)ランジスタPT2〜PTiはオ
ン状態にある。そして同時に、書込み駆動回路100(
ここでは電圧VW=190■)をオン状態にする事によ
り、偶数ライン側P−ch高耐圧MO8IC50内の全
MO8)ランジスタPT2〜PTiを介してすべての偶
数番目走査側電極を190vに引き上げる。
IC50内の全MO8)ランジスタPT2〜PTiはオ
ン状態にある。そして同時に、書込み駆動回路100(
ここでは電圧VW=190■)をオン状態にする事によ
り、偶数ライン側P−ch高耐圧MO8IC50内の全
MO8)ランジスタPT2〜PTiを介してすべての偶
数番目走査側電極を190vに引き上げる。
これによって容量結合の性質から、データ側選に引上げ
られる0 (B) 次に絵素Bを含む2ライン目(偶数ライン)の
駆動を説明する。
られる0 (B) 次に絵素Bを含む2ライン目(偶数ライン)の
駆動を説明する。
第4段階T4 :予備充電期間(偶数ライン)この予備
充電期間は、N−Pフィールド第1段階と全く同様に行
う。
充電期間は、N−Pフィールド第1段階と全く同様に行
う。
第1段階Tl :放電/引上げ充電期間(偶数ライン)
次に、走査側N−ch高耐圧MO8IC20。
30内の全MO8)ランジスタN T 1〜NTiをオ
フ状態にして、かつデータ側Nch高耐圧MO8IC6
0内では、選択されたデータ側駆動電極に接続されたM
OSトランジスタ(例えばNtz)のみオン状態にし、
他のデータ側駆動電極に接続されたMOSトランジスタ
N t l〜N t j(N t 2を除く)をオフ状
態にする。また同時に、走査側P−ch高耐圧MO8I
C40。
フ状態にして、かつデータ側Nch高耐圧MO8IC6
0内では、選択されたデータ側駆動電極に接続されたM
OSトランジスタ(例えばNtz)のみオン状態にし、
他のデータ側駆動電極に接続されたMOSトランジスタ
N t l〜N t j(N t 2を除く)をオフ状
態にする。また同時に、走査側P−ch高耐圧MO8I
C40。
50内の全M’O8)ランジスタP T +〜PTiを
オン状態にする。データ側の選択電極の電荷は、オン状
態のデータ側N−ch高耐圧MO8IC60内のMOS
トランジスタN t 2と走査側P−ah高耐圧MO8
IC40,50内の全MOSトランジスタPT1〜PT
i 及び書込み駆動回路100内のダイオード101に
よる接地ループ形成で放電する。
オン状態にする。データ側の選択電極の電荷は、オン状
態のデータ側N−ch高耐圧MO8IC60内のMOS
トランジスタN t 2と走査側P−ah高耐圧MO8
IC40,50内の全MOSトランジスタPT1〜PT
i 及び書込み駆動回路100内のダイオード101に
よる接地ループ形成で放電する。
そして次に、引上げ充電駆動回路90をオン状態にして
、走査側電極(Y)をすべて1/2VM−’30Vの電
位に引上げる。この時、走査側N−ch高耐圧MO8I
C20,30内の全MOSトランジスタNTI〜NTi
はオフ状態にしておく。この・結果、走査側電極(Y)
を中心に考えると、選択されたデータ側電極(x2)は
−30V、非選択電極(Xj師2)は+30Vとなる。
、走査側電極(Y)をすべて1/2VM−’30Vの電
位に引上げる。この時、走査側N−ch高耐圧MO8I
C20,30内の全MOSトランジスタNTI〜NTi
はオフ状態にしておく。この・結果、走査側電極(Y)
を中心に考えると、選択されたデータ側電極(x2)は
−30V、非選択電極(Xj師2)は+30Vとなる。
第1段階Tl :書込み駆動期間(偶数ライン)選択さ
れた走査側電極がY2であるとすると、走査側P−ch
高耐圧IC50内のY2に接続されたMOS)ランジス
タP”T2のみをオン状態のままとして、他をオフ状態
に切換える。また、偶数ライン側の走査側N−ch高耐
圧MO8IC30内の全MO8)ランジスタN T 2
〜N T iをオフ状態に保ち、対向する奇数ライン側
の走トランジスタN T 1〜NT、−1をオン状態に
切換える。そして、書込み駆動回路100(電圧VW−
190vと1/2VM=30Vの和)ヲオン状態にして
、オン状態のMOS)ランジスタP T 2を介して走
査側電極Y2に220vの電圧を供給する。一方、この
時ソース電位切換え回路110は1/2VM=30’v
の電圧に切換えられ、奇数ライン側のN−ah高耐圧M
O8IC20内のソース電位を30Vとして、奇数側の
走査側電極を+30Vに引下げる。これによって、容量
結合の性質から選択されたデータ側駆動電極X’2は一
220■に引下げられ、非選択のデータ側電極Xj42
は一160■に引下げられる。
れた走査側電極がY2であるとすると、走査側P−ch
高耐圧IC50内のY2に接続されたMOS)ランジス
タP”T2のみをオン状態のままとして、他をオフ状態
に切換える。また、偶数ライン側の走査側N−ch高耐
圧MO8IC30内の全MO8)ランジスタN T 2
〜N T iをオフ状態に保ち、対向する奇数ライン側
の走トランジスタN T 1〜NT、−1をオン状態に
切換える。そして、書込み駆動回路100(電圧VW−
190vと1/2VM=30Vの和)ヲオン状態にして
、オン状態のMOS)ランジスタP T 2を介して走
査側電極Y2に220vの電圧を供給する。一方、この
