JPS63120694A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63120694A JPS63120694A JP61268167A JP26816786A JPS63120694A JP S63120694 A JPS63120694 A JP S63120694A JP 61268167 A JP61268167 A JP 61268167A JP 26816786 A JP26816786 A JP 26816786A JP S63120694 A JPS63120694 A JP S63120694A
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Credit Cards Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、薄型化(130規格0.76+n)を要求
されているICカードにおける半導体装置の製造方法に
関する。
されているICカードにおける半導体装置の製造方法に
関する。
本発明は、ICカード製造において、回路パターンを存
する絶縁基板上に半導体素子を接着固定し、半導体素子
と回路パターンとの対応する電橋を金属細線で結線した
絶縁基板を、絶縁基板外形と同一形状を存するカードで
ある耐熱性樹脂体穴部に挿入拘持し、熱硬化性樹脂のト
ランスファー成形法で半導体素子を封止することにより
、耐熱性樹脂体と封止された半導体装置とが一体構造と
なるようにしたものである。
する絶縁基板上に半導体素子を接着固定し、半導体素子
と回路パターンとの対応する電橋を金属細線で結線した
絶縁基板を、絶縁基板外形と同一形状を存するカードで
ある耐熱性樹脂体穴部に挿入拘持し、熱硬化性樹脂のト
ランスファー成形法で半導体素子を封止することにより
、耐熱性樹脂体と封止された半導体装置とが一体構造と
なるようにしたものである。
従来、第3図に示すように、樹脂枠12が接着された回
路パターン2及び2“を有する絶縁基板l上の半導体素
子3が、金属細線4で回路バクーン2に接続され、ボッ
ティング樹脂13で封止され加熱硬化後、樹脂枠12と
ボッティング樹脂13とを同時に平面研削し、耐熱性樹
脂体8と同一の厚みになるようにして得られた半導体装
置15をカードである耐熱性樹脂体穴部8“に挿入し埋
込み、耐熱性樹脂体穴部8°と半導体装置15との隙間
14の一部をエポキシ系接着剤やシリコン樹脂等の緩衝
剤を充填接着し、オーバーシート用フィルムを耐熱性樹
脂体8の両面に被覆接着することにより、ICカードを
製造することが一般に知られている。
路パターン2及び2“を有する絶縁基板l上の半導体素
子3が、金属細線4で回路バクーン2に接続され、ボッ
ティング樹脂13で封止され加熱硬化後、樹脂枠12と
ボッティング樹脂13とを同時に平面研削し、耐熱性樹
脂体8と同一の厚みになるようにして得られた半導体装
置15をカードである耐熱性樹脂体穴部8“に挿入し埋
込み、耐熱性樹脂体穴部8°と半導体装置15との隙間
14の一部をエポキシ系接着剤やシリコン樹脂等の緩衝
剤を充填接着し、オーバーシート用フィルムを耐熱性樹
脂体8の両面に被覆接着することにより、ICカードを
製造することが一般に知られている。
しかし、従来のボッティングによる封止の後、樹脂枠と
封止剤とを同時に研削して超薄型の半導体装置にし、カ
ードである耐熱性樹脂体穴部に挿入し、埋込んで製造す
るICカードにおいて、以下のような問題点があり、I
Cカードの歩留りを著しく低下させている欠点があった
。
封止剤とを同時に研削して超薄型の半導体装置にし、カ
ードである耐熱性樹脂体穴部に挿入し、埋込んで製造す
るICカードにおいて、以下のような問題点があり、I
Cカードの歩留りを著しく低下させている欠点があった
。
(イ)硬度や組成の異なるボッティング樹脂と樹脂枠と
から成る半導体装置の封止部を薄型とするために表面を
研削すると、ポツティング樹脂と樹脂枠(一般的には、
耐熱性ガラスエポキシ基材が多く用いられている。)と
の境界部の一部やボンティング表面に凹みが発生し、オ
ーバーシート後のICカードの製品外観を損ねること。
から成る半導体装置の封止部を薄型とするために表面を
