JPS59176909A - マイクロ波ミキサ回路 - Google Patents
マイクロ波ミキサ回路Info
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- JPS59176909A JPS59176909A JP58050667A JP5066783A JPS59176909A JP S59176909 A JPS59176909 A JP S59176909A JP 58050667 A JP58050667 A JP 58050667A JP 5066783 A JP5066783 A JP 5066783A JP S59176909 A JPS59176909 A JP S59176909A
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- circuit
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- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D9/00—Demodulation or transference of modulation of modulated electromagnetic waves
- H03D9/06—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance
- H03D9/0658—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of semiconductor devices having more than two electrodes
- H03D9/0675—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of semiconductor devices having more than two electrodes using field effect transistors
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- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
- H03D2200/0001—Circuit elements of demodulators
- H03D2200/0025—Gain control circuits
- H03D2200/0027—Gain control circuits including arrangements for assuring the same gain in two paths
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/12—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes
- H03D7/125—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes with field effect transistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、マイクロ波帯の受信機に用いられる電界効果
トランジスタ（以下、ＦＥＴと略す）を用いたマイクロ
波ミキサ回路に関するものである。
トランジスタ（以下、ＦＥＴと略す）を用いたマイクロ
波ミキサ回路に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来１種々のマイクロ波帯のミキサ回路が考案され、実
現されている。マイクロ波帯のミキサ回路の方式として
は、ミキサ素子を１個使用するンングル・エンド・ミキ
サと、ミキサ素子を複数個使用するバランス・ミキサに
