JPS63233602A - 超短波ミキサー - Google Patents

超短波ミキサー

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JPS63233602A
JPS63233602A JP63051411A JP5141188A JPS63233602A JP S63233602 A JPS63233602 A JP S63233602A JP 63051411 A JP63051411 A JP 63051411A JP 5141188 A JP5141188 A JP 5141188A JP S63233602 A JPS63233602 A JP S63233602A
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gate electrode
inductor element
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    • H03DDEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
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    • H03D9/0675Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of semiconductor devices having more than two electrodes using field effect transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03DDEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D2200/00Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
    • H03D2200/0001Circuit elements of demodulators
    • H03D2200/0025Gain control circuits
    • H03D2200/0027Gain control circuits including arrangements for assuring the same gain in two paths
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03DDEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は第1および第2電界効果トランジスタを具え、
一方の電界効果トランジスタはそのゲート電極に局部発
振器の信号を供給し、他方の電界効果トランジスタのゲ
ート電極に無線周波入力信号を供給し、第1電界効果ト
ランジスタはそのソース電極を第11i源端子に接続し
、ドイレン電極を第2電界効果トランジスタのソース電
極にその相互接続点で接続し、第21i界効果トランジ
スタのドイレン電極を抵抗を経て第2電源端子に接続す
るようにした超短波ミキサーに関するものである。
この種ミキサーは“ブロシーデインダス オブザ シッ
クス ヨーロピアン マイクロウェーブ コンファレン
ス″ローマ 1976年9月14−17日第8−13頁
にピーク・ハロツブ等による論文に記載されている。こ
のミキサーはほぼ?−9GHzの範囲内で作動するよう
設計されている。
電界トランジスタのカット−オフ周波数f、が高くなれ
ばなる程第2電界効果トランジスタのゲート電極の入力
が不安定となることを確かめた。
この不安定性は両電界効果トランジスタのドレイン−ソ
ース容量に依存すると共にこれら電界効果トランジスタ
のカット−オフ周波数f、の影響を受け、そのゲート−
ドレイン容量がこの不安定性に影響を与えなくなる。
本発明の目的はこの不安定性を制御し得るように補償を
行うようにした上述した超短波ミキサーを提供せんとす
るにある。
本発明は第1および第2電界効果トランジスタを具え、
一方の電界効果トランジスタはそのゲート電極に局部発
振器の信号を供給し、他方の電界効果トランジスタのゲ
ート電極に無線周波入力信号を供給し、第1電界効果ト
ランジスタはそのソース電極を第1電源端子に接続し、
