JP3195424B2 - 太陽電池およびその製造方法 - Google Patents
太陽電池およびその製造方法Info
- Publication number
- JP3195424B2 JP3195424B2 JP16765692A JP16765692A JP3195424B2 JP 3195424 B2 JP3195424 B2 JP 3195424B2 JP 16765692 A JP16765692 A JP 16765692A JP 16765692 A JP16765692 A JP 16765692A JP 3195424 B2 JP3195424 B2 JP 3195424B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- shaped groove
- junction
- silicon substrate
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面に凹凸を有する太
陽電池およびその製造方法の改良に関するものである。
陽電池およびその製造方法の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、シリコン基板を用いた表面に凹
凸を有する太陽電池の基本的な製造方法は、まず光入射
側であるシリコン基板の表面に、表面反射を低減するた
めの凹凸を形成し、その後、ＰＮ接合を形成するための
ドープ層を形成し、最後に表面および裏面の電極を形成
するものであった。
凸を有する太陽電池の基本的な製造方法は、まず光入射
側であるシリコン基板の表面に、表面反射を低減するた
めの凹凸を形成し、その後、ＰＮ接合を形成するための
ドープ層を形成し、最後に表面および裏面の電極を形成
するものであった。
【０００３】単結晶太陽電池の表面に凹凸を設けるテク
スチャ処理は、（１００）の面方位の基板に対しては、
ＮａＯＨあるいはＫＯＨなどのアルカリの水溶液中で、
（１００）方向と（１１１）方向の異方性のエッチング
を行ない、基板上にピラミッド型の凹凸を形成してい
る。
スチャ処理は、（１００）の面方位の基板に対しては、
ＮａＯＨあるいはＫＯＨなどのアルカリの水溶液中で、
（１００）方向と（１１１）方向の異方性のエッチング
を行ない、基板上にピラミッド型の凹凸を形成してい
る。
【０００４】同様に、多結晶太陽電池においても、アル
カリ水溶液による異方性エッチングを行なっているが、
平坦な表面に比較して反射率が低下するものの、単結晶
基板のテクスチャ処理ほどの効果は得られない。このこ
とは、多結晶基板内に存在する各結晶粒の面方位が一様
でなく、（１００）以外の面指数のところでは、ピラミ
ッドが形成されないことが原因である。
カリ水溶液による異方性エッチングを行なっているが、
平坦な表面に比較して反射率が低下するものの、単結晶
基板のテクスチャ処理ほどの効果は得られない。このこ
とは、多結晶基板内に存在する各結晶粒の面方位が一様
でなく、（１００）以外の面指数のところでは、ピラミ
ッドが形成されないことが原因である。
【０００５】そのため、多結晶太陽電池では、フォトリ
ソグラフィを使った等方性エッチングやレーザ、ダイサ
などを用いた機械的加工により、Ｖ字型の溝（グルー
ブ）を形成することで表面反射を低減しているのが現状
である。
ソグラフィを使った等方性エッチングやレーザ、ダイサ
などを用いた機械的加工により、Ｖ字型の溝（グルー
ブ）を形成することで表面反射を低減しているのが現状
である。
【０００６】基板表面に溝を形成すると、表面反射を低
減することができるが、たとえば、ＰＮ接合を通常よく
用いられているＰＯＣｌ3 を不純物とし、熱拡散法によ
り形成した場合には、基板の全面に拡散されてしまい、
平坦な表面に比べて凹凸がある分、接合面積が増えてし
まう。この接合面積の増加は、漏れ電流の増大を引起し
開放電圧の低下をもたらしてしまう。
減することができるが、たとえば、ＰＮ接合を通常よく
用いられているＰＯＣｌ3 を不純物とし、熱拡散法によ
り形成した場合には、基板の全面に拡散されてしまい、
平坦な表面に比べて凹凸がある分、接合面積が増えてし
まう。この接合面積の増加は、漏れ電流の増大を引起し
開放電圧の低下をもたらしてしまう。
【０００７】このため、ポイントジャンクションと称す
るＰＮ接合の面積の低減を図った取組がいろいろとなさ
れているが、いわゆるＬＳＩプロセスでよく用いられる
フォトリソグラフィにより、ＳｉＯ2 膜をパターニング
し、それを拡散バリア層にしてドープ層を形成したもの
しかないのが現状である。
るＰＮ接合の面積の低減を図った取組がいろいろとなさ
れているが、いわゆるＬＳＩプロセスでよく用いられる
フォトリソグラフィにより、ＳｉＯ2 膜をパターニング
し、それを拡散バリア層にしてドープ層を形成したもの
しかないのが現状である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前述のフォトリソグラ
フィでは、表面に凹凸がある場合、パターニング精度が
悪かったり、信頼性に問題が生じやすい欠点があった。
また、凹凸を形成して表面反射率を低減させるととも
に、部分的なＰＮ接合を形成するためには、フォトリソ
グラフィなどの複雑な工程を含む複数回の工程が必要で
あり、実用化，低価格化という意味では非常に問題があ
った。本発明の目的は、表面反射率の低減のための溝の
作成と部分的なＰＮ接合の形成を連続したレーザ加工処