研削すると、ポツティング樹脂と樹脂枠(一般的には、
耐熱性ガラスエポキシ基材が多く用いられている。)と
の境界部の一部やボンティング表面に凹みが発生し、オ
ーバーシート後のICカードの製品外観を損ねること。
(ロ)封止時、ボッティング樹脂がそれ自体に含有した
気泡や樹脂枠穴部側面に巻込んだ気泡が一部残留し、封
止部の研削後、気泡が凹みとして生じ、前記(イ)と同
様に、オーバーシート後のICカードの製品外観を損ね
ること。
気泡や樹脂枠穴部側面に巻込んだ気泡が一部残留し、封
止部の研削後、気泡が凹みとして生じ、前記(イ)と同
様に、オーバーシート後のICカードの製品外観を損ね
ること。
(ハ)半導体素子を取付ける絶縁基板と半導体素子の厚
みバラツキ及びボッティングされた金属細線のルーピン
グ高さのバラツキの組合わせが全体的に高くなって製造
された半導体装置を研削すると、金属細線の最上部を覆
うボッティング樹脂が薄くもろくなり、金属細線の露出
による外観不具合や信鯨性における気密性の劣化をもた
らすこと。
みバラツキ及びボッティングされた金属細線のルーピン
グ高さのバラツキの組合わせが全体的に高くなって製造
された半導体装置を研削すると、金属細線の最上部を覆
うボッティング樹脂が薄くもろくなり、金属細線の露出
による外観不具合や信鯨性における気密性の劣化をもた
らすこと。
(ニ)耐熱性樹脂体穴部に挿入埋込まれた半導体装置と
耐熱性樹脂体穴部との境界には隙間が生じ、ICカード
の耐曲げ応力性の維持やオーバーシート後の隙間に残る
気泡による製品外観の不具合の対策のため、この隙間に
は熱硬化性樹脂やシリコン系樹脂を充填する。しかしな
がら、これらの樹脂の充填量が多いと耐熱性樹脂体の厚
み方向に樹脂が凸状に境界部に沿って生じ、オーバーシ
ート後の製品外観を撮ねること。
耐熱性樹脂体穴部との境界には隙間が生じ、ICカード
の耐曲げ応力性の維持やオーバーシート後の隙間に残る
気泡による製品外観の不具合の対策のため、この隙間に
は熱硬化性樹脂やシリコン系樹脂を充填する。しかしな
がら、これらの樹脂の充填量が多いと耐熱性樹脂体の厚
み方向に樹脂が凸状に境界部に沿って生じ、オーバーシ
ート後の製品外観を撮ねること。
また、樹脂の充填量が少なければ、接着強度不足による
耐曲げ応力の低下や境界の一部に残った気泡がオーバー
シート後の製品外観を損ねること。
耐曲げ応力の低下や境界の一部に残った気泡がオーバー
シート後の製品外観を損ねること。
(ホ)超薄型を実現するため、半導体装置の総厚みが0
.5〜0.6 mmに達するように、樹脂枠を含めて研
削加工するが、硬度の低いwA縁縁板板材一部が研削砥
石面に詰まり、作業性や半導体装置封止部の平滑性が得
られず、オーバーシート後の製品外観を損ねること。
.5〜0.6 mmに達するように、樹脂枠を含めて研
削加工するが、硬度の低いwA縁縁板板材一部が研削砥
石面に詰まり、作業性や半導体装置封止部の平滑性が得
られず、オーバーシート後の製品外観を損ねること。
(へ)半導体素子は樹脂枠付絶縁基板に取付けられ、ボ
ッティングにより封止される。しかし、ボッティング樹
脂と絶縁基板との熱膨張係数が異なり、また半導体素子
の絶縁基板に対する配置等により封止後の半導体装置に
絶縁基板面を凸とするソリが生じ易い。このため、研削
後の電気特性に対する品質不具合が発生し、半導体装置
の歩留りを低下させていると同時にICカード製造歩留
り低下をも生じさせていること。
ッティングにより封止される。しかし、ボッティング樹
脂と絶縁基板との熱膨張係数が異なり、また半導体素子
の絶縁基板に対する配置等により封止後の半導体装置に
絶縁基板面を凸とするソリが生じ易い。このため、研削
後の電気特性に対する品質不具合が発生し、半導体装置
の歩留りを低下させていると同時にICカード製造歩留
り低下をも生じさせていること。
そこで、この発明は従来のような欠点を解決するため、
ワイヤーボンティングにより金属細線で結合された半導
体素子を載置した絶縁基板と、カードである耐熱性樹脂
体とを一体とした状態で、トランスファー成形法により
封止を行ない、封止部が耐熱性樹脂体との境界部を含ん
で並行平滑に達し、かつ耐熱性樹脂体と同一厚みが実現
