JPS6010745A - 半導体素子特性測定方法 - Google Patents

半導体素子特性測定方法

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JPS6010745A
JPS6010745A JP11959983A JP11959983A JPS6010745A JP S6010745 A JPS6010745 A JP S6010745A JP 11959983 A JP11959983 A JP 11959983A JP 11959983 A JP11959983 A JP 11959983A JP S6010745 A JPS6010745 A JP S6010745A
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JP
Japan
Prior art keywords
measurements
elements
measurement method
measurement
wafers
Prior art date
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Pending
Application number
JP11959983A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideaki Namihana
浪花 秀明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Home Electronics Ltd
NEC Corp
Original Assignee
NEC Home Electronics Ltd
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Home Electronics Ltd, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Home Electronics Ltd
Priority to JP11959983A priority Critical patent/JPS6010745A/ja
Publication of JPS6010745A publication Critical patent/JPS6010745A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 この発明は牛4休クエーハに整列させて形成された多数
の半導体素子を個々に順次特性測定する1沃に関する。
(ロ)従来技術 通信、半導体クエーハにおける半4休崖子の個々の特性
測定は7つの半導体孝子の表面ば櫨にテスターに配線さ
れ之プローバのプローグニードルと接触させて順次行わ
れる。また半導体孝子の7回の特性測定は、IJ[故の
特性積自毎に分けて順次に行われ、途中の/項目の測定
d果が不良と判定されると伐りの待・庄項目の測定は行
われずに不良品と判定され、パの牛4休素子の測定動作
に移行させて少しでも測定時1媚を短くシ、テスターの
稼動率と上げるようしている。例えば7回の特性JA目
の多い’IaBX素子においては先ず高速パルスにて大
まかな予備テストであるルーズ7アンクシヨンテスト(
以FIJXp丁と略記する)t−行い、このり、IFT
#果が良と出nは正規の刑か一特性測定を行い、L1t
T結果が不良の場合は仮υに正規の特性測定を行っても
1よぼ/θθ洛の燻率で不良の結果が出るので正規の特
性測定を省瘉して次のX181素子の測定を行うようし
ている。
また半導体素子の特性項目が多くなる程これを測定する
テスターが高価になplその稼動率で決まるコストパフ
ォーマンスが半導体製造能−力を犬めるffi妥なもの
瀝なハそこでテ゛スターのコストパフォーマンスを上げ
るため従来は第7図及び第2図に示す即き′i−を使っ
て後述の択−測定法或は並列測定法で行って^る。
第7図及び第2図において、(1)は7台のテスター、
(、ga)(2b)はテスター+1)に記減された。2
台のプローパでその各々のF面には7個の半導体素子の
表面′4極に当徴するパターンでグローブニードル(3
a)(3b)が突設されている。(4a)(4b)は上
′F7J及び水平な直交二方同のX−Y方向に間欠助す
るIJJdJステージ、(5a)(6b)はぜ励ステー
ジ(4a)(4b)上に位置決め載置された。2枚の千
4体りエーハ(以下クエーハと亦す)で、各々にv′1
X−r方向の格子状配列でd政の牛4体素子(以T:菓
子と祢す)、(6a)・・書、(6す・O−が形成され
る。可動ステージ(4a)(4すVまプローバ(2a)
のプローブニードル(3a)にクエーハ(5a)(5b
)の菓子(6EL)*a−(61))ossを/1固ず
ツIl@iにilf気的気触接触る!1!lJきをなす
、上記択一測定法はテスター11)に連続測定1−11