理によって行なうことによって、製造工程を簡素化し、
高効率で安価な太陽電池を得ることにある。
フィでは、表面に凹凸がある場合、パターニング精度が
悪かったり、信頼性に問題が生じやすい欠点があった。
また、凹凸を形成して表面反射率を低減させるととも
に、部分的なＰＮ接合を形成するためには、フォトリソ
グラフィなどの複雑な工程を含む複数回の工程が必要で
あり、実用化，低価格化という意味では非常に問題があ
った。本発明の目的は、表面反射率の低減のための溝の
作成と部分的なＰＮ接合の形成を連続したレーザ加工処
理によって行なうことによって、製造工程を簡素化し、
高効率で安価な太陽電池を得ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明においては、レー
ザ光により、シリコン基板の表面にＶ字型溝の形成とＶ
字型溝の底部のＰＮ接合の形成を連続して行なうように
した。
ザ光により、シリコン基板の表面にＶ字型溝の形成とＶ
字型溝の底部のＰＮ接合の形成を連続して行なうように
した。
【００１０】
【作用】Ｖ字型溝の底部のみにＰＮ接合を形成すること
により、接合部の面積が低減され、その結果、漏れ電流
が減少し開放電圧が向上する。
により、接合部の面積が低減され、その結果、漏れ電流
が減少し開放電圧が向上する。
【００１１】
【実施例】図１（ａ）は本発明による多結晶太陽電池の
略断面図であり、同図（ｂ）はその斜視図である。
略断面図であり、同図（ｂ）はその斜視図である。
【００１２】Ｐ型シリコン基板１の表面（受光面側）に
は、多数のＶ字型溝２，２，…が形成されており、その
底部にはＮ型拡散層３，３，…が形成されている。表面
には、パッシベーション膜となるＳｉＯ2 膜４および導
電性反射防止膜８が積層されている。導電性反射防止膜
８は、ＳｉＯ2 膜４の孔を介して受光面電極５，５，…
によりＮ型拡散層３，３，…と接続されている。裏面に
はＢＳＦ層６および裏面電極７が形成されている。以上
のようにして得られたセルの表面の一端には電流取出し
部５−１が設けられている。
は、多数のＶ字型溝２，２，…が形成されており、その
底部にはＮ型拡散層３，３，…が形成されている。表面
には、パッシベーション膜となるＳｉＯ2 膜４および導
電性反射防止膜８が積層されている。導電性反射防止膜
８は、ＳｉＯ2 膜４の孔を介して受光面電極５，５，…
によりＮ型拡散層３，３，…と接続されている。裏面に
はＢＳＦ層６および裏面電極７が形成されている。以上
のようにして得られたセルの表面の一端には電流取出し
部５−１が設けられている。
【００１３】以下に、多結晶Ｐ型シリコン基板１を用
い、レーザ光としてはＸｅＣｌ3 エキシマレーザを用い
た場合の製法の一例を図面に従って説明する。
い、レーザ光としてはＸｅＣｌ3 エキシマレーザを用い
た場合の製法の一例を図面に従って説明する。
【００１４】まず、Ｖ字型溝の形成について説明する。
図２（ａ）〜（ｄ）は、レーザ光によるＶ字型溝２，
２，…加工の原理を示す。Ｐ型シリコン基板１の表面に
レーザ光を照射すると、照射面においては、シリコンが
溶融，蒸発する。たとえば、Ｐ型シリコン基板１を移動
スピードが可変で、基板温度を上昇させることのできる
ステージ上に吸着し、エネルギー密度を、２３．６Ｊ／
ｃｍ2 とし、発振周波数１００Ｈｚで連続照射すると、
常温で４００μｍ厚さの多結晶シリコン基板を約３０秒
で貫通することがわかっている。したがって、図２
（ａ）〜（ｄ）に示すように、加工深さに応じて、最初
は照射範囲を広く逐次照射形状を小さくしていくことに
より、Ｖ字型の加工形状を得ることができる。斜線を施
した部分は溶融蒸発層１−１である。図２（ｄ）におい
てＶ字型溝２の斜面は直線になっているが、実際は多数
の段によって構成されている。
図２（ａ）〜（ｄ）は、レーザ光によるＶ字型溝２，
２，…加工の原理を示す。Ｐ型シリコン基板１の表面に
レーザ光を照射すると、照射面においては、シリコンが
溶融，蒸発する。たとえば、Ｐ型シリコン基板１を移動
スピードが可変で、基板温度を上昇させることのできる
ステージ上に吸着し、エネルギー密度を、２３．６Ｊ／
ｃｍ2 とし、発振周波数１００Ｈｚで連続照射すると、
常温で４００μｍ厚さの多結晶シリコン基板を約３０秒
で貫通することがわかっている。したがって、図２
（ａ）〜（ｄ）に示すように、加工深さに応じて、最初
は照射範囲を広く逐次照射形状を小さくしていくことに
より、Ｖ字型の加工形状を得ることができる。斜線を施
した部分は溶融蒸発層１−１である。図２（ｄ）におい
てＶ字型溝２の斜面は直線になっているが、実際は多数
の段によって構成されている。
【００１５】上記の加工実験の結果から、２３．６Ｊ／
ｃｍ2 のエネルギー密度で、約８回の照射で基板を深さ
方向に１μｍ加工できることがわかった。
ｃｍ2 のエネルギー密度で、約８回の照射で基板を深さ
方向に１μｍ加工できることがわかった。
【００１６】図３には、本発明により形成したＶ字型溝
２の加工の例を示す。Ｖ字型溝２はレーザ光の照射形状
をまず５０×５０μｍの正方形にしておき、１照射ごと
に６μｍのステップでＸ方向にステージを動かし、Ｐ型
シリコン基板１の端部まで照射位置が移動したところ
で、Ｙ軸スリットにより照射形状を小さくし、さらに逆
のＸ方向にステージを動かす操作を繰返すことによっ
て、深さ方向に約１μｍずつの段差を有する、幅が５０
μｍで、深さが約４５μｍのＶ字状に形成され、さらに
