JPS6336659B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6336659B2 JPS6336659B2 JP20123881A JP20123881A JPS6336659B2 JP S6336659 B2 JPS6336659 B2 JP S6336659B2 JP 20123881 A JP20123881 A JP 20123881A JP 20123881 A JP20123881 A JP 20123881A JP S6336659 B2 JPS6336659 B2 JP S6336659B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photomask
- thin film
- present
- film pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 235000007173 Abies balsamea Nutrition 0.000 description 1
- 239000004857 Balsam Substances 0.000 description 1
- 244000018716 Impatiens biflora Species 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/60—Substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置、集積回路装置などの製造
に用いられるフオトマスクに関する。
に用いられるフオトマスクに関する。
従来フオトマスクは1枚の薄いガラス基板上に
薄膜パターンが形成されているため、マスクのパ
ターン形状が微細化されるにしたがつてガラス基
板が有する熱膨張率によつてパターン形状が変化
し易すくなつたり、高密度パターンで貴重なフオ
トマスクの完成品が破損したりする欠点があつ
た。そのため熱膨張率の小さな石英ガラスが高品
質なマスクには用いられるが高価である欠点があ
つた。
薄膜パターンが形成されているため、マスクのパ
ターン形状が微細化されるにしたがつてガラス基
板が有する熱膨張率によつてパターン形状が変化
し易すくなつたり、高密度パターンで貴重なフオ
トマスクの完成品が破損したりする欠点があつ
た。そのため熱膨張率の小さな石英ガラスが高品
質なマスクには用いられるが高価である欠点があ
つた。
本発明は上記欠点を除去し、高品質で耐久性の
あるフオトマスクを提供することを目的とする。
そしてその目的は光に対して透明な基板表面の一
部に光に対して不透明な薄膜パターンを有する第
1の基板の裏面に光に対して透明な第2の基板を
接着層を介して密着したことを特徴とするフオト
マスクを提供することによつて達成される。
あるフオトマスクを提供することを目的とする。
そしてその目的は光に対して透明な基板表面の一
部に光に対して不透明な薄膜パターンを有する第
1の基板の裏面に光に対して透明な第2の基板を
接着層を介して密着したことを特徴とするフオト
マスクを提供することによつて達成される。
以下本発明による実施例を図面により詳説す
る。第1図は従来のフオトマスクを示す断面図で
あり、基板1上に薄膜パターン2が形成されてい
る。第2図は本発明によるフオトマスクの断面図
であり、薄膜パターン2が形成され第1の基板3
と第2の基板4とが接着層5を介して密着してい
る。
る。第1図は従来のフオトマスクを示す断面図で
あり、基板1上に薄膜パターン2が形成されてい
る。第2図は本発明によるフオトマスクの断面図
であり、薄膜パターン2が形成され第1の基板3
と第2の基板4とが接着層5を介して密着してい
る。
通常フオトマスク基板1の厚さは約0.09インチ
のものが用いられるが本発明によるフオトマスク
は第1の基板3と第2の基板4とを例えばバルサ
ムなどを用い接着して従来のフオトマスク厚と同
じ0.09インチとすることができる。ここで例えば
第1の基板3には低コストなソーダライムガラス
を用い、第2の基板4には薄い石英ガラスを用い
ることにより、ソーダライムガラスの熱膨張率よ
り小さくすることができる。また複合ガラス化に
より機械的強度が向上する効果を有する。ここで
高価な石英ガラスは1枚で用いる場合の半分以下
の膜厚にすることが可能であり大幅なコストダウ
ン効果を有する。
のものが用いられるが本発明によるフオトマスク
は第1の基板3と第2の基板4とを例えばバルサ
ムなどを用い接着して従来のフオトマスク厚と同
じ0.09インチとすることができる。ここで例えば
第1の基板3には低コストなソーダライムガラス
を用い、第2の基板4には薄い石英ガラスを用い
ることにより、ソーダライムガラスの熱膨張率よ
り小さくすることができる。また複合ガラス化に
より機械的強度が向上する効果を有する。ここで
高価な石英ガラスは1枚で用いる場合の半分以下
の膜厚にすることが可能であり大幅なコストダウ
ン効果を有する。
また本発明の他の実施例として、例えば第2の
基板4をレジストの感光波長として用いられる露
光用の高圧水銀灯のHラインおよびIラインの波
長のみを透過させるようなバンドパスフイルタと
して構成することが可能である。この感光波長の
狭帯域化により、より微細なパターンの露光、現
像およびエツチングが可能となる。
基板4をレジストの感光波長として用いられる露
光用の高圧水銀灯のHラインおよびIラインの波
長のみを透過させるようなバンドパスフイルタと
して構成することが可能である。この感光波長の
狭帯域化により、より微細なパターンの露光、現
像およびエツチングが可能となる。
本発明によれば、温度による変化がなく高精度
で耐久性の強いフオトマスクを低コストで製造す
ることが可能となる。
