JPS5917535B2 - 圧接型半導体整流装置 - Google Patents
圧接型半導体整流装置Info
- Publication number
- JPS5917535B2 JPS5917535B2 JP3945077A JP3945077A JPS5917535B2 JP S5917535 B2 JPS5917535 B2 JP S5917535B2 JP 3945077 A JP3945077 A JP 3945077A JP 3945077 A JP3945077 A JP 3945077A JP S5917535 B2 JPS5917535 B2 JP S5917535B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- envelope
- semiconductor element
- contact type
- type semiconductor
- buffer plate
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- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は圧接型半導体装置にかゝり、特に圧接型半導体
装置の電極導出部の改良構造に関する。
装置の電極導出部の改良構造に関する。
圧接型半導体装置の−例に第１図に断面図示するスタッ
ド型ダイオードがある。図において外囲器１は一端閉止
筒状の外囲器本体１ａと、スタッドと称せられる外囲器
基部Ｉｂとからなり、前記スタッドは半導体素子のｌ電
極（アノード電極）を導出するとともに放熱を達成する
。また外囲器本体は開放端縁で前記外囲器基部の周縁部
に固着し、電気絶縁部材で形成された筒状部Ｉｃに電気
絶縁された１の導出電極Ｉｄ（カソード電極の導出電極
）を備える。次に２は半導体素子組立体で、半導体素子
２ａは一方の主面にアルミニウムのアノード電極２ａａ
、他の主面に同材質のカソード５ 電極２ａｋを備え、
前記半導体素子のアノード電極にろう着したモリブデン
の緩衝板２ｂとで一体に形成され、側面は一例のシリコ
ン樹脂の被覆を施し、主として半導体素子に対する保護
層１０を形成する。このように形成された半導体素子組
立０ 体は、外囲器本体１ａから複数個のスプリング３
、３’・・・・・・によつて外囲器基部Ｉｂに押圧され
るカソード電極導出部材４により緩衝板５を介して前記
外囲器基部に圧接され、アノード電極およびカソード電
極の導出が達成される。すなわち、半導体５ 素子の１
主面のアノード電極２ａａは放熱を兼ねる外囲器基部Ｉ
ｂに、他のｌ主面のカソード電極２ａｃは外囲器本体の
前記導出電極Ｉｄに接続される。こゝに半導体送子組立
体の緩衝板は一般に０．５〜２．０ｎ厚のタングステン
、モリブデン等の０ 板を打抜、フライス加工、プレス
加工等により形成され、「バリ」を残す場合がある。ま
た製造工程における半導体素子組立体の取扱いにて、外
囲器基部に接する主面の周縁を打ちつけることによつて
第２図に断面図示する如き打痕６を生ずる。’５ そし
て打痕は打撃中央部の凹部６ａとその周縁に突起６ｂを
生ずるが、特に後者の突起が問題になる。すなわち第３
図に示す如く、突起６ｂによつて半導体素子組立体のア
ノード電極導出の緩衝板の露出面が圧接される外囲器基
部との間に空隙Ｔｉ０を生ずる。上述の如く半導体素子
の電極導出の導路に空隙による導路を生ずれば熱抵抗が
大となり、したがつて電圧降下も高くなり所望の電流が
得られなくなるという重大な欠点がある。
ド型ダイオードがある。図において外囲器１は一端閉止
筒状の外囲器本体１ａと、スタッドと称せられる外囲器
基部Ｉｂとからなり、前記スタッドは半導体素子のｌ電
極（アノード電極）を導出するとともに放熱を達成する
。また外囲器本体は開放端縁で前記外囲器基部の周縁部
に固着し、電気絶縁部材で形成された筒状部Ｉｃに電気
絶縁された１の導出電極Ｉｄ（カソード電極の導出電極
）を備える。次に２は半導体素子組立体で、半導体素子
２ａは一方の主面にアルミニウムのアノード電極２ａａ
、他の主面に同材質のカソード５ 電極２ａｋを備え、
前記半導体素子のアノード電極にろう着したモリブデン
の緩衝板２ｂとで一体に形成され、側面は一例のシリコ
ン樹脂の被覆を施し、主として半導体素子に対する保護
