JPS616847A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS616847A JPS616847A JP12679084A JP12679084A JPS616847A JP S616847 A JPS616847 A JP S616847A JP 12679084 A JP12679084 A JP 12679084A JP 12679084 A JP12679084 A JP 12679084A JP S616847 A JPS616847 A JP S616847A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- metal plate
- semiconductor device
- lead frame
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 45
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 45
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 20
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関し、特に
樹脂モールドの一表面から露出し、かつ該＃Ｉ詣面と同
一平面または同一平面近くに引き出されたリードフレー
ムを有する半導体装置の製造方法に関する。
樹脂モールドの一表面から露出し、かつ該＃Ｉ詣面と同
一平面または同一平面近くに引き出されたリードフレー
ムを有する半導体装置の製造方法に関する。
（従来の技術）
従来、アウターリードがマウント部とボンディング部よ
り下方に設けられ、モールド下面よシ表出する構造を有
する半導体装置（以下チップキャリアと呼ぶ）は第１図
の平面図及び第２図の断面図に示す構造を有している。
り下方に設けられ、モールド下面よシ表出する構造を有
する半導体装置（以下チップキャリアと呼ぶ）は第１図
の平面図及び第２図の断面図に示す構造を有している。
第１図、第２図において、１はチップキャリアのアウタ
ーリード、２はインナーリード、３は半導体素子、４は
金属細線、５はリードフレームである。アウターリード
１とインナーリード２はリードフレーム５を構成してお
り、金属細線４を介して半導体素子３と電気的に接続し
ている。まだアウターリード部は該半導体素子の底面よ
り表出していて、外部との電気的接続並びに半導体素子
の支持の機能が要求される。
ーリード、２はインナーリード、３は半導体素子、４は
金属細線、５はリードフレームである。アウターリード
１とインナーリード２はリードフレーム５を構成してお
り、金属細線４を介して半導体素子３と電気的に接続し
ている。まだアウターリード部は該半導体素子の底面よ
り表出していて、外部との電気的接続並びに半導体素子
の支持の機能が要求される。
第３図（ａ）〜（ｄ）は従来のチップキャリアの製造方
法を説明するために工程順に示した断面図である。
法を説明するために工程順に示した断面図である。
先ず、第３図（ａ）に示すように、金属条をプレス加工
して、マウント部、ボンディング部、リード部更にフレ
ーム部を具備したリードフレーム１１を準備する。リー
ドフレーム１１は更に段差を設ける。
して、マウント部、ボンディング部、リード部更にフレ
ーム部を具備したリードフレーム１１を準備する。リー
ドフレーム１１は更に段差を設ける。
次に、第３図（ｂ）に示すように、ヒータプレート台１
３上で半導体素子１２がマウントされ、次いで同じくヒ
ータプレート台１５上で金属細線１４を用いてボンディ
ングする。
３上で半導体素子１２がマウントされ、次いで同じくヒ
ータプレート台１５上で金属細線１４を用いてボンディ
ングする。
仄に、第３図（ｃ）Ｋ示すように、リードフレーム１１
は樹脂封止金型の一ヒ型１６と下型１７で締めつけられ
て封入されるが、封入のｌｔＭ ＩＪ−ドフレーム１１
はフレーム７６分だけが固定されており、アウターリー
ド部は上部が空洞になっている。そのだめ上方に動き易
く、樹脂の封入圧力で押されて、ねじれ２曲がり等の変
形を生じ紡ぐなっている。
は樹脂封止金型の一ヒ型１６と下型１７で締めつけられ
て封入されるが、封入のｌｔＭ ＩＪ−ドフレーム１１
はフレーム７６分だけが固定されており、アウターリー
ド部は上部が空洞になっている。そのだめ上方に動き易
く、樹脂の封入圧力で押されて、ねじれ２曲がり等の変
形を生じ紡ぐなっている。
このような状態で１４？封正するとアウターリードに樹
脂の薄パリを生ずることになる。第２図はその状況を示
すもので６はチップキャリアの一樹脂表面で、７がアウ
ターリード、８は樹脂の薄バリである。
脂の薄パリを生ずることになる。第２図はその状況を示
すもので６はチップキャリアの一樹脂表面で、７がアウ
ターリード、８は樹脂の薄バリである。
次に、第３図（ｄ）に示すように、樹脂封止されたチッ
プキャリアはリード切断治具１８により個々に分離され
完成するが、前記の薄バリ８を除去する工程を第３図（
ｄ）の工程の前あるいは後に設ける必要が生じ、年常に
