JPH0452642B2 - - Google Patents
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- JPH0452642B2 JPH0452642B2 JP58050667A JP5066783A JPH0452642B2 JP H0452642 B2 JPH0452642 B2 JP H0452642B2 JP 58050667 A JP58050667 A JP 58050667A JP 5066783 A JP5066783 A JP 5066783A JP H0452642 B2 JPH0452642 B2 JP H0452642B2
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 6
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D9/00—Demodulation or transference of modulation of modulated electromagnetic waves
- H03D9/06—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance
- H03D9/0658—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of semiconductor devices having more than two electrodes
- H03D9/0675—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of semiconductor devices having more than two electrodes using field effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
- H03D2200/0001—Circuit elements of demodulators
- H03D2200/0025—Gain control circuits
- H03D2200/0027—Gain control circuits including arrangements for assuring the same gain in two paths
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/12—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes
- H03D7/125—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes with field effect transistors
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- Power Engineering (AREA)
- Circuits Of Receivers In General (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、マイクロ波帯の受信機に用いられる
電界効果トランジスタ（以下、FETと略す）を
用いたマイクロ波ミキサ回路に関するものであ
る。
電界効果トランジスタ（以下、FETと略す）を
用いたマイクロ波ミキサ回路に関するものであ
る。
従来例の構成とその問題点
従来、種々のマイクロ波帯のミキサ回路が考案
され、実現されている。マイクロ波帯のミキサ回
路の方式としては、ミキサ素子を１個使用するシ
ングル・エンド・ミキサと、ミキサ素子を複数個
使用するバランス・ミキサに大別される。また、
ミキサ素子としてダイオードを用いるか、トラン
ジスタ、あるいはFETを用いるかにより、その
特性が大きか変わつてくる。
され、実現されている。マイクロ波帯のミキサ回
路の方式としては、ミキサ素子を１個使用するシ
ングル・エンド・ミキサと、ミキサ素子を複数個
使用するバランス・ミキサに大別される。また、
ミキサ素子としてダイオードを用いるか、トラン
ジスタ、あるいはFETを用いるかにより、その
特性が大きか変わつてくる。
ミキサ素子として、ダイオードを用いたものは
比較的、広帯域化が容易な利点があるが、高周波
入力信号から中間周波信号へ周波数変換されると
き、常に変換損失を生じるという欠点がある。
比較的、広帯域化が容易な利点があるが、高周波
入力信号から中間周波信号へ周波数変換されると
き、常に変換損失を生じるという欠点がある。
第１図は、従来よく使用されているダイオード