大別される。葦だ、ミキサ素子としてダイオード金柑い
るか、トランジスタ、あるいはＦ ｌｉ： Ｔ ｆ／：
用いるかにより、その特性が犬さく変わってぐる。
現されている。マイクロ波帯のミキサ回路の方式として
は、ミキサ素子を１個使用するンングル・エンド・ミキ
サと、ミキサ素子を複数個使用するバランス・ミキサに
大別される。葦だ、ミキサ素子としてダイオード金柑い
るか、トランジスタ、あるいはＦ ｌｉ： Ｔ ｆ／：
用いるかにより、その特性が犬さく変わってぐる。
ミキサ素子として、ダイオードを用いたものば比較的、
広帯域化が容易な利点があるが、高周波入力信号から中
間周波信号へ周波数変換されるとさ、常に変換損失を生
じろといつ欠点がある。
広帯域化が容易な利点があるが、高周波入力信号から中
間周波信号へ周波数変換されるとさ、常に変換損失を生
じろといつ欠点がある。
グ、１図に１１、従来よく使用されているダイオード孕
用いたダブル・バランス・ミキサの基本的回路構成を示
す。
用いたダブル・バランス・ミキサの基本的回路構成を示
す。
図において、１，６は了衡−不平衡変成器で、１に受信
信号用変成器、６に局部発掘信号用変成器である。２．
３１ ４． ５ｉｄミキサ・ダイオード、ＲＦ、 Ｌ
Ｏはそれぞれ受領信号１局部発振信号を示す。７は中間
周波信号を取り出す出力端子であり、ＩＦは中間周波信
号を示す。
信号用変成器、６に局部発掘信号用変成器である。２．
３１ ４． ５ｉｄミキサ・ダイオード、ＲＦ、 Ｌ
Ｏはそれぞれ受領信号１局部発振信号を示す。７は中間
周波信号を取り出す出力端子であり、ＩＦは中間周波信
号を示す。
第１図に示した方式においては、受信信号ＲＦと局部発
振信号Ｌｏ との分離がよく、特性が安定で広帯域化
が比較的容易に実現でさるという長所があるが、ミキサ
ダイオード素子が複数個必要であり、平準エー不平衡変
成器１及び６が必要であるため１回路が複雑となり、寸
だ、高周波入力信号ｆＲから中間周波数ｆＩＦへ変換さ
れるとき、常に変換損失を生しるといつ欠点がある。
振信号Ｌｏ との分離がよく、特性が安定で広帯域化
が比較的容易に実現でさるという長所があるが、ミキサ
ダイオード素子が複数個必要であり、平準エー不平衡変
成器１及び６が必要であるため１回路が複雑となり、寸
だ、高周波入力信号ｆＲから中間周波数ｆＩＦへ変換さ
れるとき、常に変換損失を生しるといつ欠点がある。
第２図は、ダイオード１ｆ：２ゲ使用した。ノ＜ランス
形ミキザ回路をマイクロ波集積回路（以下、ＭＩＣと言
う）全相いて実現した従来の構成例である。
形ミキザ回路をマイクロ波集積回路（以下、ＭＩＣと言
う）全相いて実現した従来の構成例である。
８．９．１６は、それぞれ局部発振信号入力端子、受信
信号入力端子、中間周波信号出力端子を示す。１０．１
１は、それぞれ局部発振信号Ｌｏを選択通過させる帯域
通過ｒ波器、受信信号ＲＦ９選択通過させ、イメージ信
号を抑圧する帯域通過Ｆ１波器である。１２は、３ｄＢ
のブランチ・ライン形方向性結合器で、局部発振信号
Ｌｏ と高周波入力信号ＲＦとの分離を良好にし、局
部発振信号Ｌｏ と高周波入力信号ＲＦｆ、ダイオー
ド１３゜１４に均等に印加するだめのものである。１５
は、高周波入力信号ＲＦ、局部発振信号Ｌｏ ｋ抑圧し
。
信号入力端子、中間周波信号出力端子を示す。１０．１
１は、それぞれ局部発振信号Ｌｏを選択通過させる帯域
通過ｒ波器、受信信号ＲＦ９選択通過させ、イメージ信
号を抑圧する帯域通過Ｆ１波器である。１２は、３ｄＢ
のブランチ・ライン形方向性結合器で、局部発振信号
Ｌｏ と高周波入力信号ＲＦとの分離を良好にし、局
部発振信号Ｌｏ と高周波入力信号ＲＦｆ、ダイオー
ド１３゜１４に均等に印加するだめのものである。１５
は、高周波入力信号ＲＦ、局部発振信号Ｌｏ ｋ抑圧し
。
中間周波信号ＩＦ全選択通過させる低域通過ｒ波器であ
る。
る。
第２図に示した方式においては、受信信号九と局部発振
信号ｆＬ との分離がよい利点があるが、高周波入力
部にＭＩＣの帯域通過沖波器１１を設けているためミキ