困雛な問題を抱えることになる。
プキャリアはリード切断治具１８により個々に分離され
完成するが、前記の薄バリ８を除去する工程を第３図（
ｄ）の工程の前あるいは後に設ける必要が生じ、年常に
困雛な問題を抱えることになる。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明の目的１ｄ、上記問題点に対処してなされたもの
で、薄パリの発生を抑え、：・（パリの除去を行う工程
をなくシ、低価格で高品廠の樹脂封止型半導体装置を提
供することにある。
で、薄パリの発生を抑え、：・（パリの除去を行う工程
をなくシ、低価格で高品廠の樹脂封止型半導体装置を提
供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、樹脂モー
ルドの一表面から露出し、かつ該樹脂面と同一平面又は
同一平面近くに引き出されたアウターリードを有する樹
脂封止型半導体装置の製造方法において、前記樹脂封止
型半導体装置のアウターリードを樹脂封ＩＥに先立ち金
属板に樹脂接着剤で固着する工程と、樹＠封止後前記半
導体装置 ”のアウターリードを金属板より取外
す工程とを含むことにより構成される。
ルドの一表面から露出し、かつ該樹脂面と同一平面又は
同一平面近くに引き出されたアウターリードを有する樹
脂封止型半導体装置の製造方法において、前記樹脂封止
型半導体装置のアウターリードを樹脂封ＩＥに先立ち金
属板に樹脂接着剤で固着する工程と、樹＠封止後前記半
導体装置 ”のアウターリードを金属板より取外
す工程とを含むことにより構成される。
（作用）
従来の製造法による欠点はアウターリード部が前記した
構造であったので、樹脂封止時に、樹脂の封止圧力によ
ってアウターリードの下面と封止金型の間に浮きを生じ
るため、該樹脂が入り込み、薄パリを発生することから
、アウターリード部を樹脂封止時に固定することがよい
と考え、その方法としてアウターリード部を金属板に接
着する方法が一番有効で実現性が高いと判断した。
構造であったので、樹脂封止時に、樹脂の封止圧力によ
ってアウターリードの下面と封止金型の間に浮きを生じ
るため、該樹脂が入り込み、薄パリを発生することから
、アウターリード部を樹脂封止時に固定することがよい
と考え、その方法としてアウターリード部を金属板に接
着する方法が一番有効で実現性が高いと判断した。
その結果上記したように、チップキャリアの該リードフ
レームのアウターリードが樹脂封止前に金属板に樹脂接
着剤で固着され、樹脂封止後金属板より該半導体装置を
取外すこととした。
レームのアウターリードが樹脂封止前に金属板に樹脂接
着剤で固着され、樹脂封止後金属板より該半導体装置を
取外すこととした。
このようにすれば、樹脂封止時に該アウターリード部は
金属板に固着されているので、封止樹脂の封入圧力等で
動くことはなく、又、該アウターリード部の下面は金属
板との接着部分で確保されることになり、封止樹脂がア
ウターリードを壊う薄パリの発生を抑えられる。またリ
ードフレームの固定が確実にできるので、リードフレー
ム特にインナーリード部のねじれ２曲り等の変形を少な
くすることが出来る。
金属板に固着されているので、封止樹脂の封入圧力等で
動くことはなく、又、該アウターリード部の下面は金属
板との接着部分で確保されることになり、封止樹脂がア
ウターリードを壊う薄パリの発生を抑えられる。またリ
ードフレームの固定が確実にできるので、リードフレー
ム特にインナーリード部のねじれ２曲り等の変形を少な
くすることが出来る。
（実施例）
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第４図は本発明の一実施例を説明するために工程順に示
した断面図である。
した断面図である。
先ず、第４図（ａ）に示すように、リードフレーム２１
は前記した従来のり一上゛フレームとほぼ同じで、異な
る点はフレーム部に段差２０が設けられていることであ
る。
は前記した従来のり一上゛フレームとほぼ同じで、異な
る点はフレーム部に段差２０が設けられていることであ
る。
次に、第４図（ｂ）に示すように、ヒータープレート２
３上で半導体素子２２をリードフレーム２１上にマウン
トする。次いで、ヒータープレート台２５上で金属細線
２４により半導体素子とリードが接続される。
３上で半導体素子２２をリードフレーム２１上にマウン
トする。次いで、ヒータープレート台２５上で金属細線
２４により半導体素子とリードが接続される。
次に、第４図（Ｃ）に示すように、樹脂接着剤３１をリ
ードフレーム２１が、金属板２７の少なくとも一方に塗
布し、圧着治具２６を使用して、金属板２７に上記リー
ドフレーム２１を接着する。その後樹脂接着剤３１を硬
化させ接着部分２８を形成する。
ードフレーム２１が、金属板２７の少なくとも一方に塗
布し、圧着治具２６を使用して、金属板２７に上記リー
ドフレーム２１を接着する。その後樹脂接着剤３１を硬
化させ接着部分２８を形成する。
次に、第４図（ｄ）に示すように、フレーム部の段差２
０を切断除去し、該チップキャリアを個々に分割する。
０を切断除去し、該チップキャリアを個々に分割する。
