JPS63233602A - 超短波ミキサー - Google Patents
超短波ミキサーInfo
- Publication number
- JPS63233602A JPS63233602A JP63051411A JP5141188A JPS63233602A JP S63233602 A JPS63233602 A JP S63233602A JP 63051411 A JP63051411 A JP 63051411A JP 5141188 A JP5141188 A JP 5141188A JP S63233602 A JPS63233602 A JP S63233602A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- field effect
- effect transistor
- frequency
- gate electrode
- inductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 94
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 13
- 101100220616 Caenorhabditis elegans chk-2 gene Proteins 0.000 claims 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 229910017214 AsGa Inorganic materials 0.000 description 2
- 101150043916 Cd52 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 101150040536 CDS2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D9/00—Demodulation or transference of modulation of modulated electromagnetic waves
- H03D9/06—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance
- H03D9/0658—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of semiconductor devices having more than two electrodes
- H03D9/0675—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of semiconductor devices having more than two electrodes using field effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
- H03D2200/0001—Circuit elements of demodulators
- H03D2200/0025—Gain control circuits
- H03D2200/0027—Gain control circuits including arrangements for assuring the same gain in two paths
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/12—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes
- H03D7/125—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes with field effect transistors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は第1および第2電界効果トランジスタを具え、
一方の電界効果トランジスタはそのゲート電極に局部発
振器の信号を供給し、他方の電界効果トランジスタのゲ
ート電極に無線周波入力信号を供給し、第1電界効果ト
ランジスタはそのソース電極を第11i源端子に接続し
、ドイレン電極を第2電界効果トランジスタのソース電
極にその相互接続点で接続し、第21i界効果トランジ
スタのドイレン電極を抵抗を経て第2電源端子に接続す
るようにした超短波ミキサーに関するものである。
一方の電界効果トランジスタはそのゲート電極に局部発
振器の信号を供給し、他方の電界効果トランジスタのゲ
ート電極に無線周波入力信号を供給し、第1電界効果ト
ランジスタはそのソース電極を第11i源端子に接続し
、ドイレン電極を第2電界効果トランジスタのソース電
極にその相互接続点で接続し、第21i界効果トランジ
スタのドイレン電極を抵抗を経て第2電源端子に接続す
るようにした超短波ミキサーに関するものである。
この種ミキサーは“ブロシーデインダス オブザ シッ
クス ヨーロピアン マイクロウェーブ コンファレン
ス″ローマ 1976年9月14−17日第8−13頁
にピーク・ハロツブ等による論文に記載されている。こ
のミキサーはほぼ?−9GHzの範囲内で作動するよう
設計されている。
クス ヨーロピアン マイクロウェーブ コンファレン
ス″ローマ 1976年9月14−17日第8−13頁
にピーク・ハロツブ等による論文に記載されている。こ
のミキサーはほぼ?−9GHzの範囲内で作動するよう
設計されている。
電界トランジスタのカット−オフ周波数f、が高くなれ
ばなる程第2電界効果トランジスタのゲート電極の入力
が不安定となることを確かめた。
ばなる程第2電界効果トランジスタのゲート電極の入力
が不安定となることを確かめた。
この不安定性は両電界効果トランジスタのドレイン−ソ
ース容量に依存すると共にこれら電界効果トランジスタ
のカット−オフ周波数f、の影響を受け、そのゲート−
ドレイン容量がこの不安定性に影響を与えなくなる。
ース容量に依存すると共にこれら電界効果トランジスタ
のカット−オフ周波数f、の影響を受け、そのゲート−
ドレイン容量がこの不安定性に影響を与えなくなる。
本発明の目的はこの不安定性を制御し得るように補償を
行うようにした上述した超短波ミキサーを提供せんとす
るにある。
行うようにした上述した超短波ミキサーを提供せんとす
るにある。
本発明は第1および第2電界効果トランジスタを具え、
一方の電界効果トランジスタはそのゲート電極に局部発
振器の信号を供給し、他方の電界効果トランジスタのゲ
ート電極に無線周波入力信号を供給し、第1電界効果ト
ランジスタはそのソース電極を第1電源端子に接続し、
ドイレン電極を第2電界効果トランジスタのソース電極
にその相互接続点で接続し、第2電界効果トランジスタ
のドイレン電極を抵抗を経て第2電源端子に接続するよ
うにした超短波ミキサーにおいて、前記第2電界効果ト
ランジスタ(T2)のドレイン電極を前記局部発振器の
信号の周波数で短絡回路を構成する回路素子(R3)に
