JPS5893052A - ホトマスク - Google Patents

ホトマスク

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Publication number
JPS5893052A
JPS5893052A JP56192128A JP19212881A JPS5893052A JP S5893052 A JPS5893052 A JP S5893052A JP 56192128 A JP56192128 A JP 56192128A JP 19212881 A JP19212881 A JP 19212881A JP S5893052 A JPS5893052 A JP S5893052A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photomask
quartz glass
impurities
far ultraviolet
resist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56192128A
Other languages
English (en)
Inventor
Juri Kato
樹理 加藤
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP56192128A priority Critical patent/JPS5893052A/ja
Publication of JPS5893052A publication Critical patent/JPS5893052A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/76—Patterning of masks by imaging
    • G03F1/78—Patterning of masks by imaging by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam patterning of masks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体用ホトマスクに関する。特に、遠紫外ホ
トリソグラフィにおけるホトマスクにおいて有効である
。
従来遠紫外ホトマスクは良質の石英ガラス基板に膜厚５
００１以上のクロム膜を付着させ、フォトエツチングに
よりパターンを形成して構成されるのが通例であった。
しかるに厚いクロム膜をエツチングしてホトマスクパタ
ーンを構成する場合は湿式法ではアンダカットが大きく
、乾式法ではプラズマやスパッタによる損傷のため基板
が遠紫外に対し不透明になるという欠点があり、サブミ
クロン半導体製造に要求される精密性を十分満足するも
のではなかった。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくするために、石英
ガラス基板には不純物が注入されてなることを特徴とし
ている。本発明の目的とするところはサブミクロン半導
体部品製造に要求される超精密性を十分満足する画像性
能を備えた遠紫外線用ホトマスクを提供することにある
。
以下実施例を用いて詳細に説明する。
第１図は従来のホトマスク製造工程であり、第３図〜第
８図は従来ホトマスクの製造工程断面図である。第３図
〜第８−図について説明する。
石英ガラス基板１上にクロム被膜２を真空蒸着やスパッ
タリングで形成する（第４図）。ホトレジスト３を塗布
したクロムブランク板（第５図）を露光、現像して画像
パターンをつくる（第６図）。レジストのパターンが局
蔀的保護をしてエツチングによりクロムがパターニング
される（第７図）。レジストをはく離することにより従
来の遠紫外ホトマスクができる（第８図）。第７図にお
いてエツチング工程があるため、湿式法を用いた時クロ
ムのアンダカットが生じ充分な精度が得られない、一方
、乾式を用いた時、プラズマエツチングならばアンダカ
ットによる精度の低減および透明なるべき石英ガラス領
域に損傷を与え紫外線に対し不透明になる。スパッタエ
ツチングを用いた時アンダカットハないが、透明領域に
多大な損傷を与え不透明になる。従来のホトマスクには
以上のような欠点があった。　１ 第２９図は本発明の実施例でホ）−ｒスフ製造工程を示
すものである。第９図〜第１３図は本発明ホトマスクの
製造工程断面図である。第９図〜第１３図について説明
する。石英ガラス基板１上にホトレジスト３を塗布する
（第１０図）。次に露光・現像して画像パターンを形成
する（第１１図）。
レジストのパターンを局部的保護膜としイオン加速器に
より不純物４を石英ガラス基板に注入する（第１２図）
。この時注入する不純物はなんでも良い。不純物が注入
された領域は遠紫外線に対して不透明になる。レジスト
をはく離することにより本発明による遠紫外線ホトマス
クができる（第１３図）。
本発明によればホトマスクの精度は不純物注入の横波が
りだけで決まり、高精度のパターニングが可能になる。
また石英ガラス基板の透明領域はレジストで保護され損
傷がなく遠紫外のシースルー性が良い。
【図面の簡単な説明】
第１図・・・・・・従来のホトマスク製造工程第２図・
・・・・・本発明によるホトマスクの製造工程第３〜第
８図・・・・・・従来ホトアスクの製造工程断面図。 第９図〜第１３図・−・・・本発明によるホトマスクの
製造工程断面図 １・・・・・・石英ガラス基板 ２・・・・・・クロム被膜 ３・・・・・・ホトレジスト ４・・・・・・不純物 以上 第１図　　　　第２図 ↓　　　　　　↓ ↓　　　　　　　　　　　　　　↓ ↓　　　　　　↓ ↓ 口Ｏ］Ｔ口 第３図 第９図 第１０図 第１１図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１）　　石英ガラス基板には部分的に不純物が注入さ
    れて成ることを特徴とするホトマスク。 （怠）　　石英ガラス基板には直接イオンビーム描画に
    よりパターンが形成されてなることを特徴とする特１？
    Ｖ−■求の範囲第−項記職のホトマスク。 （３）石英ガラス基板にはレジストパターン形成後イオ
    ン加速器による不純物の注入により基板にパターンが形
    成されてなることを特徴とする特許請求の範囲第一項記
    載のホトマスク。
JP56192128A 1981-11-30 1981-11-30 ホトマスク Pending JPS5893052A (ja)

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JPS5893052A true JPS5893052A (ja) 1983-06-02

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ID=16286135

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