Ｙ方向にステージを順次動かすことによって、基板全面
にＶ字型溝２，２，…を形成する。
２の加工の例を示す。Ｖ字型溝２はレーザ光の照射形状
をまず５０×５０μｍの正方形にしておき、１照射ごと
に６μｍのステップでＸ方向にステージを動かし、Ｐ型
シリコン基板１の端部まで照射位置が移動したところ
で、Ｙ軸スリットにより照射形状を小さくし、さらに逆
のＸ方向にステージを動かす操作を繰返すことによっ
て、深さ方向に約１μｍずつの段差を有する、幅が５０
μｍで、深さが約４５μｍのＶ字状に形成され、さらに
Ｙ方向にステージを順次動かすことによって、基板全面
にＶ字型溝２，２，…を形成する。
【００１７】次に、Ｖ字型溝２の底部にＰＮ接合を形成
することについて説明する。
することについて説明する。
【００１８】図４は、レーザ光のスポットサイズを２×
２μｍとし、ＰＣｌ3 ガス雰囲気中でエネルギー密度を
変化させて、拡散層面抵抗を調べた結果であるが、０．
７Ｊ／ｃｍ2 で約１０００Ω／ｓｑ、０．８Ｊ／ｃｍ2
で１００Ω／ｓｑ、１Ｊ／ｃｍ2 を超えると２０〜３０
Ω／ｓｑの値となる。この結果をもとに、エネルギー密
度を０．８Ｊ／ｃｍ2 として、Ｖ字型溝２の底部のみに
レーザ光を照射して、Ｎ型拡散層３，３，…を形成し
て、Ｖ字型溝２の底部のみにＰＮ接合を形成した。な
お、この程度のエネルギー密度では、Ｖ字型溝形状はほ
とんど変化しないことは確認できている。さらに、接合
部分のピッチは５０μｍで通常の結晶基板における少数
キャリアの拡散長である１５０〜３００μｍより小さい
ため、バルク内で少数キャリアが再結合して消滅してし
まうことはない。
２μｍとし、ＰＣｌ3 ガス雰囲気中でエネルギー密度を
変化させて、拡散層面抵抗を調べた結果であるが、０．
７Ｊ／ｃｍ2 で約１０００Ω／ｓｑ、０．８Ｊ／ｃｍ2
で１００Ω／ｓｑ、１Ｊ／ｃｍ2 を超えると２０〜３０
Ω／ｓｑの値となる。この結果をもとに、エネルギー密
度を０．８Ｊ／ｃｍ2 として、Ｖ字型溝２の底部のみに
レーザ光を照射して、Ｎ型拡散層３，３，…を形成し
て、Ｖ字型溝２の底部のみにＰＮ接合を形成した。な
お、この程度のエネルギー密度では、Ｖ字型溝形状はほ
とんど変化しないことは確認できている。さらに、接合
部分のピッチは５０μｍで通常の結晶基板における少数
キャリアの拡散長である１５０〜３００μｍより小さい
ため、バルク内で少数キャリアが再結合して消滅してし
まうことはない。
【００１９】次に、受光面側および裏面の処理について
説明する。パッシベーション膜としては、ＳｉＨ4 とＮ
2 Ｏの混合ガス雰囲気中で、基板を４００〜５００℃に
加熱することにより、１５０ÅのＳｉＯ2 膜４を形成し
た。表面に２００Å程度のＳｉＯ2 膜４を形成する表面
パッシベーション効果は、ドープ層に対してよりもドー
プ層がない領域に対する方が大きいため、光電変換素子
の表面で起こる光生成キャリアの再結合を低減させる効
果を増大させることができる。
説明する。パッシベーション膜としては、ＳｉＨ4 とＮ
2 Ｏの混合ガス雰囲気中で、基板を４００〜５００℃に
加熱することにより、１５０ÅのＳｉＯ2 膜４を形成し
た。表面に２００Å程度のＳｉＯ2 膜４を形成する表面
パッシベーション効果は、ドープ層に対してよりもドー
プ層がない領域に対する方が大きいため、光電変換素子
の表面で起こる光生成キャリアの再結合を低減させる効
果を増大させることができる。
【００２０】その後、Ａｌ（ＣＨ3 ）3 ガス雰囲気中
で、レーザ光のスポットサイズを１×１μｍとし、エネ
ルギー密度を０．１〜０．５Ｊ／ｃｍ2 として、ＰＮ接
合が形成されたＶ字型溝２の底部のみに、レーザ光を照
射することにより、薄いＳｉＯ 2 膜が除去されると同時
に、Ａｌ（ＣＨ3 ）3 が光分解し、Ａｌを約５μｍ析出
させ、受光面電極５，５，…を形成した。
で、レーザ光のスポットサイズを１×１μｍとし、エネ
ルギー密度を０．１〜０．５Ｊ／ｃｍ2 として、ＰＮ接
合が形成されたＶ字型溝２の底部のみに、レーザ光を照
射することにより、薄いＳｉＯ 2 膜が除去されると同時
に、Ａｌ（ＣＨ3 ）3 が光分解し、Ａｌを約５μｍ析出
させ、受光面電極５，５，…を形成した。
【００２１】次に、導電性反射防止膜８として、常圧Ｃ
ＶＤ法によって導電性のＳｎＯ2 膜を形成した。
ＶＤ法によって導電性のＳｎＯ2 膜を形成した。
【００２２】また、基板の裏面にＢＳＦ層６および裏面
電極７をＡｌペーストを印刷，焼成することにより形成
し、太陽電池が完成する。
電極７をＡｌペーストを印刷，焼成することにより形成
し、太陽電池が完成する。
【００２３】本発明による太陽電池の光電変換特性と、
従来のテクスチャ表面でＰＯＣｌ3で接合形成を行なっ
た太陽電池の特性との比較を下記の表１に示す。
従来のテクスチャ表面でＰＯＣｌ3で接合形成を行なっ
た太陽電池の特性との比較を下記の表１に示す。
【００２４】
【表１】 本発明による太陽電池は従来の太陽電池に比べ、開放電
圧，短絡電流ともに向上しており、少数キャリアの再結
合が低減されたことがわかる。また、レーザを使用する
ことにより、スポットサイズを光学系によって１μｍ程
度まで任意の大きさに設定でき、従来のフォトエッチン
グと同等の加工精度を、直描によるパターニングででき
るため、従来のような複雑なプロセスを行なわなくて
も、一連のプロセスでＶ字溝加工および拡散が可能とな
る。レーザ光としては、ＸｅＣｌ3の他のＡｒＦ，Ｋｒ
