JPS60142548A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS60142548A
JPS60142548A JP58246755A JP24675583A JPS60142548A JP S60142548 A JPS60142548 A JP S60142548A JP 58246755 A JP58246755 A JP 58246755A JP 24675583 A JP24675583 A JP 24675583A JP S60142548 A JPS60142548 A JP S60142548A
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JP
Japan
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resin
heat radiating
radiating plate
thin
bottom face
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JP58246755A
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English (en)
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Tadao Noguchi
野口　忠雄
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は、半導体チップを固着した放熱板の該固着面の
反対側の底面を封止樹脂面より露出させた構造の樹脂封
止半導体装置の製造方法に関する。
口、従来技術 ｔＪＪ１図は従来の方法にて製造された樹脂封止直後の
半導体装置の断面図である。第１図において、１は半導
体チップで、リード端子３と４との間には金属細綴５で
もってボンディング接続されている。チップ１の固着さ
れたコレクタ放熱板２の底面２ａは、露出し丸形で封止
樹脂６により封止されている。しかし、この樹脂封止工
程において、製品素材のばらつき、または、成形金型寸
法のばらつき、および摩耗などにより、放熱板２０紙面
２ａと金屋との間にすき間が生じ、このすぎｉ？ｄｌに
樹脂が流れてしまい、底面２ａに薄パリと称される不要
な樹脂６ａが付着し、製品の放熱効呆を悲くするという
欠点があった。そのため、この薄パリを取除く必要があ
り、取除きのために余分の工数を必要とするばかりか、
この薄パリ除去の際に、充分な工程管理がなされないと
、製品に損イ１５を与え、製品の品質を悪くするという
欠点があった。
ハ０発明の目的 本発明の目的は、上記の放熱板底面に付着する薄バリを
容易に取除くことができ、よって、薄パリ除去における
製品損傷などがなく、かつ、薄バリ除去工数が著しく低
減される半導体装置の製造方法を提供するにある。
二１発明の構成 本発明によれば、放熱板に固着された半導体チップの樹
脂封止前に、前記放熱板の底面に予じめコーティング剤
を塗布する工程を含む半導体装置の製造方法が得られろ
。
ボ、実施例 つぎに本発明を実ｔＡ例により鮨、明する。
第２図は本発明の一実施６１ｊにおける樹脂封止、前の
半導体装置の平面図である。リードフレーム１１のコレ
クタ放熱板２の上に、半導体チップ１が載置固着され、
リード端子３と４との間に、金属細線５によりボンディ
ング接続されている。なお、放熱板２０チツプ１の固着
面の反対側の底面部には、図示されていないが、液状の
コーティング剤をコーティングしている。コーティング
方法は、刷毛で塗る。コーティング剤としては、耐熱性
が１７０℃以上、かつ、揮発成分が半導体チップ１に有
害と１よらないもので、さらに、モールド時の温度で完
全硬化もないものを選ぶ。例えば、シリコ−／系のグリ
コート樹脂などが良い。
環３図は、第２図の状態から、樹脂によって封止された
直後の状態を示す断面図である。第３図、において、金
型８と放熱板２とのすき間に樹脂が流れ込み、薄バリ５
　ａが生じている。しかし、放熱板２の底面にシリコー
ン系のプリコート樹脂７が塗布されているので、薄バリ
６ａのプリコート樹脂７へ付着する可能性は極めて低く
、また、例え付着しても付着力は極めて弱く容易に取れ
てしまう。さらに、残った薄パリは半導体装置段階にお
ける後工程のリードフレームのリード端子切断、または
リード端子の仕上処理として行われる半田メッキ工程で
自然に取除かれてしまう。
ホ１発明の効果 上述のとおり、本発明方法忙よれば、従来の樹脂封止構
造半導体装置で問題となっていた樹脂の薄パリは、半導
体装置にＫｔＪｆｉゆ品質的悪影響なしに簡単に取除く
ことができ、外観的にも何らの問題のない半導体装置が
、少ない工数で製造するとが可能にされるという効果が
得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の方法により製造された樹脂封止半導体装
置の樹脂封止工程後の断面図、第２図は本発明の一実施
例に係る樹脂封止前の状態を示す平面図、第３図は第２
図の状態から樹脂封止した直後の半導体装置の断面図で
ある。 １・・・・・・半導体チップ、２・・・・・・放熱板、
２ａ・・・・・・放熱板底部、３，４・・・・・・リー
ド端子、５・・・・・・金属細線、６・・・・・・封止
樹脂、６ａ・・・・・・樹脂の薄パリ、７・・・・・・
プリコート樹脂、８・・・・・・金型。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体チップが固着された放熱板の一部が封止樹脂面よ
    り一部露出されている１１力旨封止半導体装置の製造方
    法において、前記樹脂封止前に、前記放熱板の底面に予
    じめコーティング剤を塗布する工程を含むことを特徴と
    する半導体装置の製造方法。
JP58246755A 1983-12-29 1983-12-29 半導体装置の製造方法 Pending JPS60142548A (ja)

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JP58246755A JPS60142548A (ja) 1983-12-29 1983-12-29 半導体装置の製造方法

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JPS60142548A true JPS60142548A (ja) 1985-07-27

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