JPS5984245A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS5984245A JPS5984245A JP57195546A JP19554682A JPS5984245A JP S5984245 A JPS5984245 A JP S5984245A JP 57195546 A JP57195546 A JP 57195546A JP 19554682 A JP19554682 A JP 19554682A JP S5984245 A JPS5984245 A JP S5984245A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- photomask
- substrate
- semiconductor substrate
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はフォトマスクに係り、特に半導体装置製造に
おけるフォトレジストのパターン形成に用いるフォトマ
スクの構造に関するものである。
おけるフォトレジストのパターン形成に用いるフォトマ
スクの構造に関するものである。
従来、半導体装置製造においてフォトレジストのパター
ンを形成するために焼きつけ転写用として用いるフォト
マスクは、ガラスあるいは石英等の透明な材料を平板状
に加工し、その一方の表面に１ｏｏｏＸ〜２０００Ｘの
膜厚を有する金属あるいは金属酸化物の薄膜を全面に付
し、フォトレジストパターンニング及びエツチング工程
を経て前記薄膜のパターンを形成した構造であり、直接
薄膜パターンが表面に露出した構造であった。そのため
、フォトマスクのパターンを半導体基板上に焼きつけ転
写するために、半導体基板上にフォトレジストを薄く塗
布し、外部から圧力を加えるか又はフォトマスクと半導
体基板間を真空にすることによりて、フォトマスクと半
導体基板間々の表面を密着させ、透明なフォトマスク基
板を通して露光する場合に、フォトマスク表面の薄膜パ
ターンが直接半導体基板と接触し、半導体基板表面の凹
凸やゴミの影響でフォトマスク表面の薄膜パターンがダ
メージを受けていた。ダメージを受は部分的に破壊され
たフォトマスク表面の薄膜パターンが半導体基板表面に
転写されると、所望のフォトレジストパターンが得られ
ず品質や歩留を低下させる。さらに１部分的な破壊が進
行するとフォトマスクが使用できなくなり、新しいフォ
トマスクと交換する必要が生じ、半導体装置の製造原価
が増加することになる。
ンを形成するために焼きつけ転写用として用いるフォト
マスクは、ガラスあるいは石英等の透明な材料を平板状
に加工し、その一方の表面に１ｏｏｏＸ〜２０００Ｘの
膜厚を有する金属あるいは金属酸化物の薄膜を全面に付
し、フォトレジストパターンニング及びエツチング工程
を経て前記薄膜のパターンを形成した構造であり、直接
薄膜パターンが表面に露出した構造であった。そのため
、フォトマスクのパターンを半導体基板上に焼きつけ転
写するために、半導体基板上にフォトレジストを薄く塗
布し、外部から圧力を加えるか又はフォトマスクと半導
体基板間を真空にすることによりて、フォトマスクと半
導体基板間々の表面を密着させ、透明なフォトマスク基
板を通して露光する場合に、フォトマスク表面の薄膜パ
ターンが直接半導体基板と接触し、半導体基板表面の凹
凸やゴミの影響でフォトマスク表面の薄膜パターンがダ
メージを受けていた。ダメージを受は部分的に破壊され
たフォトマスク表面の薄膜パターンが半導体基板表面に
転写されると、所望のフォトレジストパターンが得られ
ず品質や歩留を低下させる。さらに１部分的な破壊が進
行するとフォトマスクが使用できなくなり、新しいフォ
トマスクと交換する必要が生じ、半導体装置の製造原価
が増加することになる。
この発明の目的は、フォトマスクが半導体基板から受け
るダメージ金低減し、歩留や品質の低下がなく、半導体
装置の製造原価の増加をもたらすことのないフォトマス
クを提供することにある。
るダメージ金低減し、歩留や品質の低下がなく、半導体
装置の製造原価の増加をもたらすことのないフォトマス
クを提供することにある。
この発明の特徴は例えば、金属や金属酸ｒヒ物で形成さ
れる薄膜パターン及びフォトマスク基板の表面に金属や
金属酸１ヒ物あるいは樹脂等の光音透過する保護膜を付
した構造全有することである。
れる薄膜パターン及びフォトマスク基板の表面に金属や
金属酸１ヒ物あるいは樹脂等の光音透過する保護膜を付
した構造全有することである。
次に、この発明の実施例につき図面を用いて説明する。
第１図は、この発明の一実施例を説明するためのフォト
マスクの断面図である。この実施例のフォトマスクの構
造は、第１図に示すようにフォトマスク基板１の表面に
所定の薄膜パターン２全形成し、さらに全体に保護膜３
を付したものである。ここで、薄膜パターン２は元金遮
断する材質のものででさており、保護膜３は元を透過す
る材質でできている。前者の例としてはクロムやクロム