ドイレン電極を第2電界効果トランジスタのソース電極
にその相互接続点で接続し、第2電界効果トランジスタ
のドイレン電極を抵抗を経て第2電源端子に接続するよ
うにした超短波ミキサーにおいて、前記第2電界効果ト
ランジスタ(T2)のドレイン電極を前記局部発振器の
信号の周波数で短絡回路を構成する回路素子(R3)に
より荷電し、前記相互接続点および接地点間にインダク
タ素子(L)を設け、該インダクタ素子は両電界効果ト
ランジスタのドレイン−ソース容量を補償すると共に第
2電界効果トランジスタ(T2)のゲート電極への入力
を安定化するように選定することを特徴とする。
本発明の好適な例では前記第1電界効果トランジスタは
そのゲート電極に無線周波信号を受け、第2電界効果ト
ランジスタはそのゲート電極に局部発振器の信号を受け
るようにする。
第1および/また第2電界効果トランジスタのゲート電
極にはその入力側に無線周波信号および/または局部発
信信号の整合回路を設は得るようにする。
図面につき本発明を説明する。
第1図に示す従来の超短波ミキサーはAsGa基板に設
けられた電界効果トランジスタTいこの場合MESFE
T型のトランジスタを具え、そのソース電極S1を接地
点に接続し、ゲート電極Gl′に局部発信信号LOを受
け、ドレイン電極D1をAsGa基板に設けられた電界
効果トランジスタT2、この場合M8SFIIiT型の
トランジスタのソース電極S2に接続する。電界効果ト
ランジスタT2はそのゲート電極G2に無線周波信号R
Fを受けると共にそのドレイン電極D2により構成され
る出力端子に中間周波信号IFを発生する。
これらゲート電極G1およびG2と接地点との間には夫
々直列接続されたインダクタおよびコンデンサ、即ち電
界効果トランジスタT、に対しては(Ll。
C1)、電界効果トランジスタT2に対してはくシ2゜
C2)を具える2つの給電回路網を配列し、各回路網の
画素子の接地点にゲートバイアス電圧V、を供給する。
最後に、電界効果トランジスタT2のドレイン電極D2
および接地点間に直列接続のインダクタし3およびコン
デンサC3を具える給電回路網を配列する。
インダ・フタL3およびコンデンサC3間の接続点をド
レインバアイス電圧Vdによりバイアスする。
かように構成したかかる回路のトランジスタのゲート電
極の長さはほぼ0.8μmである。
高い周波数で作動するミキサーを形成する必要があり、
従って固有カット−オフ周波数が前述した場合よりも著
しく高いトランジスタを用いる必要がある場合には電界
効果トランジスタT2のゲート電極G2に不安定性が現
れるようになる。この不安定性はゲート電極G2の入力
を不整合にすることにより補償できるが、このゲート電
極に注入される信号の電力、即ちほぼ20 mVの電力
が、著しく増大することを犠牲にすれば、中間周波出力
信号F1および無線周波入力信号RF間の利得率を正し
く保持することを確かめた。
第2図に示す例では電界効果トランジスタT、は整合回
路網R0を経て無線周波入力信号RFを受け、電界効果
トランジスタT2は整合回路網R2を経て局部発信信号
LOを受け、これら回路網に電源を設ける。IEEE 
 )ランザクションズ オン マイクロウェーブ セオ
リー アンド テクニックス 竿32MTT巻、第3号
、1984年3月、第248−255頁に発表されたク
リストスチイロニス等による論文に示されているように
、この駆動モードは特に有利である。その理由は電界効
果トランジスタT2に本質的に非直線性が生じる(相互
コンダクタンスgm2およびチャネル抵抗RD2)と共
に電界効果トランジスタT1によってのみ無線周波信号
を増幅するからである。
高周波信号(LD、 RF)は単位回路網R3を用いて
短絡することができ、この単位回路網はλ/4開放マイ
クロストリップライン(λは局部発信周波数に相当する
波長)又は局部発信周波数で直列共振する集積化型の低
容量値(はぼ1 pF)のコンデンサとすることができ
る(前記クリストスチイロニス等による論文第249頁
■参照)。
本発明によれば、電界効果トランジスタT2のゲート電
極G2の入力は電界効果トランジスタT、のドレイン電
極貼および電界効果トランジスタT2のソース電極S2
の接続点と接地点との間に好適に選定された値のインフ
タ素子し、を配列することにより安定化することができ
る。
第2図に示す回路は第3図に示す回路によって先ず最初