を用いたダブル・バランス・ミキサの基本的回路
構成を示す。
を用いたダブル・バランス・ミキサの基本的回路
構成を示す。
図において、１，６は平衡−不平衡変成器で、
１は受信信号用変成器、６は局部発振信号用変成
器である。２，３，４，５はミキサ・ダイオー
ド、RF，L0はそれぞれ受信信号、局部発振信号
を示す。７は中間周波信号を取り出す出力端子で
あり、IFは中間周波信号を示す。
１は受信信号用変成器、６は局部発振信号用変成
器である。２，３，４，５はミキサ・ダイオー
ド、RF，L0はそれぞれ受信信号、局部発振信号
を示す。７は中間周波信号を取り出す出力端子で
あり、IFは中間周波信号を示す。
第１図に示した方式においては、受信信号RF
と局部発振信号L0との分離がよく、特性が安定
で広帯域化が比較的容易に実現できるという長所
があるが、ミキサダイオード素子が複数個必要で
あり、平衡−不平衡変成器１及び６が必要である
ため、回路が複雑となり、また、高周波入力信号
fRから中間周波数IFへ変換されるとき、常に変換
損失を生じるという欠点がある。
と局部発振信号L0との分離がよく、特性が安定
で広帯域化が比較的容易に実現できるという長所
があるが、ミキサダイオード素子が複数個必要で
あり、平衡−不平衡変成器１及び６が必要である
ため、回路が複雑となり、また、高周波入力信号
fRから中間周波数IFへ変換されるとき、常に変換
損失を生じるという欠点がある。
第２図は、ダイオードを２ケ使用した、バラン
ス形ミキサ回路をマイクロ波集積回路（以下、
MICと言う）を用いて実現した従来の構成例で
ある。
ス形ミキサ回路をマイクロ波集積回路（以下、
MICと言う）を用いて実現した従来の構成例で
ある。
８，９，１６は、それぞれ局部発振信号入力端
子、受信信号入力端子、中間周波信号出力端子を
示す。１０，１１は、それぞれ局部発振信号L0
を選択通過させる帯域通過波器、受信信号RF
を選択通過させ、イメージ信号を抑圧する帯域通
過波器である。１２は、3dBをブランチ・ライ
ン形方向性結合器で、局部発振信号L0と高周波
入力信号RFとの分離を良好にし、局部発振信号
L0と高周波入力信号RFを、ダイオード１３，１
４に均等に印加するためのものである。１５は、
高周波入力信号RF、局部発振信号L0を抑圧し、
中間周波信号IFを選択通過させる低域通過波
器である。
子、受信信号入力端子、中間周波信号出力端子を
示す。１０，１１は、それぞれ局部発振信号L0
を選択通過させる帯域通過波器、受信信号RF
を選択通過させ、イメージ信号を抑圧する帯域通
過波器である。１２は、3dBをブランチ・ライ
ン形方向性結合器で、局部発振信号L0と高周波
入力信号RFとの分離を良好にし、局部発振信号
L0と高周波入力信号RFを、ダイオード１３，１
４に均等に印加するためのものである。１５は、
高周波入力信号RF、局部発振信号L0を抑圧し、
中間周波信号IFを選択通過させる低域通過波
器である。
第２図に示した方式においては、受信信号fRと
局部発振信号fLとの分離がよい利点があるが、高
周波入力部にMICの帯域通過波器１１を設け
ているためミキサ回路としての特性が劣化する問
題がある。また、基本的に方向性結合器１２を使
用するため、ミキサ回路を実現する場合、形状が
大きくなる欠点がある。
局部発振信号fLとの分離がよい利点があるが、高
周波入力部にMICの帯域通過波器１１を設け
ているためミキサ回路としての特性が劣化する問
題がある。また、基本的に方向性結合器１２を使
用するため、ミキサ回路を実現する場合、形状が
大きくなる欠点がある。
第３図は、GaAs・FETを用いたマイクロ波ミ
キサ回路の従来例であり、図は、ミキサ回路の
MIC構成を示している。
キサ回路の従来例であり、図は、ミキサ回路の
MIC構成を示している。
図において、１７は分布結合形の結合器であ
り、１８は50Ωの終端抵抗、１９は高周波受信信
号の誘電体基板上での波長（λRg）の1/4の長さで
結合したDCブロツクである。２０は低域通過形
のバイアス・フイルタ、２１はマイクロ波用の
GaAs FET、２２はλRg／４の先端開放形のスタ
ブをもつ高周波受信信号用のトラツプ回路、２３
は中間周波信号を選択通過する低域通過フイル
タ、２４は中間周波信号用の低域通過形整合回
路、２５，２６はそれぞれゲート・バイアス端
子、ドレイン・バイアス端子である。
り、１８は50Ωの終端抵抗、１９は高周波受信信
号の誘電体基板上での波長（λRg）の1/4の長さで
結合したDCブロツクである。２０は低域通過形
のバイアス・フイルタ、２１はマイクロ波用の
GaAs FET、２２はλRg／４の先端開放形のスタ
ブをもつ高周波受信信号用のトラツプ回路、２３