Ｆなどのエキシマレーザを用いることもできる。レーザ
光の波長については、３５０ｎｍ以下の紫外光を選択す
れば、シリコン基板への侵入深さが非常に浅く、熱によ
る基板へのダメージが少ないため、高温処理で太陽電池
の特性が悪化することもない。
圧，短絡電流ともに向上しており、少数キャリアの再結
合が低減されたことがわかる。また、レーザを使用する
ことにより、スポットサイズを光学系によって１μｍ程
度まで任意の大きさに設定でき、従来のフォトエッチン
グと同等の加工精度を、直描によるパターニングででき
るため、従来のような複雑なプロセスを行なわなくて
も、一連のプロセスでＶ字溝加工および拡散が可能とな
る。レーザ光としては、ＸｅＣｌ3の他のＡｒＦ，Ｋｒ
Ｆなどのエキシマレーザを用いることもできる。レーザ
光の波長については、３５０ｎｍ以下の紫外光を選択す
れば、シリコン基板への侵入深さが非常に浅く、熱によ
る基板へのダメージが少ないため、高温処理で太陽電池
の特性が悪化することもない。
【００２５】本発明は単結晶シリコン基板に対しても応
用できる。
用できる。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、簡単な設備により、一
連のレーザ加工プロセスでシリコン基板の表面にＶ字型
溝とＶ字型溝の底部のＰＮ接合が連続して形成でき、従
来の太陽電池に比べ高効率で安価な太陽電池を得ること
ができる。
連のレーザ加工プロセスでシリコン基板の表面にＶ字型
溝とＶ字型溝の底部のＰＮ接合が連続して形成でき、従
来の太陽電池に比べ高効率で安価な太陽電池を得ること
ができる。
【図１】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明による
太陽電池の略断面図および斜視図を示す。
太陽電池の略断面図および斜視図を示す。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、Ｖ字型溝加工の工程を示
す。
す。
【図３】レーザ光とＶ字型溝加工の関係を示す説明図で
ある。
ある。
【図４】レーザのエネルギー密度と拡散層面抵抗の関係
を示すグラフである。
を示すグラフである。
１ Ｐ型シリコン基板 ２ Ｖ字型溝 ３ Ｎ型拡散層 ４ ＳｉＯ2 膜 ５ 受光面電極 ６ ＢＳＦ層 ７ 裏面電極 ８ 導電性反射防止膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡本 浩二 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 横沢 雄二 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−139769（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−237768（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−75149（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−243592（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/04 - 31/078
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコン基板の表面に形成されたＶ字型
溝の底部のみにＰＮ接合を形成したことを特徴とする太
陽電池。 - 【請求項２】 レーザ光により、シリコン基板の表面に
Ｖ字型溝の形成とＶ字型溝の底部のＰＮ接合の形成を連
続して行なうことを特徴とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16765692A JP3195424B2 (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 太陽電池およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16765692A JP3195424B2 (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 太陽電池およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613632A JPH0613632A (ja) | 1994-01-21 |
| JP3195424B2 true JP3195424B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=15853804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16765692A Expired - Lifetime JP3195424B2 (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 太陽電池およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3195424B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100448665B1 (ko) * | 2002-06-21 | 2004-09-13 | 한국과학기술원 | 광원의 다중반사를 이용한 접합 방법 |
