JPS60200578A - 光電変換装置の作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、光電変換素子またはセル（以下単にセルと
いう）を絶縁表面を有する可曲性の基板上に複合簗積化
するに関し、隣合ったセル間の電極用４電膜の切断（開
溝）をレーザスクライブ（以下ＬＳという）で直線状に
走査することにより実行し、かつその走査スピードを一
定または概略一定（以下一定という）とすることにより
加工に必要な時間を節約し、さらに被加工面下の一ト地
材のｔｌ傷を防くごとを目的としている。

本発明においては、活性領域に設けられたセルにおける
絶縁表面を有する基板上に、第１の電極を第１の導電膜
に複数の第１の開溝をレーザ光を走査するスクライブ法
により形成し、さらに、この電極上に光照射により光起
電力を発生する非単結晶半導体と、該半導体上に第２の
ＬＳを第１の開溝に対し平行（概略平行を含む）に行い
、第２の開溝または開孔を形成し、さらにこの上に第２
の導電膜を形成し、この第２の導電膜に第１の開講と平
行に第３の開溝を直線状にレーザ光を走査して形成し、
複数の電極に分離したものである。その結果、隣合った
素子間の電気的連結を活性領域の内部に第２の開孔また
は開溝（以ト単に開孔という）によりコンタクトを設け
て複数の素子を直列接続して配設することを特長とする
。

光電変換装置の安価、多量生産のための基板として絶縁
表面を有する可曲性の薄膜の使用がめられてきた。

この発明は、ステンレス基板等の可曲性基根土に絶縁表
面を有する薄膜、例えば有機樹脂薄膜（以下ＯＦという
）を設け、かかる絶縁表面を自する基板上に第１の２＃
電映をクロムまたはクロムを主成分とする耐熱性昇華性
金属（以下単にクロムという）薄膜、またはアルミニュ
ームのごとき反射性金属とその上面の酸化スズのごとき
透光性昇華性導電膜とよりなる複合導電検を設け、かか
る導電膜にＬＳを直線状にレーザ光を走査するのに際し
、この第１の導電膜をスクライブしつつもその下の絶縁
性Ｖ＃膜例えば有機樹脂薄膜にまったく損傷を与えるこ
とのない条件が実験的に存在することを見いだし、この
事実を利用して半導体装置特に光電変換装置を作製せん
としたものである。

本発明はかかるＯＦと、その上の昇華性を有する導電膜
特にクロムを主成分とする金属、酸化インジュームまた
は酸化スズを生成分とする導電性酸化膜に対しレーザ光
を照射した時、このＯＦを損傷せずにその上の導電性薄
膜のみを選択的に除去することができる条件を実験的に
検討したところ、そのレーザ光を１つの場所に長時間（
数十ｍ秒以上）照射することなく、また走査（スキャン
）スピードを一定または概略一定の速度で保持すること
により、この電極用導電材料のみを選択的に除去するこ
とが可能であることを見いだした。

即ち、レーザ光の照射により叶は熱伝導率が小さい（一
般には１〜７　Ｘ　１０”Ｃａｌ　／　ｓｅｃ　／　ｃ
ａｔ　／　℃／ｃｍ）ため、同し位置に繰り返しレーザ
パルスを加えると、この有機樹脂内に熱が苺積され、こ
の熱で樹脂が炭化され切断されてしまう。しかしその繰
り返しを１回または数回とすると、このＯＦの熱伝導率
が導電性薄Ｉ１５！！（以下ＣＦという）例えばクロム
またはアルミニュームとＣＴＦとの複合膜の１／１０３
であるため、逆にＣＦのみを選択的にレーザ光の照射さ
れた場所のみ除去することができることを見いだした。

第１図は従来構造の代表的な例を示している。

第１図（Ａ）は光電変換装置（１）を透光性のガラス草
根（２）を下側にした背面より見た１ド面図である。

図面において、光照射により光起電力を発生する活性領
域（１４）と、各セル（１１）、＜　１３　）を連結す
る連結部（１２）を有する非活性領域（１５）とを自す
る。第１図（Ａ）のＡ−Ａ”、　Ｂ−Ｂ’の縦断面図を
対応させて第１図（Ｂ　）、（Ｃ）に示していることよ
り明らかなごとく、活性領域において各セル（１１）、
＜　１３　）はガラス基４７ｍ（２）上の第１の電極の
透光性導電Ｈ’Ａ　（ＣＴＦ　）の（３）が各セル間で
互いに分離されている。また半導体（４）は各セル間に
て互いに連結されている。また非活性領域において、セ
ル（１３）の上側電極は、セル（１１）の下側電極と連
結部（６）、（７）でのコンタクト（１８）で連結し、
これを繰り返し５つのセルを外部電極（８）、＜　９　
）間に゛ζ直列接続をさせている。