は中間周波信号を選択通過する低域通過フイル
タ、２４は中間周波信号用の低域通過形整合回
路、２５，２６はそれぞれゲート・バイアス端
子、ドレイン・バイアス端子である。
第３図に示した従来例においては、FETのゲ
ートに局部発振信号L0と高周波入力信号RFとを
印加する必要がある。このためFET２１の入力
側に局部発振信号用の結合器１７を設けている。
しかし結合器１７をFET２１の入力側に設ける
ため、高周波受信信号RFがFET２１のゲートに
入力されるまでに損失を伴ない、ミキサ回路とし
ての雑音指数の低下を起こす問題がある。高周波
受信信号RFの損失を減少するため、局部発振信
号用の結合器１７の結合度を小さくすると、必要
な局部発振信号L0の電力は大きなものが必要と
なる問題がある。
ートに局部発振信号L0と高周波入力信号RFとを
印加する必要がある。このためFET２１の入力
側に局部発振信号用の結合器１７を設けている。
しかし結合器１７をFET２１の入力側に設ける
ため、高周波受信信号RFがFET２１のゲートに
入力されるまでに損失を伴ない、ミキサ回路とし
ての雑音指数の低下を起こす問題がある。高周波
受信信号RFの損失を減少するため、局部発振信
号用の結合器１７の結合度を小さくすると、必要
な局部発振信号L0の電力は大きなものが必要と
なる問題がある。
また、局部発振信号L0の周波数と高周波受信
信号RFの周波数が、1GHz程度以上の周波数差が
ある場合には、FET２１のゲート側整合回路を
局部発振周波数帯と高周波受信信号周波数帯との
両方に整合可能にするように実現することは、非
常に難しくなつてくる問題がある。
信号RFの周波数が、1GHz程度以上の周波数差が
ある場合には、FET２１のゲート側整合回路を
局部発振周波数帯と高周波受信信号周波数帯との
両方に整合可能にするように実現することは、非
常に難しくなつてくる問題がある。
発明の目的
本発明は、前記従来例にみられる、ミキサ回路
の問題点である回路構成の複雑さ、局部発振信号
と高周波受信信号の分離、ミキサ素子を複数個必
要とするなどの欠点を除去するもので、簡単な構
成により良好な特性を有するマイクロ波ミキサ回
路を提供するものである。
の問題点である回路構成の複雑さ、局部発振信号
と高周波受信信号の分離、ミキサ素子を複数個必
要とするなどの欠点を除去するもので、簡単な構
成により良好な特性を有するマイクロ波ミキサ回
路を提供するものである。
発明の構成
本発明は上記目的を達成するためになされたも
ので、マイクロ波用のGaAs・FETをミキサ素子
として使用し、FETのゲート側より高周波受信
信号を入力し、FETのソース側より局部発振信
号を印加し、FETのドレイン側より中間周波信
号を出力するようにし、簡単な回路構成で、高周
波受信信号と局部発振信号との分離が良好で、高
周波受信信号端子からFETのゲート端子までの
間に、局部発振信号用の結合器等が不要であるた
め高周波受信信号の損失が少ないマイクロ波ミキ
サ回路を提供するものである。
ので、マイクロ波用のGaAs・FETをミキサ素子
として使用し、FETのゲート側より高周波受信
信号を入力し、FETのソース側より局部発振信
号を印加し、FETのドレイン側より中間周波信
号を出力するようにし、簡単な回路構成で、高周
波受信信号と局部発振信号との分離が良好で、高
周波受信信号端子からFETのゲート端子までの
間に、局部発振信号用の結合器等が不要であるた
め高周波受信信号の損失が少ないマイクロ波ミキ
サ回路を提供するものである。
実施例の説明
第４図に本発明のマイクロ波ミキサ回路の基本
的回路構成を示す。
的回路構成を示す。
図において、２７，２８，３３は、ぞれぞれ高
周波受信信号入力端子、局部発振信号入力端子、
中間信号出力端子である。３０はマイクロ波用
FET、２９は高周波受信信号用の入力整合回路、
３１は高周波トラツプ回路、３２は低域通過形の
中間周波信号用の整合回路、３４は高周波受信信
号の基板上での波長（λRg）の1/4電気長をもつ先
端開放のスタブ、３５は局部発振信号の基板上で
の波長（λLg）の1/4の電気長をもつ先端短絡のス
タブである。３６は局部発振信号用の整合回路で
ある。
周波受信信号入力端子、局部発振信号入力端子、
中間信号出力端子である。３０はマイクロ波用
FET、２９は高周波受信信号用の入力整合回路、
３１は高周波トラツプ回路、３２は低域通過形の
中間周波信号用の整合回路、３４は高周波受信信
号の基板上での波長（λRg）の1/4電気長をもつ先
端開放のスタブ、３５は局部発振信号の基板上で
の波長（λLg）の1/4の電気長をもつ先端短絡のス
タブである。３６は局部発振信号用の整合回路で
ある。
第４図のような構成にすることにより、高周波
入力信号周波数帯におけるFETの各端子のイン
