JPS5922333A - Ｉｃの樹脂封止方法 - Google Patents
Ｉｃの樹脂封止方法Info
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- JPS5922333A JPS5922333A JP13184482A JP13184482A JPS5922333A JP S5922333 A JPS5922333 A JP S5922333A JP 13184482 A JP13184482 A JP 13184482A JP 13184482 A JP13184482 A JP 13184482A JP S5922333 A JPS5922333 A JP S5922333A
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- film carrier
- sealing
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- sealing resin
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 32
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
キャリア実装に於けるＩＣの樹脂封止方法に関する。
近年、水晶発振式電子腕時ｄ１の如く薄型化、小型化が
要求される装置の回路実装方式としてフィルムキャリア
実装方式が広く採用され始めている。
要求される装置の回路実装方式としてフィルムキャリア
実装方式が広く採用され始めている。
このフィルムキャリア実装方式によると、実装から回路
組立に亘る全工程を長尺のテープ状で連続的に処理を行
なうことができ、生産コストの安い合理化工程を組むこ
とが可能であり、更に、ワイヤーを張ること無しに接続
を行なうことができるため、従来ワイヤーループに要し
た高さ方向及び平面方向のスペースを最小限度に押える
ことができ、薄型化、小型化を図ることがＤＪ能である
等の多くの利点を有し、薄型化、小型化かつ低コストな
るＩＣ実装を追求する水晶発振式電子腕時計の如き装置
のＩＣ実装構造として今後大いに期待されるものである
。
組立に亘る全工程を長尺のテープ状で連続的に処理を行
なうことができ、生産コストの安い合理化工程を組むこ
とが可能であり、更に、ワイヤーを張ること無しに接続
を行なうことができるため、従来ワイヤーループに要し
た高さ方向及び平面方向のスペースを最小限度に押える
ことができ、薄型化、小型化を図ることがＤＪ能である
等の多くの利点を有し、薄型化、小型化かつ低コストな
るＩＣ実装を追求する水晶発振式電子腕時計の如き装置
のＩＣ実装構造として今後大いに期待されるものである
。
以下従来の電子腕時訓等に於いて最も広く採用されてい
るフィルムキャリア実装方式に於けるｊ Ｃ実装構造を
第１図、第２図によって説明する。
るフィルムキャリア実装方式に於けるｊ Ｃ実装構造を
第１図、第２図によって説明する。
第１図は従来技術に於けるフィルムキャリア実装構造を
示す平面図。第２図は第１図に於けるＡ−Ａ断面図を示
す。
示す平面図。第２図は第１図に於けるＡ−Ａ断面図を示
す。
２はフィルムキャリアで、ポリイミド等の有機利ワより
成る厚さ約１２０μ７ｎ、幅３５７１＋ｍの長尺フレキ
シブルテープであり、該フィルムキャリア２には、前も
って後工程に於ける作業基準となるパイロット穴２ａ、
ＩＣを配置するためのデバイス穴２１〕等の必要な諸式
の加工を施した後、前記フィルムキャリア２の略中央部
に厚さ約３５μｍの長尺銅箔を接着し、しかる後、エツ
チング加工によって所定の回路パターン６を形成し、ボ
ンディング用フィンガー電４ｉｋ３ａを含む必要パター
ン部にＳｎメッキを施して成る。４ばＩＣ’で、その電
極４ａは蒸着、メッキ等の手法によって最上層にＡｕ層
を形成して成る突起電極であり前記回路パターン乙のフ
ィンガー電極６ａと熱、圧力によってＡ ｕ −Ｓ ｎ
共晶により全電極を同時にギヤングボンディングするこ
とによって、前記回路パターン６との接続を成す。
成る厚さ約１２０μ７ｎ、幅３５７１＋ｍの長尺フレキ
シブルテープであり、該フィルムキャリア２には、前も
って後工程に於ける作業基準となるパイロット穴２ａ、
ＩＣを配置するためのデバイス穴２１〕等の必要な諸式
の加工を施した後、前記フィルムキャリア２の略中央部
に厚さ約３５μｍの長尺銅箔を接着し、しかる後、エツ