しかしこの従来構造は一見半導体（４）が１枚であるた
め製造歩留りが商いように見える。しかし実際には３棟
類（第１の４奄股のバターニング用の第１のマスク、非
活性領域形成のための第２のマスク、第２の導電膜のバ
ター二、ング用の第３のマスク）のマスクを用いるが、
そのマスクにおいて第１のマスクと第３のマスクとがセ
ルファラインカ式でないため、マスクずれを起こしやす
い。

このずれ（即ち金属マスクにおいては０．３〜１ｍｍの
ずれはごく当然である）により、セルの有効面積が１０
〜２０％も実質的に減少してしまうことが判明した。

さらにこのバターニングをレーザ光で行なわんとしても
、それはまったく現実離れをしている。

即ち、例えば、第１の電極（３）を形成させんとした時
、その走査は単なる直線状の走査ではなく１つの電極の
形成に数回の９０゛の曲がりを必要とする。このためそ
のコーナ部では走査スピードが零またはきわめて遅くな
る。このことはこのコーナ部ではＱスイッチ化されたパ
ルス光が必要以上の回数加えられ、結果として基板材料
までもＩｉ３傷を与えてしまう。加えて全体の加工速度
が遅くなるといった２重の欠点を持つ。また、非単結晶
半導体を非活性領域に形成させないためにマスクも必ず
必要となってしまう。このため第１図の構造をレーザス
クライブ法でのめで形成するのはまったく不可能である
。即しレーザスクライブ法に最も適したディバイス構造
およびその製造カルが強くめられていた。

即ち本発明においては、その代表例を第２図に示すが、
光照射（１０）面側からは複数の第２の電極の分離用の
肉眼では見えない中の開溝（１１３１０〜７０μ代表的
には２０〜３０μバ第２図（２０）　）が存在するのみ
である。さらに第１図（Ａ）におりる領域（１５）のご
とき非活性領域がまったく存在せず、連結部が即ち各セ
ルのアイソレインヨン領域を構成せしめている。加えて
ＬＳを用い、かつレーザ光を単に直線状に走査し、かつ
加工領域においては一定スピードで走査するのみでの全
くのマスクレスプロセスであるため、第１の開溝をテレ
ビモニターで積層して、その開溝を基準として所定の位
置に平行または概略平行にレーザ光を走査して第２の開
溝、第３の開溝を形成する光学的なバターニングを行う
いわゆるコンピュータ・エイデツド・セルフレノストレ
イソヨンカ式を１采用することがｉ＋Ｊ能になった。

また第１のセルの第１の電極と、第２のセルの第２の電
極との連結部のコンタクトは、基板の半導体「内部」　
（この第２図では中央部に設け、その開孔の端部は半導
体の切断を行っていない）に設け、従来例の半導体の外
側でのコンタクトとはその位置がまったく異なる。

さらにこのコンタクトが隣合うセル間の半導体をすべて
切断する構造で開講を作るのではなく、その開溝（２０
〜９０μφ）を１つまたは複数個不連続に円形状または
長円形状（開／１１１）に設ける（即ち、この開溝の端
部はそれぞれのセルを構成する半導体が連続している）
ことにより、この開溝を実質的に肉眼で見い出し得す、
商品的にスクライブラインが目障りにならないようにで
きるという他の特長を有する。