より荷電し、前記相互接続点および接地点間にインダク
タ素子(L)を設け、該インダクタ素子は両電界効果ト
ランジスタのドレイン−ソース容量を補償すると共に第
2電界効果トランジスタ(T2)のゲート電極への入力
を安定化するように選定することを特徴とする。
一方の電界効果トランジスタはそのゲート電極に局部発
振器の信号を供給し、他方の電界効果トランジスタのゲ
ート電極に無線周波入力信号を供給し、第1電界効果ト
ランジスタはそのソース電極を第1電源端子に接続し、
ドイレン電極を第2電界効果トランジスタのソース電極
にその相互接続点で接続し、第2電界効果トランジスタ
のドイレン電極を抵抗を経て第2電源端子に接続するよ
うにした超短波ミキサーにおいて、前記第2電界効果ト
ランジスタ(T2)のドレイン電極を前記局部発振器の
信号の周波数で短絡回路を構成する回路素子(R3)に
より荷電し、前記相互接続点および接地点間にインダク
タ素子(L)を設け、該インダクタ素子は両電界効果ト
ランジスタのドレイン−ソース容量を補償すると共に第
2電界効果トランジスタ(T2)のゲート電極への入力
を安定化するように選定することを特徴とする。
本発明の好適な例では前記第1電界効果トランジスタは
そのゲート電極に無線周波信号を受け、第2電界効果ト
ランジスタはそのゲート電極に局部発振器の信号を受け
るようにする。
そのゲート電極に無線周波信号を受け、第2電界効果ト
ランジスタはそのゲート電極に局部発振器の信号を受け
るようにする。
第1および/また第2電界効果トランジスタのゲート電
極にはその入力側に無線周波信号および/または局部発
信信号の整合回路を設は得るようにする。
極にはその入力側に無線周波信号および/または局部発
信信号の整合回路を設は得るようにする。
図面につき本発明を説明する。
第1図に示す従来の超短波ミキサーはAsGa基板に設
けられた電界効果トランジスタTいこの場合MESFE
T型のトランジスタを具え、そのソース電極S1を接地
点に接続し、ゲート電極Gl′に局部発信信号LOを受
け、ドレイン電極D1をAsGa基板に設けられた電界
効果トランジスタT2、この場合M8SFIIiT型の
トランジスタのソース電極S2に接続する。電界効果ト
ランジスタT2はそのゲート電極G2に無線周波信号R
Fを受けると共にそのドレイン電極D2により構成され
る出力端子に中間周波信号IFを発生する。
けられた電界効果トランジスタTいこの場合MESFE
T型のトランジスタを具え、そのソース電極S1を接地
点に接続し、ゲート電極Gl′に局部発信信号LOを受
け、ドレイン電極D1をAsGa基板に設けられた電界
効果トランジスタT2、この場合M8SFIIiT型の
トランジスタのソース電極S2に接続する。電界効果ト
ランジスタT2はそのゲート電極G2に無線周波信号R
Fを受けると共にそのドレイン電極D2により構成され
る出力端子に中間周波信号IFを発生する。
これらゲート電極G1およびG2と接地点との間には夫
々直列接続されたインダクタおよびコンデンサ、即ち電
界効果トランジスタT、に対しては(Ll。
々直列接続されたインダクタおよびコンデンサ、即ち電
界効果トランジスタT、に対しては(Ll。
C1)、電界効果トランジスタT2に対してはくシ2゜
C2)を具える2つの給電回路網を配列し、各回路網の
画素子の接地点にゲートバイアス電圧V、を供給する。
C2)を具える2つの給電回路網を配列し、各回路網の
画素子の接地点にゲートバイアス電圧V、を供給する。
最後に、電界効果トランジスタT2のドレイン電極D2
および接地点間に直列接続のインダクタし3およびコン
デンサC3を具える給電回路網を配列する。
および接地点間に直列接続のインダクタし3およびコン
デンサC3を具える給電回路網を配列する。
インダ・フタL3およびコンデンサC3間の接続点をド
レインバアイス電圧Vdによりバイアスする。
レインバアイス電圧Vdによりバイアスする。
かように構成したかかる回路のトランジスタのゲート電
極の長さはほぼ0.8μmである。
極の長さはほぼ0.8μmである。
高い周波数で作動するミキサーを形成する必要があり、
従って固有カット−オフ周波数が前述した場合よりも著
しく高いトランジスタを用いる必要がある場合には電界
効果トランジスタT2のゲート電極G2に不安定性が現
れるようになる。この不安定性はゲート電極G2の入力
を不整合にすることにより補償できるが、このゲート電
極に注入される信号の電力、即ちほぼ20 mVの電力
が、著しく増大することを犠牲にすれば、中間周波出力
信号F1および無線周波入力信号RF間の利得率を正し
く保持することを確かめた。
従って固有カット−オフ周波数が前述した場合よりも著
しく高いトランジスタを用いる必要がある場合には電界
効果トランジスタT2のゲート電極G2に不安定性が現
れるようになる。この不安定性はゲート電極G2の入力
を不整合にすることにより補償できるが、このゲート電
極に注入される信号の電力、即ちほぼ20 mVの電力
が、著しく増大することを犠牲にすれば、中間周波出力
信号F1および無線周波入力信号RF間の利得率を正し
く保持することを確かめた。
第2図に示す例では電界効果トランジスタT、は整合回
路網R0を経て無線周波入力信号RFを受け、電界効果
トランジスタT2は整合回路網R2を経て局部発信信号
LOを受け、これら回路網に電源を設ける。IEEE
)ランザクションズ オン マイクロウェーブ セオ
リー アンド テクニックス 竿32MTT巻、第3号
、1984年3月、第248−255頁に発表されたク
リストスチイロニス等による論文に示されているように
、この駆動モードは特に有利である。その理由は電界効
果トランジスタT2に本質的に非直線性が生じる(相互
コンダクタンスgm2およびチャネル抵抗RD2)と共
に電界効果トランジスタT1によってのみ無線周波信号
を増幅するからである。
路網R0を経て無線周波入力信号RFを受け、電界効果
トランジスタT2は整合回路網R2を経て局部発信信号
LOを受け、これら回路網に電源を設ける。IEEE
)ランザクションズ オン マイクロウェーブ セオ
リー アンド テクニックス 竿32MTT巻、第3号
、1984年3月、第248−255頁に発表されたク
リストスチイロニス等による論文に示されているように
、この駆動モードは特に有利である。その理由は電界効
果トランジスタT2に本質的に非直線性が生じる(相互
コンダクタンスgm2およびチャネル抵抗RD2)と共
に電界効果トランジスタT1によってのみ無線周波信号
を増幅するからである。
高周波信号(LD、 RF)は単位回路網R3を用いて
短絡することができ、この単位回路網はλ/4開放マイ
クロストリップライン(λは局部発信周波数に相当する
波長)又は局部発信周波数で直列共振する集積化型の低
容量値(はぼ1 pF)のコンデンサとすることができ
る(前記クリストスチイロニス等による論文第249頁
■参照)。
短絡することができ、この単位回路網はλ/4開放マイ
クロストリップライン(λは局部発信周波数に相当する
波長)又は局部発信周波数で直列共振する集積化型の低
容量値(はぼ1 pF)のコンデンサとすることができ