| US7554031B2 (en) * | 2005-03-03 | 2009-06-30 | Sunpower Corporation | Preventing harmful polarization of solar cells |
-
1992
- 1992-06-25 JP JP16765692A patent/JP3195424B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0613632A (ja) | 1994-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5025184B2 (ja) | 太陽電池素子及びこれを用いた太陽電池モジュール、並びに、これらの製造方法 | |
| US9583668B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP5328363B2 (ja) | 太陽電池素子の製造方法および太陽電池素子 | |
| US8039292B2 (en) | Holey electrode grids for photovoltaic cells with subwavelength and superwavelength feature sizes | |
| US4726849A (en) | Photovoltaic device and a method of manufacturing thereof | |
| RU2555212C2 (ru) | Гетеропереходный фотогальванический элемент с задним контактом | |
| JP2012525702A (ja) | オーバーレイされた裏面グリッドを有する両面型太陽電池 | |
| JPH0472392B2 (ja) | ||
| US8563352B2 (en) | Creation and translation of low-relief texture for a photovoltaic cell | |
| JP4170701B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JP4578123B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JP2008034543A (ja) | 光電変換素子およびその製造方法 | |
| WO2011074280A1 (ja) | 光起電力装置およびその製造方法 | |
| JP2016122749A (ja) | 太陽電池素子および太陽電池モジュール | |
| JP5734447B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法および光起電力装置 | |
| JP5882573B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JP2001274447A (ja) | 集積型薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JPH0851229A (ja) | 集積型太陽電池およびその製造方法 | |
| US20090308429A1 (en) | Thin-film solar module | |
| JP5344872B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JP3195424B2 (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
| WO2010150358A1 (ja) | 光起電力装置およびその製造方法 | |
| JP2010177444A (ja) | 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法 | |
| JP2835415B2 (ja) | 光電変換素子 | |
| JP5718782B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010522 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090601 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100601 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100601 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110601 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120601 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120601 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130601 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130601 Year of fee payment: 12 |