層１０を形成する。このように形成された半導体素子組
立０ 体は、外囲器本体１ａから複数個のスプリング３
、３’・・・・・・によつて外囲器基部Ｉｂに押圧され
るカソード電極導出部材４により緩衝板５を介して前記
外囲器基部に圧接され、アノード電極およびカソード電
極の導出が達成される。すなわち、半導体５ 素子の１
主面のアノード電極２ａａは放熱を兼ねる外囲器基部Ｉ
ｂに、他のｌ主面のカソード電極２ａｃは外囲器本体の
前記導出電極Ｉｄに接続される。こゝに半導体送子組立
体の緩衝板は一般に０．５〜２．０ｎ厚のタングステン
、モリブデン等の０ 板を打抜、フライス加工、プレス
加工等により形成され、「バリ」を残す場合がある。ま
た製造工程における半導体素子組立体の取扱いにて、外
囲器基部に接する主面の周縁を打ちつけることによつて
第２図に断面図示する如き打痕６を生ずる。’５ そし
て打痕は打撃中央部の凹部６ａとその周縁に突起６ｂを
生ずるが、特に後者の突起が問題になる。すなわち第３
図に示す如く、突起６ｂによつて半導体素子組立体のア
ノード電極導出の緩衝板の露出面が圧接される外囲器基
部との間に空隙Ｔｉ０を生ずる。上述の如く半導体素子
の電極導出の導路に空隙による導路を生ずれば熱抵抗が
大となり、したがつて電圧降下も高くなり所望の電流が
得られなくなるという重大な欠点がある。
さらに上記半導体ゞ５ 素子の圧接による応力の分布が
均一にならず、一部に集中するため半導体素子を劣化さ
せ機能を失・するに至らしめるなどの欠点がある。本発
明は上記従来の欠点を除去するための改良された圧接型
半導体装置の構造を提供するものである。
均一にならず、一部に集中するため半導体素子を劣化さ
せ機能を失・するに至らしめるなどの欠点がある。本発
明は上記従来の欠点を除去するための改良された圧接型
半導体装置の構造を提供するものである。
本発明にかＸる圧接型半導体装置は外囲器本体と外囲器
基部とからなる外囲器と、両主面に電極を備えた半導体
素子の少なくとも１主面に金属の緩衝板を面着させて一
体に形成した半導体素子組立体と、前記半導体素子組立
体をその一端の緩衝板にて外囲器基部に他端を別の緩衝
板を介して電極導出部材により押圧して電極導出する手
段とを具備した圧接型半導体整流装置において、前記緩
衝板に面接する部材の主面の周縁部にこの主面に対し２
０接ないし６０主の傾角を有する斜面の面取り部を形成
したことを特徴とする。
基部とからなる外囲器と、両主面に電極を備えた半導体
素子の少なくとも１主面に金属の緩衝板を面着させて一
体に形成した半導体素子組立体と、前記半導体素子組立
体をその一端の緩衝板にて外囲器基部に他端を別の緩衝
板を介して電極導出部材により押圧して電極導出する手
段とを具備した圧接型半導体整流装置において、前記緩
衝板に面接する部材の主面の周縁部にこの主面に対し２
０接ないし６０主の傾角を有する斜面の面取り部を形成
したことを特徴とする。
次に本発明を一実施例のスタツド型ダイオードの断面を
第４図に示す。
第４図に示す。
図において１１は外囲器で、一端が封止された筒状の外
囲器本体１１ａと、スタツドと称せられる外囲器基部１
１ｂとからなり、前記外囲器基部は半導体素子のｌ電極
を導出するとともに放熱を達成する。また外囲器本体は
その開放側端縁で前記外囲器基部の周縁部に固着し、電
気絶縁部材で形成された筒状部１１ｃに電気絶縁された
他の導出電極１１ｄを備える。次に１２は半導体素子組
立体で、半導体素子１２ａは一方の主面にアルミニウム
のアノード電極１２ａａ１他方の主面に同材質のカソー
ド電極１２ａｋを備え、前記半導体素子のアノード電極
にろう着したモリブデンの緩衝板１２ｂとで一体に形成
され、側面は一例のシリコン樹脂の被覆を施し、主とし
て半導体素子の接合部に対する保護層２０をなす。また
半導体素子組立体は外囲器本体１１ａから複数個のスプ
リング３，３１・・・・・によつて外囲器基部１１ｂに
押圧されるカソード電極導出部材１４により緩衡板５を
介して前記外囲器基部に圧接され、アノード電極の導出
とカソード電極の導出とが同時に達成される。そして上
記緩衝板に面接する部材、すなわらカソード電極導出部
材と外囲器基部１１ｂの面接主面の周縁部に、この主面
に対し２０ｂないし６０のの傾角θを有する斜面になる
面取り部を形成する。前記斜面部により緩衝板の主面の
周縁が遊端、すなわら非接触に保持される。第５図にカ