サ回路としての特性が劣化する問題がある。甘だ、基本
的に方向例結合器１２を使用するため、ミキサ回路を実
現する場合、形状が人さくなる欠点がある。
信号ｆＬ との分離がよい利点があるが、高周波入力
部にＭＩＣの帯域通過沖波器１１を設けているためミキ
サ回路としての特性が劣化する問題がある。甘だ、基本
的に方向例結合器１２を使用するため、ミキサ回路を実
現する場合、形状が人さくなる欠点がある。
第３図（は、ＧａＡｓ −ＦＥＴ ｆ＜用いたマイクロ
波ミキサ回路の従来例であり、図は、ミキサ回路のＭＩ
Ｃ構ｆｆｉを示している。
波ミキサ回路の従来例であり、図は、ミキサ回路のＭＩ
Ｃ構ｆｆｉを示している。
図において、１７は分布結合形の結合器であり、１８ｉ
ｄ：５０Ωの終端抵抗、１９は高周波受信信号の誘電体
基板上での波長（λＲｇ ）の１／４の長さで結合した
ＤＣブロックである。２０は低域通過形のバイアス・フ
ィルタ、２１はマイクロ波用のＧａＡｓＦＥＴ、２２は
λＦ１ｇ／４の先端開放形のスタブヲ１）つ高周波受信
信号用のトラップ回路、２３に１：中間周波信号全選択
通過する低域通過フィルタ、２４ｉｄ−中間周波信号用
の低域通過形整合回路、２６゜２６はそれぞれゲート・
バイアス帽子、ドレイン・バイアス端子である。
ｄ：５０Ωの終端抵抗、１９は高周波受信信号の誘電体
基板上での波長（λＲｇ ）の１／４の長さで結合した
ＤＣブロックである。２０は低域通過形のバイアス・フ
ィルタ、２１はマイクロ波用のＧａＡｓＦＥＴ、２２は
λＦ１ｇ／４の先端開放形のスタブヲ１）つ高周波受信
信号用のトラップ回路、２３に１：中間周波信号全選択
通過する低域通過フィルタ、２４ｉｄ−中間周波信号用
の低域通過形整合回路、２６゜２６はそれぞれゲート・
バイアス帽子、ドレイン・バイアス端子である。
第３図に示した従来例においては、ＦＥＴのゲートに局
部発振信号１１０ と高周波入力信号ＲＦと全印加する
必要がある。このためＦＥＴ２１の入力側に局部発振信
号用の結合器１７を設けている。
部発振信号１１０ と高周波入力信号ＲＦと全印加する
必要がある。このためＦＥＴ２１の入力側に局部発振信
号用の結合器１７を設けている。
しかし結合器１７？ＦＥ７２１の入力側に設けるため、
高周波受信信号ＲＦがＦＥＴ２１のゲートに入力される
丑でに損失全件ない、ミキサ回路としての雑音相性の低
下を起こす問題がある。高周波受信信号ＲＦの損失を減
少するため１局部発振信号用の結合器１７の結合度を小
さくすると、必要な局部発振信号Ｌｏ の電力は太さな
ものが必要となる問題がある。
高周波受信信号ＲＦがＦＥＴ２１のゲートに入力される
丑でに損失全件ない、ミキサ回路としての雑音相性の低
下を起こす問題がある。高周波受信信号ＲＦの損失を減
少するため１局部発振信号用の結合器１７の結合度を小
さくすると、必要な局部発振信号Ｌｏ の電力は太さな
ものが必要となる問題がある。
葦だ１局部発振信号Ｌｏ の周波数と高周波受信信号Ｒ
’Ｆの周波数が、１ＣｒＨ２程度以上の周波数差がある
場合には、ＦＥＴ２１のゲート側整合回路全局部発振周
波数帯と高周波受信信号周波数帯との両方に整合可能に
するように実現することは、非常に難しくなってくる問
題がある。
’Ｆの周波数が、１ＣｒＨ２程度以上の周波数差がある
場合には、ＦＥＴ２１のゲート側整合回路全局部発振周
波数帯と高周波受信信号周波数帯との両方に整合可能に
するように実現することは、非常に難しくなってくる問
題がある。
発明の目的
本発明は、前記従来例にみられる、ミキサ回路の問題点
である回路構成の複雑さ、局部発振信号と高周波受信信
号の分離、ミキサ素子を複数個必”皮とするなどの欠点
金除去するもので、簡単な構成に上り艮〃ｆな特１’１
ヶ有するマイクロ波ミキザ回路孕提供するものである。
である回路構成の複雑さ、局部発振信号と高周波受信信
号の分離、ミキサ素子を複数個必”皮とするなどの欠点
金除去するもので、簡単な構成に上り艮〃ｆな特１’１
ヶ有するマイクロ波ミキザ回路孕提供するものである。