本発明はかかる多（の特長を有するものであって、以下
に図面に従ってその詳細を記す。

第２図は本発明の光電変換装置の製造−」−程および装
置を示すものである。

図面において、厚さ１００μのステンレス薄膜（２′）
上にポリイミド樹脂またはＰＥＳ　（ポリエーテル・サ
ルフメン・フィルム）（住友ヘークライト社製スミライ
ト）（連続使用温度１５０〜３００’Ｃ，熱伝導率　３
〜７　Ｘ　１０′４Ｃａｌ　／ｓｅｃ　／　ｃｎｌ　／
　°Ｃ７ｃｍ）（２′りを１〜１０μの厚さに形成し、
これをして絶縁表面を有する基板（２）（例えば厚さ１
００μ、長さく図面では左右方向）　６０ｃｍ、ＩｌＪ
２０ｃｍ）として用いた。

このＯＦ上に電子ビーム蒸着法またはマグネトスパッタ
法にて、耐熱性を自し、かつ昇華性を有する金属である
クロム（ＪＩさ２０００人）または反射性金属であるア
ルミニューム（１０００人）とその上にスパック法にて
ＳｎＯを１１００人の厚さに形成させ、複合の導電性１
映を用いた。するとそのシート抵抗は３．５Ω／口を有
していた。

この図面は４つのセルを直列接続せしめた場合である。

即ち本発明の光電変換装置は、活性領域（１４）を同一
基板に１００〜２０００ケ同時に杓するより大きい２０
ｃｍ　Ｘ　６０ｃｍの基体を用いた。

各セルでは、第１の導電映を基体全面に形成した。さら
にこの２＃奄膜を所定の形状にレーザ（ここでは１．０
６μまたは０．５３μの波長のＹＡＧ　レーザ）スクラ
イブをマイクロコンピュータにより記すつされ制御され
たパターンに従って行って第１の開講（１６）を形成し
た。さらにセルの外側でのリークを除去するため、分離
用開溝（２６）、（２６’）を形成させた。そしてセル
領域（１１）、＜　１３　）および外部接続用電極部（
８ル（９）を形成させた。

即ち、ここにＹＡＧレーｆ（発光波長０．５３μ、焦点
化！１１１５０　ｍ　ｍ、光（￥２０μ）を照射した。

その条件としては、繰り返し同時に６Ｋｔｌｚ、平均出
力（１，２Ｗ、スキャンスピード（走査速度、以下ＳＳ
という）　３０ｃｍ／分とした。

スクライビングにより形成された開溝（１６＞は巾約２
５μ、長さ２０ｃｍ　（図面では１　ｃｍ）、深さは畦
上それぞれの第１の電極を完全に切Ｗ１分離した。

第１の素子（１工）および第２の素子（１３）を構成す
る中は１０ｍｍとした。

この時電子顕微鏡にて調べた範囲では、叶表面には何等
の損傷もまた部分的な劣化も見られなかった。このレー
ザ光は＋６００’ｃ以上の温度を自するとｆｌｕ察され
るが、連続使用上限温度か１８０　’Ｃ程度の低い耐熱
性しか有さない叶にイｌＩｉ等ｍ錫を与えなかった。

即ち、畦上のＣＦに対し、選択的に開溝（１６）を作製
することができることがわかった。その」二、２つのプ
ローブ間にはＩＭΩ以上の抵抗（中はＩｃｍとする）を
得ることができた。

第３図はレーザ光の繰り返し周波数を可変にしたもので
、開溝が形成される場合の電気抵抗を示す。

図面において、スキャンスピード３０ｃｍ　／分、平均
出力０．２Ｗ、光径２５μのＹＩＩＧ　（波長０．５３
μ）レーザを用いた。するとその周波数を１ＯＫＨｚよ
り下げてゆくと、曲線（４５）は７　Ｋ　ＩＩ　ｚ以下
で不連続にＩＭΩ以上（４５’）となって電気的にアイ
ソレイションを行うことができるようになったことが判
明した。

しかしこの周波数が４　Ｋ　ｔｌ　ｚ以下（パルスが２
．７×１０２回照射される）ではこのＣＦに加えて下地
の叶をもその中心部（ガウス分そＪのエネルギ密度の最
も商い領域）で…傷してしまった。

第４図は第３図の特性を得るための走査スピードが一定
スピードで行われる必要性を調べたものである。即ら第
２図（Δ）の第１の開溝により２点（４６＞、＜　４７
　）に対しその上方から下方へと長い距離を一定速度で
走査させる必要性を示している。

