JPH02189946A - 半導体集積回路装置のテスト方法 - Google Patents

半導体集積回路装置のテスト方法

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Publication number
JPH02189946A
JPH02189946A JP1009023A JP902389A JPH02189946A JP H02189946 A JPH02189946 A JP H02189946A JP 1009023 A JP1009023 A JP 1009023A JP 902389 A JP902389 A JP 902389A JP H02189946 A JPH02189946 A JP H02189946A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chips
wafer
probe
probe card
testing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1009023A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoru Kishida
悟 岸田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP1009023A priority Critical patent/JPH02189946A/ja
Publication of JPH02189946A publication Critical patent/JPH02189946A/ja
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  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体集積回路装置のテスト方法に関するも
のである。
〔従来の技術〕
第3図は従来の半導体集積回路の平面図で、図において
、(1)はICチップ、(2)は入出力パッドである。
第4図はICチップをウェハ状態でテストする状態を示
した平面図で、図において、(1)はウェハ上の1個の
ICチップ、(2)はICチップ(1)内の入出力パッ
ド、qvはプローブカード、@はプローブである。
次に動作について説明する。プローブカードQυ内のプ
ローブQ匂を通してそのプローブ(6)が接触している
ICチップ(1)の入出力パッド(2)に、テストに必
要な入カバターンが印加され、その入力に対するICチ
ップの応答をプローブ04を介して観測することにより
、ICチップ(1)のウェハテストが完了する。その後
、プローブカードQυ’1fl(7)ICチップに移動
して同様にウェハテストが繰り返される。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の半導体集積回路装置のテスト方法は以上のように
構成されていたので、■Cウェハのテストは1チツプ毎
に行なうことが必要で、そのためにテスト時間が多くか
かり、又、同時に複数のICチップをウェハテストする
場合にはプローブカードの作成が困難であるなどの問題
点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、複数のICチップを同時にウェハテストがで
きかつプローブカードも容易に作成ができる半導体集積
回路装置のテスト方法を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体集積回路装置のテスト方法はウェ
ハ上の隣接して一方向に並ぶ複数のICチップを上記一
方向とは垂直の方向にたんざく状に直線でスキャンした
時、その直線上にパッドが2個以下しか存在しないよう
にすることにより、複数のICチップの入出力パッドが
2つの群に分かれ、各2つの入出力パッド群lこ両サイ
ドから、プローブが接触するようにブローブヵ〜ドを構
成することにより、1枚のプローブカードで同時に複数
の隣接するICチップに接触ができるようにしたICチ
ップとそのテスト用治工具を用いたものである。
〔作用〕
この発明における半導体集積回路装置のテスト方法は1
枚のプローブカードで同時に複数のICチップに接触で
きるようにしたので、複数チップのウェハテストか同時
に実施ができまたテスト時間が短縮できる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図において、(])はウェハ上の1個のICチップ、(
2)はICチップ(1)上の入出力パッドで、ICチッ
プ(])を横方向になんざく状に直線でスキャンして見
ると、横方向の直線上には2個以下のパッドしか存在し
ないために、パッド列(3)が左右に2つできている。
第2図は第1図のICチップ(1)を4個同時にウェハ
テストする場合を示したテスト状態の平面図で、図にお
いて、(la)〜(1d)はそれぞれICチップ、(2
)は入出力パッド、(11)はプローブカード、q功は
プローブで、プローブカード0υ上にはプローブ列0椴
の並びが左右に2組あり、それぞれ第1図に示すパッド
列(3)に対し、隣接する複数のICチップ(1a)〜
(1d)にまたがって接触できるようにしている。
次に動作について説明する。4個のICチップ(1a)
〜(1d)は同時にプローブカードaηのプローブ列α
葎に接触しているので、ウェハテストに必要な入カバタ
ーンを同時に4個のICチップ(1a)〜(1d)に印
加することができる。その後、4個のICチップ(1a
)〜(1d)の応答を観測することにより、4個のIC
チップを同時にウェハテストが実施できる。その後側の
4個のICチップにプローブカードを移動して同様にウ
ェハテストを実施する。
なお、上記実施例では4個のICチップ(1a)〜(1
d)を同時にウェハテストをする場合を示したが、プロ
ーブカードのプローブの並び個数を増減することにより
、任意の個数のICチップを同時にウェハテストできる
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、複数個のICチップを
同時にウェハテストできるようにしたので、テスト時間
を短縮できるとともに製造コストが安価になるという効
果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図はこの発明の一実施例を示した図で、第
1図はICチップの平面図、第2図はICチップのテス
ト状態を示す平面図、第3図、第4図は従来のICチッ
プおよびICチップのテスト状態を示すそれぞれ平面図
である。図(こおいて、(1) 、 (la) 〜(l
d)はICチップ、(2)ハ入出力ハッド、(3)はパ
ッド列、(]1)はプローブカード、o4はプローブ、
(1■はプローブ列を示す。 図中、 同一符号は同−又は相等部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 互いに隣接し、一方向(以下方向Aと言う)に並ぶ複数
    のLSIチップが、ウェハ上に、同一の向きでしきつめ
    られ、該複数のLSIチップ上のウェハテストに使用す
    るパッドは、2つのパッド群に分れ、前記ウェハ上の、
    前記方向Aと垂直な方向Bに前記複数のLSIチップを
    たんざく状に直線でスライスするごとく、スキャンして
    みた時、該直線上にはパッドが2個か、又はそれ以下し
    か存在せず、該2個のパッドは各々、前記2つのパッド
    群の内、異なるものに属するようにパッドが配置された
    LSIと、2つのプローブ群が互いに対向するように配
    置され、該2つのプローブ群は、上記複数のLSIチッ
    プの上記2つのパッド群に対応し、上記2つのプローブ
    群の先端が、該対応するパッド群に同時に接触できるよ
    うに構成されたプローブカードを用いて、上記ウェハの
    テストにおいて、上記複数のLSIチップを同時にテス
    トすることを特徴とする半導体集積回路装置のテスト方
    法。
JP1009023A 1989-01-18 1989-01-18 半導体集積回路装置のテスト方法 Pending JPH02189946A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001237440A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置
US6449740B1 (en) 1998-08-05 2002-09-10 Nec Corporation Conductive paths controllably coupling pad groups arranged along one edge to CPU and to EEPROM in test mode
CN101943709A (zh) * 2009-07-07 2011-01-12 瑞萨电子株式会社 探针卡、测试装置和测试方法

Cited By (3)

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JP2001237440A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置
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