チング加工によって所定の回路パターン６を形成し、ボ
ンディング用フィンガー電４ｉｋ３ａを含む必要パター
ン部にＳｎメッキを施して成る。４ばＩＣ’で、その電
極４ａは蒸着、メッキ等の手法によって最上層にＡｕ層
を形成して成る突起電極であり前記回路パターン乙のフ
ィンガー電極６ａと熱、圧力によってＡ ｕ −Ｓ ｎ
共晶により全電極を同時にギヤングボンディングするこ
とによって、前記回路パターン６との接続を成す。
しかる後、プラスチック等から形成された枠体５を前記
フィルムキャリア２のデバイス穴２ｂを囲む位置に接着
固定し、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成るモール
ド部材乙によって封止し、ＩＣ実装を成した後、他の回
路素子を接続し、図中に示す一点鎖線位置より切り％１
して、回路基体１を成すフィルムキャリア実装方式が従
来より採用されていた。
フィルムキャリア２のデバイス穴２ｂを囲む位置に接着
固定し、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成るモール
ド部材乙によって封止し、ＩＣ実装を成した後、他の回
路素子を接続し、図中に示す一点鎖線位置より切り％１
して、回路基体１を成すフィルムキャリア実装方式が従
来より採用されていた。
この様な従来技術に於けるフィルムキャリア実装方式に
よる。と、長尺のテープにて全工程を容易に連続処理す
る工程を組むことができ、工数の削減に寄与し、形状的
にもワイー）・−実装方式と比べ、薄型、小型化に寄与
し、かつ実装品の品質に於いては時計品質を充分に満足
するものである等の多くの利点を有するものである。
よる。と、長尺のテープにて全工程を容易に連続処理す
る工程を組むことができ、工数の削減に寄与し、形状的
にもワイー）・−実装方式と比べ、薄型、小型化に寄与
し、かつ実装品の品質に於いては時計品質を充分に満足
するものである等の多くの利点を有するものである。
しかし、上記フィルムキャリア実装方式に於いても封止
に際し、枠体５を接着固定しモールド部＃６にて封止を
行なうため、実装厚が枠体５の形成上の制約を受け、又
枠体５を必要とするため部品点数が増加し、さらに枠体
５とフィルムギヤリア２の接着及びポツテング樹脂の仮
ギユア−のため工程増となる。さらには、枠体５とフィ
ルムキャリア２との接着が充分でない場合モールド部拐
６が接着境界部より流出し、安定した刺止が得ら、）ｔ
ないばかりか、周囲の半田側は部等の接着部へ悪影響を
与える等、超薄型化、超小型化及び低コス］・を追求す
る電子特訓の回路実装に於いてはまだ多くの問題点を有
している。
に際し、枠体５を接着固定しモールド部＃６にて封止を
行なうため、実装厚が枠体５の形成上の制約を受け、又
枠体５を必要とするため部品点数が増加し、さらに枠体
５とフィルムギヤリア２の接着及びポツテング樹脂の仮
ギユア−のため工程増となる。さらには、枠体５とフィ
ルムキャリア２との接着が充分でない場合モールド部拐
６が接着境界部より流出し、安定した刺止が得ら、）ｔ
ないばかりか、周囲の半田側は部等の接着部へ悪影響を
与える等、超薄型化、超小型化及び低コス］・を追求す
る電子特訓の回路実装に於いてはまだ多くの問題点を有
している。
又フィルムキャリア実装方式に於ける封止方法の他の従
来例としては、単にポツテングする方法やトランスファ
ー成形する方法が）、るか、前者の方法はＩＣのみ樹脂
封止され、フィンガ一部は封止されずに露出されるため
機械的強度が弱く、電子腕時計のごとき携帯装置には採
用出来ず、又後者の方法は、特性的には満足出来るが、
設備や工数の点に於いてコスト高となり、いずれも前述
の枠を用いた封止方法に比べて欠点があった。
来例としては、単にポツテングする方法やトランスファ
ー成形する方法が）、るか、前者の方法はＩＣのみ樹脂
封止され、フィンガ一部は封止されずに露出されるため
機械的強度が弱く、電子腕時計のごとき携帯装置には採
用出来ず、又後者の方法は、特性的には満足出来るが、
設備や工数の点に於いてコスト高となり、いずれも前述
の枠を用いた封止方法に比べて欠点があった。
本発明の目的は、上記する様な従来技術に於ける諸問題
点を解決し、薄型、小型かつ低コストなるフィルムキャ
リア実装を実現することであり、上記目的を達成するた
めの本発明に於ける要旨は、フィルムキャリアを使用し
、該フィル１、キャリアに連続的に設けられたデバイス