時ソース電位切換え回路110は1/2VM=30’v
の電圧に切換えられ、奇数ライン側のN−ah高耐圧M
O8IC20内のソース電位を30Vとして、奇数側の
走査側電極を+30Vに引下げる。これによって、容量
結合の性質から選択されたデータ側駆動電極X’2は一
220■に引下げられ、非選択のデータ側電極Xj42
は一160■に引下げられる。
以上の第1段階Tlから第1段階Tl迄を奇数ラインに
、第4段階T4から第1段階Tl迄を偶数ラインに順次
行なう事により、N−Pフィールドの駆動を完了する。
、第4段階T4から第1段階Tl迄を偶数ラインに順次
行なう事により、N−Pフィールドの駆動を完了する。
む1ライン目(奇数ライン)の駆動から行う。
第1段階T1″:予備充電期間(奇数ライン)この予備
充電期間は、N−Pフィールド第1段階と全く同様に行
う。
充電期間は、N−Pフィールド第1段階と全く同様に行
う。
第2膜
ライン)
この放電/引上げ充電期間は、N−Pフィールド第5段
階と全く同様に行う。
階と全く同様に行う。
第3段階T3′:書込み駆動期間(奇数ライン選択され
た走査側電極がYlであるとすると走査側P−ah高耐
圧MO8IC40内のYlに接続されたMOS)ランジ
スタPT1のみをオン状態のままとして、他をオフ状態
に切換える1また奇数ライン側の走査側N−ah高耐圧
MO8IC20内の全MOSトランジスタN T l
〜N’ri−1をオフ状態に保ち、対向する偶数ライン
側の走査側N−ah高耐圧MO8IC30 内の全MO
8)ランジスタN T 2〜NTi をオン状態に切換
える0そして書込み駆動回路100(電圧VW= 1
9 0 Vと1/2VM=30Vの和)をオン状態にし
て、オン状態のMOS)ランジスタPTIを介して走査
側電極¥1に220Vの電圧を供給する。一方、この時
ソース電位切換え回路110は1/2VM=30Vの電
圧に切換えられ、偶数ライン側のN−ch高耐圧MO8
IC3 0内のソース電位を30Vとして、偶数側の走
査側電極を+30Vに引下げる。これによって、容量結
合の性質から選択されたデータ) 側駆動電極X2は一
220Vに引下げられ、非選択のデータ電極Xj1は一
160Vに引下げられる。
た走査側電極がYlであるとすると走査側P−ah高耐
圧MO8IC40内のYlに接続されたMOS)ランジ
スタPT1のみをオン状態のままとして、他をオフ状態
に切換える1また奇数ライン側の走査側N−ah高耐圧
MO8IC20内の全MOSトランジスタN T l
〜N’ri−1をオフ状態に保ち、対向する偶数ライン
側の走査側N−ah高耐圧MO8IC30 内の全MO
8)ランジスタN T 2〜NTi をオン状態に切換
える0そして書込み駆動回路100(電圧VW= 1
9 0 Vと1/2VM=30Vの和)をオン状態にし
て、オン状態のMOS)ランジスタPTIを介して走査
側電極¥1に220Vの電圧を供給する。一方、この時
ソース電位切換え回路110は1/2VM=30Vの電
圧に切換えられ、偶数ライン側のN−ch高耐圧MO8
IC3 0内のソース電位を30Vとして、偶数側の走
査側電極を+30Vに引下げる。これによって、容量結
合の性質から選択されたデータ) 側駆動電極X2は一
220Vに引下げられ、非選択のデータ電極Xj1は一
160Vに引下げられる。
(B) 次に、絵素Bを含む2ライン目(偶数ライン)
) の駆動を説明する。
) の駆動を説明する。
第4段階T4′:予備充電期間(偶数ライン)この予備
充電期間は、N−pフィールド第1段階と全く同様に行
う。
充電期間は、N−pフィールド第1段階と全く同様に行
う。
第5膜
ライン)
この放電/引上げ充電期間は、N−Pフィールド第2段
階と全く同様に行う。
階と全く同様に行う。
第6段階T6′:書込み駆動期間(偶数ライン)
今、線順次駆動で選択された走査側電極はT2であるの
で、走査側N−ah高耐圧MO8IC30内のT2に接
続されたMO8’)ランジスタN T2のみをオン状態
に切り換え、また偶数ライン側(7)P 7ch高耐圧
MO8工C50内の全MOSトランジスタP T 2〜
PTi をオフ状態にする。
で、走査側N−ah高耐圧MO8IC30内のT2に接
続されたMO8’)ランジスタN T2のみをオン状態
に切り換え、また偶数ライン側(7)P 7ch高耐圧
MO8工C50内の全MOSトランジスタP T 2〜
PTi をオフ状態にする。
この時、対向する奇数ライン側のP−ah高耐圧MO8
IC40内の全MO8)ランジスタPTl〜PTi−1
はオン状態にある。そして同時に、書込み勲動向路10
0(ここでは電圧VW=190V.)をオン状態にする
ことにより、奇数ライン側P−ch高耐圧MO8 IC
4’0内の全MO8)ランジスタPTI 〜PTi−
tを介してすべての奇数番目走査側電極を190Vに引
上げる。これによって、容量結合の性質から、データ側
選択駆動電極はVW+ −VM= 2 2 0 Vに引
き上げられ、データ側非選択電極はvw−iVM−46
0Vに引上げられる。
IC40内の全MO8)ランジスタPTl〜PTi−1
はオン状態にある。そして同時に、書込み勲動向路10
0(ここでは電圧VW=190V.)をオン状態にする
ことにより、奇数ライン側P−ch高耐圧MO8 IC
4’0内の全MO8)ランジスタPTI 〜PTi−