さらに一定スピードの例はスキャンスピード４０ｃｍ／
分の時３０〜５０ｃｍ　／分（±２５％）程度以内のス
ピードの＋ｌＪ（概略一定の走査スピード）まで開溝の
形成が可能であった。ｌ！Ｉｌら基板の位置（４９）＜
中２０ｃｍとする）での（４６）、（４７）が第２図（
Ａ）にボされている。即ちスキャンスピードが一定の走
査中に最適スピードの±２５％以内であることが車間で
ある。

第２図（Ａ）の平面図またＡ−Ａ’、Ｆ−Ｆ’における
縦断面図を（Ａ−１）＜　（Ａ−２）にそれぞれ示す。

次に第２図（Ｂ）の平面図に示すごとく、光照射により
光起電力を発生ずる水素または弗素が添加された非単結
晶半導体を、この電極（３ン２開溝（１６）のすべての
上面に均質の股ｊソに形成さ一口る。

この半導体（４）は例えばＳｉｘ自−ｘ（０＜ｘ＜１一
般にはｘ　＝０．７〜０．８　）のＩ）型を約１５０人
のノ＋、Ｈさに、さらにＩ型の水素またはハ＼コゲン元
素が添加された珪素を主成分とする半導体を０．４〜０
．８μの厚さに、さらにＮ型の微結晶化した珪素または
Ｎ型の５ｉｘＣ１−ｘ（０＜ｘ＜１　ｘ〜０．９）を主
成分とする半導体のｒ’ＩＮ接合構造とした。もちろん
これをＰ　（ＳｉｘＣ＋−ｘ　ｘ　＝０．７−０．８　
）　−１（Ｓｉ）−Ｎ　（μＣ５ｉ　）　Ｐ　（Ｓｉｘ
Ｃ１−ＸＸ＝０．７　〜０．８）−Ｉ　（ＳｉｘＧｅ　
ｌ−Ｘ　Ｘ　＝０．６−０．８　）　−Ｎ　（ｉｉ＆結
晶化＠ＳＩ　または５ｉｘＣ１−ｙ　Ｏ＜ｘ＜１）とい
った１１１　Ｎ　ＰＩＮ構造のタンデム構造としてもよ
い。

さらに第２の開孔（１５）をレーザ光により形成させ、
第２図（Ｂ）におけるＢ−Ｂ’　、Ｃ−Ｃ’の縦断面図
を（Ｂ−１）、（Ｂ−２）に対応して示している。

かくして第２の開孔（１５）はＯＦ自体の表面には崩傷
を与えずに第１の電極の側面（１７）を露出さ一已た。

この時、導電性薄膜の上端部を０〜５μの中で露呈させ
る結果、連結は導電性薄膜（３）の側面および上面が連
結部のコンタクトを構成した。

また出力を少なくするとレーザ光の０．５３μの波長は
珪素の商い吸収係数のため珪素のみを除去することがで
きる。この場合は上面のコンタクトとすることができる
。

この第２の開孔（１５）の形成条件は、第１の開溝を形
成する条件とレーザ光をパルスを不連続に（１５）の位
置のみに加える以外は同一であり、第１の開溝を基鈑と
して平行に走査して形成した。

第３図、第４図の特性を用いることができた。

次に第２図（Ｃ）のパターンを形成させた。第２図（Ｃ
）のＤ−Ｌｌ’　、　Ｅ−Ｅ’　、　Ｇ−Ｇ’にりＪ応
じた縦断面図を（Ｃ−２＞、＜　Ｃ−３）、（Ｃ−１）
に示している。

即ち、半導体（４）上に第２の電極を電子ビーム蒸着法
によＱＩＴＯを４００〜１０００人例えば７００人の厚
さに形成させた。

すると、開口（１５）において、第１の導電膜（３）の
側面または上面（１７）に対し、ＩＴＯの導電性酸化物
がコンタクトし、オーム接触をさせることができた。

特にレーザ加工にはクロムが接触抵抗も少なく、かつレ
ーザ加工性に優れ、好ましがった。

さらに第２の電極がｆＴＯのみよりなるため、レーザ光
が透過し、第３の開溝はＩＴＯとその下の半導体とを実
質的にスクライブしてしまった。

この後、第２図（Ｃ）においてレーザスタライブ（１９
）を行った。これはＹＡＧ　レーザ（波長０．５３μ）
をテレビモニターにて第１の開溝をモニターしつつ、そ
れより５０〜２００　μ第２のセル側（１３）にはいっ
た位置にて開溝を作った。レーザ光の平均出力を０．１
〜０．３Ｗとし、ビーム径１０〜３ｏμφ、ヒーム走査
スピード０．１〜１ｍ／分、一般には０．３ｍ／分とし
て行った。

