JPS604944A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS604944A JPS604944A JP58113238A JP11323883A JPS604944A JP S604944 A JPS604944 A JP S604944A JP 58113238 A JP58113238 A JP 58113238A JP 11323883 A JP11323883 A JP 11323883A JP S604944 A JPS604944 A JP S604944A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- layer
- mask pattern
- polyvinyl alcohol
- alcohol resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/40—Electrostatic discharge [ESD] related features, e.g. antistatic coatings or a conductive metal layer around the periphery of the mask substrate
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は、フォトマスクに係り、特に、マスクパターン
保護の構成に関す。
保護の構成に関す。
ｆｂｌ 技術の背景
半導体装置の高集積化等に伴い、ウェハプロセスで使用
されるフォトマスクはパターンが微細化・高集積化して
、その品質確保が一段と重要になってきている。
されるフォトマスクはパターンが微細化・高集積化して
、その品質確保が一段と重要になってきている。
フォトマスクにおける遮光性のパターンを形成する材料
には、高解像力乾板材料が多用されて来たが、銀粒子パ
ターンであるため、実用解像力や耐久性に乏しいところ
があり、近年は、所謂ハードマスクと称せられる無機薄
膜パターン、とくにクロム（Ｃｒ）パターンが採用され
るようになって来た。
には、高解像力乾板材料が多用されて来たが、銀粒子パ
ターンであるため、実用解像力や耐久性に乏しいところ
があり、近年は、所謂ハードマスクと称せられる無機薄
膜パターン、とくにクロム（Ｃｒ）パターンが採用され
るようになって来た。
（Ｃ１従来技術と問題点
第１図（ａｌば従来のフォトマスクの部分側断面図とそ
の平面図、第１図（ｂｌはその静電破壊を生じた状態を
示した図で、１はフォＩ・マスク、２はガラス板、３は
マスクパターン、４は破壊部をそれぞれ示す。
の平面図、第１図（ｂｌはその静電破壊を生じた状態を
示した図で、１はフォＩ・マスク、２はガラス板、３は
マスクパターン、４は破壊部をそれぞれ示す。
第１図＋８）に示すフォトマスク１は、透明なガラス板
２の表面にクロム（Ｃｒ）の薄膜を被着し、その不要部
分をエツチングで除去してマスクパターン３を形成して
作られている。このクロム（Ｃｒ）でなるマスクパター
ン３は例えば線幅が数μｍである画像で構成され、その
厚さは０．１μｍ程度である。
２の表面にクロム（Ｃｒ）の薄膜を被着し、その不要部
分をエツチングで除去してマスクパターン３を形成して
作られている。このクロム（Ｃｒ）でなるマスクパター
ン３は例えば線幅が数μｍである画像で構成され、その
厚さは０．１μｍ程度である。
従って、クロム（Ｃｒ）は機械的に強固であるとは云え
微細であるが故に、マスクパターン３を損壊せぬよう、
フォトマスク１の取扱には細心の注意を必要としている
。
微細であるが故に、マスクパターン３を損壊せぬよう、
フォトマスク１の取扱には細心の注意を必要としている
。
このため、運搬等をする際、その間の取扱から保護する
ため、必要に応じて、剥離が容易な軟質合成樹脂例えば
シリチク）ＩＩ（商品名）等をフォトマスクｌの表面に
塗布し、使用する前にこれを剥がすと云うことを行って
いる。
ため、必要に応じて、剥離が容易な軟質合成樹脂例えば
シリチク）ＩＩ（商品名）等をフォトマスクｌの表面に
塗布し、使用する前にこれを剥がすと云うことを行って
いる。
この軟質合成樹脂の塗布は、塗布されている間の保護に
ついては極めて有効であるが、前記使用前のヱリ離に際
して、接着面間に発生する静電気の放電によって、マス
クパターン３が第１図（ｂｌ破壊部４の如く静電破壊す
ることが屡発生する問題がある。
ついては極めて有効であるが、前記使用前のヱリ離に際
して、接着面間に発生する静電気の放電によって、マス
クパターン３が第１図（ｂｌ破壊部４の如く静電破壊す
ることが屡発生する問題がある。
静電気の放電は上記の場合に限られたものではないこと
を考えると、マスクパターン３が静電破壊に対して弱い
欠点を持っていることになる。
を考えると、マスクパターン３が静電破壊に対して弱い