穴内に形成されたフィンガー電極を用し・てギヤングボ
ンディングされたＩＣの樹脂封止方法に於いて、前１１
己フイルムキヤリアをリールに巻取りながら、ＩＣ面上
に形状保持性の大きい封止樹脂をスクリーン印刷し、リ
ールに巻取られたフィルノ、キャリアを炉に入れて直接
本キュアーすることにより前記ＩＣ面上に印刷された封
止樹脂を硬化させることを特徴としている。
点を解決し、薄型、小型かつ低コストなるフィルムキャ
リア実装を実現することであり、上記目的を達成するた
めの本発明に於ける要旨は、フィルムキャリアを使用し
、該フィル１、キャリアに連続的に設けられたデバイス
穴内に形成されたフィンガー電極を用し・てギヤングボ
ンディングされたＩＣの樹脂封止方法に於いて、前１１
己フイルムキヤリアをリールに巻取りながら、ＩＣ面上
に形状保持性の大きい封止樹脂をスクリーン印刷し、リ
ールに巻取られたフィルノ、キャリアを炉に入れて直接
本キュアーすることにより前記ＩＣ面上に印刷された封
止樹脂を硬化させることを特徴としている。
以下本発明によるフィルムキートリア実装方式に於ける
ＩＣの封止方法を第３図、第４図、第５図、第６図によ
って説明する。尚、図中、第１図、第２図と共通する番
号は第１図、第２図と同一部材を示す。
ＩＣの封止方法を第３図、第４図、第５図、第６図によ
って説明する。尚、図中、第１図、第２図と共通する番
号は第１図、第２図と同一部材を示す。
第３図乃至第６図は本発明に於けるＩＣの封止方法を示
す回路基体に於けるＩＣ実装部の断面図であり、第３図
及び第４図ば１． Ｃの上面側の封止工程を示し、第５
図はＩＣの下面側の封止工程、第６図は封止完成状態を
示す。
す回路基体に於けるＩＣ実装部の断面図であり、第３図
及び第４図ば１． Ｃの上面側の封止工程を示し、第５
図はＩＣの下面側の封止工程、第６図は封止完成状態を
示す。
第３図に於いて１０は裏打治具板、１１はスクリーンマ
スクであり、第２図と同様にデバイス穴２１〕内に形成
されたフィンガー電極６ａにギャングボンブイングされ
たＩＣ４を備えたフィルムキャリア２を裏打冶具板１０
に対し、前記パイロット穴２ａを位置基準としてＩＣ４
がＩＣ収納部１０ａに収態されるごとく載置し、さらに
フィルムキャリア２の上面側よりＩＣ４の部分に開口部
１１ａを合わせてスクリーンマスク１１を被せ、封止樹
脂１２をスクリーン印刷することにより第４図に示ずご
と＜ｉｃ４の上面側を制止することが出来る。
スクであり、第２図と同様にデバイス穴２１〕内に形成
されたフィンガー電極６ａにギャングボンブイングされ
たＩＣ４を備えたフィルムキャリア２を裏打冶具板１０
に対し、前記パイロット穴２ａを位置基準としてＩＣ４
がＩＣ収納部１０ａに収態されるごとく載置し、さらに
フィルムキャリア２の上面側よりＩＣ４の部分に開口部
１１ａを合わせてスクリーンマスク１１を被せ、封止樹
脂１２をスクリーン印刷することにより第４図に示ずご
と＜ｉｃ４の上面側を制止することが出来る。
次に第５図に示すごとくＩＣ収納部１３ａを有する裏打
治具板１６にフィルムキャリア２を反転させて載置し、
開口部１４ａを有するスクリーンマスク１４を用いてフ
ィルムキャリア２の下面側に制止樹脂１２をスクリーン
印刷することにより第６図に示すごと＜ｉｃ４の表裏面
及びリード電極６ａを最小限のスペースにて完全に封止
することが出来る。
治具板１６にフィルムキャリア２を反転させて載置し、
開口部１４ａを有するスクリーンマスク１４を用いてフ
ィルムキャリア２の下面側に制止樹脂１２をスクリーン
印刷することにより第６図に示すごと＜ｉｃ４の表裏面
及びリード電極６ａを最小限のスペースにて完全に封止
することが出来る。
尚前記封止樹脂１２には最近開発された粘度９Ｘ］０５
ＣＰＳのエポキシ系高粘度樹脂を使用し、その形状保持
性が大きいため、スクリーン印刷によって形成さ、ｈた
制止樹脂は加熱しない状態でリール巻取りを行なっても
十分形状を保持することが出来る。
ＣＰＳのエポキシ系高粘度樹脂を使用し、その形状保持
性が大きいため、スクリーン印刷によって形成さ、ｈた
制止樹脂は加熱しない状態でリール巻取りを行なっても
十分形状を保持することが出来る。
したがって製造工程としては、従来行なわれているよう
なフィルムキャリアに連続的にボンディングされたＩＣ
をリールに巻取りながら連続的にＩＣ面上にポツテング
した封止樹脂をラインの中間に設けた仮キーアー炉を通
して半硬化させ、この状態にしてリールに巻取ったフィ
ルムキャリアをリールごと炉に入れて本キュアーする方