る(前記クリストスチイロニス等による論文第249頁
■参照)。
本発明によれば、電界効果トランジスタT2のゲート電
極G2の入力は電界効果トランジスタT、のドレイン電
極貼および電界効果トランジスタT2のソース電極S2
の接続点と接地点との間に好適に選定された値のインフ
タ素子し、を配列することにより安定化することができ
る。
極G2の入力は電界効果トランジスタT、のドレイン電
極貼および電界効果トランジスタT2のソース電極S2
の接続点と接地点との間に好適に選定された値のインフ
タ素子し、を配列することにより安定化することができ
る。
第2図に示す回路は第3図に示す回路によって先ず最初
構成することができる。本例ではトランジスタT、(T
2)は容量Cgs+(Cgsz、) 、電圧制御電流源
II(I2)、および出力インピーダンスy+ (yz
)を有する。第2電界効果トランジスタT2のドレイン
電極は局部発信周波数LOで短絡回路を再現する開放回
路ラインR3および接地点に接続された抵抗Rを経て荷
電する。容量Cgs 、に注入された無線周波信号RF
は第1電界効果トランジスタT1により増幅されて第2
電界効果トランジスタT2のソース電極に注入し、この
第2電界効果トランジスタT2ではその容量Cgs2に
注入された局部発信器からの強い局部発信信号LOのた
め非直線性が発生しこれにより中間周波信号FIを発生
しこれを第2電界効果トランジスタT2のドレイン電極
に取出す。
構成することができる。本例ではトランジスタT、(T
2)は容量Cgs+(Cgsz、) 、電圧制御電流源
II(I2)、および出力インピーダンスy+ (yz
)を有する。第2電界効果トランジスタT2のドレイン
電極は局部発信周波数LOで短絡回路を再現する開放回
路ラインR3および接地点に接続された抵抗Rを経て荷
電する。容量Cgs 、に注入された無線周波信号RF
は第1電界効果トランジスタT1により増幅されて第2
電界効果トランジスタT2のソース電極に注入し、この
第2電界効果トランジスタT2ではその容量Cgs2に
注入された局部発信器からの強い局部発信信号LOのた
め非直線性が発生しこれにより中間周波信号FIを発生
しこれを第2電界効果トランジスタT2のドレイン電極
に取出す。
上記出力インピーダンスylおよびy2は次式で表すこ
とができる。
とができる。
y+ = gd+ + jωCds。
V2 = gd2+ jωCds2
ここに、gd+、 gd2=各電界効果トランジスタT
1およびT2のドレイン−ソースコンダクタンス、(:
ds、、 Cd52 :各電界効果トランジスタT1お
よびT2のドレイン−ソースのキャパシタンスとする。
1およびT2のドレイン−ソースコンダクタンス、(:
ds、、 Cd52 :各電界効果トランジスタT1お
よびT2のドレイン−ソースのキャパシタンスとする。
局部発信周波数LOでは、電界効果トランジスタT2の
ゲート電極G2の入力インピーダンスは次式で表すこと
ができる(インダクタ素子りには無関係)。
ゲート電極G2の入力インピーダンスは次式で表すこと
ができる(インダクタ素子りには無関係)。
ここに、gm2=電界効果トランジスタT2の相互コン
ダクタンス、CgS2=電界効果電界効果トランジスタ
ー2−ソースキャパシタンスする。
ダクタンス、CgS2=電界効果電界効果トランジスタ
ー2−ソースキャパシタンスする。
不安定性は、高いカット−オフ周波数kを存するトラン
ジスタを用いる際に再び実数項が負となることに起因す
る。
ジスタを用いる際に再び実数項が負となることに起因す
る。
実際上、利得がOdBとなる周波数として規定される電
界効果トランジスタT2のカット−オフ周不安定性は下
記の場合に発生する。
界効果トランジスタT2のカット−オフ周不安定性は下
記の場合に発生する。
A=gd、+gd2−gm2(Cds、+Cds、)−
Cgsz<0又は ^=gdr”gd2−2πfT2(Cdsl+Cd52
)<Q電界効果トランジスタT2のカット−オフ周波数
fT2が高くなればなる程不安定性が一層重要となる。
Cgsz<0又は ^=gdr”gd2−2πfT2(Cdsl+Cd52
)<Q電界効果トランジスタT2のカット−オフ周波数
fT2が高くなればなる程不安定性が一層重要となる。
この不安定性を除去する解決策は電界効果トランジスタ
T2の入力電極G2を不整合にし、入力インピーダンス
Ziの抵抗項を正とする抵抗を導入することである。こ
の解決策は局部発信信号LDの所要の電力を著しく増大
する欠点がある。
T2の入力電極G2を不整合にし、入力インピーダンス
Ziの抵抗項を正とする抵抗を導入することである。こ
の解決策は局部発信信号LDの所要の電力を著しく増大
する欠点がある。
本発明によれば、インダクタ素子りを、電界効果トラン
ジスタT2のソース電極S2に相互接続された電界効果
トランジスタT1のドレイン電極り、と接地点との間に
配列する。
ジスタT2のソース電極S2に相互接続された電界効果
トランジスタT1のドレイン電極り、と接地点との間に
配列する。
従って、入力インピーダンスZiは次式で表わすことが
できる(常時局部発信周波数L[lにおいて)。
できる(常時局部発信周波数L[lにおいて)。
jtIJCgs。
ここに ωT= 2πfT
不安定性は次式の場合に補償される。
即ち、
ここに
Cds = Cds+ + Cds2
gd :gd、 + gd。
ω、 =2πF0
Pa ”最高局部発振周波数LD
かようにして、不安定性を補償する場合には入力を電界
効果トランジスタT2のゲート電極G2に整合し、従っ
て超短波ミキサーを最小電力で制御することができる。
効果トランジスタT2のゲート電極G2に整合し、従っ
て超短波ミキサーを最小電力で制御することができる。
インダクタ素子りを用いることにより他の利点を得るこ
とができる。
とができる。
先ず最初、このインダクタ素子りを設けることによって
配列の中心点(Dl、 S2)を直流接地点に接続し、
これにより電界効果トランジスタT、およびT2を個別
にバイアスする。
配列の中心点(Dl、 S2)を直流接地点に接続し、
これにより電界効果トランジスタT、およびT2を個別
にバイアスする。
次いで、超短波ミキサーの第1電界効果トランジスタT
1により発生した中間周波数IPの雑音をインダクタ素
子りによって短絡する。これは例えばMBSFBT型の
極めて高い周波数のトランジスタの場合に特に興味ある
ものである。
1により発生した中間周波数IPの雑音をインダクタ素
子りによって短絡する。これは例えばMBSFBT型の
極めて高い周波数のトランジスタの場合に特に興味ある
ものである。
電界効果トランジスタT、により発生した低周波数の雑
音を電界効果トランジスタT2によって増幅する。
音を電界効果トランジスタT2によって増幅する。
第1電界効果トランジスタT、のドレイン電極り。
(第2電界効果トランジスタT2のソース電極S2)の
電圧Vの値は次式で表すことができる。
電圧Vの値は次式で表すことができる。
ω
ここに
Rd= −
gd
ωl=
バCd。
ここに1゜=■1=第1=界効果トランジスタT1によ