構成することができる。本例ではトランジスタT、(T
2)は容量Cgs+(Cgsz、) 、電圧制御電流源
II(I2)、および出力インピーダンスy+ (yz
)を有する。第2電界効果トランジスタT2のドレイン
電極は局部発信周波数LOで短絡回路を再現する開放回
路ラインR3および接地点に接続された抵抗Rを経て荷
電する。容量Cgs 、に注入された無線周波信号RF
は第1電界効果トランジスタT1により増幅されて第2
電界効果トランジスタT2のソース電極に注入し、この
第2電界効果トランジスタT2ではその容量Cgs2に
注入された局部発信器からの強い局部発信信号LOのた
め非直線性が発生しこれにより中間周波信号FIを発生
しこれを第2電界効果トランジスタT2のドレイン電極
に取出す。
上記出力インピーダンスylおよびy2は次式で表すこ
とができる。
y+ = gd+ + jωCds。
V2 = gd2+ jωCds2 ここに、gd+、 gd2=各電界効果トランジスタT
1およびT2のドレイン−ソースコンダクタンス、(:
ds、、 Cd52 :各電界効果トランジスタT1お
よびT2のドレイン−ソースのキャパシタンスとする。
局部発信周波数LOでは、電界効果トランジスタT2の
ゲート電極G2の入力インピーダンスは次式で表すこと
ができる(インダクタ素子りには無関係)。
ここに、gm2=電界効果トランジスタT2の相互コン
ダクタンス、CgS2=電界効果電界効果トランジスタ
ー2−ソースキャパシタンスする。
不安定性は、高いカット−オフ周波数kを存するトラン
ジスタを用いる際に再び実数項が負となることに起因す
る。
実際上、利得がOdBとなる周波数として規定される電
界効果トランジスタT2のカット−オフ周不安定性は下
記の場合に発生する。
A=gd、+gd2−gm2(Cds、+Cds、)−
Cgsz<0又は ^=gdr”gd2−2πfT2(Cdsl+Cd52
)<Q電界効果トランジスタT2のカット−オフ周波数
fT2が高くなればなる程不安定性が一層重要となる。
この不安定性を除去する解決策は電界効果トランジスタ
T2の入力電極G2を不整合にし、入力インピーダンス
Ziの抵抗項を正とする抵抗を導入することである。こ
の解決策は局部発信信号LDの所要の電力を著しく増大
する欠点がある。
本発明によれば、インダクタ素子りを、電界効果トラン
ジスタT2のソース電極S2に相互接続された電界効果
トランジスタT1のドレイン電極り、と接地点との間に
配列する。
従って、入力インピーダンスZiは次式で表わすことが
できる(常時局部発信周波数L[lにおいて)。
jtIJCgs。
ここに ωT=  2πfT 不安定性は次式の場合に補償される。
即ち、 ここに Cds = Cds+ + Cds2 gd  :gd、 + gd。
ω、  =2πF0 Pa  ”最高局部発振周波数LD かようにして、不安定性を補償する場合には入力を電界
効果トランジスタT2のゲート電極G2に整合し、従っ
て超短波ミキサーを最小電力で制御することができる。
インダクタ素子りを用いることにより他の利点を得るこ
とができる。
先ず最初、このインダクタ素子りを設けることによって
配列の中心点(Dl、 S2)を直流接地点に接続し、
これにより電界効果トランジスタT、およびT2を個別
にバイアスする。
次いで、超短波ミキサーの第1電界効果トランジスタT
1により発生した中間周波数IPの雑音をインダクタ素
子りによって短絡する。これは例えばMBSFBT型の
極めて高い周波数のトランジスタの場合に特に興味ある
ものである。
電界効果トランジスタT、により発生した低周波数の雑
音を電界効果トランジスタT2によって増幅する。
第1電界効果トランジスタT、のドレイン電極り。
(第2電界効果トランジスタT2のソース電極S2)の
電圧Vの値は次式で表すことができる。
ω ここに Rd=  − gd ωl= バCd。
ここに1゜=■1=第1=界効果トランジスタT1によ
り発生した雑音電流 換言すれば、インダクタ素子りによって、中心周波数が
有効受信帯域内にあるバンドパスフィルタを形成し、中
間周波帯域内にあり第1電界効果トランジスタT、によ
り発生した雑音を濾波して除去し得るようにする。
最後にインデノ゛り素子りは電界効果トランジスタT1
のドレイン電極D1の出力を電界効果トランジスタT2
のソース電極S2の入力に整合させるように選定するこ
とができる。この場合の整合条件は次式で表わすことが
できる。