式に対し、本願の工程は、フィルムキャリアをリールに
巻取りながら連続的にＩＣの上面側に形状保持性の大き
い封止樹脂をスクリーンマスク ーすることなく巻取ったり〒ルを反転させて逆巻取りを
しながら連続的に下面側のスクリーン印刷を行なうこと
によって第６図に示す刊市完成状態のＩＣを実装したフ
ィルムキャリアをリールに巻取り、これをリールごと炉
に入れて直接本キュアーさせることにより完成する。
なフィルムキャリアに連続的にボンディングされたＩＣ
をリールに巻取りながら連続的にＩＣ面上にポツテング
した封止樹脂をラインの中間に設けた仮キーアー炉を通
して半硬化させ、この状態にしてリールに巻取ったフィ
ルムキャリアをリールごと炉に入れて本キュアーする方
式に対し、本願の工程は、フィルムキャリアをリールに
巻取りながら連続的にＩＣの上面側に形状保持性の大き
い封止樹脂をスクリーンマスク ーすることなく巻取ったり〒ルを反転させて逆巻取りを
しながら連続的に下面側のスクリーン印刷を行なうこと
によって第６図に示す刊市完成状態のＩＣを実装したフ
ィルムキャリアをリールに巻取り、これをリールごと炉
に入れて直接本キュアーさせることにより完成する。
上記のごとく本発明によれば、ＩＣを実装したフィルム
キャリアをリールに巻取りながら前記ＩＣ面上に形状保
持性の大きい封止樹脂をスクリーン印刷法により塗布し
、これを樹脂の形状保持性の大きいことを利用して、そ
のままリールに巻取ってしまい、このリールを一括して
炉に入れ、直接本キュアーすることによりリール１本分
のテープに実装されたＩＣの樹脂封止を同時に行なうこ
とが出来るため、テープライン中間での仮キュアー炉を
必要とぜず、さらに、スクリーン印刷という簡単な設備
と作業によって行なうことが出来るため設備費及び工数
の削減により低価格となり、電子腕時計等の小型電子装
置に適したＩＣの封止方法、すなわち封止形状が小さく
、かつ廉価なＩＣの封止方法を提供することが可能とな
った。
キャリアをリールに巻取りながら前記ＩＣ面上に形状保
持性の大きい封止樹脂をスクリーン印刷法により塗布し
、これを樹脂の形状保持性の大きいことを利用して、そ
のままリールに巻取ってしまい、このリールを一括して
炉に入れ、直接本キュアーすることによりリール１本分
のテープに実装されたＩＣの樹脂封止を同時に行なうこ
とが出来るため、テープライン中間での仮キュアー炉を
必要とぜず、さらに、スクリーン印刷という簡単な設備
と作業によって行なうことが出来るため設備費及び工数
の削減により低価格となり、電子腕時計等の小型電子装
置に適したＩＣの封止方法、すなわち封止形状が小さく
、かつ廉価なＩＣの封止方法を提供することが可能とな
った。
第１図は従来技術に於けるフィルムキャリア実装構造を
示す平面図。第２図は第１図に於けるＡ−Ａ断面図、第
３図乃至第６図は本発明に於けるＩＣの封止方法を示す
回路基体に於けるＩＣ実装部の断面図であり、第３図及
び第４図はＩＣの」二面側の封止工程を示し、第５図は
Ｉ Ｃの下面側の制止工程、第６図は封止完成状態を小
ず。 １・・・・・・回路基体、 ２・・・・・・フィルムキャリア、 ２ａ −−パイ日ソ１゛穴、 ２ｂ・・・・・デバイス穴、 ６・・・・・・回路パターン、 ６ａ・・・・・フィンガー電極、 １０．１６・・・・・裏打治具板、 １１．１４・・・・・スクリーンマスク、１２・パ・・
・制止樹脂。 第１図 ３ 第２図 第３図 第４図 第５図
示す平面図。第２図は第１図に於けるＡ−Ａ断面図、第
３図乃至第６図は本発明に於けるＩＣの封止方法を示す
回路基体に於けるＩＣ実装部の断面図であり、第３図及
び第４図はＩＣの」二面側の封止工程を示し、第５図は
Ｉ Ｃの下面側の制止工程、第６図は封止完成状態を小
ず。 １・・・・・・回路基体、 ２・・・・・・フィルムキャリア、 ２ａ −−パイ日ソ１゛穴、 ２ｂ・・・・・デバイス穴、 ６・・・・・・回路パターン、 ６ａ・・・・・フィンガー電極、 １０．１６・・・・・裏打治具板、 １１．１４・・・・・スクリーンマスク、１２・パ・・
・制止樹脂。 第１図 ３ 第２図 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- フィルムキャリアを使用し、該フィルムキャリアに連続
的に設けられたデバイス穴内に形成されたフィンガー電
極を用いてギヤングボンディングされたＩＣの樹脂封止
方法に於いて、前記フィルムキャリアをリールに巻取り