り発生した雑音電流 換言すれば、インダクタ素子りによって、中心周波数が
有効受信帯域内にあるバンドパスフィルタを形成し、中
間周波帯域内にあり第1電界効果トランジスタT、によ
り発生した雑音を濾波して除去し得るようにする。
り発生した雑音電流 換言すれば、インダクタ素子りによって、中心周波数が
有効受信帯域内にあるバンドパスフィルタを形成し、中
間周波帯域内にあり第1電界効果トランジスタT、によ
り発生した雑音を濾波して除去し得るようにする。
最後にインデノ゛り素子りは電界効果トランジスタT1
のドレイン電極D1の出力を電界効果トランジスタT2
のソース電極S2の入力に整合させるように選定するこ
とができる。この場合の整合条件は次式で表わすことが
できる。
のドレイン電極D1の出力を電界効果トランジスタT2
のソース電極S2の入力に整合させるように選定するこ
とができる。この場合の整合条件は次式で表わすことが
できる。
ω8.= 2πFmFrFIPは受信周波数を示し、か
つ、F IIF # FLO この場合、A’ = gd>Q 第4図に示すように、超短波ミキサーは2段、即ち実際
の混合機能を有する第1段と、バッファを形成する第2
段とを具える。
つ、F IIF # FLO この場合、A’ = gd>Q 第4図に示すように、超短波ミキサーは2段、即ち実際
の混合機能を有する第1段と、バッファを形成する第2
段とを具える。
電界効果トランジスタT1のソース電極SIをバイパス
コンデンサCNIを経て接地し、このソース電極Slは
負電源VSIにより給電し、電界効果トランジスタT2
のドレイン電極D2を直列接続の2素子、即ち抵抗R+
’ およびバイパスコンデンサC3を経て接地し、こ
れら画素子の接続点はドレインバイアス電源VD2によ
り給電する。
コンデンサCNIを経て接地し、このソース電極Slは
負電源VSIにより給電し、電界効果トランジスタT2
のドレイン電極D2を直列接続の2素子、即ち抵抗R+
’ およびバイパスコンデンサC3を経て接地し、こ
れら画素子の接続点はドレインバイアス電源VD2によ
り給電する。
無線周波信号RFおよび局部発信信号LOは極めて高い
周波数の結合コンデンサC+ ’ およびC2’を経て
夫々供給する。電界効果トランジスタT、のゲート電極
G1の入力整合回路網R,は前記コンデンサC+ ’
に直列に配列され、ゲート電極G1に接続されたインダ
クタ素子LI′ を具え、かつコンデンサC+ ’ お
よびインダクタ素子L+ ’ の接続点と、接地点との
間にインダクタ素子L+および極めて高い周波数のバイ
パスコンデンサCIを具える。
周波数の結合コンデンサC+ ’ およびC2’を経て
夫々供給する。電界効果トランジスタT、のゲート電極
G1の入力整合回路網R,は前記コンデンサC+ ’
に直列に配列され、ゲート電極G1に接続されたインダ
クタ素子LI′ を具え、かつコンデンサC+ ’ お
よびインダクタ素子L+ ’ の接続点と、接地点との
間にインダクタ素子L+および極めて高い周波数のバイ
パスコンデンサCIを具える。
インダクタ素子し、およびコンデンサC1の接続点には
ゲートバイアス電圧v91を供給する。電界効果トラン
ジスタT2のゲート電極G2の人力整合回路網R2は前
記コンデンサ02′ に直列に配列され、ゲート電極G
2に接続されたインダクタ素子L2 ’ を具え、かつ
コンデンサC2’ およびインダクタ素子し2′の接続
点と、接地点との間にインダクタ素子し2および極めて
高い周波数のバイパスコンデンサC2を具える。インダ
クタ素子し2およびコンデンサC2の接続点にはゲート
バイアス電圧V、2を供給する。
ゲートバイアス電圧v91を供給する。電界効果トラン
ジスタT2のゲート電極G2の人力整合回路網R2は前
記コンデンサ02′ に直列に配列され、ゲート電極G
2に接続されたインダクタ素子L2 ’ を具え、かつ
コンデンサC2’ およびインダクタ素子し2′の接続
点と、接地点との間にインダクタ素子し2および極めて
高い周波数のバイパスコンデンサC2を具える。インダ
クタ素子し2およびコンデンサC2の接続点にはゲート
バイアス電圧V、2を供給する。
この回路網は長さがλLO/4の伝送線路SC(λLO
は基板における局部発信周波信号の波長を示す)によっ
て示す。
は基板における局部発信周波信号の波長を示す)によっ
て示す。
中間周波(Fl)結合コンデンサC2を電界効果トラン
ジスタT2のドレイン電極D2および電界効果トランジ
スタT、のゲート電極63間に挿入する。このゲート電
極G、は中間周波数バイパスコンデンサC5および抵抗
R,/の共通端子に供給される電圧VD+によりバイア
スする。コンデンサC6の他方の端子を接地点に接続し
、抵抗R2′ の他方の端子をゲート電極G3に接続す
る。電界効果トランジスタT3のドレイン電極り、はド
レインバイアス電圧VD3を受けると共に中間周波バイ
パスコンデンサC6を経て接地点に接続する。電界効果
トランジスタT3のソース電極S、をトランジスタT、
のトレイン電極り、に接続し、このトランジスタT4は
そのソース電極S、を接地点に接続し、ゲート電極G、
をも接地点に接続する。
ジスタT2のドレイン電極D2および電界効果トランジ
スタT、のゲート電極63間に挿入する。このゲート電
極G、は中間周波数バイパスコンデンサC5および抵抗
R,/の共通端子に供給される電圧VD+によりバイア
スする。コンデンサC6の他方の端子を接地点に接続し
、抵抗R2′ の他方の端子をゲート電極G3に接続す
る。電界効果トランジスタT3のドレイン電極り、はド
レインバイアス電圧VD3を受けると共に中間周波バイ
パスコンデンサC6を経て接地点に接続する。電界効果
トランジスタT3のソース電極S、をトランジスタT、
のトレイン電極り、に接続し、このトランジスタT4は
そのソース電極S、を接地点に接続し、ゲート電極G、
をも接地点に接続する。
中間周波信号SIFは中間周波結合コンデンサC1を通
過した後電界効果トランジスタT3のソース電極S3お
よび電界効果トランジスタT4のドレイン電極り、の接
続点で得られる。
過した後電界効果トランジスタT3のソース電極S3お
よび電界効果トランジスタT4のドレイン電極り、の接
続点で得られる。
第5および6図はインダクタ素子Liを具えない回路配
置と比較して得た第4図に示すミキサーの特性を示し、
この場合、インダクタ素子L 2/を除去し、インダク
タ素子L2の代わりに抵抗を設けて電界効果トランジス
タT2のゲート電極G2において入力を不整合とする。
置と比較して得た第4図に示すミキサーの特性を示し、
この場合、インダクタ素子L 2/を除去し、インダク
タ素子L2の代わりに抵抗を設けて電界効果トランジス
タT2のゲート電極G2において入力を不整合とする。
第5図は200 Mtlzの中間周波数値r1.および
15GHzの局部発信周波数値fLoに対する、局部発
信信号の電力Pの関数としてdBで表す利得を示す。
15GHzの局部発信周波数値fLoに対する、局部発
信信号の電力Pの関数としてdBで表す利得を示す。
図中曲線■は従来技術に示す回路のものに相当し、曲線
■は第4図に示す回路のものに相当する。電界効果トラ
ンジスタT2のゲート電極G2の入力が所望のように不