tを介してすべての奇数番目走査側電極を190Vに引
上げる。これによって、容量結合の性質から、データ側
選択駆動電極はVW+ −VM= 2 2 0 Vに引
き上げられ、データ側非選択電極はvw−iVM−46
0Vに引上げられる。
以上の第1段階T11から第3段階T3′迄を奇数ライ
ンに、第1段階T11から第6段階T6′迄を偶数ライ
ンに順次行なう事により、P−Nフィールドの駆動を完
了する。
ンに、第1段階T11から第6段階T6′迄を偶数ライ
ンに順次行なう事により、P−Nフィールドの駆動を完
了する。
以上、説明したN−PフィールドとP−Nフィールドの
駆動を交互に繰り返す事により、第9図のタイムチャー
トに明らかなように、選択交点絵素には、N−Pフィー
ルドとP−Nフィールドとで極性の反転した、発光に充
分な書込み電圧VWPフィールドとP−Nフィールドの
2フイールドによって、薄膜EL表示装置に必要とされ
る交流サイクルを閉じる。非選択絵素にはVW−−VM
(−1 60V)が加わるが、これは発光しきい値以下
である。
駆動を交互に繰り返す事により、第9図のタイムチャー
トに明らかなように、選択交点絵素には、N−Pフィー
ルドとP−Nフィールドとで極性の反転した、発光に充
分な書込み電圧VWPフィールドとP−Nフィールドの
2フイールドによって、薄膜EL表示装置に必要とされ
る交流サイクルを閉じる。非選択絵素にはVW−−VM
(−1 60V)が加わるが、これは発光しきい値以下
である。
さらに、1ライン毎に書込み電圧の正,負を反転させて
印加することにより、フィールド毎の発光強度の差をな
くすことができ(第9図に示す、絵素人の発光波形に於
けるANとAP,、及び絵素Bの発光波形に於けるBP
とBNは、それぞれ発光量に差があるが、絵素A及びB
発光種分波形に於ける(AN+BP)と(AP十BN)
とは等しい発光量となる)、1フイールド毎に正、負の
書込み電圧を印加した場合に起こる1フイールド毎の発
光強度の差が原因となるフリッカを低減乃至防止できる
ものである。この時、1ライン毎に発光強度差は存在す
るが、視覚的には、平均化されてフリッカを感じない。
印加することにより、フィールド毎の発光強度の差をな
くすことができ(第9図に示す、絵素人の発光波形に於
けるANとAP,、及び絵素Bの発光波形に於けるBP
とBNは、それぞれ発光量に差があるが、絵素A及びB
発光種分波形に於ける(AN+BP)と(AP十BN)
とは等しい発光量となる)、1フイールド毎に正、負の
書込み電圧を印加した場合に起こる1フイールド毎の発
光強度の差が原因となるフリッカを低減乃至防止できる
ものである。この時、1ライン毎に発光強度差は存在す
るが、視覚的には、平均化されてフリッカを感じない。
以上のように、走査側電極の駆動回路として、N−ah
高耐圧MOSドライバーとP−ch高耐圧MOSドライ
バーを備えたフィールド反転駆動において、1ライン毎
に絵素に加わる書込み波形の極性を変える事により、パ
ネルの印加電圧極性による発光強度のバラツキが平均化
される事により、フリッカを低減でき、表示品質上で良
好な結果を与える有用な駆動装置が提供できる。
高耐圧MOSドライバーとP−ch高耐圧MOSドライ
バーを備えたフィールド反転駆動において、1ライン毎
に絵素に加わる書込み波形の極性を変える事により、パ
ネルの印加電圧極性による発光強度のバラツキが平均化
される事により、フリッカを低減でき、表示品質上で良
好な結果を与える有用な駆動装置が提供できる。
また、複数ライン毎に絵素に加わる書込み波形の極性を
変える事により発光強度のバラツキを平均化し、フリ7
7−カを低減する場合においても本発以上の如く、本発
明は、EI、パネルを線順次駆動する場合、交互に印加
電圧の極性を反転させ、発光の重なりによって発光強度
の極性による差を均一化し、フリッカを低減する事を要
旨とするものである。
変える事により発光強度のバラツキを平均化し、フリ7
7−カを低減する場合においても本発以上の如く、本発
明は、EI、パネルを線順次駆動する場合、交互に印加
電圧の極性を反転させ、発光の重なりによって発光強度
の極性による差を均一化し、フリッカを低減する事を要
旨とするものである。
〈発明の効果〉
以上詳細に説明したように、本発明によれば、7リツカ
ーを防止でき、表示品質を著しく向上させることができ
る、きわめて有用な薄膜EL表示装置駆動方法を提供す
ることができるものである。
ーを防止でき、表示品質を著しく向上させることができ
る、きわめて有用な薄膜EL表示装置駆動方法を提供す
ることができるものである。
第1図はタイムチャート、第2図は断面図、第3図はタ
イムチャート、第4図は電極構成図、第5図はタイムチ
ャート、第6図は電極構成図、第7図は回路構成図、第
8図及び第9図はタイムチャートである。 符号の説明 1・・・ガラス基板、2・・・透明電極、3,5・・・
誘電体層、4・・・)洸揮、6・・・背面電極、7・・
・交流パルス電圧、10・・・薄膜EL表示装置、20
.30・・・走査側N−ch高耐圧MO8IC140、
50・・・走査側P−ch高耐圧MO8IC160・・
・データ側N−ch高耐圧MO8IC170・・・ダイ
オードアレイ、80・・・予備充電駆動回路、90・・