ながら、ＩＣ面上に形状保持性の大きい封ｄ−，樹脂を
スクリーン印刷し、リールに巻取られたフィルムキャリ
アを炉に入れて直接本キ１．アーすることにより前記Ｉ
Ｃ面上に印刷された封止樹脂を硬化させることを特徴と
するｆＣの樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13184482A JPS5922333A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | Ｉｃの樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13184482A JPS5922333A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | Ｉｃの樹脂封止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5922333A true JPS5922333A (ja) | 1984-02-04 |
| JPH0313750B2 JPH0313750B2 (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=15067418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13184482A Granted JPS5922333A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | Ｉｃの樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5922333A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2774810A1 (fr) * | 1998-02-10 | 1999-08-13 | St Microelectronics Sa | Boitier semi-conducteur blinde et procede pour sa fabrication |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5365062A (en) * | 1976-11-24 | 1978-06-10 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor and apparatus for the same |
| JPS5365052A (en) * | 1976-11-22 | 1978-06-10 | Nec Corp | High speed logic circuit |
-
1982
- 1982-07-28 JP JP13184482A patent/JPS5922333A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5365052A (en) * | 1976-11-22 | 1978-06-10 | Nec Corp | High speed logic circuit |
| JPS5365062A (en) * | 1976-11-24 | 1978-06-10 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor and apparatus for the same |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2774810A1 (fr) * | 1998-02-10 | 1999-08-13 | St Microelectronics Sa | Boitier semi-conducteur blinde et procede pour sa fabrication |
| US6312975B1 (en) | 1998-02-10 | 2001-11-06 | Stmicroelectronics S.A. | Semiconductor package and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0313750B2 (ja) | 1991-02-25 |
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