整合となると、発振器の信号電力を従来の回路の場合よ
りも著しく高くする必要がある。
■は第4図に示す回路のものに相当する。電界効果トラ
ンジスタT2のゲート電極G2の入力が所望のように不
整合となると、発振器の信号電力を従来の回路の場合よ
りも著しく高くする必要がある。
第6図は同様に周波数の関数としてdBで表す利得を示
し、曲線■は従来の回路に対する5、 5mW(7,5
dBm)の局部発信信号の電力 P LOに相当し、曲
線■は第4図の回路に対する1、6mkl (2dBm
>の局部発信信号の電力I’t、oに相当し、いずれの
場合にも、中間周波数は200 MHzとする。曲線■
はこれが1/2以下の局部発信器により供給された電力
に相当するものの曲線■の利得以上の利得を得ることが
できる。
し、曲線■は従来の回路に対する5、 5mW(7,5
dBm)の局部発信信号の電力 P LOに相当し、曲
線■は第4図の回路に対する1、6mkl (2dBm
>の局部発信信号の電力I’t、oに相当し、いずれの
場合にも、中間周波数は200 MHzとする。曲線■
はこれが1/2以下の局部発信器により供給された電力
に相当するものの曲線■の利得以上の利得を得ることが
できる。
本発明は上述した例に限定されるものではない。
例えば、インダクタ素子は他の手段、即ちマイクロスト
リップライン又は共平面ラインとして既知のインダクタ
又は伝送線路により構成することができる。
リップライン又は共平面ラインとして既知のインダクタ
又は伝送線路により構成することができる。
又、本発明によるミキサーはAl2O3基板に集積化し
得、かつ、GaAs基板にモノリシックに集積化するこ
とができる。
得、かつ、GaAs基板にモノリシックに集積化するこ
とができる。
第1図は従来のミキサーの構成を示す回路図、第2図は
本発明ミキサーの構成を示す回路図、第3図は本発明に
よるインダクタ(点線)を設けた第1図の回路の作動を
説明する等価回路図、第4図は第2図に示されるミキサ
ーの一例を示す回路図、 第5および6図は従来の回路および本発明の回路により
得られた利得を200 MHzの中間周波数および15
GHzの局部発信周波数に対して示す特性図である。 T1〜T4・・・電界効果トランジスタし、 Ll
〜し3・・・インダクタC8〜C7・・・コンデンサ R1−R3・・・整合回路網 R,R1’ 〜R2’ ・・・抵抗 特許出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイラ
ンペンファブリケン
本発明ミキサーの構成を示す回路図、第3図は本発明に
よるインダクタ(点線)を設けた第1図の回路の作動を
説明する等価回路図、第4図は第2図に示されるミキサ
ーの一例を示す回路図、 第5および6図は従来の回路および本発明の回路により
得られた利得を200 MHzの中間周波数および15
GHzの局部発信周波数に対して示す特性図である。 T1〜T4・・・電界効果トランジスタし、 Ll
〜し3・・・インダクタC8〜C7・・・コンデンサ R1−R3・・・整合回路網 R,R1’ 〜R2’ ・・・抵抗 特許出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイラ
ンペンファブリケン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、第1および第2電界効果トランジスタを具え、一方
の電界効果トランジスタはそのゲート電極に局部発振器
の信号を供給し、他方の電界効果トランジスタのゲート
電極に無線周波入力信号を供給し、第1電界効果トラン
ジスタはそのソース電極を第1電源端子に接続し、ドイ
レン電極を第2電界効果トランジスタのソース電極にそ
の相互接続点で接続し、第2電界効果トランジスタのド
イレン電極を抵抗を経て第2電源端子に接続するように
した超短波ミキサーにおいて、前記第2電界効果トラン
ジスタ(T2)のドレイン電極を前記局部発振器の信号
の周波数で短絡回路を構成する回路素子(R3)により
荷電し、前記相互接続点および接地点間にインダクタ素
子(L)を設け、該インダクタ素子は両電界効果トラン
ジスタのドレイン−ソース容量を補償すると共に第2電
界効果トランジスタ(T2)のゲート電極への入力を安
定化するように選定することを特徴とする超短波ミキサ
ー。 2、前記第1電界効果トランジスタ(T1)はそのゲー
ト電極に無線周波信号(RF)を受け、第2電界効果ト
ランジスタはそのゲート電極に局部発振器の信号を受け
るようにしたことを特徴とする請求項1に記載の超短波
ミキサー。 3、前記第1電界効果トランジスタ(T1)のゲート電
極には受信信号を整合する回路(R1)を設けるように
したことを特徴とする請求項1又は2に記載の超短波ミ
キサー。 4、前記第2電界効果トランジスタ(T2)のゲート電
極には受信信号を整合する回路(R2)を設けるように
したことを特徴とする請求項1〜3の何れかの項に記載
の超短波ミキサー。 5、前記インダクタ素子はその値Lを L≦2πfT_2/{2πfT_2Cds−gd} 1
/ω_0^2とし、ここに、F_T_2は第2電界効果
トランジスタの0dBにおけるカット−オフ周波数、C
gS_2は第2電界効果トランジスタのゲート−ソース
容量、Cds_1およびCds_2は夫々第1および第
2電界効果トランジスタのドレイン−ソース容量、gd
_1およびgd3は夫々第1および第2電界効果トラン
ジスタのコンダクタンスを夫々示し、Cds=Cds_
1+Cds_2、gd=gd_1+gd_2、ω_0=
2πF_0、F_0=最高局部発信周波数としたことを
特徴とする超短波ミキサー。 6、前記インダクタ素子Lはこれを適宜選定して中心周
波数がほぼ有効受信帯域内にあるバンドパスフィルタを
形成して中間周波帯域 にあり前記第1電界効果トランジスタT_1により発生
した雑音を濾波して除去し得るようにしたことを特徴と
する請求項1に記載の超短波ミキサー。 7、インダクタ素子はその値LをL_0に関連させて L_0=1/Cdsω^2_L_0 とし、ここにω_L_0=2πF_L_0、F_L_0
は局部発信周波数としたことを特徴とする請求項5又は
6に記載の超短波ミキサー。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8703084A FR2612018B1 (fr) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | Melangeur hyperfrequences |
FR8703084 | 1987-03-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63233602A true JPS63233602A (ja) | 1988-09-29 |
