JPS58138107A - マイクロ波ミキサ回路 - Google Patents

マイクロ波ミキサ回路

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JPS58138107A
JPS58138107A JP2143882A JP2143882A JPS58138107A JP S58138107 A JPS58138107 A JP S58138107A JP 2143882 A JP2143882 A JP 2143882A JP 2143882 A JP2143882 A JP 2143882A JP S58138107 A JPS58138107 A JP S58138107A
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oscillation signal
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Hiroshi Onishi
博 大西
Sadahiko Yamashita
山下 貞彦
Hiroshi Haruki
宏志 春木
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03DDEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D9/00Demodulation or transference of modulation of modulated electromagnetic waves
    • H03D9/06Transference of modulation using distributed inductance and capacitance
    • H03D9/0658Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of semiconductor devices having more than two electrodes
    • H03D9/0666Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of semiconductor devices having more than two electrodes using bipolar transistors

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  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、マイクロ波帯のミキサ回路に関するもので、
特に、トランジスタあるいは、電界効果トランジスタ(
以下FITという)を用いたミキサ回路に関するもので
ある。
従来、種々のマイクロ波帯のミキサ回路が考案され、実
現さ扛ている。マイクロ波帯のミキサ回路の方式として
は、ミキサ素子としてダイオードを用いるか、トランジ
スタ、あるいはFET’i用いるかにより二つの方式が
考えられている。
しかし、いずれの方式においてもミキサ素子が複数個必
要である、回路構成が複雑である、高周波受信信号と局
部発振信号との分離が良好でない等の欠点がある。
第1図は、従来よく使用されているダイオードを用いた
ダブル・バランス・ミキサ(リング変調器とも言う)の
基本的回路を示す。
図において、1,6は平衡−不平衡変成器で、1は受信
信号用変成器、6は局部発振信号用変成器である。2.
 3. 4. 5はミキサ・ダイオードである。fR,
fLはそ扛ぞれ受信信号2局部発振信号を示す。7は中
間周波数を取出す出力端子であり、fIFは中間周波信
号を示す。
第1図に示した方式においては、受信信号f。
と局部発振信号fL の分離が良く、特性が安定である
という長所があるが、ミキサ使用素子が複数個必要であ
り、平衡−不平衡変成器1及び6が必要であるため、回
路が複雑となり、また高周波入力信号fRから中間周波
数flFへ変換されるとき、常に変換損失音生じるとい
う欠点がある。
第2図は、従来よく使用されているトランジスタを用い
たマイクロ波ミキサの基本的回路構成を示すものである
受信信号入力端子1局部発振信号入力端子、および中間
周波信号入力端子である。14は高周波用トランジスタ
、13は入力整合回路である。fR+fL+  fIF
はそ扛ぞ扛高周波受信信号2局部発振信号、中間周波信
号を示す。14は高周波用トランジスタ、16は中間周
波信号を選択通過させる低域通過沖波器、11.12は
それぞfLM流カット用のコンデンサであるが、高周波
受信信号fRが局部発振信号入力端子9へ漏洩すること
によるミキサとしての特性の劣化(特にミキサとしての
雑音指数が劣化する。)を防ぐため、コンデンサ12は
、高周波受信信号fRおよび局部発振信号fL の周波
数帯において、非常に高いインピーダンスを持つように
、容喰値の小さいコンデンサを使用する必要がある。
7第2図に示した回路においては、コンデンサ12とコ