発明の構１ｊＶ。
本発明は上記１］的を達成するためになされたもので、
マイクロ波用のＧａＡｓ ＦＥＴ ’＜ Ｓキザ素子
として使用し、ＦＥＴのゲー） １１ｉ１１より高周波
受信信号金入力し、ＦＥＴのソース１則より局部発振信
号を印加し２、ＦＥＴのドレイン側より中間周波信号音
１１１力するようにし、簡単な回路構成で、高周波受信
信号と局部発振信号との分離が良好で、高周波受信信号
端子からＦＥＴのゲート端子１での間に、局部発振信号
用の結合器等が不要であるため高周波受信信号の損失が
少ないマイクロ波ミキザ回路金提供するものである。
マイクロ波用のＧａＡｓ ＦＥＴ ’＜ Ｓキザ素子
として使用し、ＦＥＴのゲー） １１ｉ１１より高周波
受信信号金入力し、ＦＥＴのソース１則より局部発振信
号を印加し２、ＦＥＴのドレイン側より中間周波信号音
１１１力するようにし、簡単な回路構成で、高周波受信
信号と局部発振信号との分離が良好で、高周波受信信号
端子からＦＥＴのゲート端子１での間に、局部発振信号
用の結合器等が不要であるため高周波受信信号の損失が
少ないマイクロ波ミキザ回路金提供するものである。
実施例の説明
第４図に本発明のマイクロ波ミキザ回路の基本的回路構
成を示す。
成を示す。
図において、２γ、２８．３３は、それぞれ高周波受信
信号入力端子２局部発振信号入力端子。
信号入力端子２局部発振信号入力端子。
中間信号出力端子である。っ３０はマイクロ波用ＦＥＴ
、２９は高周波受信信号用の入力整合回路、３１は高周
波トラップ回路、３２は低域通過形の中間周波信号用の
整合回路、３４は高周波受信信号の基板上での波長（λ
Ｒｇ ）の１／４電気長金もつ先端開放のスタブ、３５
は局部発振信号の基板上での波長（λｔ、ｇ ）の１／
４の電気長をもつ先端短絡のスタブである。３６は局部
発振信号用の整合回路である。
、２９は高周波受信信号用の入力整合回路、３１は高周
波トラップ回路、３２は低域通過形の中間周波信号用の
整合回路、３４は高周波受信信号の基板上での波長（λ
Ｒｇ ）の１／４電気長金もつ先端開放のスタブ、３５
は局部発振信号の基板上での波長（λｔ、ｇ ）の１／
４の電気長をもつ先端短絡のスタブである。３６は局部
発振信号用の整合回路である。
第４図のような構成にすることにより、高周波入力信号
周波数帯におけるＦＥＴの各端子のインピーダンスは、
第６図（＆）のようになり、ＦＥＴの：／−ス（ｆｉｌ
ｌ、 ドレイン側１ともに短絡のインピーダンスをも
つことになる。高周波入力信号ＲＦは入力整合回路２９
を介してゲートに接続される。
周波数帯におけるＦＥＴの各端子のインピーダンスは、
第６図（＆）のようになり、ＦＥＴの：／−ス（ｆｉｌ
ｌ、 ドレイン側１ともに短絡のインピーダンスをも
つことになる。高周波入力信号ＲＦは入力整合回路２９
を介してゲートに接続される。
局部発振信号周波数帯における、ＦＥＴの各端子のイン
ピーダンスは、第５図（ｂ）のようｆｃナリ、ＦＥＴの
ソースイ則は、λＲｇ／４のスタフ゛にょるＺＳａのイ
ンピーダンスをもっことになる。
ピーダンスは、第５図（ｂ）のようｆｃナリ、ＦＥＴの
ソースイ則は、λＲｇ／４のスタフ゛にょるＺＳａのイ
ンピーダンスをもっことになる。
局部発振信号用の整合回路３６により局部発振イｌ’？
’ｊ ＬＯｉ’：ｌ、効率的ＶζＦＥＴのノースに１
１−人さ１１ＦＥＴのゲート ノース間の容１ｊＳ：
Ｇ ｇ Ｓケ、ボンヒ。
’ｊ ＬＯｉ’：ｌ、効率的ＶζＦＥＴのノースに１
１−人さ１１ＦＥＴのゲート ノース間の容１ｊＳ：
Ｇ ｇ Ｓケ、ボンヒ。
／りじ、ＦＥ’！″のゲート１国から７１人された冒周
波受イ１肩ｉｒ ””ｊ全周波１９．変換する。２９げ
入力整合回路である。
波受イ１肩ｉｒ ””ｊ全周波１９．変換する。２９げ
入力整合回路である。
中間周彼情シ″′ｉ固彼数帯ｑこおけるＦＦ、Ｔの各端
子（７）イアピーダンスＱ二［、第６図（Ｃ）のよつＶ
ＣｆＪｔ ’） 、 先ｉ、５ ’ｆｉ、え絡の入Ｌ
ｇ／４スタフ゛３６ｔ７こ土り、ノースｊｌｌｌＩげ、