次に、第４図（ｅ）に示すように、チップキャリアを載
置した金属板２７を樹脂封止金型の上型２９と下型３０
で締めつけ、樹脂封止を行なう。
置した金属板２７を樹脂封止金型の上型２９と下型３０
で締めつけ、樹脂封止を行なう。
然るときは、第４図（ｆ）に示すように、樹脂封止され
たチップキャリアが完成する。本実施例ではアウターリ
ードと金属板２７が接着部分で固定されており、かつこ
の部分に対する樹脂の侵入を完全に防ぐことができる。
たチップキャリアが完成する。本実施例ではアウターリ
ードと金属板２７が接着部分で固定されており、かつこ
の部分に対する樹脂の侵入を完全に防ぐことができる。
次いで、樹脂封止されたチップキャリアは接着部分２８
を溶解させることにより金属板より取り外すことができ
個々の樹脂封止型半導体装置が完成する。なお前記した
ようにアウターリード７上には第２図に示すように薄パ
リは発生しないので所期の目的を達成することができる
。
を溶解させることにより金属板より取り外すことができ
個々の樹脂封止型半導体装置が完成する。なお前記した
ようにアウターリード７上には第２図に示すように薄パ
リは発生しないので所期の目的を達成することができる
。
また、上記説明から明らかなように、樹脂封止直後機械
的にリードフレームを切断分離する工程をなくすことが
可能なため、封止樹脂とリードフレームの密着性を劣化
させない効果も期待できる。
的にリードフレームを切断分離する工程をなくすことが
可能なため、封止樹脂とリードフレームの密着性を劣化
させない効果も期待できる。
また、本実施例ではリードフレームを用いた製造方法を
述べたが、本発明によれば金属板に接着できるもので同
じ半導体装置の一種のフィルムキャリアをリード成形し
て、該金属板にキャングボンディングを行い、本実施例
と同様に樹脂封止後チップキャリアを製造することも可
能となる。
述べたが、本発明によれば金属板に接着できるもので同
じ半導体装置の一種のフィルムキャリアをリード成形し
て、該金属板にキャングボンディングを行い、本実施例
と同様に樹脂封止後チップキャリアを製造することも可
能となる。
（発明の効果）
以上説明したとおり、本発明によればアウターリードの
接触面への薄パリの発生を抑え、薄パリの除去を行う工
程をなくシ、低価格で高品質の樹脂封止型半導体装置が
得られる。
接触面への薄パリの発生を抑え、薄パリの除去を行う工
程をなくシ、低価格で高品質の樹脂封止型半導体装置が
得られる。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例を説明するた
めに工程順に示した断面図、第２図は本発明の一実施例
により形成された樹脂封止直後の樹脂封止半導体装置の
下面図、第３図（ａ） 、 （ｂ）は従来の樹脂封止半
導体装置の平面図及び断面図、第４図（ａ）〜（ｄ）は
従来の樹脂封止半導体装置の製造方法を説明するために
工程順に示した断面図、第５図は従来の製造法で形成さ
れた樹脂封止半導体装置の樹脂封止直後の下面図である
。 １・・・・・・チップキャリアのアウターリード、２・
・・・・・チップキャリアのインナーリード、３，１２
゜２２・・・・・・半導体素子、４，１４．２４・・・
・・・金属細線、５．１１・・・・・・リード７ｔ＜−
ム、６・・・・・・チップキャリアの一樹脂表面、７・
・・・・・アウターリード、８・・・・・・樹脂の薄パ
１ハ １３，１５，２３．２５・・・・・・ヒータープ
レート台、１６．２９・・・・・・樹脂封入金型の上型
、１７，３０・・・・・・樹脂封入金型の下型、１８・
・・・・・リード切断治具、２０・・・・・・フレーム
部の段差、２６・・・・・・圧着治具、２７・・・・・
・金些板、２８・・・・・・アウターリードと金属板の
接着部分、３１・・・・・・樹脂？７／圀
めに工程順に示した断面図、第２図は本発明の一実施例
により形成された樹脂封止直後の樹脂封止半導体装置の
下面図、第３図（ａ） 、 （ｂ）は従来の樹脂封止半
導体装置の平面図及び断面図、第４図（ａ）〜（ｄ）は
従来の樹脂封止半導体装置の製造方法を説明するために
工程順に示した断面図、第５図は従来の製造法で形成さ
れた樹脂封止半導体装置の樹脂封止直後の下面図である
。 １・・・・・・チップキャリアのアウターリード、２・
・・・・・チップキャリアのインナーリード、３，１２
゜２２・・・・・・半導体素子、４，１４．２４・・・
・・・金属細線、５．１１・・・・・・リード７ｔ＜−
ム、６・・・・・・チップキャリアの一樹脂表面、７・
・・・・・アウターリード、８・・・・・・樹脂の薄パ
１ハ １３，１５，２３．２５・・・・・・ヒータープ
レート台、１６．２９・・・・・・樹脂封入金型の上型
、１７，３０・・・・・・樹脂封入金型の下型、１８・
・・・・・リード切断治具、２０・・・・・・フレーム
部の段差、２６・・・・・・圧着治具、２７・・・・・
・金些板、２８・・・・・・アウターリードと金属板の
接着部分、３１・・・・・・樹脂？７／圀
Claims (1)
- 樹脂モールドの一表面から露出し、かつ該樹脂面と同一
平面又は同一平面近くに引き出されたアウターリードを
有する樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記
