JPS60133530A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは高密度
記録に適した磁気記録媒体に関する。

〔従来技術〕

近年、開発が進められてきている高密度記録用磁気記録
媒体においては磁気ヘッドと磁気テープとの間のいわゆ
る間隙損失を軽減させるため、磁性層の表面性をより高
度なものとすること、が要求される。この目的のために
は、磁性層の製造技術。

すなわち磁性粒子の分散、塗布、表面成形技術などの改
良により磁性層の表面性を向上させることが必要である
と共に、支持体の表面性を向上させることもまた必要と
なる。と（に、記録密度が高くなるにともない記録波長
が小となることにより、厚み損失を逃がれるために磁性
層を薄くする試みがなされてきている。それにより、支
持体の表面性が磁性層の表面性に与える影響はますます
犬となってきている。

しかしながら磁気記録媒体に使用される支持体の表面性
を向上させることは下記の理由から限界がある。つまり
、製膜して巻き取る工程において、フィルムの表面性が
良いと搬送ローラーに対する摩擦抵抗が犬となり、しば
しば蛇行を起こしたり、シワが生じたりする。またフィ
ルム間の摩擦抵抗が増大し巻き取りロールの形状にゆが
みが生じたりもする。

前記の背反する問題点の解決のために、これまでに種々
の試みがなされてきている。たとえば特叩昭５３−１０
９６０５号公報には、支持体上に熱可塑性樹脂の微粒子
を突出させ、巻き取り後、磁性層形成時に溶剤にて該樹
脂を溶解除去する方法が記載されている。しかしながら
、この方法も溶解除去の工程を要するばかりでな（、高
密度記録用磁気記録媒体としての満足すべき特性を付与
しうるにはいたっていない。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前記の従来技術の欠点を除き、高密度
記録に適する磁気記録媒体を提供することにある。

本発明の他の目的はＳ／Ｎ又はＣ／Ｎの優れた磁気記録
媒体を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、非磁性支持体との接着力の高
い中間層を有する磁気記録媒体を提供することにある。

本発明の他の目的は塗布適性の優れた中間層を有する磁
気記録媒体を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、耐久性の優れた磁気記録媒体
を提供することにある・。

〔発明の構成〕

本発明者らは上記目的を達成すべ（鋭意検討した結果、
表面あらさくＲα）が０．０１μｍ（カットオフ０．２
ｒｍｒｎ　）以上である非磁性支持体と磁性層との間に
、アクリロイル基またはメタクロイル基を分子中に２個
以上有するポリエステルポリオール（以下、ポリエステ
ルアクリレートと称する）を含有し、放射線照射により
重合硬化された中間層を設けることにより上記の目的が
達成され、顕著な効果が得られることを見出し、本発明
に致った。

すなわち、本発明は、表面あらさが０．０１μ以上であ
る非磁性支持体と磁性層との間にポリエステルアクリレ
ートを含有する中間層を設け、該中間層が放射線照射さ
れていることを特徴とする磁気記録媒体である。

また、特に、本発明の磁気記録媒体では、前記中間層の
表面あらさ力”−ｏ、ｏｉμｍ以下であることが好まし
い。

以下、本発明について詳述する。

本発明に使用される非磁性支持体の表面あらさは表、裏
で異なるものを使用することも可能であるが、そのよう
な支持体の調製には高度の技術を要し、また製造効率も
低い。そこで本発明では表裏両面の表面あらさがはｙ同
一に調製された支持体を主たる適用対象とするが、本発
明の範囲はこれのみにとｙまるものではない。

本発明に使用される支持体は、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレン−２，６−ナフタレート等のポリエ
ステル類；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレ
フィン類：セルローストリアセテート、セルロースダイ
アセテート、セルロースアセテートノチレート、セルロ
ースアセテートプロピオネート等のセルロース誘導体：
ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂
：ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドイミド゛
等のプラスチックの他に用途に応じてアルミニウム、銅
、スズ、亜鉛またはこれらを含む非磁性合金、不銹銅な
どの非磁性金属＠：紙、バライタまたはポリエチレン、
ポリプロピレン、エチレン−ブテン共重合体などの炭素
数２〜１ｏのα−ポリオレフィン類を塗布またはラミネ
ートした紙などである。