するICカードを製造し得ることを目的としている。
ワイヤーボンティングにより金属細線で結合された半導
体素子を載置した絶縁基板と、カードである耐熱性樹脂
体とを一体とした状態で、トランスファー成形法により
封止を行ない、封止部が耐熱性樹脂体との境界部を含ん
で並行平滑に達し、かつ耐熱性樹脂体と同一厚みが実現
するICカードを製造し得ることを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点を解決するために、この発明は、カードであ
る耐熱性樹脂体穴部に挿入拘持された絶縁板板上の金属
細線で結合された半導体素子の封止をトランスファー成
形法により行ない、耐熱性樹脂体と半導体装置とを一体
成形とする構造とし、歩留り及び品質を向上することを
図った。
る耐熱性樹脂体穴部に挿入拘持された絶縁板板上の金属
細線で結合された半導体素子の封止をトランスファー成
形法により行ない、耐熱性樹脂体と半導体装置とを一体
成形とする構造とし、歩留り及び品質を向上することを
図った。
上記のような構造を用いて、ICカードを製造すると、
カードである耐熱性樹脂体と同一厚みの半導体装置が得
られ、従来のボッティング封止構造の半導体装置で行な
っていた研磨工程が不要となり、かつ耐熱性樹脂体と半
導体装置との境界部分や封止表面に発生していた凹みが
なくなり、半導体装置面が平滑になり、耐熱性樹脂体穴
部と半導体装置の封止用熱硬化性樹脂とが密着され、さ
らにカードの曲げ応力に対し、抜けにくいというICカ
ードを製造することができるのである。
カードである耐熱性樹脂体と同一厚みの半導体装置が得
られ、従来のボッティング封止構造の半導体装置で行な
っていた研磨工程が不要となり、かつ耐熱性樹脂体と半
導体装置との境界部分や封止表面に発生していた凹みが
なくなり、半導体装置面が平滑になり、耐熱性樹脂体穴
部と半導体装置の封止用熱硬化性樹脂とが密着され、さ
らにカードの曲げ応力に対し、抜けにくいというICカ
ードを製造することができるのである。
以下にこの実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明による耐熱性樹脂体8と半導体装置15
とが一体構造となったICカードの断面図である。第2
図においては、一体構造ICカードの製造過程を順に示
す、まず、第2図falは少なくとも両面パターン2.
2′を存する絶縁基板1上にCPUやメモリICや静電
耐圧ダイオードアレイ等のチップ、またはこれらの機能
を1チツプ化したICチップ等の半導体素子3がエポキ
シ系接着剤でsIW固定された後、半導体素子3上の電
極と回路パターン2とは金属細線4で結合されている封
止前の半導体装置の実装断面図である。ICカードにお
ける電極となる絶縁基板1の下面上にある回路パターン
2′と回路パターン2とはスルーホール5で絶縁基板1
を介して接続されているが、回路パターン2側には、ソ
ルダーレジスト6がスルーホール5を覆ってあり、トラ
ンスファー成形時に熱硬化性樹脂7がスルーホール5か
ら回路パターン2“側へ漏れ出すのを防止しているので
ある。第2図(blは、カードである耐熱性樹脂体8の
穴部8′の上端で実装された絶縁基板1が半導体素子3
を下側にして挿入拘持された耐熱性樹脂体8をトランス
ファー成形金型に!!置され、かつ下型ブロック9と上
側ブロック10とによって加圧保持されている状態の断
面図である。半導体素子3はランナー1)に導かれゲル
化した熱硬化性樹脂7がゲート1)′を通して半導体装
置15内に注入され、第1図に示すような耐熱性樹脂体
8と半導体装置15が一体構造となったICカードが製
造されるのである。第2図(C1は、トランスファー成
形金型から成形後取り出された状態の平面図を示す。す
なわち半導体装置15はランナー1)により支持されて
いるが、ゲート1)°付近を折り取ることで、ランナー
1)から切り離されICカードが得られるのである。こ
の際ゲート1)°部には若干樹脂の凹凸が残るが、これ
は刃具等で研削することにより容易に平滑にすることが
可能である。
とが一体構造となったICカードの断面図である。第2
図においては、一体構造ICカードの製造過程を順に示
す、まず、第2図falは少なくとも両面パターン2.