・引上げ充電駆動回路、100・・・書込み駆動回路、
110・・・ソース電位切換え回路。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)第1図 第2図 第4図 第5図 第7図
イムチャート、第4図は電極構成図、第5図はタイムチ
ャート、第6図は電極構成図、第7図は回路構成図、第
8図及び第9図はタイムチャートである。 符号の説明 1・・・ガラス基板、2・・・透明電極、3,5・・・
誘電体層、4・・・)洸揮、6・・・背面電極、7・・
・交流パルス電圧、10・・・薄膜EL表示装置、20
.30・・・走査側N−ch高耐圧MO8IC140、
50・・・走査側P−ch高耐圧MO8IC160・・
・データ側N−ch高耐圧MO8IC170・・・ダイ
オードアレイ、80・・・予備充電駆動回路、90・・
・引上げ充電駆動回路、100・・・書込み駆動回路、
110・・・ソース電位切換え回路。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)第1図 第2図 第4図 第5図 第7図
Claims (1)
- 1、薄膜EL発光層を挾んで対向する2電極の複数組を
設けた薄膜EL表示装置を駆動するにあたって、対向す
る電極の交点(絵素)に印加される交流パルスの極性が
、隣り合う或いは近傍の絵素間で、同時または近接した
時間内に互いに逆極性になるように印加することにより
、発光のチラッキを視覚的になくすることを特徴とする
、薄膜EL表示装置の駆動方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59105375A JPS60247693A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 薄膜el表示装置の駆動方法 |
GB08513058A GB2161011B (en) | 1984-05-23 | 1985-05-23 | El display arrangements |
DE19853518596 DE3518596A1 (de) | 1984-05-23 | 1985-05-23 | Verfahren zur ansteuerung einer duennfilm-elektrolumineszenz-anzeigeeinrichtung |
US07/229,751 US4935671A (en) | 1984-05-23 | 1988-08-08 | Thin-film EL display panel drive |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59105375A JPS60247693A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 薄膜el表示装置の駆動方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60247693A true JPS60247693A (ja) | 1985-12-07 |
JPH0572589B2 JPH0572589B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=14405940
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59105375A Granted JPS60247693A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 薄膜el表示装置の駆動方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4935671A (ja) |
JP (1) | JPS60247693A (ja) |
DE (1) | DE3518596A1 (ja) |
GB (1) | GB2161011B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0239093A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-08 | Sharp Corp | 薄膜el表示装置の駆動回路 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6183596A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-28 | シャープ株式会社 | 薄膜el表示装置の駆動方法 |
JPH0634151B2 (ja) * | 1985-06-10 | 1994-05-02 | シャープ株式会社 | 薄膜el表示装置の駆動回路 |
US4982183A (en) * | 1988-03-10 | 1991-01-01 | Planar Systems, Inc. | Alternate polarity symmetric drive for scanning electrodes in a split-screen AC TFEL display device |