と酸化クロムの２層構造が一般的であり、後者の例とし
ては気相成長やスパッタ等で形成される酸化シリコン膜
、窒ｒヒシリコン膜があげられる。
マスクの断面図である。この実施例のフォトマスクの構
造は、第１図に示すようにフォトマスク基板１の表面に
所定の薄膜パターン２全形成し、さらに全体に保護膜３
を付したものである。ここで、薄膜パターン２は元金遮
断する材質のものででさており、保護膜３は元を透過す
る材質でできている。前者の例としてはクロムやクロム
と酸化クロムの２層構造が一般的であり、後者の例とし
ては気相成長やスパッタ等で形成される酸化シリコン膜
、窒ｒヒシリコン膜があげられる。
この実施例によれば、半導体基板とフォトマスクを密着
させフォトマスク基板を通して露光する際に、半導体基
板表面に凹凸やゴミがあっても。
させフォトマスク基板を通して露光する際に、半導体基
板表面に凹凸やゴミがあっても。
保護膜が薄膜パターンの保護をし、ダメージ全軽減する
ため１部分的なパターンの破壊が起きない。
ため１部分的なパターンの破壊が起きない。
従って、この実施例のフォトマスクを便用すれば。
製品の歩留や品質の低下及び製造原価の増加を防止する
ことができる。
ことができる。
上述の実施例において、一層の薄膜パターンは金属や金
属酸化物の多層パターンやエマルジョンパターンに変更
できるし１表面の保護膜は金属や他の金属酸化物あるい
は樹脂等の材料に変更でさるし、多層膜にすることもで
きる。
属酸化物の多層パターンやエマルジョンパターンに変更
できるし１表面の保護膜は金属や他の金属酸化物あるい
は樹脂等の材料に変更でさるし、多層膜にすることもで
きる。
第１図は本発明の一実施例を示したフォトマスクの断面
図である。 尚１図において、１・・・・・・半導体基板、２・・・
・・・薄膜パターン、３・・・・・・保護膜、である。 ５− Ｚ１図
図である。 尚１図において、１・・・・・・半導体基板、２・・・
・・・薄膜パターン、３・・・・・・保護膜、である。 ５− Ｚ１図
Claims (1)
- ガラスあるいは石英等の透明な材料を平板状に加工した
フォトマスク基板の表面に、金属や金属酸出物で形成さ
れた光を遮断するための薄膜パターン全村した半導体装
置製造用の７オトマスクにおいて、前記フォトマスク基
板及び薄膜パターン表面に金属や金属酸化物おるいは樹
脂等の光を透過する保誇膜を付した構造を有することを
特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57195546A JPS5984245A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57195546A JPS5984245A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5984245A true JPS5984245A (ja) | 1984-05-15 |
Family
ID=16342894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57195546A Pending JPS5984245A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5984245A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10969686B2 (en) * | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
| US10969677B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask |
| US11029596B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-06-08 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
-
1982
- 1982-11-08 JP JP57195546A patent/JPS5984245A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10969686B2 (en) * | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
| US10969677B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask |
| US11029596B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-06-08 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
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