2′を存する絶縁基板1上にCPUやメモリICや静電
耐圧ダイオードアレイ等のチップ、またはこれらの機能
を1チツプ化したICチップ等の半導体素子3がエポキ
シ系接着剤でsIW固定された後、半導体素子3上の電
極と回路パターン2とは金属細線4で結合されている封
止前の半導体装置の実装断面図である。ICカードにお
ける電極となる絶縁基板1の下面上にある回路パターン
2′と回路パターン2とはスルーホール5で絶縁基板1
を介して接続されているが、回路パターン2側には、ソ
ルダーレジスト6がスルーホール5を覆ってあり、トラ
ンスファー成形時に熱硬化性樹脂7がスルーホール5か
ら回路パターン2“側へ漏れ出すのを防止しているので
ある。第2図(blは、カードである耐熱性樹脂体8の
穴部8′の上端で実装された絶縁基板1が半導体素子3
を下側にして挿入拘持された耐熱性樹脂体8をトランス
ファー成形金型に!!置され、かつ下型ブロック9と上
側ブロック10とによって加圧保持されている状態の断
面図である。半導体素子3はランナー1)に導かれゲル
化した熱硬化性樹脂7がゲート1)′を通して半導体装
置15内に注入され、第1図に示すような耐熱性樹脂体
8と半導体装置15が一体構造となったICカードが製
造されるのである。第2図(C1は、トランスファー成
形金型から成形後取り出された状態の平面図を示す。す
なわち半導体装置15はランナー1)により支持されて
いるが、ゲート1)°付近を折り取ることで、ランナー
1)から切り離されICカードが得られるのである。こ
の際ゲート1)°部には若干樹脂の凹凸が残るが、これ
は刃具等で研削することにより容易に平滑にすることが
可能である。
第3図は従来のICカード用半導体装置の断面構造を示
す。この構造では、耐熱性樹脂体穴部8′と半導体装置
15の樹脂枠との間には隙間14が残るため、樹脂によ
る充填接着が必要となることがわかる。
す。この構造では、耐熱性樹脂体穴部8′と半導体装置
15の樹脂枠との間には隙間14が残るため、樹脂によ
る充填接着が必要となることがわかる。
第4図+a+ 、 (bl 、 (C1は、ICカード
が利用される際に発生し易い折り曲げ応力による半導体
装置15の耐熱性樹脂体8からの抜は出し防止を配慮し
、耐熱性樹脂体穴部8゛側面に段差16や面取り17を
設けたり、絶縁基板1の周縁を受ける段差16を設けた
一体構造のICカードの例を示すものである。
が利用される際に発生し易い折り曲げ応力による半導体
装置15の耐熱性樹脂体8からの抜は出し防止を配慮し
、耐熱性樹脂体穴部8゛側面に段差16や面取り17を
設けたり、絶縁基板1の周縁を受ける段差16を設けた
一体構造のICカードの例を示すものである。
以上のような実施例において、ICカードはトランスフ
ァー成形法により耐熱性樹脂体8と半導体装置15とが
一体構造となり、折り曲げ応力に対する抜は出し防止が
可能となり、半導体装置15と耐熱性樹脂体8とが同一
の厚みとなり、封止部の平滑なICカードが得られる。
ァー成形法により耐熱性樹脂体8と半導体装置15とが
一体構造となり、折り曲げ応力に対する抜は出し防止が
可能となり、半導体装置15と耐熱性樹脂体8とが同一
の厚みとなり、封止部の平滑なICカードが得られる。
この発明は以上説明したように、半導体素子の封止を耐
熱性樹脂体に組込んでトランスファー成形法で行なうこ
とにより、ICカードの半導体装置に要求される超薄型
化が研削工程を必要とせずに実現できるため、製造工程
が合理化され、封止部の表面が平滑になることや耐熱性
樹脂体と半導体装置との境界部に凹凸がなくなることか
ら、オーバーシート後の製品外観が向上し、一体構造封
止のため、半導体素子に対する気密性や折り曲げ応力に
対する耐久性が向上することにより、ICカードの製造
歩留り及び品質が改善される効果がある。
熱性樹脂体に組込んでトランスファー成形法で行なうこ
とにより、ICカードの半導体装置に要求される超薄型
化が研削工程を必要とせずに実現できるため、製造工程
が合理化され、封止部の表面が平滑になることや耐熱性
樹脂体と半導体装置との境界部に凹凸がなくなることか
ら、オーバーシート後の製品外観が向上し、一体構造封
止のため、半導体素子に対する気密性や折り曲げ応力に
対する耐久性が向上することにより、ICカードの製造
歩留り及び品質が改善される効果がある。
第1図は、この発明に係わるICカードの一体構造の断
面図、第2図falは、ICカードに組込み封止する前
の半導体装置の断面図、第2図(b)は、封止前の半導
体装置がICカードに組込まれた後にトランスファー成
形金型に収納された状態の断面図、第2図(Clは、ト
ランスファー成形金型から封止成形後に取り出されたI
Cカードの平面図、第3図は従来の半導体装置がICカ