ンデンサ11のみが、高周波受信信号入力端子8と局部
発振信号入力端子9とを分離する働きをしているため、
その分離は良好でない。また、局部発振信号入力端子9
への高周波受信信号fRの漏洩はある程度抑えることが
できても、高周波受信信号入力端子8への局部発振信゛
すfも  の漏洩(これは、受信機の不要輻射となり、
他の受信機に悪影響を与える。)は防ぐことができない
などの欠点がある。
第3図は第2図のトランジスタ・ミキサ回路の欠点であ
る高周波受信信号と局部発振信号の分離をよくするため
、帯域通過沖波器を使用した従来の回路の例である。
図において、第2図と同じ部分は、同一の符号を付し、
その説明を省く。16は高周波受信信号fn  k選択
的に通過させ、局部発振信号fL  を抑圧するための
帯域通過沖波器である。17は局部発振信号fLk選択
的に通過させ、高周波受信信号fRを抑圧するための帯
域通過p波器である。
第3図に示した回路においては、高周波受信信号周波数
fRと局部発振信号周波数fLとの周波数が高く、中間
周波信号周波数f’ryの低い場合には帯域通過r波器
16及び17の選択度が十分と扛なくなる。そのため、
高周波受信信号fRと局部発振信号fL  との分離が
良好でなくなるという欠点がある。
また、帯域通過か1波器16および17を使用している
ため、構造が複雑となり、さらに、高周波受信信号fR
用の帯域通過沖波器16の挿入損だけ、ミキサとしての
雑音指数が劣化するなどの欠点がある。
不発明は、前記従来例にみられる欠点を除去せんとする
もので、ミキサ素子としてマイクロ波帯のトランジスタ
、あるいはFET’i1個使用して、簡単な回路構成に
より、高周波受信信号と局部発振信号との分離が良好で
、特性の良好なマイクロ波ミキサ回路を提供するもので
ある。
以下、本発明の具体的実施例を詳細に説明する。
第4図は不発明の一実施例におけるトランジスタ・ミキ
サ回路の基本的回路構成を示す図である。
図中、バイアス回路は省略して示している。
図において、24,25,26はそ扛ぞ扛受信信号入力
端子2局部発振信号入力端子、および中間周波信号出力
端子である。27,28.29は直流カット用のコンデ
ンサ、30.31はそれぞれ受信信号fR2局部発振信
号fL用の整合回路、33はミキサ素子として使用する
トランジスタ、32は中間周波信号fIy を選択通過
させる低域通過711波器である。34は抵抗で、数十
〇の抵抗値のものを使用する。36は局部発振信号周波
数f1.帯で1/4波長の電気長をもつ線路である。3
6は高周波短絡用のコンデンサである。
以下このミキサ回路の動作を説明する。
受信信号入力端子24から入力された受信信+FfRは
、入力整合回路30を通って、トランジスタ33のベー
スに注入さ扛る。一方、局部発振信号入力端子25から
入力された局部発振信号fL は整合回路31を通って
、トランジスタ33のエミッタに注入される。ベースか
ら入力された受信信号fRはトランジスタ33で増幅さ
れるとともに、エミッタから注入された局部発振信号f
L  と混合され、受信信号f、と局部発振信号fLと
の差の信号である中間周波信号ftyが、トランジスタ
33波信号fIFは、トランジスタ33で増幅さ扛て、
トランジスタ33のコレクタより低域通過沖波器32を
通って出力端子26に出力さ扛る〇第4図に示したよう
に、ミキサとして使用するトランジスタ33のエミッタ
と接地間に抵抗34とこれと平行に局部発振信号周波数
fL  帯で1/4波長の電気長をもつ線路35と高周
波短絡用コンデンサ36を接続しているため、局部発振
信号fLは効率的にエミッタからトランジスタに注入さ
れるとともに、中間周波数帯fIFでは、低雑音な増幅
器として動作する○ 線路35は、局部発振信号の周波数帯fLで1A波長の
電気尺ヲもつ線路であることと、前記線路35の先端が
、コンデンサ36により高周波的に短絡されているため
、局部発振信号周波数fL帯では、トランジスタ33の
エミッタとアース間は、抵抗34と整合回路31が接続
さ扛た第5図aに示すような等価回路となる。通常、高
周波帯では、入出力インピーダンスは、50Ωで設計さ
れる。
従って本実施例では抵抗34の抵抗値を600とすわば
、整合回路31を省略することが可能となり、さらに回
路構成が簡単となる。
中間周波信号周波数flF帯では、トランジスタ33の
エミッタとアース間は、線路34とコンデンサ36によ
り等測的に第6図すに示すように短絡さ扛ることになる
以」二の理由により、局部発振信号fL は効率的にエ
ミッタからトランジスタに注入さ扛るとともに、トラン
ジスタ33は、低雑音で効率のよい中間周波増幅器とし
て動作する。
また、入力受信信号fRkベースから注入し、局部発振
信号fL(エミッタから注入するため、高周波受信信号
fRと局部発振信号fLの分離も良好となる。
さらに、簡単な回路構成で良好なトランジスタミキサ回
路を実現することができる。
−例として、1丁が8 GHz程度のトランジスタを使
、用して、受信信号周波数が2.5 GHz 、局部発
振信号周波数が2.4GH2、中間周波信号周波数rr