はぼう、１．ノ絡となり、ゲートｊｌｌｌｌζり［、Ｉ
セδ周波人力信弓用の整合回路の中間周波イリ緑”；
Ｌ’、ｌ彼１２’Ａ：のイ／Ｌ＝’−タ。
子（７）イアピーダンスＱ二［、第６図（Ｃ）のよつＶ
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ｇ／４スタフ゛３６ｔ７こ土り、ノースｊｌｌｌＩげ、
はぼう、１．ノ絡となり、ゲートｊｌｌｌｌζり［、Ｉ
セδ周波人力信弓用の整合回路の中間周波イリ緑”；
Ｌ’、ｌ彼１２’Ａ：のイ／Ｌ＝’−タ。
／スＺ２９のもつことになる。３１にｌ： 、ｊ’ｉｉ
周彼トラップ回路である。
周彼トラップ回路である。
このため、中間信号周波数帯Ｖζおいては、ＦＥＴＣ１
１１，低部イ１音な増幅器として動１′「することにな
る１、以Ｆ、このミキザ回路の動１’Ｉ：ｆＸ：説明す
る。
１１，低部イ１音な増幅器として動１′「することにな
る１、以Ｆ、このミキザ回路の動１’Ｉ：ｆＸ：説明す
る。
高周波信号用”’Ｉ’ ！ｉ子２７から入力さｉした受
信信号ＲＦは、入力整合回路２９を通って、ＦＥＴ３０
のゲート＆こｆ１゛人される。一方、局部発振信号入力
１１１１了２８より入力された局部発振信号Ｌｏ ｆは
、整合回路３６’ｉ西って ’ＦＥＴ３０のソース（ｌ
こ圧入される。ゲートから入力された受信信号ＲＦ １
ｊＦＥＴ３０で増幅されるとともに、ソースからｌド入
された局部発振信号ＬＯと周波数混合さｔｌ、受１ｇ信
号ＲＦと局部発振信号Ｌｏ との差の信号である中間
周波信号ＩＦが、ＦＥＴ３０内で発生する。
信信号ＲＦは、入力整合回路２９を通って、ＦＥＴ３０
のゲート＆こｆ１゛人される。一方、局部発振信号入力
１１１１了２８より入力された局部発振信号Ｌｏ ｆは
、整合回路３６’ｉ西って ’ＦＥＴ３０のソース（ｌ
こ圧入される。ゲートから入力された受信信号ＲＦ １
ｊＦＥＴ３０で増幅されるとともに、ソースからｌド入
された局部発振信号ＬＯと周波数混合さｔｌ、受１ｇ信
号ＲＦと局部発振信号Ｌｏ との差の信号である中間
周波信号ＩＦが、ＦＥＴ３０内で発生する。
Ｆ Ｅ Ｔ ３０内で発生した中間周波信号ＩＦは、Ｆ
ＥＴ３０内で増幅されて、ＦＥＴ３０のドレインより高
周波トラップ回路３１．低域通過／７−１波器３２ｆｒ
：通って出力端子３３に出力される。
ＥＴ３０内で増幅されて、ＦＥＴ３０のドレインより高
周波トラップ回路３１．低域通過／７−１波器３２ｆｒ
：通って出力端子３３に出力される。
第６図に、ＭＩＣで構成された本発明の具体的実施例孕
示す。
示す。
図（ｌこおいて、２７，２８．３３は、それぞれ高１、
′ｄ彼信号入力端子１局部発振信号入力端子、中間１−
ｉｌ波信号出力端子である。３７は分布結合のＤＣ・ブ
０ツク３８を含む、高周波入力信号用の市域通過形整合
回路、３９は低域通過形のバイアス回路である。
′ｄ彼信号入力端子１局部発振信号入力端子、中間１−
ｉｌ波信号出力端子である。３７は分布結合のＤＣ・ブ
０ツク３８を含む、高周波入力信号用の市域通過形整合
回路、３９は低域通過形のバイアス回路である。
３４は′ＡＲｇ／４ の先端開放スタブ、３５はλＬ
ｇ／４の先端短絡のスタブ、４０はλＲｇ／／４の先端
開放のスタブをもつ高周波信号用のトラップ回路、４１
け低域；Ｉ口過形の中間周波信号用の整合回路、４２゜
４３ｉｌ′Ｊ、それぞれゲート・バイアス用端子および
トレイン・バイアス用の端子、４４はマイクロ波Ｊｌｌ
ＧａＡｓ −Ｆ Ｉｉ： Ｔである。
ｇ／４の先端短絡のスタブ、４０はλＲｇ／／４の先端
開放のスタブをもつ高周波信号用のトラップ回路、４１
け低域；Ｉ口過形の中間周波信号用の整合回路、４２゜
４３ｉｌ′Ｊ、それぞれゲート・バイアス用端子および
トレイン・バイアス用の端子、４４はマイクロ波Ｊｌｌ
ＧａＡｓ −Ｆ Ｉｉ： Ｔである。
）、Ｒｇ／４の先端開放スタブ３４の作用により、高周
波入力信号周波数帯におけるＦＥＴ４４のソース＋１１
１１ （ンビーダンスは短絡となる。入力整合回路３７