ソード電極導出部材１４に形成された斜面部２４、第６
図にアノード電極を導出する外囲器基部１１ｂに形成さ
れた斜面部２１を夫々の断面図にて示す。上述の斜面に
よる面取り部はカソード電極導出部材、外囲器基部の形
成時に軽微な研削を施すことにより容易に形成できる。
囲器本体１１ａと、スタツドと称せられる外囲器基部１
１ｂとからなり、前記外囲器基部は半導体素子のｌ電極
を導出するとともに放熱を達成する。また外囲器本体は
その開放側端縁で前記外囲器基部の周縁部に固着し、電
気絶縁部材で形成された筒状部１１ｃに電気絶縁された
他の導出電極１１ｄを備える。次に１２は半導体素子組
立体で、半導体素子１２ａは一方の主面にアルミニウム
のアノード電極１２ａａ１他方の主面に同材質のカソー
ド電極１２ａｋを備え、前記半導体素子のアノード電極
にろう着したモリブデンの緩衝板１２ｂとで一体に形成
され、側面は一例のシリコン樹脂の被覆を施し、主とし
て半導体素子の接合部に対する保護層２０をなす。また
半導体素子組立体は外囲器本体１１ａから複数個のスプ
リング３，３１・・・・・によつて外囲器基部１１ｂに
押圧されるカソード電極導出部材１４により緩衡板５を
介して前記外囲器基部に圧接され、アノード電極の導出
とカソード電極の導出とが同時に達成される。そして上
記緩衝板に面接する部材、すなわらカソード電極導出部
材と外囲器基部１１ｂの面接主面の周縁部に、この主面
に対し２０ｂないし６０のの傾角θを有する斜面になる
面取り部を形成する。前記斜面部により緩衝板の主面の
周縁が遊端、すなわら非接触に保持される。第５図にカ
ソード電極導出部材１４に形成された斜面部２４、第６
図にアノード電極を導出する外囲器基部１１ｂに形成さ
れた斜面部２１を夫々の断面図にて示す。上述の斜面に
よる面取り部はカソード電極導出部材、外囲器基部の形
成時に軽微な研削を施すことにより容易に形成できる。
本発明によれば、緩衝板が形成される際に発生する主面
周縁の「バリ」による電極導出の熱抵抗を低減できる。
周縁の「バリ」による電極導出の熱抵抗を低減できる。
一般に緩衝板はタングステン、モリブデン等の０．５〜
２．０Ｕ１！厚の板から打抜、フライス加工、プレス加
工等により形成され、かＸる金属は硬質のため「バリ」
の除去は容易でない。また半導体素子組立体も取扱時に
緩衝板の主面周縁を打らつけるトラブルによつて打痕を
生ずる。打痕はその周縁に突起を生ずるため、［バリ」
と同様の欠点がある。しかして本発明によれば緩衝板の
周縁にバｌ八打痕等による突起を生じてもこれが遊端に
て非接触のため、面接時間の導電を損することも、熱抵
抗が増大することもなく良好な圧接型の半導体装置をう
ることができる顕著な利点がある。なお第７図には圧接
型ダイオードにおける熱抵抗値を所定範囲に限定し、こ
れを外れる（大なる）ものを不良として調査を行なつた
結果を示し、上記によつても接触主面に対する傾角θが
２０、ないし６０ての範囲が顕著に良好なることが明ら
かである。また半導体素子に圧接による応力の分布が均
一であるため半導体素子を劣化させることもなくなる。
一例の製造工程にて発生する不良率を約３（Ｆ６低減で
きるとともに信頼性向上に顕著な効果がある。
２．０Ｕ１！厚の板から打抜、フライス加工、プレス加
工等により形成され、かＸる金属は硬質のため「バリ」
の除去は容易でない。また半導体素子組立体も取扱時に
緩衝板の主面周縁を打らつけるトラブルによつて打痕を
生ずる。打痕はその周縁に突起を生ずるため、［バリ」
と同様の欠点がある。しかして本発明によれば緩衝板の
周縁にバｌ八打痕等による突起を生じてもこれが遊端に
て非接触のため、面接時間の導電を損することも、熱抵
抗が増大することもなく良好な圧接型の半導体装置をう
ることができる顕著な利点がある。なお第７図には圧接
型ダイオードにおける熱抵抗値を所定範囲に限定し、こ
れを外れる（大なる）ものを不良として調査を行なつた
結果を示し、上記によつても接触主面に対する傾角θが
２０、ないし６０ての範囲が顕著に良好なることが明ら
かである。また半導体素子に圧接による応力の分布が均
一であるため半導体素子を劣化させることもなくなる。
一例の製造工程にて発生する不良率を約３（Ｆ６低減で
きるとともに信頼性向上に顕著な効果がある。
第１図は圧接型半導体整流装置の断面図、第２図および