樹脂封止型半導体装置のアウターリードを樹脂封止に先
立ち金属板に樹脂接着剤で固着する工程と、樹脂封止後
前記半導体装置のアウターリードを金属板より取外す工
程とを含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12679084A JPS616847A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12679084A JPS616847A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS616847A true JPS616847A (ja) | 1986-01-13 |
Family
ID=14944003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12679084A Pending JPS616847A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS616847A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007214474A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エッジライトとその製造方法 |
-
1984
- 1984-06-20 JP JP12679084A patent/JPS616847A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007214474A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エッジライトとその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3504297B2 (ja) | 開口部のあるダイ支持部材を有する半導体装置 | |
| JP2972096B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6151933A (ja) | 半導体装置の製法 | |
| US6172424B1 (en) | Resin sealing type semiconductor device | |
| JPS60189940A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製法 | |
| JPS616847A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPS6124261A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JP2686240B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| KR100209682B1 (ko) | 반도체 패키지 제조방법 | |
| JPS6050346B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4570797B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0621132A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPS60113932A (ja) | 樹脂封止半導体装置の組立方法 | |
| JPH07161764A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2002246531A (ja) | リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| KR100253267B1 (ko) | 리드 온 칩(loc)패키지 제조방법 | |
| KR19980029921A (ko) | 반도체 패키지 구조 및 제조 방법 | |
| JP2002057265A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR19980079223A (ko) | 반도체 장치 및 그의 제조 방법 | |
| JP2723855B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH0256958A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2582534B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11162998A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH07130782A (ja) | ヒートシンク付きパッケージ型半導体装置の製造方法 | |
| JPH07193179A (ja) | リードフレーム |