JP2765702B2 JP2765702B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=9348690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63051411A Expired - Lifetime JP2765702B2 (ja) | 1987-03-06 | 1988-03-04 | 超短波ミキサー |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4845389A (ja) |
EP (1) | EP0283074B1 (ja) |
JP (1) | JP2765702B2 (ja) |
DE (1) | DE3866384D1 (ja) |
FR (1) | FR2612018B1 (ja) |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3836143C2 (de) * | 1988-08-19 | 1996-04-11 | Kabelmetal Electro Gmbh | Mischer für Hochfrequenz- Sende- und Empfangsanordnungen |
FR2636792A1 (fr) * | 1988-09-22 | 1990-03-23 | Alcatel Transmission | Diviseur de frequence pour micro-ondes |
JPH0385006A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-10 | Murata Mfg Co Ltd | Uhf帯トランジスタミキサ回路 |
US5010261A (en) * | 1989-12-08 | 1991-04-23 | General Electric Company | Lossless gate driver circuit for a high frequency converter |
US5039891A (en) * | 1989-12-20 | 1991-08-13 | Hughes Aircraft Company | Planar broadband FET balun |
JPH0773202B2 (ja) * | 1989-12-28 | 1995-08-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体集積回路 |
US5083050A (en) * | 1990-11-30 | 1992-01-21 | Grumman Aerospace Corporation | Modified cascode mixer circuit |
US5220688A (en) * | 1991-07-18 | 1993-06-15 | Industrial Technology Research Institute | Frequency translating circuit with multiple stages using common local oscillator |
FR2682836A1 (fr) * | 1991-10-18 | 1993-04-23 | Philips Electronique Lab | Circuit integre monolithique incluant plusieurs blocs fonctionnels couples entre eux, en hautes et/ou hyperfrequences, et une ligne de distribution de tension continue. |
JPH05259745A (ja) * | 1992-03-11 | 1993-10-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ミキサ回路 |
US5332938A (en) * | 1992-04-06 | 1994-07-26 | Regents Of The University Of California | High voltage MOSFET switching circuit |
US5325000A (en) * | 1993-04-30 | 1994-06-28 | Motorola, Inc. | Frequency mixing circuit with impedance transforming power combiner |
JP2936998B2 (ja) * | 1994-03-15 | 1999-08-23 | 日本電気株式会社 | 周波数変換器 |
US5551076A (en) * | 1994-09-06 | 1996-08-27 | Motorola, Inc. | Circuit and method of series biasing a single-ended mixer |
JP3227641B2 (ja) * | 1994-10-28 | 2001-11-12 | 株式会社村田製作所 | ミキサ回路および周波数変換方法 |
DE69613628T2 (de) * | 1995-04-12 | 2002-05-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Eingangsschaltung |
US5852771A (en) * | 1996-06-14 | 1998-12-22 | The Whitaker Corporation | Mixer with two diodes including DC coupled if |
US5767726A (en) * | 1996-10-21 | 1998-06-16 | Lucent Technologies Inc. | Four terminal RF mixer device |
US7515896B1 (en) | 1998-10-21 | 2009-04-07 | Parkervision, Inc. | Method and system for down-converting an electromagnetic signal, and transforms for same, and aperture relationships |
US6061551A (en) | 1998-10-21 | 2000-05-09 | Parkervision, Inc. | Method and system for down-converting electromagnetic signals |
US6351632B1 (en) | 1998-10-13 | 2002-02-26 | Institute Of Microelectronics | Mixer with high order intermodulation suppression and robust conversion gain |
US6370371B1 (en) | 1998-10-21 | 2002-04-09 | Parkervision, Inc. | Applications of universal frequency translation |