ピーダンスは、第５図ａのようになり、FETの
ソース側、ドレイン側ともに短絡のインピーダン
スをもつことになる。高周波入力信号RFは入力
整合回路２９を介してゲートに接続される。
入力信号周波数帯におけるFETの各端子のイン
ピーダンスは、第５図ａのようになり、FETの
ソース側、ドレイン側ともに短絡のインピーダン
スをもつことになる。高周波入力信号RFは入力
整合回路２９を介してゲートに接続される。
局部発振信号周波数帯における、FETの各端
子のインピーダンスは、第５図ｂのようになり、
FETのソース側は、λRg／４のスタブによるZ34の
インピーダンスをもつことになる。
子のインピーダンスは、第５図ｂのようになり、
FETのソース側は、λRg／４のスタブによるZ34の
インピーダンスをもつことになる。
局部発振信号用の整合回路３６により局部発振
信号L0は、効率的にFETのソースに注入され
FETのゲート−ソース間の容量CgSを、ポンピン
グし、FETのゲート側から注入された高周波受
信信号を周波数変換する。２９は入力整合回路で
ある。
信号L0は、効率的にFETのソースに注入され
FETのゲート−ソース間の容量CgSを、ポンピン
グし、FETのゲート側から注入された高周波受
信信号を周波数変換する。２９は入力整合回路で
ある。
中間周波信号周波数帯におけるFETの各端子
のインピーダンスは、第５図ｃのようになり、先
端短絡のλLg／４スタブ３５により、ソース側は、
ほぼ短絡となり、ゲート側は、高周波入力信号用
の整合回路の中間周波信号周波数帯のインピーダ
ンスZ29のもつことになる。３１は高周波トラツ
プ回路である。
のインピーダンスは、第５図ｃのようになり、先
端短絡のλLg／４スタブ３５により、ソース側は、
ほぼ短絡となり、ゲート側は、高周波入力信号用
の整合回路の中間周波信号周波数帯のインピーダ
ンスZ29のもつことになる。３１は高周波トラツ
プ回路である。
このため、中間信号周波数帯においては、
FETは、低雑音な増幅器として動作することに
なる。
FETは、低雑音な増幅器として動作することに
なる。
以下、このミキサ回路の動作を説明する。
高周波入力信号端子２７から入力された受信信
号RFは、入力整合回路２９を通つて、FET３０
のゲートに注入される。一方、局部発振信号入力
端子２８より入力された局部発振信号L0は、整
合回路３６を通つて、FET３０のソースに注入
される。ゲートから入力された受信信号RFは
FET３０で増幅されるとともに、ソースから注
入された局部発振信号L0と周波数混合され、受
信信号RFと局部発振信号L0との差の信号である
中間周波信号IFが、FET３０内で発生する。
FET３０内で発生した中間周波信号IFは、FET
３０内で増幅されて、FET３０のドレインより
高周波トラツプ回路３１、低域通過波器３２を
通つて出力端子３３に出力される。
号RFは、入力整合回路２９を通つて、FET３０
のゲートに注入される。一方、局部発振信号入力
端子２８より入力された局部発振信号L0は、整
合回路３６を通つて、FET３０のソースに注入
される。ゲートから入力された受信信号RFは
FET３０で増幅されるとともに、ソースから注
入された局部発振信号L0と周波数混合され、受
信信号RFと局部発振信号L0との差の信号である
中間周波信号IFが、FET３０内で発生する。
FET３０内で発生した中間周波信号IFは、FET
３０内で増幅されて、FET３０のドレインより
高周波トラツプ回路３１、低域通過波器３２を
通つて出力端子３３に出力される。
第６図に、MICで構成された本発明の具体的
実施例を示す。
実施例を示す。
図において、２７，２８，３３は、それぞれ高
周波信号入力端子、局部発振信号入力端子、中間
周波信号出力端子である。３７は分布結合の
DC・ブロツク３８を含む、高周波入力信号用の
高域通過形整合回路、３９は低域通過形のバイア
ス回路である。
周波信号入力端子、局部発振信号入力端子、中間
周波信号出力端子である。３７は分布結合の
DC・ブロツク３８を含む、高周波入力信号用の
高域通過形整合回路、３９は低域通過形のバイア
ス回路である。
３４はλRg／４の先端開放スタブ、３５はλLg／
４の先端短絡のスタブ、４０はλRg／４の先端開
放のスタブをもつ高周波信号用のトラツプ回路、
４１は低域通過形の中間周波信号用の整合回路、
４２，４３は、それぞれゲート・バイアス用端子
およびドレイン・バイアス用の端子、４４はマイ
クロ波GaAs・FETである。
４の先端短絡のスタブ、４０はλRg／４の先端開
放のスタブをもつ高周波信号用のトラツプ回路、
４１は低域通過形の中間周波信号用の整合回路、
４２，４３は、それぞれゲート・バイアス用端子