この第３の開溝には半導体の光照射係数がきわめて大き
い０．６μ以下の波長即ち０．５３μのＱ−スイッチが
かけられたレーザ光が特に優れていた。

かくするとＳｉ　（水素またはハロゲン元素が添加され
た０、５μ以上の厚さを有する半導体）が本来昇華性で
あり、かつ０．５３μの波長の吸収係数が大きいため、
レーザ光により速やかに昇温し、半導体とその」二のＩ
ＴＯとを同時に気化して除去させることができた。

かくして、連結部（１２）において、セル（１３）の第
１の電極（２３’）と、セル（１１）の第２の電極（２
５）とが酸化物コンタクトによりオーム接触を第２の開
溝（１８）を介してしている。特に連結部（］２）にお
けるコンタクｌ−（１７）は、第２の開孔（１５）によ
り作られた第１の電極の側面または側面と０〜５μのＩ
’ｌＪの第１の電極の上端面とで成就され、いわゆるサ
イドコンタクト構造をイ（している。即ら２つのセルは
わずかｌＯ〜７０μφの第２の開孔のサイトコンタクト
で十分であり、この部分に第２の′ｄ１極を構成する材
料を密接させて電気的に直列接続をさせている。　（Ｃ
−１＞、＜　Ｃ−２）　ノ縦Ｗｉ面図より明らかなごと
く、半導体（４）上に第２の電極（５）が形成されてい
るにすぎない。

そしてこの第３の開溝（２０）はその下の半導体を除去
し開溝を設け、さらに第１の電極をえくることなく各素
子の第２の電極間を電気的にアイソレイ１−させること
ができた。

さらに第２図（Ｃ）において、これらの上面に透光性自
機樹脂（２８）を２Ｐプロセス（特に＋３＋−温させる
ことなく紫外光により硬化する液体を用いて彷光性絶縁
脱をはりっ＋）るプロセス）によりコーティングして完
成させている。

その結果、１ｃｍ　ｘ　５ｃｍの光電変換装置を金属薄
股上の絶縁表面を有する計上に１つ作るのではなく　、
２０ｃｍ　ｘ　２０ｃｍまたは２０ｃｍ　Ｘ　６０ｃｍ
または４０ｃｍ　Ｘ　４０ｃｍの大きな草根上に一度に
多数の光電変換装置を作ることが可能となった。

そして最後にこれらを（７０）の境界で裁断法により切
断し、それぞれの光電変換装置にした。このためには、
従来より知られた光電変換装置のごとく活性領域と非活
性領域とを作るのではなく、すべて実質的に活性領域と
し、かつレーザ光による開溝を端から端まで作り、レー
ザ光の走査スピードを大きなＯＦ上で常に一定にさせて
いることがｍｆである。さもないと、ＳＳが遅い部分で
は叶に用傷がおきてしまうからである。

第２図（Ｃ）での開講（２０）、＜　２７　＞、＜　２
７　’　）が端から端まで直線状走査されているのは、
量産性を考えた時重要である。特にレーザ光の走査のし
始め、し終わりの走査スピードの変化している領域では
照射領域におＬｊるエネルギ密度が人き（なってしまう
。このため一定速度領域のみを用いてＬＳを行うことが
必要となり、そのため、直線的なＬＳによる開講形成は
きわめて重要なプロセスである。もちろんこれらの開溝
は入射）し側からはまったく見られないため高商品価値
化を妨げない。

また第２図（Ｃ）において明らかなごとく、セルの有効
面積は連結部（１２）の１０〜３００μ中のきわめてわ
ずかな部分を除いて他のすべてが自〃Ｊであり、実効面
積は９２％以上を１ηることができ、従来例の８０％に
比べ本発明構造は格段に優れたものであった。