との作用により、高周波入力信号が損失なくＦ）ｉ：Ｔ
４４のゲートに入力さｔ′しる。
波入力信号周波数帯におけるＦＥＴ４４のソース＋１１
１１ （ンビーダンスは短絡となる。入力整合回路３７
との作用により、高周波入力信号が損失なくＦ）ｉ：Ｔ
４４のゲートに入力さｔ′しる。
一方、局部発振信号は１局部発振信号入力端子２８．１
：す、Ｆ Ｅ Ｔ４４のソースに注入される。本実Ｍａ
ｒ例においては１局部発振信号用の整合回路は特に設け
ていないが、必要な局部発振信号の電力ｉ１’、 ６
ｍＷ程度である。
：す、Ｆ Ｅ Ｔ４４のソースに注入される。本実Ｍａ
ｒ例においては１局部発振信号用の整合回路は特に設け
ていないが、必要な局部発振信号の電力ｉ１’、 ６
ｍＷ程度である。
（ぐ実栴例の構成によれば、筺周彼入力信号端子からミ
キサ素子であるＦＥＴ４４のゲート端子寸で１局部発振
信号用の結合回路などは不要となり人力整合回路は、高
周波入力信号のみを考えて実現すればよく、ミキザ累子
に入力される壕で、高周波信号の損失が少ないミキサ回
路全実現でさる。
キサ素子であるＦＥＴ４４のゲート端子寸で１局部発振
信号用の結合回路などは不要となり人力整合回路は、高
周波入力信号のみを考えて実現すればよく、ミキザ累子
に入力される壕で、高周波信号の損失が少ないミキサ回
路全実現でさる。
発明の効果
以上述べたように、本発明は高周波入力信号をＦＥＴの
ゲートに入力し、局部発振信号１ＦＥＴのソースに入力
し、ＦＫＴのソース側にλＲｇ／４の先端開放スタブと
λＬｇ／４の先端短絡のスタブを設け、ＦＥＴのドレイ
ン但］より中間周波信号を出力する構成としたもので、
構成が簡単で、高周波入力信号と局部発振信号との分離
が良好で、特性の艮好なマイクロ波ミキサ回路を実現す
ることかでさる利点を有する。
ゲートに入力し、局部発振信号１ＦＥＴのソースに入力
し、ＦＫＴのソース側にλＲｇ／４の先端開放スタブと
λＬｇ／４の先端短絡のスタブを設け、ＦＥＴのドレイ
ン但］より中間周波信号を出力する構成としたもので、
構成が簡単で、高周波入力信号と局部発振信号との分離
が良好で、特性の艮好なマイクロ波ミキサ回路を実現す
ることかでさる利点を有する。
第１図は従来のダイオードを使用したダブル・バランス
・ミキサの基本的構成例孕示す結線図、第２図は従来の
ダイオード全使用したＭＩＣＩＣラバランスキサの構成
例を示す概略構成図、第３図は従来のＦＥＴｆ使用した
マイクロ波・ミキサ回路の構成例を示す概略構成図、第
４図は本発明のマイクロ波ミキサ回路の基本的構成ヲ示
す結線図、第６図（ａＬ （ｂＬ （Ｃ）はそれぞれ同
ミキザ回路の高周波入力信号周波数帯での等価回路２局
部発振信号周波数帯での等価回路、中間周波数帯での等
価回路全示す結線図、第６図は本発明の具体例における
マイクロ波ミキサ回路を示す概略構成図である。 ２７・・・・・筒周液入力信号端子、２８・・・・・局
部発振仏事入力端子、２９・・・・・入力整合回路、３
０・・・・・′市界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、３１
・・・・高周波トラップ回路、３２・・・・・・低域通
過ｉｊｉ波器、３３・・中間信号出力端子、３４・・・
・・高周波受信信号周波数帯で４分の１波長の電気長を
持つ先端開放の線路、３５・・・・・・局部発振信号周
波数帯で４分の１波長の電気長を持つ先端短絡の線路、
３６・・・・局部発振信号用の整合回路。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 リＪ ほか１名第
１図 ｎ 第２図 り。 第３図 第５図 （α２ ？９ 第６図 手続補正書 昭和６８年１０月２）口 １事件の表示 昭和６８年９４°許願第 ６０６６７号２発明の名称 マイクロ波ミキサ回路 ３補正をする芹 小イ′１との１田系 特 許 出
願 人住 所 大阪府門真市大字門真１００６
番地名 称 （５８２）松下電器産業株式会社代表者