およびドレイン・バイアス用の端子、４４はマイ
クロ波GaAs・FETである。
λRg／４の先端開放スタブ３４の作用により、
高周波入力信号周波数帯におけるFET４４のソ
ース側インピーダンスは短絡となる。入力整合回
路３７との作用により、高周波入力信号が損失な
くFET４４のゲートに入力される。
高周波入力信号周波数帯におけるFET４４のソ
ース側インピーダンスは短絡となる。入力整合回
路３７との作用により、高周波入力信号が損失な
くFET４４のゲートに入力される。
一方、局部発振信号は、局部発振信号入力端子
２８より、FET４４のソースに注入される。本
実施例においては、局部発振信号用の整合回路は
特に設けていないが、必要な局部発振信号の電力
は５ｍＷ程度である。
２８より、FET４４のソースに注入される。本
実施例においては、局部発振信号用の整合回路は
特に設けていないが、必要な局部発振信号の電力
は５ｍＷ程度である。
本実施例に基づき、高周波信号周波数11.7G
Hz、局部発振信号周波数10.7GHz、中間周波信号
周波数、1GHzで回路を構成したとき、変換利得
10.0dB、雑音指数6.2dBの良好な特性が得られ
る。
Hz、局部発振信号周波数10.7GHz、中間周波信号
周波数、1GHzで回路を構成したとき、変換利得
10.0dB、雑音指数6.2dBの良好な特性が得られ
る。
本実施例の構成によれば、高周波入力信号端子
からミキサ素子であるFET４４のゲート端子ま
で、局部発振信号用の結合回路などは不要となり
入力整合回路は、高周波入力信号のみを考えて実
現すればよく、ミキサ素子に入力されるまで、高
周波信号の損失が少ないミキサ回路を実現でき
る。
からミキサ素子であるFET４４のゲート端子ま
で、局部発振信号用の結合回路などは不要となり
入力整合回路は、高周波入力信号のみを考えて実
現すればよく、ミキサ素子に入力されるまで、高
周波信号の損失が少ないミキサ回路を実現でき
る。
発明の効果
以上述べたように、本発明は高周波入力信号を
FETのゲートに入力し、局部発振信号をFETの
ソースに入力し、FETのソース側にλRg／４の先
端開放スタブとλLg／４の先端短絡のスタブを設
け、FETのドレイン側より中間波信号を出力す
る構成としたもので、構成が簡単で、高周波入力
信号と局部発振信号との分離が良好で、特性の良
好なマイクロ波ミキサ回路を実現することができ
る利点を有する。
FETのゲートに入力し、局部発振信号をFETの
ソースに入力し、FETのソース側にλRg／４の先
端開放スタブとλLg／４の先端短絡のスタブを設
け、FETのドレイン側より中間波信号を出力す
る構成としたもので、構成が簡単で、高周波入力
信号と局部発振信号との分離が良好で、特性の良
好なマイクロ波ミキサ回路を実現することができ
る利点を有する。
第１図は従来のダイオードを使用したダブル・
バランス・ミキサの基本的構成例を示す結線図、
第２図は従来のダイオードを使用したMIC形バ
ランス・ミキサの構成例を示す概略構成図、第３
図は従来のFETを使用したマイクロ波・ミキサ
回路の構成例を示す概略構成図、第４図は本発明
のマイクロ波ミキサ回路の基本的構成を示す結線
図、第５図ａ，ｂ，ｃはそれぞれ同ミキサ回路の
高周波入力信号周波数帯での等価回路、局部発振
信号周波数帯での等価回路、中間周波数帯での等
価回路を示す結線図、第６図は本発明の具体例に
おけるマイクロ波ミキサ回路を示す概略構成図で
ある。 ２７……高周波入力信号端子、２８……局部発
振信号入力端子、２９……入力整合回路、３０…
…電界効果トランジスタ（FET）、３１……高周
波トラツプ回路、３２……低域通過波器、３３
……中間信号出力端子、３４……高周波受信信号
周波数帯で４分の１波長の電気長を持つ先端開放
の線路、３５……局部発振信号周波数帯で４分の
１波長の電気長を持つ先端短絡の線路、３６……
局部発振信号用の整合回路。
バランス・ミキサの基本的構成例を示す結線図、
第２図は従来のダイオードを使用したMIC形バ
ランス・ミキサの構成例を示す概略構成図、第３
図は従来のFETを使用したマイクロ波・ミキサ
回路の構成例を示す概略構成図、第４図は本発明
のマイクロ波ミキサ回路の基本的構成を示す結線
図、第５図ａ，ｂ，ｃはそれぞれ同ミキサ回路の
高周波入力信号周波数帯での等価回路、局部発振
信号周波数帯での等価回路、中間周波数帯での等
価回路を示す結線図、第６図は本発明の具体例に
おけるマイクロ波ミキサ回路を示す概略構成図で
ある。 ２７……高周波入力信号端子、２８……局部発
振信号入力端子、２９……入力整合回路、３０…
…電界効果トランジスタ（FET）、３１……高周
波トラツプ回路、３２……低域通過波器、３３
……中間信号出力端子、３４……高周波受信信号