ω8.= 2πFmFrFIPは受信周波数を示し、か
つ、F IIF  # FLO この場合、A’ = gd>Q 第4図に示すように、超短波ミキサーは2段、即ち実際
の混合機能を有する第1段と、バッファを形成する第2
段とを具える。
電界効果トランジスタT1のソース電極SIをバイパス
コンデンサCNIを経て接地し、このソース電極Slは
負電源VSIにより給電し、電界効果トランジスタT2
のドレイン電極D2を直列接続の2素子、即ち抵抗R+
 ’ およびバイパスコンデンサC3を経て接地し、こ
れら画素子の接続点はドレインバイアス電源VD2によ
り給電する。
無線周波信号RFおよび局部発信信号LOは極めて高い
周波数の結合コンデンサC+ ’ およびC2’を経て
夫々供給する。電界効果トランジスタT、のゲート電極
G1の入力整合回路網R,は前記コンデンサC+ ’ 
に直列に配列され、ゲート電極G1に接続されたインダ
クタ素子LI′ を具え、かつコンデンサC+ ’ お
よびインダクタ素子L+ ’ の接続点と、接地点との
間にインダクタ素子L+および極めて高い周波数のバイ
パスコンデンサCIを具える。
インダクタ素子し、およびコンデンサC1の接続点には
ゲートバイアス電圧v91を供給する。電界効果トラン
ジスタT2のゲート電極G2の人力整合回路網R2は前
記コンデンサ02′ に直列に配列され、ゲート電極G
2に接続されたインダクタ素子L2 ’ を具え、かつ
コンデンサC2’ およびインダクタ素子し2′の接続
点と、接地点との間にインダクタ素子し2および極めて
高い周波数のバイパスコンデンサC2を具える。インダ
クタ素子し2およびコンデンサC2の接続点にはゲート
バイアス電圧V、2を供給する。
この回路網は長さがλLO/4の伝送線路SC(λLO
は基板における局部発信周波信号の波長を示す)によっ
て示す。
中間周波(Fl)結合コンデンサC2を電界効果トラン
ジスタT2のドレイン電極D2および電界効果トランジ
スタT、のゲート電極63間に挿入する。このゲート電
極G、は中間周波数バイパスコンデンサC5および抵抗
R,/の共通端子に供給される電圧VD+によりバイア
スする。コンデンサC6の他方の端子を接地点に接続し
、抵抗R2′ の他方の端子をゲート電極G3に接続す
る。電界効果トランジスタT3のドレイン電極り、はド
レインバイアス電圧VD3を受けると共に中間周波バイ
パスコンデンサC6を経て接地点に接続する。電界効果
トランジスタT3のソース電極S、をトランジスタT、
のトレイン電極り、に接続し、このトランジスタT4は
そのソース電極S、を接地点に接続し、ゲート電極G、
をも接地点に接続する。
中間周波信号SIFは中間周波結合コンデンサC1を通
過した後電界効果トランジスタT3のソース電極S3お
よび電界効果トランジスタT4のドレイン電極り、の接
続点で得られる。
第5および6図はインダクタ素子Liを具えない回路配
置と比較して得た第4図に示すミキサーの特性を示し、
この場合、インダクタ素子L 2/を除去し、インダク
タ素子L2の代わりに抵抗を設けて電界効果トランジス
タT2のゲート電極G2において入力を不整合とする。
第5図は200 Mtlzの中間周波数値r1.および
15GHzの局部発信周波数値fLoに対する、局部発
信信号の電力Pの関数としてdBで表す利得を示す。
図中曲線■は従来技術に示す回路のものに相当し、曲線
■は第4図に示す回路のものに相当する。電界効果トラ
ンジスタT2のゲート電極G2の入力が所望のように不
整合となると、発振器の信号電力を従来の回路の場合よ
りも著しく高くする必要がある。
第6図は同様に周波数の関数としてdBで表す利得を示
し、曲線■は従来の回路に対する5、 5mW(7,5
dBm)の局部発信信号の電力 P LOに相当し、曲
線■は第4図の回路に対する1、6mkl (2dBm
>の局部発信信号の電力I’t、oに相当し、いずれの
場合にも、中間周波数は200 MHzとする。曲線■
はこれが1/2以下の局部発信器により供給された電力
に相当するものの曲線■の利得以上の利得を得ることが
できる。
本発明は上述した例に限定されるものではない。
例えば、インダクタ素子は他の手段、即ちマイクロスト
リップライン又は共平面ラインとして既知のインダクタ
又は伝送線路により構成することができる。
又、本発明によるミキサーはAl2O3基板に集積化し