ードに組込まれた状態の断面図、第4図ff1l 、
(bl 、 (C)は、この発明に係わるICカードの
耐折り曲げ性を考慮した一体構造の半導体装置の実施例
を示す断面図である。 l・・・絶縁基板 2・・・回路パターン 2°・・外部電極回路パターン 3・・・半導体素子 4・・・金属細線 5・・・スルーホール 6・・・ソルダーレジスト 7・・・熱硬化性樹脂 8・・・耐熱性樹脂体(カード) 8′・・耐熱性樹脂体穴部 9・・・トランスファー成形金型下型ブロック10・・
・トランスファー成形金型上型ブロック1)・・・ラン
ナー 1)1・・ゲート 12・・・樹脂枠 13・・・ボアティング樹脂 14・・・隙間 15・・・半導体装置 16・・・耐熱性樹脂体穴部側面段差 17・・・耐熱性樹脂体穴部側面面取り以上
面図、第2図falは、ICカードに組込み封止する前
の半導体装置の断面図、第2図(b)は、封止前の半導
体装置がICカードに組込まれた後にトランスファー成
形金型に収納された状態の断面図、第2図(Clは、ト
ランスファー成形金型から封止成形後に取り出されたI
Cカードの平面図、第3図は従来の半導体装置がICカ
ードに組込まれた状態の断面図、第4図ff1l 、
(bl 、 (C)は、この発明に係わるICカードの
耐折り曲げ性を考慮した一体構造の半導体装置の実施例
を示す断面図である。 l・・・絶縁基板 2・・・回路パターン 2°・・外部電極回路パターン 3・・・半導体素子 4・・・金属細線 5・・・スルーホール 6・・・ソルダーレジスト 7・・・熱硬化性樹脂 8・・・耐熱性樹脂体(カード) 8′・・耐熱性樹脂体穴部 9・・・トランスファー成形金型下型ブロック10・・
・トランスファー成形金型上型ブロック1)・・・ラン
ナー 1)1・・ゲート 12・・・樹脂枠 13・・・ボアティング樹脂 14・・・隙間 15・・・半導体装置 16・・・耐熱性樹脂体穴部側面段差 17・・・耐熱性樹脂体穴部側面面取り以上
Claims (3)
- (1)少なくとも1個以上からなる半導体素子を実装し
た少なくとも両面に回路パターンを有する絶縁基板と、
前記絶縁基板を挿入可能な穴部を有する耐熱性樹脂体と
からなるICカード用半導体装置の実装構造において、
前記絶縁基板を、前記耐熱性樹脂体穴部の上部に配設し
た後、前記耐熱性樹脂体をトランスファー成形金型に搭
載し、前記絶縁基板を熱硬化性樹脂で覆い、前記半導体
装置と前記耐熱性樹脂体とを一体構造としたことを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - (2)前記耐熱性樹脂体穴部の前記絶縁基板を拘持可能
な穴部である特許請求の範囲第1項記載の半導体装置の
製造方法。 - (3)前記耐熱性樹脂体穴部の側面に段差、面及び凹凸
を設けた特許請求の範囲第1項記載の半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61268167A JPS63120694A (ja) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61268167A JPS63120694A (ja) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63120694A true JPS63120694A (ja) | 1988-05-25 |
Family
ID=17454838
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61268167A Pending JPS63120694A (ja) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63120694A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002069251A1 (en) * | 2001-02-28 | 2002-09-06 | Hitachi, Ltd | Memory card and its manufacturing method |
JP2002288619A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Hitachi Cable Ltd | Icカードの製造方法 |
-
1986
- 1986-11-11 JP JP61268167A patent/JPS63120694A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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