?なものを用い、−6112J′illステージ(4a
)(40金交互□に駆薊させて2枚のクエーノ−(5a
)(5b)の″6粱子(6a)・・・、(6す・・et
−g3図のタイムチャートに示す如く7個ずつ父互に特
性一定する方法である。つまり、−万のクエーノ−(5
a)の/1固の菓子(6a)の一足が完了すると同時に
他方のクエーハ(5b)の7個の菓子(6b)の測it
始め、この菓子(6N))の測定時間内に一方〇可動ス
テージ(4a)を駆鯛させてクエーハ(5&)の次に一
足される菓子(6す2i−測定IJJ能状想にセットし
て、又互に連続間に測定全行う。
また上記並列測定法はテスターf1)に2−の同−内容
の菓子の特性測定t−同時に行い得るものて使用して第
7図のタイムチャートの即く各町前ステージ(4a)(
41))k同期逓伝させてコ枚のり工−ハ(5a)(5
o)の67個ずつの菓子(6aX6b)t−’1同時に
測定する方法である。
このような択−測定法及び並列測定法はfJj図に示す
ように2枚のクエーハ(5a)(5I))の−噛から他
部へと蛇行状に行゛われでいる・(ハ)元側が解犬しよ
りとする問題点 択一測定法はテスターが連続間に殿子τ測定するが、1
−々の菓子の時性測定に要する時間を短、緬しない限り
処理能力の収容は望めない。−万並列04A述沃は一度
に21固の菓子を同時測定するので、次の菓子τ測疋す
Σまでのクエー・・の移妨時副(ステージのJC−Y方
間φ切時間+ス−テージ上昇時−十ステージF降時屑)
を短くすれば処理lF!、力は択−測定法の一倍弱向上
rると考えら7Lる・し刀ふし、天除VまりニーI)の
菓子の歩餉の問題が6って処理−力はコθ漏d度向上す
るの4でめる。
即′:)1裂迫時にクエーノゝは一♂ひね七の周辺tX
1sの結晶14を逮が・セ夫d1≦より劣る等の問題゛
がめってクエーハ周辺部にノe、Aされる素子には不良
品が多く、成品素子はクエーハ中犬・部に果中する一戒
l:lIJ煩回があって、7枚のクエーノ1におケル素
子成品4が惑い現ズ問題がある6<の′之め並(5) 列一定法で2枚のクエーノ・の菓子の特性測定r行う4
台、同時測定される。2個の菓子の両刀が成品、或は不
良品で6る場合は問題黒いが、第1図の破線で示す部分
の即く一方が良品で他方が不良品の場゛仕、・4成索子
は短時間tで測定完了するが成品素子は測定続行中であ
り、従って不良素子側のプローパは良品素子の特性測定
時1副itとすると(1−1)時lI!!111!け遊
び時間を生じることになプ、テスターはこの遊び時間(
t−’t)の1−その処理能力のJQ%しか発揮できな
い。このような不都合はクエーノへの菓子良品率が高い
中央部と素子不成品率が高−周辺部との成品−不良品分
布の境界部分t−測足する時に多発して処理能力の改4
を4しくしていた。
尚、上記不鄭缶t−櫨力少なくする工夫として、プロー
パやテスターにクエーハ周辺部の判所礒義金付加し、ク
エーノ″−14辺4の素子は不良品として処理して測定
を実施せず、クエーノ・周辺部から中央部に測定位置が
多り良品素子が出てくる可能性のある位置から一足を再
開すること(6) が考えられる。しかし、クエーハ周辺部の判萌は測足万
同が4j図に示した即く蛇行状で必るためクエーハ中央
部から周辺部に入る判折、クエーハ周辺部から中央部に
入るや」、IJT茫河回となく繰り返し行う心易が6っ
て虚しく、且つ薔判萌に大変時間と要して結果的に金体
の測定時間が長くなシ好ましくない。
一以下鎗白一 に)、問題点を解決するための手段 本発明は上記並列測定法の問題点を解決したもので、こ
の解決手段として2枚のクエーーの中心の菓子から渦巻
き状に並列測定法で測定を始めること、及び仮測定素子
がクエーハ中央部と周辺部の境界部分にくると測定法を
択一測定法IC切換えてクエーハ周辺部に入ると再び並
列測定法で測定することを特徴とする0このようにする
と前半の測定にクエーー・中央部のほとんど良品ばかり
の測定のため同時測定されるコ個の菓子の一方が良品で
他が不良品である確率はほぼθ係となり、並列測定法の
長所がほぼloQ係活かされる。・また良品と不良品の
菓子の組み合せの確率が高くなるクエーハ中央部と周辺
部の境界部分を択一測定法で行うことにょ多並列測定法
の欠点が除去さnよシ効率的となる。このシングル測定
法への切換えにプローパやテスク−にクエーハ周辺−1
!IlI所機能を付加してソフト1クエア処理的に行え
ば難無く実行され、またとの種判断は測定進行方向が渦
巻き状のため適当なところで1回だけ行えばよいので、
この’I’ll断のため測定時間が長くなる等の問題に
無い。
(ホ)、実施例 第6図乃至第1図に示す如く2枚の同一種類のクエーハ
(5a) (5b)の良品菓子の確率が高い中央部をm
工、 nlとし、不良品素子の確率が高い周辺部k m
2 s ri2として説明Thfると、”先ず木@明に
第6図に示すようVC2枚のクエーハ(5ω(5b)の
中心の素子(6a) (6b)から並列測定法で測定を