周波数帯で４分の１波長の電気長を持つ先端開放
の線路、３５……局部発振信号周波数帯で４分の
１波長の電気長を持つ先端短絡の線路、３６……
局部発振信号用の整合回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電界効果トランジスタのゲートに接続され、
高周波受信信号を入力する第１の端子と、ソース
に接続され、局部発振信号を入力する第２の端子
と、ドレインに接続され、中間周波信号を取り出
す第３の端子とを具備し、前記電界効果トランジ
スタのソースに高周波受信信号周波数帯で４分の
１波長の電気長を持つ先端開放の線路と局部発振
信号周波数帯で４分の１波長の電気長を持つ先端
短絡の線路とを接続したことを特徴とするマイク
ロ波ミキサ回路。 ２ 第３の端子と電界効果トランジスタのドレイ
ンとの間に、高周波受信信号および局部発振信号
の周波数帯を阻止するトラツプ回路を設けたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマイク
ロ波ミキサ回路。 ３ 第１の端子と電界効果トランジスタのゲート
との間に高周波受信信号用の整合回路を設け、第
３の端子と電界効果トランジスタのドレインとの
間に中間周波信号用の整合回路を設けたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のマイクロ波
ミキサ回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58050667A JPS59176909A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | マイクロ波ミキサ回路 |
| US06/594,684 US4592095A (en) | 1983-03-25 | 1984-03-26 | Microwave FET mixer arranged to receive RF input at gate electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58050667A JPS59176909A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | マイクロ波ミキサ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59176909A JPS59176909A (ja) | 1984-10-06 |
| JPH0452642B2 true JPH0452642B2 (ja) | 1992-08-24 |
Family
ID=12865297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58050667A Granted JPS59176909A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | マイクロ波ミキサ回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4592095A (ja) |
| JP (1) | JPS59176909A (ja) |
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| FR2637751A1 (fr) * | 1988-10-07 | 1990-04-13 | Trt Telecom Radio Electr | Dispositif de recalage d'informations pour transmettre dans des multiplex temporels sortants des informations provenant de multiplex temporels entrants asynchrones |
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1983
- 1983-03-25 JP JP58050667A patent/JPS59176909A/ja active Granted
-
1984
- 1984-03-26 US US06/594,684 patent/US4592095A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59176909A (ja) | 1984-10-06 |
| US4592095A (en) | 1986-05-27 |
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