欠点を持っていることになる。
（ｄｉ 発明の目的
本発明の目的は上記従来の欠点に鑑み、フォトマスクに
おいて、マスクパターンを静電破壊から保護する構成を
提供するにある。
おいて、マスクパターンを静電破壊から保護する構成を
提供するにある。
（ｅｌ 発明の構成
上記目的は、マスクパターンが形成されている面にポリ
ビニールアルコール樹脂（ＰＶＡ樹脂）階が被着されて
いるフォトマスクとする本発明の構成によって達成され
る。
ビニールアルコール樹脂（ＰＶＡ樹脂）階が被着されて
いるフォトマスクとする本発明の構成によって達成され
る。
この構成でなるフォトマスクでは、従来静電破壊が最も
多かった前述の塗布された軟質合成樹脂の剥離に際して
も、静電破壊は観察されなかった。
多かった前述の塗布された軟質合成樹脂の剥離に際して
も、静電破壊は観察されなかった。
そして、ポリビニールアルコール樹脂層は透明であるた
め、その層を薄くすることにより、マスク合わせ・露光
の工程においても、該層を被着したままでフォＩ・マス
クを使用することが出来て、保護機能はフォトマスク使
用終了まで有効である。
め、その層を薄くすることにより、マスク合わせ・露光
の工程においても、該層を被着したままでフォＩ・マス
クを使用することが出来て、保護機能はフォトマスク使
用終了まで有効である。
更に、ポリビニールアルコール樹脂は水に可溶であるた
め、該フォトマスクを再度使用する場合には、先のポリ
ビニールアルコール樹脂層を除去し新たなポリビニール
アルコール樹脂層を被着することが出来て、フォトマス
クの寿命が伸びる利点もある。
め、該フォトマスクを再度使用する場合には、先のポリ
ビニールアルコール樹脂層を除去し新たなポリビニール
アルコール樹脂層を被着することが出来て、フォトマス
クの寿命が伸びる利点もある。
（ｆ） 発明の実施例
以下本発明の一実施例を図により説明する。企図を通じ
同一符号は同一対象物を示す。
同一符号は同一対象物を示す。
第２図は本発明の構成によるフォトマスクの一実施例の
部努側印ｉ面図で、１ａはフォトマスク、５はｆ呆護層
をそれぞれ示す。
部努側印ｉ面図で、１ａはフォトマスク、５はｆ呆護層
をそれぞれ示す。
第２図に示す本発明の構成によるフォトマスク１ａは、
従来のフォトマスク１のマスクパターン３の形成面に、
ポリビニールアルコール４ｉ（Ｎｕ Ｎ ヲ被着しζな
る保護層５が形成されてなっている。
従来のフォトマスク１のマスクパターン３の形成面に、
ポリビニールアルコール４ｉ（Ｎｕ Ｎ ヲ被着しζな
る保護層５が形成されてなっている。
このポリビニールアルコール樹脂層なる保護層５の被着
は、クロム（Ｃｒ）マスクのパターンを形成する際に行
うレジスト塗布と同様に、例えばスピンコークーヲ使用
してポリビニールアルコール樹脂の溶液を塗布し、乾燥
する作業で行った。フ、Ｉｌ・マスク１のガラス板２は
、半導体素子の製造に使用されるウェハより大きい四角
形であるが、少なくとも該ウェハと重なる部分の領域で
は、保護層５の厚さは均一でおよそ０．５〜０．８μｍ
である。
は、クロム（Ｃｒ）マスクのパターンを形成する際に行
うレジスト塗布と同様に、例えばスピンコークーヲ使用
してポリビニールアルコール樹脂の溶液を塗布し、乾燥
する作業で行った。フ、Ｉｌ・マスク１のガラス板２は
、半導体素子の製造に使用されるウェハより大きい四角
形であるが、少なくとも該ウェハと重なる部分の領域で
は、保護層５の厚さは均一でおよそ０．５〜０．８μｍ
である。
上記構成のフォトマスク１ａでは、保護Ｎ５の表面に傷
を作ってはならないため、その取扱は従来のフォトマス
クｌの場合と同様に細心の注意が必要であって、従来の
ように、前述の軟質合成樹脂例えばシリテクト■（商品
名）等の塗布を行う必要があるが、従来静電破壊が最も
多かった該軟質合成樹脂の剥離に際しても、静電破壊は
観察されなかった。
を作ってはならないため、その取扱は従来のフォトマス
クｌの場合と同様に細心の注意が必要であって、従来の
ように、前述の軟質合成樹脂例えばシリテクト■（商品
名）等の塗布を行う必要があるが、従来静電破壊が最も
多かった該軟質合成樹脂の剥離に際しても、静電破壊は
観察されなかった。
そして、ポリビニールアルコール樹脂は透明であること
と前記の厚さの点から、フォトマスク１ａば保護層５を
被着したままで、半導体素子製造におけるマスク合わせ
・露光の工程にも使用することが出来て、保ｉ１機能は
フォトマスク使用終了まで有効である。
と前記の厚さの点から、フォトマスク１ａば保護層５を
被着したままで、半導体素子製造におけるマスク合わせ
・露光の工程にも使用することが出来て、保ｉ１機能は
フォトマスク使用終了まで有効である。
更に、ポリビニールアルコール樹脂は水に可溶であるた
め、フォトマスク１ａを再度使用する場合には、先の保
護層５を水洗で除去し新たな保護層５を被着することが