本発明における表面あらさ、とは、Ｊ　Ｉ　Ｓ　−ＢＯ
６０１の５項で定義される中心線平均あらさをさし、カ
ットオフ値は０．２５ｍｍである。

本発明に使用される支持体の表面あらさはｏ、ｏｉμｍ
−０，５μ７ｎであり、と＜　ニｏ、ｏ　ｚ　ｓ　ｌ１
ｍ　以上であることが好ましい。

支持体の裏面には走行性などの改良を目的としていわゆ
るバック層を設けることができる。この場合、バック層
の表面あらさをｏ、ｏｉμｍ以上、好ましくは０．０１
５μｍ以上とすることにより本発明の効果は同様に発揮
される。

本発明の中間層に使用されるポリエステルアクリレート
は多価アルコールと多塩基酸とから成るポリエステルポ
リオール（ポリエステルポリオールを含む）、ラクトン
環の重合あるいはＯＨ基含有カルボン酸の自己縮合によ
るポリエステルポリオールなどの２個以上の０Ｈ基をア
クリレート変化またはメタクリレート変性したものであ
る。具体的には多価アルコールとしては、エチレングリ
コール、フロピレンクリコールプタンシ゛オール、ペン
タンジオールネオペンチルクリコ−／ｌ／　、　ヘ＃サ
ンジオール、オフロンジオール、シクロヘキサン１，４
−ジオール、シクロヘキサン１，４−ジメタツール、ジ
エチレンクリコール、トリエチレングリコール、グリセ
リン、トリメチロールプロノξン、ペンタエリスリトー
ル、ジペンタエリスリトールなど、あるいはこれらの混
合物、多塩基酸としてはフマル酸、マレイン酸、こはく
酸、アジピン酸、セバシン酸、フクル酸、イソフタル酸
、テレフタル酸、シクロヘキサン１，４−ジカルボン酸
などから成るポリエステルポリオール、γ−ブチロラク
トン、ヒドロキシ酪酸、ヒドロキシ吉草酸、４−ヒドロ
キシ安息香酸などの４２リエステルの末端Ｃ０２Ｈ基を
０Ｈ基に変性したポリエステルポリオールなどをアクリ
ロイル変性もしくはメタクリロイル変性した化合物を挙
げることができる。

ポリエステルアクリレート類の好ましい分子量は３００
以上であり、より好ましくは５００以上。

５．０００以下である。

本発明によりポリエステルアクリレートを支持体上に設
け、これに放射線照射を行なって重合硬化させて中間層
を形成すると、支持体との密着性が良好な中間層が得ら
れ、また、表面あらさが０．０１μｍ以上（このような
表面あらさの支持体は製膜時の巻取り操作等に好ましい
）の支持体を用いても表面性の良い（例えば１表面あら
さが０．０１μｍ以下）中間層を形成することができ。

従って、この上に形成する磁性層の表面性を著しく改良
することができる。また、本発明による中間層を設けた
場合には磁性層の塗布性も改良され、上記の表面性と相
俟って耐久性の優れ、特に高密度記録に適した磁気記録
媒体を得ることができる。

本発明の中間層には、必要に応じて、塩化ビニル−塩化
ビニリデン系樹脂、ウレタン樹脂、アクリロニトリルブ
タジェン樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、繊維
素樹脂、アセタール系樹脂等の熱可塑性樹脂をウレタン
アクリレートと共に用いることができる。

本発明において使用される放射線は電子線および紫外線
である。紫外線を使用する場合には前記の化合物に増感
剤を添加することが好ましい。増感剤としては、特に限
定されないが、紫外線照射光源として通常使用される水
銀灯の輝紛スはりｌ・ルを生ずる２５４，３１３，３５
５ＴＬｍの波長においが吸光係数の比較的太なるものが
好ましい。

その代表例としては、アセトフェノン、ベンゾフェノン
、ばンゾインエチルエーテル、ベンジルエチルケタール
、ベンジルエチルケタール、ばンゾインインプチルケト
ン、ヒト８０キシジメチルフエニルケトン、１−ヒト８
０キシシクロへキシルフェニルケトン、２−２：）エト
キシアセトフェノン。

Ｍｉｃｈｌｅｒｇケトンなどの芳香族ケトンが使用でき
ろ。

増感剤の混合比率は、化合物１００重量部に対し０．５
〜２０重量部、好ましくは２〜１５重量部、弐Ｉ−１π
鮮ヰＬ〈ば３〜１０重隆部である。

前記中間層を支持体上に塗設する場合、鍾々の有機溶媒
が必要に応じ使用できる。中間層塗布液が液体である場
合無溶媒でもよい。使用できる有機溶媒としてはアセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソメチルケトン、シ
クロヘキサノン等のケトン系；メタノール、エフノール
、プロパツール、ブタノール等のアルコール系：酢酸メ
チル、酢酸エチル、酢酸メチル、乳酸エチル、酢酸クリ
コールモノエチルエーテル等のエステル系；エーテル、
クリコールジメチルエーテル、グリコールモノエチルエ
ーテル、ジオキザン等ツクリコールエーテル系：ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等ノタール系（芳香族炭化水素
）；メチレンクロライドゝ、エチレンクロライド、四塩
化炭素−クロロホルム、エチレンクロルヒトゞリン、ジ
クロルベンゼン等があげられろ。

前記中間層の厚さは放射線照射による重合硬化後の測定
で０．１〜２μｍであることが好ましく、表面あらさば
０．０１μｍ以下であることが好ましい。このためには
比較的低粘度の化合物、あるいは有機溶媒の添加により
低粘度に保ち塗設によるいわゆるレベリング効果をもた
せることが有効な手段の１つとなる。

本発明の中間層に用いるポリエステルアクリレートは粘
度が小さくこのため上記のような薄層塗布が容易に行な
えしかもレベリング効果によって中間層の表面粗さを平
滑にできるという特徴と、一方支持体との接着性が良好
で耐久性の良好な磁気記録媒体を提供できるという特徴
を有している。

電子線加速器としてはスキャニング方式、ダブルスキャ
ニング方式あるいはカーテンビーム方式が採用できるが
、好ましいのは比較的安価で大出力が得られるカーテン
ビーム方式である。電子線特性としては、加速電圧が１
０〜１０００１（Ｖ、好ましくは５０〜３００　ｋＶで
あり、吸収線量として０．５〜２０メガラツＦ好ましく
は１〜１０メガラツドである。加速電圧が１０　ｋＶ以
下の場合は、エネルギーの透過量が不足し１０００　ｋ
Ｖを超えると重合に使われるエネルギー効率が低下し経
済的でない。

吸収線量が０．５メガランド以下では硬化反応が不充分
で、２０メガラッド以上になると、硬化に使用されるエ
ネルギー効率が低下したり、被照射体が発熱し、特にプ
ラスティック支持体が変形するので好ましくない。

本発明の重合硬化層の上に設けられる磁性層は強磁性粉
末と結合剤とを主成分とするものであっても、磁性金属
薄膜であってもよい。

本発明に適用される磁性金属薄膜の形成法は真空槽内で
膜を形成する方法あるいはメッキ法によればよく、金属
薄膜の形成速度の速いこと、製造工程が簡単であること
、あるいは排液処理等の必要のないこと等の利点を有す
る真空槽内で膜を形成する方法が好ましい。真空槽内で
膜を形成する方法とは希薄な気体あるいは真空空間中に
おいて析出させようという物質またはその化合物を蒸気
あるいはイオン化した蒸気として基体となる支持体上に
析出させる方法で真空蒸着法、スパッタリング法、イオ
ンブレーティング法、化学気相メッキ法等がこれに相当
する。

さらに本発明において磁気記録層となるべき強磁性金属
層としては鉄、コバルト、ニッケルその他の強磁性金属
あるいはＦｅ−Ｇｏ−Ｆｔ−Ｎｉ、　Ｇｏ−Ｎｉ、　Ｆ
ｅ−８ｉ、　Ｆｅ−ＲＡ、　Ｇｏ−Ｐ、　Ｇｏ−Ｂ、　
Ｇｏ−８ｉ、Ｇｏ−Ｖ％Ｇｏ−Ｙ、　Ｇｏ−Ｌａ、　Ｇ
ｏ−Ｃｕｅ、　Ｃ１）−Ｐｒ、Ｇｏ−３ｍ。

Ｃ（＋−Ｐｔ、Ｇｏ−ｔＪｒＬ、　Ｆｅ　−Ｇｏ−Ｎｉ
、　Ｇｏ−Ｎｉ−Ｐ、　Ｇｏ−Ｎｉ−Ｂ−Ｇｏ−Ｎｉ−
Ａｙ−Ｇｏ−Ｎｉ−Ｎａ、Ｃ（＋　−Ｎｉ−Ｃｇ、　Ｇ
ｏ　−Ｎｉ−Ｚｎ、　Ｇｏ−Ｎｉ−Ｇｕ−Ｇｏ　−Ｎｉ
−Ｗ、　Ｇｏ　−Ｎｉ−Ｒｅ。

Ｇｏ−８ｍ−Ｇｗ等の強磁性合金を真空槽内で膜を形成
する方法あるいはメッキ法によって薄膜状に形成せしめ
たもので、その膜厚は磁気記録媒体として使用する場合
０．０３μｍ〜２μｍの範囲であり特に０．０７μｍ〜
０．４μｍが好ましい。

本発明の磁性層に使用される強磁性粉末、各種添加剤、
有機溶媒、さらに分散、塗布方式などの詳細に関しては
特開昭５２−１０８，８０４号、同５４−２１，８０４
号、同５４−４６，０１１号に記載されており必要に応
じ本発明に適用できる。

〔実施例〕

以下に本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。

なお実施例中「部」は重量部を示す。

実施例１ １４．５μ厚のポリエチレンテレフタレート支持体上に
東亜合成（株）製、アロニクス　Ｍ６１００（分子量１
０００のポリエステルジアクリレート）を塗設し、加速
電圧１６５　ｋＶ　、ビーム電流５７７ＬＡで吸収線量
２　Ｍｒａｄ　の電子線照射を行なった。

上記支持体の表面あらさは０１０１μｍであり、塗設層
厚は０，５μｍである。

下記組成の磁性塗液をボールミルで１０時間混線分散し
た。

分散後、トリイソシアネート化合物のトリメチロールプ
四パン付加体（分子約７６０、Ｎ、ＣＯ含有量１３．３
ｗｔ％、商品名：バイエルＡ、　Ｇ。社製「デスモジュ
ールＬ−７５Ｊ）の７５　ｗｔ％酢酸エチル溶液を２２
部加え１時間高速剪断分散して磁性塗布液を調製した。

得られた塗布液を前記層の上側に乾燥後の厚さが４μｍ
となるよう塗設した。ついで、直流磁場中で配向処理し
て１００℃の熱風を送って乾燥した。乾燥後、カレンダ
リンゲ処理を施して、１／２インチ巾にスリットしてビ
デオ用の磁気テープサンプルＪ４６１を得た。

比較例１ 実施例１において中間層を塗設せず、他は実施例１と同
様に磁気テープサンプル／１６２を得た。

実施例２ 実施例１において、アロニクス　Ｍ６１００に代えて下
記組成の塗液を調製し、塗設後ｓｏＷ／αの水銀灯で１
秒間紫外線照射した。

ポリエステルジアクリレート インゾフエノン　５部 重合硬化後の厚さを０．５μｍとした。

他は実施例１と同様にして磁気テープサンプル／１６３
を得た。

実施例３ 実施例１において表面あらさ０．０１５μｍのポリエチ
レンテレフタレート支持体を使用し、他は実施例１と同
様にして磁気テープサンプル／Ｉ６４を得た。

比較例２ 比較例１において表面あらさ０．０１５μｍのポリエチ
レンテレフタレート支持体を使用し、他は比較例１と同
様にしてミステープサンプル／１６５を得た。

実施例４ 実施例１において表面あらさＯ，０２０μｍのポリエチ
レンテレフタレート支持体を使用し、他は実施例１と同
様にして磁気テープサンプルＡ６．６を得た。

比較例３ 比較例１において表面あらさ０．０２０μのポリエチレ
ンテレフタレート支持体を使用し、他は比較例１と同様
にして磁気テープサンプル１６７を得た。

実施例５ 実施例１と同様にして中間層を設けた。該層上に斜め蒸
着によりＣ０−Ｎｉ　（Ｎｉ；　２Ｑ　ｗｔ％）磁性膜
を、１００ＯＡ厚となるよう設け、磁気テープサンプル
／１６８を得た。

比較例４ 実施例５において、中間層を塗設せず、他は実施例１ら
シＭ祥を歳硼テーザ廿ソザルμＱか斜ナー実施例６ 表面あらさ０．０２０μｍ、厚さ１５１１ｍのポリエチ
レンテレフタレートの上に実施例１のアロニクス　Ｍ６
１００の代りにポリエステルジアクリレート（エチレン
グリコールとアジピン酸のポリエステルジオールのジア
クリレート化合物、分子量約５００）を用いて実施例１
と同様に処理し、磁気サンプルテープＡＩＯを作成した
。

比較例５ 表面あらさ０．０１５μｍ、厚さ１５μｍのポリエチレ
ンテレフタレートの上に実施例１のアロニクス　Ｍ６１
００の代りにポリエステルモノアクリレート（エチレン
グリコールとアジピン酸のポリエステルジオールのモノ
アクリレート化合物、分子量約５００−）を用いて実施
例１と同様に処理し、磁気サンプルテープ／１６　］、
　１　’ｊ作成した。

以上のサンプルについてビデオ感度およびＣ／Ｎを測定
した。測定方法の概略を下記に示す。

ビデオ感度：ＶＥ（Ｓ方式ＶＴＲ（松下電産製造、商品
名「ＮＶ−８８００Ｊ　）を使用 して４ＭＨ２での再生出力を測定し た。

０７Ｎ　：３ＭＨｚおよび３．５　Ｍ　Ｈｚの搬送波（
キャリヤー）を記録し、再生した ときのキャリヤーとノイズの比（Ｓ ／Ｎに相当）を比較例１を基準（± ０ｃＬＢ）として測定した。

結果を表に示す。

〔発明の効果〕

表より明らかなごとく、支持体の表面あらさが０．０１
μｍ以上で、かつ支持体と磁性層との間にポリエステル
アクリレートを含む中間層を設は放（改良された磁気記
録媒体のえられることがわか　２゜る。

（ほか３名） ４・ ７゜ ８゜ 手続補正書 昭和５９年　２　月Ｊ、、１１−１ 昭和５８年特許願第２４１０５１　号 発明の名称 磁気記録媒体 補正をする者 事件との関係゛特許出願人 名称　（５２０）富士写真フィルム株式会社霞が関ビル
内郵便局　私書箱第４９号 栄光特許事務所　電話（５８１）−９６０１（代表）補
正の対象 「発明の詳細な説明」の梱 補正の内容 「発明の詳細な説明」の椙を下記の如くイ１ｄ正する。

。 １）明細瞥拓４貞１２行目、「致った１、」を「到った
。」と補正する。

２）同　第７頁１〜２行目、「変化」を「変性」と補正
する。

６ン同　第８頁下から６行目、「耐久性の」を「耐久性
に」と補正する。

４）同　第９頁９行目、「おいが」を「′Ｓ−いて」と
補正する。

５）同　第１４頁８行目、［０゜０１μｍＪを「０．０
１０μｍ」と補正する。１ ６）向　第１９頁１行目、「再生出力を」の後に［比較
例１（サンプル屋２）を基準（±０ｄＩ３）として」を
加入する。。

７）同　第２０頁表甲、「支持体の表面めらさく　ｆｉ
ｒｒＬ）Ｊの列、［サンプルＡ　Ｉ　Ｋｍ、Ａ、　２　
Ｊｉｍ　、）に３掴、故８欄、械９楠Ｊの「υ、０１」
を「口、０１０．Ｊと補正する。

以上

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）表面あらさが０．０１μｍ以上である非磁性支持
   体と磁性層との中間にアクリロイル基もしくはメタクリ
   ロイル基を分子中に２個以上有するポリエステルポリオ
   ールを含有する中間層を設け、該層が放射線照射される
   ことを特徴とする磁気記録媒体。
2. （２）中間層の表面あらさが０．０１μｍ以下であるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の磁気記
   録媒体。