y 0 100MHzのミキサ回路全本発明により実現すると、
局部発振注入電力がOdbm、  コレクタ電流が1m
Aで、変換利得12db、雑音指数6dbの良好な特性
が得ら扛る。
また、不発明によれば、局部発振信号fL  が、前述
したように効率的にエミッタからトランジスタに注入さ
れるため、局部発振信号fL の注入電力が、−10d
bm程度でも良好な特性を示す。
第6図は、局部発振信号注入電力対雑音指数特性の一例
を示したものである。横軸は、局部発振信号注入電力を
、縦軸は、雑音指数を示す。
37は雑音指数特性である。
第7図は、本発明によるFET・ミキサ回路の基本的回
路構成を示す図である。
図において、第6図のトランジスタ・ミキサ回路と同様
の働きをする部分には、同一の番号を付しである。
24.25.26は、そ扛ぞれ受信信号入力端子2局部
発振信号入力端子、中間周波信号出力端子である。27
.28.29は直流カット用のコ11 ンデンサ、30.31はそれぞれ受信信号fR9局部発
振信号fL 用の整合回路、44はミキサ素子として使
用するFET、441,442,443は、そ扛ぞれF
ETのゲート電極、ドレイン電極。
ソース電極である。
32は、中間周波信号fry ′!f−選択通過させる
低域通過沖波器、34は抵抗、35は、局部発振信号周
波数帯で1/4波長の電気長をもつ線路、36は高周波
短絡用のコンデンサである。
受信信号入力端子24から入力さ扛り受信信号(周波数
fa)は入力整合回路30を通って、FET、44のゲ
ート441に注入される。一方、局部発振信号入力端子
25から入力された局部発振信号(周波数fh)は整合
回路31を通って、FIT 44のソース443に注入
される。ゲート441から入力された受信信号fRは、
FICT44で増幅さ扛るとともに、ソース443から
注入さn、た局部発振信号f、  と混合され、受信信
号fRと局部発振信号fL  との差の信号である中間
周波信号fryがFET44内で発生する。FET44
内で発生14間昭58−138107(4) した中間周波信号frFは、FET44で増幅されて、
FICT44のドレイン442より低域通過沖波器32
を通って出力端子26に出力される。
第4図のトランジスタ・ミキサ回路と同様に、ミキサと
して使用するFET44のソース443とアース間に抵
抗34とこnとす行に局部発振信号周波数1L  帯で
1/4波長の電気長をもつ線路36と高周波短絡用のコ
ンデンサ36を接続しているため、局部発振信号fL 
 は効率的にリース443からFET44に注入される
とともに、中間周波数帯fIFでは、低雑音の増幅器と
して動作する。そのため、図に示すような簡単な回路構
成により、雑音特性が良好で、受信信号と局部発振信号
の分離がよいミキサ回路を実現することができる。
以上述べたように本発明はトランジスタを用いたマイク
ロ波帯のミキサ回路において、トランジスタのベースよ
り高周波入力信号金印71!L、)ランジスタのエミッ
タより局部発振信号を印加し、トランジスタのコレクタ
より中間周波信号を取り 3 出シ、トランジスタのエミッタとアース間に局部発振信
号周波数帯で1/4波長の電気長をもつ線路とコンデン
サの直列回路全接続し、この線路とコンデンサの直列回
路と並列に抵抗を接続し女もので、簡単な回路構成によ
り、ミキサとして雑音特性が良好で、受信信号と局部発
振信号との分離が良好なミキサ回路を実現することがで
きる利点を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のダイオードを使用したダブル・バランス
・ミキサの基本的構成例を示す結線図、第2図、第3図
は従来のトランジスタを使用したミキサの基本的構成例
を示す結線図、第4図は本発明の一実施例におけるマイ
クロ波ミキサ回路の結線図、第6図a、  bは同ミキ
サ回路の局部発振信号周波数rL帯での等何回路および
中間周波信号周波数rry帯での等何回路をそ扛ぞれ示
す結線図、第6図は同ミキサ回路の雑音指数特性の一例
を示す図、第7図は不発明の他の実施例におけるマイク
ロ波ミキサ回路の結線図である。  4 fR+  fL+  f’ry・・・・・・それぞれ入
力受信信号2局部発振信号、中間周波信号の周波数、1
,6・・・・・・平衡−不平衡変成器、21  a、 
4.5・・・・・・ダイオード、14.33・・・・・
・トランジスタ、44・・・・・・FET、8.24・
・・・・・受信信号入力端子、9,25・・・・・・局
部発振信号入力端子、7,10.26・・・・・・中間
周波信号出力端子、30,3σ、31.31’・・・・
・・整合回路、15,32.32’・・・・・・中間周
波信号全選択通過させる低域通過沖波器、34,34′
・・・・・・抵抗、35.35’・・・・・・局部発振
信号の周波数帯で1/4波長の電気長全もつ線路、36
.38’・・・・・・高周波短絡用のコンデンサ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第3図 第4図 333 1 (11)                  tI)
ノ第6図 第7図 4