山 下 俊 彦 ４代Ｊ４１ｊ人 〒５７１ 住 所 大阪府閂貞山大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ６補正の対象 ６、補正の内容 明ｉ書第１１頁第１４行目の次に下記の文章を挿入しま
す。 「本実施例に基づき、高周波信号周波数 １１．７ＧＨ
ｚ 、局部発振信号周波数 １０．７ ＧＨｚ、中間
周波信号周波数 １ＧＨｚで回路を構成したとき、変換
利得１０．０ｄＢ 、雑音指数６．２ｄＢの良好な特性
が得られる。」
・ミキサの基本的構成例孕示す結線図、第２図は従来の
ダイオード全使用したＭＩＣＩＣラバランスキサの構成
例を示す概略構成図、第３図は従来のＦＥＴｆ使用した
マイクロ波・ミキサ回路の構成例を示す概略構成図、第
４図は本発明のマイクロ波ミキサ回路の基本的構成ヲ示
す結線図、第６図（ａＬ （ｂＬ （Ｃ）はそれぞれ同
ミキザ回路の高周波入力信号周波数帯での等価回路２局
部発振信号周波数帯での等価回路、中間周波数帯での等
価回路全示す結線図、第６図は本発明の具体例における
マイクロ波ミキサ回路を示す概略構成図である。 ２７・・・・・筒周液入力信号端子、２８・・・・・局
部発振仏事入力端子、２９・・・・・入力整合回路、３
０・・・・・′市界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、３１
・・・・高周波トラップ回路、３２・・・・・・低域通
過ｉｊｉ波器、３３・・中間信号出力端子、３４・・・
・・高周波受信信号周波数帯で４分の１波長の電気長を
持つ先端開放の線路、３５・・・・・・局部発振信号周
波数帯で４分の１波長の電気長を持つ先端短絡の線路、
３６・・・・局部発振信号用の整合回路。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 リＪ ほか１名第
１図 ｎ 第２図 り。 第３図 第５図 （α２ ？９ 第６図 手続補正書 昭和６８年１０月２）口 １事件の表示 昭和６８年９４°許願第 ６０６６７号２発明の名称 マイクロ波ミキサ回路 ３補正をする芹 小イ′１との１田系 特 許 出
願 人住 所 大阪府門真市大字門真１００６
番地名 称 （５８２）松下電器産業株式会社代表者
山 下 俊 彦 ４代Ｊ４１ｊ人 〒５７１ 住 所 大阪府閂貞山大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ６補正の対象 ６、補正の内容 明ｉ書第１１頁第１４行目の次に下記の文章を挿入しま
す。 「本実施例に基づき、高周波信号周波数 １１．７ＧＨ
ｚ 、局部発振信号周波数 １０．７ ＧＨｚ、中間
周波信号周波数 １ＧＨｚで回路を構成したとき、変換
利得１０．０ｄＢ 、雑音指数６．２ｄＢの良好な特性
が得られる。」
Claims (3)
- （１）電界効果トランジスタのゲートに接続され、高周
波受信信号全入力する第１の端子と、ソースに接続され
、局部発振信号全入力する第２の端子と、ドレインに接
続され、中間周波信号用取り出す第３の端子とを具備し
、前記電界効果トランジスタのソースに高周波受信信号
周波数帯で４分の１波長の電気長金持つ先端開放の線路
と局部発振信号周波数帯で４分１波長の電気長金持つ先
端短絡の線路とを接続したことを特徴とするマイクロ波
ミキサ回路。 - （２）ｉ３の端子と電界効果トランジスタのドレインと
の間に、高周波受信信号および局部発振信号の周波数帯
金阻止するトラップ回路を設けたこと全特徴とする特ｆ
ＦＭ！求の範囲第１項記載のマイクロ波ミキサ回路。 - （３）第１の端子と電界効果トランジスタのゲートとの
間に高周波受信信号用の整合回路全役け、第３の端子と
電界効果トランジスタのドレインとの間に中間周波信号
用の整合回路を設けたこと全特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のマイクロ波ミキサ回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58050667A JPS59176909A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | マイクロ波ミキサ回路 |