出来て、従来の静電破壊が発生した場合との比較では勿
論のこと、静電破壊が無かった場合と比較しても、フォ
トマスクとしての寿命が伸びる利点もある。
め、フォトマスク１ａを再度使用する場合には、先の保
護層５を水洗で除去し新たな保護層５を被着することが
出来て、従来の静電破壊が発生した場合との比較では勿
論のこと、静電破壊が無かった場合と比較しても、フォ
トマスクとしての寿命が伸びる利点もある。
（ｇｌ 発明の効果
以上に説明したように、本発明による構成によれば、ソ
Ａトマスクのマスクパターンを静電破壊から保護する方
法が提供出来、半導体装置製造の品質「１「保に寄り、
するばかりででく、フォトマスクのノｒ命延伸を可能に
させるリノ果がある。
Ａトマスクのマスクパターンを静電破壊から保護する方
法が提供出来、半導体装置製造の品質「１「保に寄り、
するばかりででく、フォトマスクのノｒ命延伸を可能に
させるリノ果がある。
第１図（δ）番よ従来のフォトマスクの部分側断面図と
その３ｉ１面図、第１図（ｂｌはその静電破壊を生じた
状態を示した図、第２図は本発明の構成によるフォトマ
スクの一実施例の部分側断面図である。 図面においζ、■・１ａはフォトマスク、２はガラス板
、３はマスクパターン、４は破壊部、５はＩ″Ａ′、護
層をそれぞれ示す。 本２唄 （ｂ＞
その３ｉ１面図、第１図（ｂｌはその静電破壊を生じた
状態を示した図、第２図は本発明の構成によるフォトマ
スクの一実施例の部分側断面図である。 図面においζ、■・１ａはフォトマスク、２はガラス板
、３はマスクパターン、４は破壊部、５はＩ″Ａ′、護
層をそれぞれ示す。 本２唄 （ｂ＞
Claims (1)
- マスクパターンが形成されている面にポリビニールアル
コール樹脂層が被着されていることを特徴とするフォト
マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113238A JPS604944A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113238A JPS604944A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS604944A true JPS604944A (ja) | 1985-01-11 |
Family
ID=14607064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58113238A Pending JPS604944A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604944A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006337726A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Topic:Kk | フォトマスク |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5569142A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-24 | Fujitsu Ltd | Preventing method for peeling of resist |
| JPS57179850A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-05 | Fujitsu Ltd | Keeping method for photo mask |
-
1983
- 1983-06-23 JP JP58113238A patent/JPS604944A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5569142A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-24 | Fujitsu Ltd | Preventing method for peeling of resist |
| JPS57179850A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-05 | Fujitsu Ltd | Keeping method for photo mask |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006337726A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Topic:Kk | フォトマスク |
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