JPS60146370U - semiconductor laser - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

図は本考案の一実施例を示す断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・電流狭窄層、３・
・・・・・第１クラッド層、４・・・・・・活性層、５
・・・・・・第２クラッド層。The figure is a sectional view showing an embodiment of the present invention. 1...Substrate, 2...Current confinement layer, 3.
...First cladding layer, 4...Active layer, 5
...Second cladding layer.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 基板、該基板の一主面上に積層されストライプ状の開口
を有する電流狭窄層、該電流狭窄層及び上記基板の露出
した一主面上に順次積層された第１クラッド層、活性層
、第２クラッド層からなり、上記電流狭窄層は非単結晶
でかつ上記基板と第１クラッド層との間で実質的に高抵
抗となると共に上記第１、第２クラッド層のバンドギャ
ップは上記活性層のバンドギャップより大でありかつ上
記第１、第２クラッド層の光屈折率は上記活性層の光屈
折率より小としたことを特徴とする半導体レーザ。a substrate, a current confinement layer laminated on one main surface of the substrate and having a striped opening, a first cladding layer, an active layer, and a first cladding layer laminated in sequence on the current confinement layer and the exposed one main surface of the substrate; The current confinement layer is made of two cladding layers, and the current confinement layer is non-single crystal and has substantially high resistance between the substrate and the first cladding layer, and the band gap of the first and second cladding layers is larger than that of the active layer. A semiconductor laser characterized in that the optical refractive index of the first and second cladding layers is smaller than the optical refractive index of the active layer.