| US06/594,684 US4592095A (en) | 1983-03-25 | 1984-03-26 | Microwave FET mixer arranged to receive RF input at gate electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58050667A JPS59176909A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | マイクロ波ミキサ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59176909A true JPS59176909A (ja) | 1984-10-06 |
| JPH0452642B2 JPH0452642B2 (ja) | 1992-08-24 |
Family
ID=12865297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58050667A Granted JPS59176909A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | マイクロ波ミキサ回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4592095A (ja) |
| JP (1) | JPS59176909A (ja) |
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| JPH0329506A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 周波数変換回路 |
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| JP6839121B2 (ja) * | 2018-03-19 | 2021-03-03 | 日本電信電話株式会社 | ソース注入型ミキサ |
| US11817826B2 (en) | 2021-11-08 | 2023-11-14 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Frequency mixer including non-linear circuit |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3483473A (en) * | 1966-04-04 | 1969-12-09 | Motorola Inc | Frequency converting and selecting system including mixer circuit with field effect transistor coupled to band-pass filter through impedance inverting circuit |
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- 1983-03-25 JP JP58050667A patent/JPS59176909A/ja active Granted
-
1984
- 1984-03-26 US US06/594,684 patent/US4592095A/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
| US4592095A (en) | 1986-05-27 |
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