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  トランジスタのベースまたはFETのゲート
    に接続さ扛、受信信号全入力する第1の端子と、エミッ
    タ″!、たはソースに接続され、局部発振信号を入力す
    る第2の端子と、コレクタまたはドレインに接続され、
    中間周波数信号を取り出す第3の端子とを有し、前記ト
    ランジスタのエミッタまたはFICTのソースと接地間
    に、局部発振信号周波数帯で4分の1波長の電気長を持
    つ線路とコンデンサとの直列回路を接続し、前記直列回
    路と並列に抵抗を接続したことを特徴とするマイクロ波
    ミキサ回路。
  2. (2)ilの端子とトランジスタのベースまたはFET
    のゲートとの間及び上記第2の端子とトランジスタのエ
    ミッタまたはFETのソースとの間に整合回路を設けた
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のマイクロ
    波ミキサ回路。
  3. (3)第1の端子とトランジスタのベースまたはFET
    のゲートとの間に整合回路を設け、上記抵抗の抵抗値(
    i750オームとし、第2の端子とトランジスタのエミ
    ッタまたはFETのソースとの間を整合回路を設けるこ
    となしに接続したことを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載のマイクロ波ミキサ回路。
JP2143882A 1982-02-12 1982-02-12 マイクロ波ミキサ回路 Granted JPS58138107A (ja)

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JPS6348444B2 JPS6348444B2 (ja) 1988-09-29

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4592095A (en) * 1983-03-25 1986-05-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Microwave FET mixer arranged to receive RF input at gate electrode
WO2006040997A1 (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 双方向周波数変換器およびこれを用いた無線機

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4592095A (en) * 1983-03-25 1986-05-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Microwave FET mixer arranged to receive RF input at gate electrode
WO2006040997A1 (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 双方向周波数変換器およびこれを用いた無線機
US7783266B2 (en) 2004-10-08 2010-08-24 Panasonic Corporation Bidirectional frequency converter and radio equipment using same
US8145143B2 (en) 2004-10-08 2012-03-27 Panasonic Corporation Bidirectional frequency converter and radio equipment using same

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