で耐久性の強いフオトマスクを低コストで製造す
ることが可能となる。
第1図は従来のフオトマスクを示すマスク断面
図であり、第2図は本発明によるフオトマスクの
断面図を示している。 ここで、1は基板、2は薄膜パターン、3は第
1の基板、4は第2の基板、5は接着層を示して
いる。
図であり、第2図は本発明によるフオトマスクの
断面図を示している。 ここで、1は基板、2は薄膜パターン、3は第
1の基板、4は第2の基板、5は接着層を示して
いる。
Claims (1)
- 1 光に対して透明な基板表面の一部に光に対し
て不透明な薄膜パターンを有するフオトマスクに
おいて、前記薄膜パターンを有する第1の基板の
裏面に光に対して透明な第2の基板を接着層を介
して密着したことを特徴とするフオトマスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56201238A JPS58102233A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56201238A JPS58102233A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | フオトマスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58102233A JPS58102233A (ja) | 1983-06-17 |
JPS6336659B2 true JPS6336659B2 (ja) | 1988-07-21 |
Family
ID=16437622
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56201238A Granted JPS58102233A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | フオトマスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58102233A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0552253U (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | 東洋ラジエーター株式会社 | 内燃機関の燃料冷却器 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002090982A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-27 | Kimoto & Co Ltd | フォトマスクの作製方法およびフォトマスク |
JP2002169264A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Kimoto & Co Ltd | フォトマスクの作製方法およびフォトマスク |
-
1981
- 1981-12-14 JP JP56201238A patent/JPS58102233A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0552253U (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | 東洋ラジエーター株式会社 | 内燃機関の燃料冷却器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58102233A (ja) | 1983-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4363846A (en) | Photomask and photomask blank | |
TWI512410B (zh) | 半色調光罩及其製造方法,以及採用該半色調光罩之平面顯示器 | |
JP2008116517A5 (ja) | ||
JPS6197924A (ja) | 保護カバ− | |
JPS6139641B2 (ja) | ||
JPS6336659B2 (ja) | ||
JP2003307832A (ja) | ペリクル及びペリクル装着フォトマスク | |
US3507592A (en) | Method of fabricating photomasks | |
JPH06301192A (ja) | ホトマスク | |
GB2361551A (en) | Reticle | |
JPS59135468A (ja) | 露光用マスク | |
JPH0815848A (ja) | フォトレチクル | |
JPS60128448A (ja) | フオトマスク | |
JP2712447B2 (ja) | 露光用マスク | |
JPS5984245A (ja) | フオトマスク | |
JPH01105255A (ja) | ガラスマスク | |
CN114217503A (zh) | 一种具有保护结构的光掩模及其制备方法 | |
KR100548514B1 (ko) | 마스크 제작 방법 | |
JP2791757B2 (ja) | 半導体マスク及びその製造方法 | |
KR100419971B1 (ko) | 반도체소자 제조시의 패턴 형성을 위한 마스크 및 그 제조방법 | |
JPH05129190A (ja) | X線露光用マスク及びそのブランク | |
JPS6136748A (ja) | 露光用マスク | |
JPS60128447A (ja) | フオトマスク | |
JPS6270849A (ja) | フオトマスクブランクとフオトマスク | |
JPS60140347A (ja) | フオトマスク |