さらにこの変換効率は、螢光幻（３００Ｌｘ　）　’ｌ
で６．３％を有し、開放電圧１．９ｖを１４ることかで
きた。

これらのことを考慮すると、本発明は以Ｆの大きな特長
を有することが判明した。

即ち、本発明は〔１〕絶絶縁面をイｊする犬面積基板に
同時に多数の光電変換装置を作り、これを分１１して各
語根上に１つの光電変換装置を作る方式を採用すること
が口Ｊ能となった。このため、従来の１／３〜１１５の
価格での製造がＩ１１能である。

〔２〕第１の開講と第２の開化、第３の開講とがコンピ
ュータにより制御されたセルフレジストレイジョン方式
のため、セルの自りＪ面積が大きく、かつその間−ハノ
チで作られた各光電変換装置間のバラツキが少ない〔３
つ直線走査方式のＬＳによるマスクレス工程であるため
、製造歩留りが高い。

〔４〕各ナセル分離の第１、第３の開溝のスクライブラ
インのＩＣが１０〜７０μときわめて小さく、かつ第２
の開孔も１０〜５０μψときわめて小さく、また第１の
開溝は光照射面（則からはまったく見えない。その結果
肉眼によりハイブリノＩ−化がされていることを６′η
認され得す、商（；Ｊ加商品価値を与えることができた
。

第２図において、第２の開花（１５）は１つのみを半導
体内Ｒ１（の特に中央付近に存在させた。しかしこの開
孔は、複数ケ（２〜４ケ）を破線的にまたは長円構造を
させＹ方向に第１および第３の開溝の間に作製しても、
また櫛目形状に半導体（３）の内部に第１の開溝（１６
）にそって形成さセでもよい。

以上の説明は本発明の第２図のパターンには限定されな
い。セルの数、大きさはその設計仕様によって定められ
るものである。また半導体はプラズマＣν１）法、減圧
ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法または光プラズマＣＶＤ法を用い
た。

非単結晶シリコンを主成分とする門Ｎ接合、ヘテロ接合
、タンデム接合のみに限らず多くの構造への応用が可能
である。

なお本発明は有機樹脂上に簗、偵化さ−ｌた構造をボし
た。しかし本発明は、金属薄１悦」二に窒化珪素、酸化
珪素または酸化クロム等の絶縁膜を３００〜３０００人
の厚さにバリアｊ−として形成し、または基体自体が絶
縁表面（非透光性でよい）であってその上に第１の電極
用の導電性薄１模を形成してもよいことはいうまでもな
い。

また図面において、基板を透光性とし、例えはガラスま
たはＰＥＳ等の透光性プラスチックとし、下側の第１の
電極をＣＴＦとし、ト側からの光照射を行う方式を用い
てもよいことはいうまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の光電変換装置の縦断面図である。 第２図は本発明の光電変換装置のｉ１２而図面よび縦断
面図を製造上程に従ってンｊりしたものである。 第３図は本発明のステンレス基板」二の有機樹脂上の導
電性薄膜をレーザスクライブした時のレーザスクライブ
による電気抵抗の変化を示す。 第４図は本発明の走査スピードを一定とした時の様子を
示す。 特許出ｊ頭人 〈９　づ・ノー（／？Ｉ　−ヒメーー　Ｃｋ　Ｈｚ　）
ｆ−、５（＠ Ｌ−ブーえηイＬｆＣｃ、す（） 矛４ｔａ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁表面を有する基板上に形成された第１の導電膜
   をレーザ光を直線状に走査しスクライブすることにより
   、複数の第１の電極を形成する工程と、該第２の電極お
   よび該電極間の第１の開溝上に光照射により光起電力を
   発生させる非単結晶半導体を形成する工程と、該非単結
   晶半導体に対し前記直線状の第１の開溝に平行にレーザ
   光を走査して１１１」記非単結晶半導体の内部に第２の
   開溝または開化を形成する工程と、該開溝または開イし
   および前記非単結晶半導体上に第２の導電膜を形成し−
   （連結部を構成せしめたｌ＆該第２の導′ｒＪｉ腺を前
   記第１の開講に平行にレーザ光を直線状に走査してスク
   ライブすることにより複数の第３の電極を形成して集積
   化する工程とを有することを特徴とする光電変換装置の
   作製方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、レーザ光を直線状
   に走査してスクライブをする際、走査スピードは一定ま
   たは概略一定であることを特徴とする光電変換装置の作
   製方法。