JPH0748143B2 (ja) * | 1988-12-28 | 1995-05-24 | シャープ株式会社 | 表示装置の駆動方法 |
JP2682886B2 (ja) * | 1990-04-25 | 1997-11-26 | シャープ株式会社 | 表示装置の駆動方法 |
US5432015A (en) * | 1992-05-08 | 1995-07-11 | Westaim Technologies, Inc. | Electroluminescent laminate with thick film dielectric |
JPH09245969A (ja) * | 1996-03-01 | 1997-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 分散型エレクトロ・ルミネセンス素子およびそれを用いた照光式スイッチユニット |
US6396218B1 (en) * | 2000-10-03 | 2002-05-28 | Xerox Corporation | Multisegment electroluminescent source for a scanner |
US6661180B2 (en) * | 2001-03-22 | 2003-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, driving method for the same and electronic apparatus |
JP4659292B2 (ja) * | 2001-08-03 | 2011-03-30 | パイオニア株式会社 | 容量性発光素子表示パネルの駆動装置 |
TWI413052B (zh) * | 2009-10-02 | 2013-10-21 | Innolux Corp | 畫素陣列與其驅動方法及採用該畫素陣列之顯示面板 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3885196A (en) * | 1972-11-30 | 1975-05-20 | Us Army | Pocketable direct current electroluminescent display device addressed by MOS or MNOS circuitry |
US4032818A (en) * | 1975-11-10 | 1977-06-28 | Burroughs Corporation | Uniform current level control for display panels |
US4338598A (en) * | 1980-01-07 | 1982-07-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film EL image display panel with power saving features |
US4367468A (en) * | 1980-12-22 | 1983-01-04 | Ncr Corporation | D.C. Input shift panel driver circuits-biased inputs |
US4485379A (en) * | 1981-02-17 | 1984-11-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Circuit and method for driving a thin-film EL panel |
-
1984
- 1984-05-23 JP JP59105375A patent/JPS60247693A/ja active Granted
-
1985
- 1985-05-23 GB GB08513058A patent/GB2161011B/en not_active Expired
- 1985-05-23 DE DE19853518596 patent/DE3518596A1/de active Granted
-
1988
- 1988-08-08 US US07/229,751 patent/US4935671A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0239093A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-08 | Sharp Corp | 薄膜el表示装置の駆動回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3518596C2 (ja) | 1987-07-30 |
GB2161011A (en) | 1986-01-02 |
GB8513058D0 (en) | 1985-06-26 |
US4935671A (en) | 1990-06-19 |
JPH0572589B2 (ja) | 1993-10-12 |
GB2161011B (en) | 1987-10-14 |
DE3518596A1 (de) | 1985-11-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |