JPS6173236A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS6173236A JPS6173236A JP19540684A JP19540684A JPS6173236A JP S6173236 A JPS6173236 A JP S6173236A JP 19540684 A JP19540684 A JP 19540684A JP 19540684 A JP19540684 A JP 19540684A JP S6173236 A JPS6173236 A JP S6173236A
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- JP
- Japan
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- layer
- magnetic
- compd
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- magnetic recording
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ユ、磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは高密度
記録に適し、た磁気記録媒体に関する。
記録に適し、た磁気記録媒体に関する。
近年、開発か進められてさている高密度記録用磁気記耐
′媒体においては磁気ヘッドと磁気テープとの間のいわ
ゆる間隙損失を軽減させるため、磁性層の表面性をより
晶度なものとすることが要求される。この目的のために
は、磁性層の製造技術、すなわち磁性ｔζｉ子の分散、
塗布、表面成形技術などの改良により磁性層の表面性を
向上させることが必要であると同時に、支持体の表面性
を向上させることもまだ必要となる。とくに、記録密度
が高くなるにともない記録波長が小となることにより、
厚み損失を逃がれるために磁性層を薄くする試みがなさ
れてきている。それにより、支持体の表面性が磁性層の
表面性に与える影界はます１す大となってきている。
′媒体においては磁気ヘッドと磁気テープとの間のいわ
ゆる間隙損失を軽減させるため、磁性層の表面性をより
晶度なものとすることが要求される。この目的のために
は、磁性層の製造技術、すなわち磁性ｔζｉ子の分散、
塗布、表面成形技術などの改良により磁性層の表面性を
向上させることが必要であると同時に、支持体の表面性
を向上させることもまだ必要となる。とくに、記録密度
が高くなるにともない記録波長が小となることにより、
厚み損失を逃がれるために磁性層を薄くする試みがなさ
れてきている。それにより、支持体の表面性が磁性層の
表面性に与える影界はます１す大となってきている。
しかしながら磁気記録媒体に使用される支持体の表面性
を向上させることは下記の理由から限界がある。つまり
、製膜して巻き取る工程において、フィルムの表面性が
良いと搬送ローラーに対する摩惇抵抗か大となシ、しば
しば蛇行を起こしたυ、シワが生じたりする。またフィ
ルム間の摩擦抵抗が増大し巻き取りロールの形状にユガ
ミか生じたりもする。
を向上させることは下記の理由から限界がある。つまり
、製膜して巻き取る工程において、フィルムの表面性が
良いと搬送ローラーに対する摩惇抵抗か大となシ、しば
しば蛇行を起こしたυ、シワが生じたりする。またフィ
ルム間の摩擦抵抗が増大し巻き取りロールの形状にユガ
ミか生じたりもする。
前記の背反する問題点の解決のために、これまでに種々
の試みがなされてきている。たとえば特開昭６３−７０
９６０３には、支持体上に熱可塑性樹脂の微粒子を突出
させ、その后溶剤にて溶解除去しその表面に磁性層を形
成する方法が記載されている。
の試みがなされてきている。たとえば特開昭６３−７０
９６０３には、支持体上に熱可塑性樹脂の微粒子を突出
させ、その后溶剤にて溶解除去しその表面に磁性層を形
成する方法が記載されている。
また、特公昭グ４−／４ｔ３−６１には、支持体上にポ
リアミドポリエステル等のポリマー溶液を塗布、乾燥さ
せて、微小じわを形成し、その表面に磁性層を形成する
方法が記載されている。特公昭１７７−＆／／７には、
支持体上に塗布するポリマーとしてコポリエステル等を
使って、また特公昭ｒｏ−−′ｒｏｏ／には、熱可塑性
ポリエステル等を使って、特公昭４ｔ４−／Ｆ夕！夕と
同じように表面に微小じわを形成し、その表面に磁性層
を形成する方法が記載されている。
リアミドポリエステル等のポリマー溶液を塗布、乾燥さ
せて、微小じわを形成し、その表面に磁性層を形成する
方法が記載されている。特公昭１７７−＆／／７には、
支持体上に塗布するポリマーとしてコポリエステル等を
使って、また特公昭ｒｏ−−′ｒｏｏ／には、熱可塑性
ポリエステル等を使って、特公昭４ｔ４−／Ｆ夕！夕と
同じように表面に微小じわを形成し、その表面に磁性層
を形成する方法が記載されている。
しかしながら、上述の置方法はいずれも、高密度記録用
磁気記録媒体としての満足すべき特性を安定的に賦与し
うるにはいたっていない。
磁気記録媒体としての満足すべき特性を安定的に賦与し
うるにはいたっていない。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、非磁性支持体表面上に、要求された表
面粗さを有する層を安定的に形成することにより、高密
度記録に適した磁気記録媒体を提供するにある。
面粗さを有する層を安定的に形成することにより、高密
度記録に適した磁気記録媒体を提供するにある。
本発明は、支持体と磁性層との中間に、放射線により重
合可能な化合物とカーボンブランクとを含有する層を設
け、該層が放射線照射されていることを特徴とする、非
磁性支持体、さらに前記非磁性層の表面粗さＲａが０．
０θ／〜０．０２μｍであることを特徴とする上記の磁
気記録媒体に関する。
合可能な化合物とカーボンブランクとを含有する層を設
け、該層が放射線照射されていることを特徴とする、非
磁性支持体、さらに前記非磁性層の表面粗さＲａが０．
０θ／〜０．０２μｍであることを特徴とする上記の磁
気記録媒体に関する。
本発明に使用される非磁性支持体の表面あらさは表、良
で異なるように調製することも可能であるが、そのよう
な支持体の調製には高度の技術を要し、また製造効率も
低い。そこで本発明では表裏両面の表面あらさがはソ同
一に調製された支持体を主たる適用対象とするが、本発
明の範囲はこれのみにとソまるものではない。
で異なるように調製することも可能であるが、そのよう
な支持体の調製には高度の技術を要し、また製造効率も
低い。そこで本発明では表裏両面の表面あらさがはソ同
一に調製された支持体を主たる適用対象とするが、本発
明の範囲はこれのみにとソまるものではない。
本発明に使用される支持体は、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレン一一、６−ナフクレート等のポリエ
ステル類：ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレ
フィン類；セルローストリアセテート、セルロースダイ
アセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロ
ースアセテートプロピオネート等のセルロース誘導体；
ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂
；ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドイミド等
のプラスチックの他に用途に応じてアルミニウム、銅、
スズ、亜鉛またはこれらを含む非磁性合金、不銹ｔ（・
・１などの非磁性金４類；紙、バライタまたはポリエチ
レン、ポリプロピレン、エチレン−ブテン共重合体など
の炭素ａ２〜１０のα−ポリオレフィン類を塗布または
ラミネートした紙などである。
ート、ポリエチレン一一、６−ナフクレート等のポリエ
ステル類：ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレ
フィン類；セルローストリアセテート、セルロースダイ
アセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロ
ースアセテートプロピオネート等のセルロース誘導体；
ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂
；ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドイミド等
のプラスチックの他に用途に応じてアルミニウム、銅、
スズ、亜鉛またはこれらを含む非磁性合金、不銹ｔ（・
・１などの非磁性金４類；紙、バライタまたはポリエチ
レン、ポリプロピレン、エチレン−ブテン共重合体など
の炭素ａ２〜１０のα−ポリオレフィン類を塗布または
ラミネートした紙などである。
水元〔月におけする表面あらさと乞１．ＪＩＳ−Ｂθに
Ｏ／の５項で定義される中心線平均あらさＲａをさし、
カットオフ値は０．２ｊｌＲである。
Ｏ／の５項で定義される中心線平均あらさＲａをさし、
カットオフ値は０．２ｊｌＲである。
支持体の層面には走行性などの改良を目的としていわゆ
るバック層を設けることができる。この場外、バック層
の表面ちらさを６．０７／μｍ以上、奸才しくけｏ、ｏ
ｉｓμｍ以上とすることにより本発明の効果は同様に発
揮される。
るバック層を設けることができる。この場外、バック層
の表面ちらさを６．０７／μｍ以上、奸才しくけｏ、ｏ
ｉｓμｍ以上とすることにより本発明の効果は同様に発
揮される。
本発明の中間層に使用される放射線照射により重合可能
な化合物は炭素−炭素不胞和結合を分子中に／岱以上有
する化合物でありアクリルαエステル頌、アクリルアミ
ド類１．ツタクリル酸エステル顛、メタクリルアミド類
、アリル化合物、ヒニルエーテル項、ビニルエステル類
、ビニル異節県化合物、Ｎ−ビニル化合物、スチレンｊ
１１、クロトン酸類、イタコン淀類、オレフイ７９工ｊ
、オレフ−ｒ）類などが例としてあけられる。これら
のうちｔｊ−Ｉ−ましいものとしてアクリロイル痔また
はメン７クリロイル基を・−個以上含む前記の化合物か
あけられる。ジエチレングリコールジアクリレート、ト
リエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレン
グリコールジアクリレート、ト１１メチロールプロ・２
ントリアクリレート、ベノタエリスリトールテトラアク
リＶ−ト、などのアクリレート鵠、ジエチレングリコー
ルジアクリレート、トリエチレングリコールトリメタク
リレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、
トリノチロールブロ／＜７トリノ、ククリレート、ば／
タエリスリトールテトラメタクリレート、などのメタク
リレート類あるいけその他の２官能以上のポリオールと
アクリル酸メタクリル酸とのエステル類、など。
な化合物は炭素−炭素不胞和結合を分子中に／岱以上有
する化合物でありアクリルαエステル頌、アクリルアミ
ド類１．ツタクリル酸エステル顛、メタクリルアミド類
、アリル化合物、ヒニルエーテル項、ビニルエステル類
、ビニル異節県化合物、Ｎ−ビニル化合物、スチレンｊ
１１、クロトン酸類、イタコン淀類、オレフイ７９工ｊ
、オレフ−ｒ）類などが例としてあけられる。これら
のうちｔｊ−Ｉ−ましいものとしてアクリロイル痔また
はメン７クリロイル基を・−個以上含む前記の化合物か
あけられる。ジエチレングリコールジアクリレート、ト
リエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレン
グリコールジアクリレート、ト１１メチロールプロ・２
ントリアクリレート、ベノタエリスリトールテトラアク
リＶ−ト、などのアクリレート鵠、ジエチレングリコー
ルジアクリレート、トリエチレングリコールトリメタク
リレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、
トリノチロールブロ／＜７トリノ、ククリレート、ば／
タエリスリトールテトラメタクリレート、などのメタク
リレート類あるいけその他の２官能以上のポリオールと
アクリル酸メタクリル酸とのエステル類、など。
また、これらの化合物は高分子量体のものであってもよ
い。好１しくに高分子の主鎖末端あるいは側鎖にアクリ
ル酸またはメタクリル酸とのエステル結合を有する化合
物でちり、これらはＡ 、 Ｖｒａｎｃｋｅｍ ’Ｆａ
ｔｉｐｅｃ Ｃｏｎｇｒｅｓｓ“／／ ／９（／り７
２）Ｋ引用されている。たとえば以下に示す化合物 であり、例示した化合物のポリエステル骨格がポリウレ
タン骨格、エポキシ樹脂の骨格、ポリニー・チル１烙、
ポリウレタン骨格であってもあるいはこれらの混合され
た骨格でもよい。分子量は／。
い。好１しくに高分子の主鎖末端あるいは側鎖にアクリ
ル酸またはメタクリル酸とのエステル結合を有する化合
物でちり、これらはＡ 、 Ｖｒａｎｃｋｅｍ ’Ｆａ
ｔｉｐｅｃ Ｃｏｎｇｒｅｓｓ“／／ ／９（／り７
２）Ｋ引用されている。たとえば以下に示す化合物 であり、例示した化合物のポリエステル骨格がポリウレ
タン骨格、エポキシ樹脂の骨格、ポリニー・チル１烙、
ポリウレタン骨格であってもあるいはこれらの混合され
た骨格でもよい。分子量は／。
０００〜ノｏ 、ｏｏｏか好ましいが、とくに限定され
るものではない。
るものではない。
上記の放射約照射により重合可能な化合物は単独に、ま
た任意の割合で混合して使用することができる。
た任意の割合で混合して使用することができる。
さらに塩ビ酢ビ系共重合体、繊維素系樹脂、アセタール
系樹脂、塩ビー塩化ビニリデン系樹脂、ウレタン樹脂、
アクリロニトリルブタジェン樹脂等の熱可塑性樹脂を必
要によシ前記放射線照射により重合可能な化合物と混合
使用することができる。
系樹脂、塩ビー塩化ビニリデン系樹脂、ウレタン樹脂、
アクリロニトリルブタジェン樹脂等の熱可塑性樹脂を必
要によシ前記放射線照射により重合可能な化合物と混合
使用することができる。
本発明において使用される放射線は電子線および紫外線
である。紫外線を使用する場合には前記の化合物に光重
合開始剤を添加することが必要となる。
である。紫外線を使用する場合には前記の化合物に光重
合開始剤を添加することが必要となる。
光重合開始剤としては芳香族ケト／が使用される。
芳香族ケトンは、特に限定されないが、紫外線照射光源
として通常使用される水銀灯の輝線スにクトルを生ずる
ｊｊＱ’、３／ｊ、ｊ≦Ｊ’ｎｍの波長において吸光係
数の比較的太なるものが好ましい。その代表例としては
、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ベンゾインエチル
エーテル、ペンジルメチルケクール、ベンジルエチルケ
タール、ペンシイ／インブチルケトン、ヒドロキシジメ
チルフェニルケト／、／−ヒドロキシシクロへキシルフ
ェニルケトｙ、ｕ−２ジエトキシアセトフエノン、Ｍｉ
ｃｈｌｅｒ’ｓケトンなどがあシ、種々の芳香族ケトン
が使用できる。
として通常使用される水銀灯の輝線スにクトルを生ずる
ｊｊＱ’、３／ｊ、ｊ≦Ｊ’ｎｍの波長において吸光係
数の比較的太なるものが好ましい。その代表例としては
、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ベンゾインエチル
エーテル、ペンジルメチルケクール、ベンジルエチルケ
タール、ペンシイ／インブチルケトン、ヒドロキシジメ
チルフェニルケト／、／−ヒドロキシシクロへキシルフ
ェニルケトｙ、ｕ−２ジエトキシアセトフエノン、Ｍｉ
ｃｈｌｅｒ’ｓケトンなどがあシ、種々の芳香族ケトン
が使用できる。
芳香族ケトンの温合比率は、化合物（ａｌ ／ ００重
号部に対し０゜ｔ〜コθＭ量部、好ましくは２〜／ ｊ
ｐ±１部、さらに好ましくは３〜／Ｑ重量部である。
号部に対し０゜ｔ〜コθＭ量部、好ましくは２〜／ ｊ
ｐ±１部、さらに好ましくは３〜／Ｑ重量部である。
本発明め中間層に使用きれるカーボ゛ンプラツクは平均
−次粒子サイズが７００Ａ以上であるのが好ましい。
−次粒子サイズが７００Ａ以上であるのが好ましい。
カーボ゛ンブラックの該中間層表面上への露出部は、高
さ！θ〜２θθ０Ａで、露出イ固数は、／θ６〜１０９
個／ＷｒＭ２の１α囲に設定される。
さ！θ〜２θθ０Ａで、露出イ固数は、／θ６〜１０９
個／ＷｒＭ２の１α囲に設定される。
上記の微粒子の径、および露出粒子密度は、磁気ｈｃ録
媒体の用途に応じて、より狭い範囲に調製される。
媒体の用途に応じて、より狭い範囲に調製される。
中口１１層の表口１１粗妬ハθ、００ ／ 〜０．０２
層ｍの範囲にあるのが好ましく、更に好ましくは０゜０
０１〜０．０７μｍである。
層ｍの範囲にあるのが好ましく、更に好ましくは０゜０
０１〜０．０７μｍである。
特〈金属Ｎ、膜よりなる磁性層を設りる場合には中間層
の表面粗さは０．００１〜０．０７μｍの範囲にあるの
が好ましい。
の表面粗さは０．００１〜０．０７μｍの範囲にあるの
が好ましい。
本発明に使用される力〜ボンフシツクの具体例としては
、例えば、 コロンビャンカーボン１ｕＲａｖｅｎ ／θ３ｔ（ｚ７
０Ａ）、Ｃｏｎｄｕｃｔｅｘり７ｒ（２ｏｏ；ｈ）、Ｎ
ｅ。
、例えば、 コロンビャンカーボン１ｕＲａｖｅｎ ／θ３ｔ（ｚ７
０Ａ）、Ｃｏｎｄｕｃｔｅｘり７ｒ（２ｏｏ；ｈ）、Ｎ
ｅ。
５ｐｅｃｔｒａ Ｍａｒｋ Ｅｌ （／ ３０ Ａ ）
、三菱化成製Ｄｉａ１１１ａｃｋ −Ｈ（３００Ａ ）
、Ｆｕｒｎｅｘ （♂ｏ。
、三菱化成製Ｄｉａ１１１ａｃｋ −Ｈ（３００Ａ ）
、Ｆｕｒｎｅｘ （♂ｏ。
Ａ）、旭カーボン製旭＃ｒＯＩＳＡＦ（２，ｒ０穴）、
旭＃ｔｏ（ｚｌｏｋ）、旭サーマル（ｙｏｏＡ）、カン
カルブ社製サーモブラックＭＴ（，２７θθ＾）、セパ
ルコ社製セパカル７”ＭＴ（３６００＾）ナト力ちる。
旭＃ｔｏ（ｚｌｏｋ）、旭サーマル（ｙｏｏＡ）、カン
カルブ社製サーモブラックＭＴ（，２７θθ＾）、セパ
ルコ社製セパカル７”ＭＴ（３６００＾）ナト力ちる。
前記放射線照射によシ重合可能な化合物を、または芳香
族ケトンとの混合物を支持体上に塗設する場合、種々の
有機溶媒が必要に応じ使用できる。
族ケトンとの混合物を支持体上に塗設する場合、種々の
有機溶媒が必要に応じ使用できる。
この溶媒の添加量によってカーボンブランク粒子が表面
露出個数が調整できる。使用できる有機溶媒としてはア
セトン、メチルエチルケトン、メチルイソヅチルケトン
、シクロヘキサノン等のケトン系；メタノール、エタノ
ール、プロパツール、メタノール等のアルコール系；酢
酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、酢酸
グリコールモノエチルエーテル等のエステル系；エーテ
ル、クリコールジメチルエーテル、グリコールモノエチ
ルエーテル、ジオキサン等のグリコールエーテル系；ベ
ンゼン、トルエン、キシレン等のタール系（芳香族炭化
水素）；メチレンクロライド、エチレンクロライド、四
塩化炭素、クロロホルム、エチレンクロルヒドリン、ジ
クロルベンゼン等があげられる。
露出個数が調整できる。使用できる有機溶媒としてはア
セトン、メチルエチルケトン、メチルイソヅチルケトン
、シクロヘキサノン等のケトン系；メタノール、エタノ
ール、プロパツール、メタノール等のアルコール系；酢
酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、酢酸
グリコールモノエチルエーテル等のエステル系；エーテ
ル、クリコールジメチルエーテル、グリコールモノエチ
ルエーテル、ジオキサン等のグリコールエーテル系；ベ
ンゼン、トルエン、キシレン等のタール系（芳香族炭化
水素）；メチレンクロライド、エチレンクロライド、四
塩化炭素、クロロホルム、エチレンクロルヒドリン、ジ
クロルベンゼン等があげられる。
電子線加速器としてはパンテグラーフ型のスキャニング
方式、ダブルスキャニング方式あるいはカーテンビーム
方式が採用できるが、好ましいのは比較的安価で大出力
が得られるカーテンビーム方式である。電子線特性とし
ては、加速電圧か１０〜１０００ｆｌ好ましくは！θ〜
３θθｑでろシ、吸収線量としてθ、！〜−２０メガラ
ッド好ましくは／〜１０メガラッドである。加速電圧が
１０Ｋｖ以下の場合は、エネルギーの透過量が不足し／
θＯＯＫ′ｖを超えると重合に使われるエネルギー効率
が低下し経済的でない。
方式、ダブルスキャニング方式あるいはカーテンビーム
方式が採用できるが、好ましいのは比較的安価で大出力
が得られるカーテンビーム方式である。電子線特性とし
ては、加速電圧か１０〜１０００ｆｌ好ましくは！θ〜
３θθｑでろシ、吸収線量としてθ、！〜−２０メガラ
ッド好ましくは／〜１０メガラッドである。加速電圧が
１０Ｋｖ以下の場合は、エネルギーの透過量が不足し／
θＯＯＫ′ｖを超えると重合に使われるエネルギー効率
が低下し経済的でない。
吸収線量かび、ｔメガラッド以下では硬化反応が不充分
で磁性層強度が得られず、２０メガラッド以上に欧ると
、硬化に使用されるエネルギー効率が低下したり、被照
射体が発熱し、特にプラスティック支持体が変形するの
で好ましくない。
で磁性層強度が得られず、２０メガラッド以上に欧ると
、硬化に使用されるエネルギー効率が低下したり、被照
射体が発熱し、特にプラスティック支持体が変形するの
で好ましくない。
本発明の重合硬化層の上に設けられる磁性層は強磁性粉
末と結合剤とを主成分とするものであっても、磁性金属
薄膜であってもよい。
末と結合剤とを主成分とするものであっても、磁性金属
薄膜であってもよい。
本発明の磁性層に使用される強磁性粉末、各種添加剤、
有機溶媒、さらに分散・塗布方式などの詳細に関し、て
は特開昭ｊコーＩＯｒ、ｒＯ’１号、同！グー２／、７
０グ号、同タター４ｔ≦、θ／／号に記載されており必
要に応じ本発明に適用できる。
有機溶媒、さらに分散・塗布方式などの詳細に関し、て
は特開昭ｊコーＩＯｒ、ｒＯ’１号、同！グー２／、７
０グ号、同タター４ｔ≦、θ／／号に記載されており必
要に応じ本発明に適用できる。
本発明に適用される磁性金属薄膜の形成法は真空槽内で
膜を形成する方法あるいはメッキ法によればよく、金Ｉ
Ａ薄膜の形成速度の速いこと、製造工程が簡単であるこ
と、あるいは非液処理等の必要のないこと等の利点を有
する真空槽内で膜を形成する方法が好ましい。真空槽内
で膜を形成する方法とは希薄な気体あるいは真空空間中
において析出させようという勿質またはその化合物を蒸
気あるいはイオン化した蒸気として基体となる支持体上
に析出さぜる方法で真空蒸着法、ス・ξツタリング法、
イオンプアーティング法、化学気相メッキ法等がこれに
相当する。
膜を形成する方法あるいはメッキ法によればよく、金Ｉ
Ａ薄膜の形成速度の速いこと、製造工程が簡単であるこ
と、あるいは非液処理等の必要のないこと等の利点を有
する真空槽内で膜を形成する方法が好ましい。真空槽内
で膜を形成する方法とは希薄な気体あるいは真空空間中
において析出させようという勿質またはその化合物を蒸
気あるいはイオン化した蒸気として基体となる支持体上
に析出さぜる方法で真空蒸着法、ス・ξツタリング法、
イオンプアーティング法、化学気相メッキ法等がこれに
相当する。
さらに本発明において磁気記録層となるべき強磁性金属
屑としては鉄、コバルト、ニッケルその他の強磁性金属
あるいはＦｅ−Ｃｏ５Ｆｅ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆ’ｅ
−８ｉ１Ｆｅ−几り、 Ｃｏ−Ｐ、、Ｃｏ−Ｂ。
屑としては鉄、コバルト、ニッケルその他の強磁性金属
あるいはＦｅ−Ｃｏ５Ｆｅ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆ’ｅ
−８ｉ１Ｆｅ−几り、 Ｃｏ−Ｐ、、Ｃｏ−Ｂ。
Ｃｏ−８１１Ｃｏ−Ｖ、 Ｃｏ−Ｙ、 Ｃｏ−Ｌａ１Ｃ
ｏ−Ｃｅ。
ｏ−Ｃｅ。
Ｃｏ−ＰｒｌＣｏ−／μｍ、ＣｏＣｏ−Ｐｔ１Ｃｏ−。
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、 Ｃｏ−Ｎｉ −Ｐ、 Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｂ。
−Ｂ。
Ｃｏ−Ｎ ｉ −Ａｇ、 Ｃｏ−Ｎｉ −Ｎａ、 Ｃｏ
−Ｎ ｉ −Ｃｅ。
−Ｎ ｉ −Ｃｅ。
Ｃｏ−Ｎｉ −Ｚｎ、 Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｕ、 Ｃｏ−Ｎ
ｉ −Ｗ。
ｉ −Ｗ。
Ｃｏ−Ｎｉ −Ｒｅ、 Ｃｏ−／μｍ−Ｃｕ等の強磁性
合金を真空槽内で膜を形成する方法あるいはメッキ法に
よって薄膜状に形成せしめたもので、その膜厚は磁気記
録媒体として使用する場合θ、０！μｍ〜２μｍの範囲
であり特にＯ１／μｍ〜０．グμ慣が好ましい。
合金を真空槽内で膜を形成する方法あるいはメッキ法に
よって薄膜状に形成せしめたもので、その膜厚は磁気記
録媒体として使用する場合θ、０！μｍ〜２μｍの範囲
であり特にＯ１／μｍ〜０．グμ慣が好ましい。
以下に本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。
文中「部」は重量部を示す。
実施例／
／グ、ｆμ厚、表面粗さ０．０２２μ？ｎのポリエチレ
ンテレフタレート支持体上に、ボールミルで７０時間混
線分散した下記組成物Ａをθ、ｊμ厚となるよう塗設し
、溶剤乾燥後、加速電圧／乙ＯＫｖ、ビーム′亀流ｊｍ
Ａで吸収線量Ｊｌｖｌｒａｄとなるよう電子線照射を行
なった。
ンテレフタレート支持体上に、ボールミルで７０時間混
線分散した下記組成物Ａをθ、ｊμ厚となるよう塗設し
、溶剤乾燥後、加速電圧／乙ＯＫｖ、ビーム′亀流ｊｍ
Ａで吸収線量Ｊｌｖｌｒａｄとなるよう電子線照射を行
なった。
上気中間Ｊ饗上に、ｃｏおよびＮｉを連続蒸着機により
蒸着（いわゆる斜入射蒸着）し、強磁性薄膜（、ｊＭｒ
ｊ、−２０＋’） ＯＡ ｓ ＣＯ” Ａ ）を形成せ
しめ、仁／２インチ巾にスリットしてビデオ用の磁気テ
ープサンプル、糸／を得た。
蒸着（いわゆる斜入射蒸着）し、強磁性薄膜（、ｊＭｒ
ｊ、−２０＋’） ＯＡ ｓ ＣＯ” Ａ ）を形成せ
しめ、仁／２インチ巾にスリットしてビデオ用の磁気テ
ープサンプル、糸／を得た。
実施例、２ 実ＩＩ！４例／において組成物Ａのカーボ
ンブランクをカーボンブラック（三菱化 成Ｕ’ＪＤｉａｂ！ａｃｋ−Ｈ，平均−次粒径３θＯｋ
）に変更して、池は実施例／と 同様に処理してサンプル／Ｐ６２を得た。
ンブランクをカーボンブラック（三菱化 成Ｕ’ＪＤｉａｂ！ａｃｋ−Ｈ，平均−次粒径３θＯｋ
）に変更して、池は実施例／と 同様に処理してサンプル／Ｐ６２を得た。
実施例３ 実施例／において組成物Ａのカーボンブラッ
クをカーボンブラック（コロン ビャンカーボ゛ン製Ｎｅｏ ＳｐｅｃｔｒａＭａｒｋ
ｌｌ、平均−次粒径１３ｏｋ）に変更して、他は実施例
／と同様に処理 してサンプル墓３を得た。
クをカーボンブラック（コロン ビャンカーボ゛ン製Ｎｅｏ ＳｐｅｃｔｒａＭａｒｋ
ｌｌ、平均−次粒径１３ｏｋ）に変更して、他は実施例
／と同様に処理 してサンプル墓３を得た。
実施例グ 実施例／において組成物Ａのカーボンブラッ
クをカーボンブラック（コロン ビャンカーボン製Ｒｏｙａｌ ５ｐｅｃｔｒａ１平均
−次粒径７０Ａ）に変更して、あ とは実施例／と同様に処理してサンプ ル潟ダを得た。
クをカーボンブラック（コロン ビャンカーボン製Ｒｏｙａｌ ５ｐｅｃｔｒａ１平均
−次粒径７０Ａ）に変更して、あ とは実施例／と同様に処理してサンプ ル潟ダを得た。
比較例／ 実施例／において、組成物、Ｎを下記組成物
Ｂに変更してあとは実施例／と同 様に処理してサンプルＡｊを得た。
Ｂに変更してあとは実施例／と同 様に処理してサンプルＡｊを得た。
比較例２ 実施例／において、中間層を設けずにあとは
実施例／と同様に処理してサン プルＡにを得た。
実施例／と同様に処理してサン プルＡにを得た。
実施例！ 実施例／において、支持体を表面粗さＲａ０
．０３０μｍ、厚み／’１．！ｐｍのポリエチレンテレ
フタレートにか え、実施例／と同様に処理して中間層 を設けた。磁性層はコバルトおよびニ ッケルの蒸着にかえ下記組成物とした。
．０３０μｍ、厚み／’１．！ｐｍのポリエチレンテレ
フタレートにか え、実施例／と同様に処理して中間層 を設けた。磁性層はコバルトおよびニ ッケルの蒸着にかえ下記組成物とした。
下記組成の磁性塗液をボールミルで７０時時間線分散し
た。
た。
分散後、トリインシアネート化合物のトリメチロールプ
ロパン付加体（分子的７ｔｏ、ＮＣＯ含有−１１／ｊ、
３ｗｔ％、商品名；バイエルＡ、Ｇ。
ロパン付加体（分子的７ｔｏ、ＮＣＯ含有−１１／ｊ、
３ｗｔ％、商品名；バイエルＡ、Ｇ。
社製［デスモジュールＬ−７！Ｊ）の７ｊｗｉ％酢酸エ
チル溶液を２２部加え７時間高速剪断分散して磁性塗布
液を調製した。得られた塗布液を前記層の上側に乾燥后
の厚さがダμとなるよう塗設した。ついで、直流磁場中
で配向処理して７０００Ｃの熱風を送って乾燥した。乾
燥後、カレンダリング処理を施して、／／コインチ巾に
スリットしてビデオ用の磁気テープサンプル扁２を得た
。
チル溶液を２２部加え７時間高速剪断分散して磁性塗布
液を調製した。得られた塗布液を前記層の上側に乾燥后
の厚さがダμとなるよう塗設した。ついで、直流磁場中
で配向処理して７０００Ｃの熱風を送って乾燥した。乾
燥後、カレンダリング処理を施して、／／コインチ巾に
スリットしてビデオ用の磁気テープサンプル扁２を得た
。
比較例３ 実施例！において中間層を設けずに他は同様
に処理して磁気テープサンプル Ａ♂を得た。
に処理して磁気テープサンプル Ａ♂を得た。
以上のサンプルについてビデオ感度、Ｃ／Ｎ１および走
行耐久性について調べた。（使用ＶＴＲ；松下電産製「
ＮＶ−ｒｊｏｏ」） 測定法の概略は下記のごとくである。
行耐久性について調べた。（使用ＶＴＲ；松下電産製「
ＮＶ−ｒｊｏｏ」） 測定法の概略は下記のごとくである。
ビデオ感度：ＱＭＨｚにおける再生出力をサンプル墓ｇ
（比較例２）を基準（十〇ｄＢ）として測定した。
（比較例２）を基準（十〇ｄＢ）として測定した。
但しサンプル漸２のみｓ序を扁ざとした。
Ｃ／Ｎ ： ３へＩ Ｈｚ及びｊ、ｊＭＨｚの搬送波（
キャリアー）を記録し、再生したときのキャリアーとノ
イズの比をサンプル扁乙（比較例、２）を基迦（十〇ｄ
Ｂ ） として測定した。
キャリアー）を記録し、再生したときのキャリアーとノ
イズの比をサンプル扁乙（比較例、２）を基迦（十〇ｄ
Ｂ ） として測定した。
但しサンプル扁７のみ基準をＩＦＬ／とじた０走行耐久
住ニア０θ回くり返し走行後の出力低下を！ｖ１１定し
た。
住ニア０θ回くり返し走行後の出力低下を！ｖ１１定し
た。
結果を表に示す。
本発明によれば、ビデオ感度、Ｃ／Ｎ、および走行耐久
性かともにすぐれる良好な高密度磁気記＋ｋｒｐ４：体
か得られる。
性かともにすぐれる良好な高密度磁気記＋ｋｒｐ４：体
か得られる。
Claims (2)
- （１）非磁性支持体と磁性層との中間に、放射線照射に
より重合可能な化合物とカーボンブラックとを含有する
層を設け、該層が放射線照射されていることを特徴とす
る磁気記録媒体。 - （２）前記非磁性層の表面粗さＲａが０．００１〜０．
０２／μｍであることを特徴とする特許請求の範囲第（
１）項記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19540684A JPS6173236A (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 磁気記録媒体 |
| US06/737,968 US4619856A (en) | 1984-05-28 | 1985-05-28 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19540684A JPS6173236A (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6173236A true JPS6173236A (ja) | 1986-04-15 |
Family
ID=16340575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19540684A Pending JPS6173236A (ja) | 1984-05-28 | 1984-09-18 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6173236A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61216116A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS61276120A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-06 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS6334726A (ja) * | 1986-07-28 | 1988-02-15 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| US6821602B2 (en) | 1999-09-10 | 2004-11-23 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium and process for producing the same |
-
1984
- 1984-09-18 JP JP19540684A patent/JPS6173236A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61216116A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS61276120A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-06 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS6334726A (ja) * | 1986-07-28 | 1988-02-15 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| US6821602B2 (en) | 1999-09-10 | 2004-11-23 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium and process for producing the same |
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