US6813485B2 (en) * | 1998-10-21 | 2004-11-02 | Parkervision, Inc. | Method and system for down-converting and up-converting an electromagnetic signal, and transforms for same |
US7236754B2 (en) | 1999-08-23 | 2007-06-26 | Parkervision, Inc. | Method and system for frequency up-conversion |
US7039372B1 (en) | 1998-10-21 | 2006-05-02 | Parkervision, Inc. | Method and system for frequency up-conversion with modulation embodiments |
US6879817B1 (en) * | 1999-04-16 | 2005-04-12 | Parkervision, Inc. | DC offset, re-radiation, and I/Q solutions using universal frequency translation technology |
US6853690B1 (en) | 1999-04-16 | 2005-02-08 | Parkervision, Inc. | Method, system and apparatus for balanced frequency up-conversion of a baseband signal and 4-phase receiver and transceiver embodiments |
US7693230B2 (en) | 1999-04-16 | 2010-04-06 | Parkervision, Inc. | Apparatus and method of differential IQ frequency up-conversion |
US7110444B1 (en) | 1999-08-04 | 2006-09-19 | Parkervision, Inc. | Wireless local area network (WLAN) using universal frequency translation technology including multi-phase embodiments and circuit implementations |
US7065162B1 (en) | 1999-04-16 | 2006-06-20 | Parkervision, Inc. | Method and system for down-converting an electromagnetic signal, and transforms for same |
US8295406B1 (en) | 1999-08-04 | 2012-10-23 | Parkervision, Inc. | Universal platform module for a plurality of communication protocols |
US7010286B2 (en) | 2000-04-14 | 2006-03-07 | Parkervision, Inc. | Apparatus, system, and method for down-converting and up-converting electromagnetic signals |
US6388501B2 (en) * | 2000-04-17 | 2002-05-14 | Prominenet Communications Inc. | MOSFET mixer for low supply voltage |
US7454453B2 (en) | 2000-11-14 | 2008-11-18 | Parkervision, Inc. | Methods, systems, and computer program products for parallel correlation and applications thereof |
US7010559B2 (en) * | 2000-11-14 | 2006-03-07 | Parkervision, Inc. | Method and apparatus for a parallel correlator and applications thereof |
JP2003078355A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | ミキサ回路 |
US7072427B2 (en) | 2001-11-09 | 2006-07-04 | Parkervision, Inc. | Method and apparatus for reducing DC offsets in a communication system |
US7321640B2 (en) * | 2002-06-07 | 2008-01-22 | Parkervision, Inc. | Active polyphase inverter filter for quadrature signal generation |
US7379883B2 (en) | 2002-07-18 | 2008-05-27 | Parkervision, Inc. | Networking methods and systems |
US7460584B2 (en) | 2002-07-18 | 2008-12-02 | Parkervision, Inc. | Networking methods and systems |
US20070038560A1 (en) * | 2005-08-12 | 2007-02-15 | Carl Ansley | Transaction payment system and processing |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5113387A (ja) * | 1974-07-24 | 1976-02-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | |
JPS52135610A (en) * | 1976-05-07 | 1977-11-12 | Rca Corp | Mixing circuit |
JPS52135611A (en) * | 1976-05-07 | 1977-11-12 | Rca Corp | Mixing circuit |
JPS59176909A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波ミキサ回路 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3523199A (en) * | 1968-06-12 | 1970-08-04 | Centre Nat Rech Scient | Hall effect analog multipliers |