始め、以後中心の素子(6a)(6b)から渦巻き状V
C隣接する素子へと測定ft続行させる。この並列測定
はクエーハ中心部でに良品素子同士のi平が100係近
く高いので択一測定法の2倍近い速度での測定が続行さ
れる。この測定がり□エーハ中央Ii1’m工、n工で
の周辺近くニくると同時測定される2個の素子(6a)
 (6b)のいずれか一方が不良品となるor能性が徐
々に多くなり、そして第2図(A) rc示すように測
定位置がクエーハ中央部m□、n□とクエーハ周辺部m
2 s n2の境界部分になると不良素子が混じる可能
性が大幅(9) に増大してくる。そこで例えば同時測定される2個の菓
子(6a) (ab)の少くとも一方に不良品が数回続
けて発生すれば、これを検知して測定法を第2図(B)
 vc示す如く択一測定法rc切換える。
すると良−不良素子の組合せが続いても短時間で測定が
続行される。
このンングル測定を続けていくと両りエーー(5a) 
(5b)の数組り定位置が共に周辺部”2%”2のみと
なり、ここでにほぼ/θθ係の確率で菓子に不良品であ
る。従って周辺部m2、n2をシングル測定法で測定す
ることは非能率的であるので、第2図に示すように周辺
部m2、n2FC入ると再び並列測定法rc g’J換
えて測定速度の高速化を図る。
尚、各クエーハ(5a) (5b)i/cおける測定の
渦巻き方向に図面でに共に右巻き方向で現わしたが、共
に左巻き方向、或に一方を右巻き、他方を左巻きの方向
で行うこともor能でるる。またクエーハ外周から中心
へと渦巻き状VC測定を進行させることもw、1!ll
!的VCは可能であるが、とnに(10) ソフト処理上非常&c難しくて、本発明のようにクエー
ー・中心から始めることが技術的に有効でめる0 (へ)、発明の効果 以上説明したように、本発明によればクエーハの素子の
歩留が悪くてもこれに十分対応した測定がCiI能で測
定時間の短縮化が図れ、高価なテスターの稼動率が向上
してコストパフォーマンスが改善される。n vc r
、 B工素子のよう&c/回の特性測定項目が多くて測
定時間の長くかかるもの程有効で、その実施効果に極め
て大きい
【図面の簡単な説明】
第7図及び第2図に一般的な半導体素子特性測定装置の
一例を示す概略正面図及び平面図、第3図及び第9図は
半導体素子特性測定法の二側を説明するための測定動作
タイムチャート、第5図は従来方法による半導体ウェー
ハ上での測定順序例図、!g図乃至第1図の(ム)及び
(B)I/′X本発明の詳細な説明するための半導体ウ
ェーハ上での測定順序例図及び測定動作タイムチャート
である。 (1)・・テスター、(2a) (2b)・・プローパ
、(5a) (5b)・・半導体クエーハ、(6a)・
・・、(6b)・・・、・・半導体素子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)7台のテスターと2酋のグローパでコクの半導体
    クエーハに形成されたIiI故の半導体孝子の特性測定
    Jk個々に行う1沃であって、2つの千尋体りエーハの
    中心部から@辺部へと−巻き状に半導体孝子の67個ず
    つの特性測定を並列測定法で同・時に行うと共に、2つ
    の牛導体りエーハの中央部と周辺部の41#前後では2
    枚の千導体りエーハの半導体索子t−渦書き状に択−測
    定法で/ll!ずつ交互に特性測定するようにしたこと
    を特徴とする牛導体菓子特性測定ガ法@
JP11959983A 1983-06-30 1983-06-30 半導体素子特性測定方法 Pending JPS6010745A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5034684A (en) * 1988-10-24 1991-07-23 Tokyo Electron Limited Probe device and method of controlling the same
JPH04180642A (ja) * 1990-11-15 1992-06-26 Nec Yamagata Ltd プロービング装置
JPH0584365A (ja) * 1990-04-10 1993-04-06 Warner Lambert Co 可撓性かみそり頭部

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5034684A (en) * 1988-10-24 1991-07-23 Tokyo Electron Limited Probe device and method of controlling the same
JPH0584365A (ja) * 1990-04-10 1993-04-06 Warner Lambert Co 可撓性かみそり頭部
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