第３図はいずれも従来の圧接型半導体整流装置の半導体
素子組立体に関し、第２図は構造を示す断面図、第３図
は外囲器基部への配設を説明する一部断面図、第４図は
本発明の一実施例の圧接型半導体整流装置の断面図、第
５図および第６図はいずれも本発明の一実施例の圧接型
半導体整流装置の一部を示し、第５図はカソード電極導
出部材の一部の断面図、第６図は外囲器基部の一部の断
面図、第７図は本発明の効果を説明するための図である
。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を夫々示すも
のとする。１１・・・・・・外囲器、１１ａ・・・・・
・外囲器本体、１１ｂ・・・・・・外囲器基部、１２・
・・・・・半導体素子組立体、１２ａ・・・・・・半導
体素子、１２ｂ，１５・・・・・・緩衝板、１４・・・
・・・電極導出部材、２１・・・・・・外囲器基部の斜
面部（面取り部）、２４・・・・・・電極導出部材の斜
面部（面取り部）。
第３図はいずれも従来の圧接型半導体整流装置の半導体
素子組立体に関し、第２図は構造を示す断面図、第３図
は外囲器基部への配設を説明する一部断面図、第４図は
本発明の一実施例の圧接型半導体整流装置の断面図、第
５図および第６図はいずれも本発明の一実施例の圧接型
半導体整流装置の一部を示し、第５図はカソード電極導
出部材の一部の断面図、第６図は外囲器基部の一部の断
面図、第７図は本発明の効果を説明するための図である
。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を夫々示すも
のとする。１１・・・・・・外囲器、１１ａ・・・・・
・外囲器本体、１１ｂ・・・・・・外囲器基部、１２・
・・・・・半導体素子組立体、１２ａ・・・・・・半導
体素子、１２ｂ，１５・・・・・・緩衝板、１４・・・
・・・電極導出部材、２１・・・・・・外囲器基部の斜
面部（面取り部）、２４・・・・・・電極導出部材の斜
面部（面取り部）。
Claims (1)
- １ 外囲器本体および外囲器基部とからなる外囲器と、
両主面に電極を備えた半導体素子の少なくとも１主面上
に金属の緩衝板を面着させて一体に形成した半導体素子
組立体と、前記半導体素子組立体をその一端の緩衝板に
て外囲器基部に他端を別の緩衝板を介して電極導出部材
により押圧して電極導出する手段とを備えた圧接型半導
体整流装置において、前記緩衝板に面接する部材の主面
の周縁部にこの主面に対し２０゜ないし６０゜の傾角を
有する斜面の面取り部を形成したことを特徴とする圧接
型半導体整流装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3945077A JPS5917535B2 (ja) | 1977-04-08 | 1977-04-08 | 圧接型半導体整流装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3945077A JPS5917535B2 (ja) | 1977-04-08 | 1977-04-08 | 圧接型半導体整流装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53124972A JPS53124972A (en) | 1978-10-31 |
| JPS5917535B2 true JPS5917535B2 (ja) | 1984-04-21 |
Family
ID=12553358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3945077A Expired JPS5917535B2 (ja) | 1977-04-08 | 1977-04-08 | 圧接型半導体整流装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917535B2 (ja) |
-
1977
- 1977-04-08 JP JP3945077A patent/JPS5917535B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53124972A (en) | 1978-10-31 |
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