US4308473A (en) * | 1978-05-24 | 1981-12-29 | Raytheon Company | Polyphase coded mixer |
CA1118849A (en) * | 1979-08-28 | 1982-02-23 | William D. Cornish | Wideband mesfet microwave frequency divider |
FR2498843A1 (fr) * | 1981-01-28 | 1982-07-30 | Labo Electronique Physique | Dispositif oscillateur-melangeur stabilise par un resonateur dielectrique |
FR2522902A1 (fr) * | 1982-03-03 | 1983-09-09 | Labo Electronique Physique | Utilisation d'un transistor a effet de champ, du type a double-grille et ile ohmique intercalee, en vue de la rejection d'une bande de frequences |
SU1109860A1 (ru) * | 1982-05-14 | 1984-08-23 | Научно-Экспериментальный Центр Автоматизации Управления Воздушным Движением Гражданской Авиации | Умножитель частоты |
-
1987
- 1987-03-06 FR FR8703084A patent/FR2612018B1/fr not_active Expired
-
1988
- 1988-02-29 DE DE8888200370T patent/DE3866384D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-02-29 EP EP88200370A patent/EP0283074B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-01 US US07/162,522 patent/US4845389A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-03-04 JP JP63051411A patent/JP2765702B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5113387A (ja) * | 1974-07-24 | 1976-02-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | |
JPS52135610A (en) * | 1976-05-07 | 1977-11-12 | Rca Corp | Mixing circuit |
JPS52135611A (en) * | 1976-05-07 | 1977-11-12 | Rca Corp | Mixing circuit |
JPS59176909A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波ミキサ回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0283074B1 (fr) | 1991-11-27 |
DE3866384D1 (de) | 1992-01-09 |
JP2765702B2 (ja) | 1998-06-18 |
FR2612018A1 (fr) | 1988-09-09 |
EP0283074A1 (fr) | 1988-09-21 |
US4845389A (en) | 1989-07-04 |
FR2612018B1 (fr) | 1989-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS63233602A (ja) | 超短波ミキサー | |
US20160134244A1 (en) | High-frequency amplifier | |
JP2892452B2 (ja) | 増幅回路 | |
JPH04183008A (ja) | 高周波増幅器 | |
JPH06310954A (ja) | 半導体電力増幅集積回路 | |
JP2732856B2 (ja) | テレビジョン高周波入力回路 | |
JPH0376609B2 (ja) | ||
WO2024099059A1 (zh) | 射频接收模组旁路模式下的无源电路及射频接收模组 | |
US6265944B1 (en) | Fully integrated broadband RF voltage amplifier with enhanced voltage gain and method | |
US7525385B2 (en) | Common drain driven cascode enhancement mode traveling wave amplifier | |
JPH1075127A (ja) | 低ノイズ増幅器 | |
US5767756A (en) | Active quadrature power splitter | |
US5551075A (en) | Semiconductor device including a plurality of interconnected functional integrated circuit blocks operating at high and ultrahigh frequencies, each having a DC distribution line | |
US6476692B2 (en) | Distributed balanced frequency multiplier | |
US5017887A (en) | High frequency IC power amplifier | |
JPH01173908A (ja) | 発振装置 | |
JP3332657B2 (ja) | ミキサ回路 | |
JPH11346131A (ja) | 高周波利得可変増幅回路 | |
JPH09162657A (ja) | マイクロ波電力増幅回路 | |
US6573794B1 (en) | Operational amplifier | |
JP2001053563A (ja) | マイクロ波増幅器 | |
JP3262255B2 (ja) | チューナ回路 | |
JP4271794B2 (ja) | 周波数変換回路 | |
JPH06101653B2 (ja) | モノリシツクマイクロ波増幅器 | |
JP2001094361A (ja) | 高周波増幅回路 |