得、かつ、GaAs基板にモノリシックに集積化するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のミキサーの構成を示す回路図、第2図は
本発明ミキサーの構成を示す回路図、第3図は本発明に
よるインダクタ(点線)を設けた第1図の回路の作動を
説明する等価回路図、第4図は第2図に示されるミキサ
ーの一例を示す回路図、 第5および6図は従来の回路および本発明の回路により
得られた利得を200 MHzの中間周波数および15
 GHzの局部発信周波数に対して示す特性図である。 T1〜T4・・・電界効果トランジスタし、  Ll 
〜し3・・・インダクタC8〜C7・・・コンデンサ R1−R3・・・整合回路網 R,R1’ 〜R2’ ・・・抵抗 特許出願人  エヌ・ベー・フィリップス・フルーイラ
ンペンファブリケン

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、第1および第2電界効果トランジスタを具え、一方
    の電界効果トランジスタはそのゲート電極に局部発振器
    の信号を供給し、他方の電界効果トランジスタのゲート
    電極に無線周波入力信号を供給し、第1電界効果トラン
    ジスタはそのソース電極を第1電源端子に接続し、ドイ
    レン電極を第2電界効果トランジスタのソース電極にそ
    の相互接続点で接続し、第2電界効果トランジスタのド
    イレン電極を抵抗を経て第2電源端子に接続するように
    した超短波ミキサーにおいて、前記第2電界効果トラン
    ジスタ(T2)のドレイン電極を前記局部発振器の信号
    の周波数で短絡回路を構成する回路素子(R3)により
    荷電し、前記相互接続点および接地点間にインダクタ素
    子(L)を設け、該インダクタ素子は両電界効果トラン
    ジスタのドレイン−ソース容量を補償すると共に第2電
    界効果トランジスタ(T2)のゲート電極への入力を安
    定化するように選定することを特徴とする超短波ミキサ
    ー。 2、前記第1電界効果トランジスタ(T1)はそのゲー
    ト電極に無線周波信号(RF)を受け、第2電界効果ト
    ランジスタはそのゲート電極に局部発振器の信号を受け
    るようにしたことを特徴とする請求項1に記載の超短波
    ミキサー。 3、前記第1電界効果トランジスタ(T1)のゲート電
    極には受信信号を整合する回路(R1)を設けるように
    したことを特徴とする請求項1又は2に記載の超短波ミ
    キサー。 4、前記第2電界効果トランジスタ(T2)のゲート電
    極には受信信号を整合する回路(R2)を設けるように
    したことを特徴とする請求項1〜3の何れかの項に記載
    の超短波ミキサー。 5、前記インダクタ素子はその値Lを L≦2πfT_2/{2πfT_2Cds−gd} 1
    /ω_0^2とし、ここに、F_T_2は第2電界効果
    トランジスタの0dBにおけるカット−オフ周波数、C
    gS_2は第2電界効果トランジスタのゲート−ソース
    容量、Cds_1およびCds_2は夫々第1および第
    2電界効果トランジスタのドレイン−ソース容量、gd
    _1およびgd3は夫々第1および第2電界効果トラン
    ジスタのコンダクタンスを夫々示し、Cds=Cds_
    1+Cds_2、gd=gd_1+gd_2、ω_0=
    2πF_0、F_0=最高局部発信周波数としたことを
    特徴とする超短波ミキサー。 6、前記インダクタ素子Lはこれを適宜選定して中心周
    波数がほぼ有効受信帯域内にあるバンドパスフィルタを
    形成して中間周波帯域 にあり前記第1電界効果トランジスタT_1により発生
    した雑音を濾波して除去し得るようにしたことを特徴と
    する請求項1に記載の超短波ミキサー。 7、インダクタ素子はその値LをL_0に関連させて L_0=1/Cdsω^2_L_0 とし、ここにω_L_0=2πF_L_0、F_L_0
    は局部発信周波数としたことを特徴とする請求項5又は
    6に記載の超短波ミキサー。
JP63051411A 1987-03-06 1988-03-04 超短波ミキサー Expired - Lifetime JP2765702B2 (ja)

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