JP2604997B2 - 圧接型半導体装置 - Google Patents
圧接型半導体装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ゲートターンオフ
サイリスタ（以下ＧＴＯと呼ぶ）、シリコン制御素子、
ダイオードおよびトランジスタ等の半導体素子と電極と
を、加圧接触させた圧接型半導体装置に係り、特に、半
導体素子への圧縮応力の集中を緩和し、均一な応力分布
を得るのに好適な圧接型半導体装置に関するものであ
る。
サイリスタ（以下ＧＴＯと呼ぶ）、シリコン制御素子、
ダイオードおよびトランジスタ等の半導体素子と電極と
を、加圧接触させた圧接型半導体装置に係り、特に、半
導体素子への圧縮応力の集中を緩和し、均一な応力分布
を得るのに好適な圧接型半導体装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ＧＴＯ、サイリスタ、ダイオード、トラ
ンジスタ等の半導体素子と電極とを加圧接触させた圧接
型半導体装置は、一般に電力用の半導体装置として知ら
れている。この種の圧接型半導体装置として、たとえ
ば、特開昭６０−４２６０号公報に開示されている。こ
の従来の圧接型半導体装置をＧＴＯを例として図３を参
照して説明する。
ンジスタ等の半導体素子と電極とを加圧接触させた圧接
型半導体装置は、一般に電力用の半導体装置として知ら
れている。この種の圧接型半導体装置として、たとえ
ば、特開昭６０−４２６０号公報に開示されている。こ
の従来の圧接型半導体装置をＧＴＯを例として図３を参
照して説明する。
【０００３】半導体素子１の両側に、該半導体素子１の
熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する温度補償板３、
４、５を接合する。半導体素子１のカソード側には、環
状のゲート電極２の外周に環状の外側温度補償板３、ま
た、ゲート電極２の内周には、中央部に開口穴４ａが設
けられた環状の内側温度補償板４が接合されている。ま
た、半導体素子１のアノード側には円板状の温度補償板
５が接合されている。上記各温度補償板３、４、５の背
面側には、熱及び電気伝導率の高いポスト電極７、８が
接合され、このポスト電極７、８を矢印方向に押圧し加
圧圧接する構造になっている。また、上記ゲート電極２
は、絶縁体９で覆われ、板ばね１０を介し、半導体素子
１側に押圧され位置決めされている。
熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する温度補償板３、
４、５を接合する。半導体素子１のカソード側には、環
状のゲート電極２の外周に環状の外側温度補償板３、ま
た、ゲート電極２の内周には、中央部に開口穴４ａが設
けられた環状の内側温度補償板４が接合されている。ま
た、半導体素子１のアノード側には円板状の温度補償板
５が接合されている。上記各温度補償板３、４、５の背
面側には、熱及び電気伝導率の高いポスト電極７、８が
接合され、このポスト電極７、８を矢印方向に押圧し加
圧圧接する構造になっている。また、上記ゲート電極２
は、絶縁体９で覆われ、板ばね１０を介し、半導体素子
１側に押圧され位置決めされている。
【０００４】上記図３の構造のように、半導体素子１の
両側に温度補償板３、４、５を設けた理由は、半導体素
子１とポスト電極７、８との熱膨張係数の違いにより、
半導体装置の稼働時と停止時等の温度変化によって、半
導体素子１に大きな剪断力が加わるのを防ぐためであ
る。従って、温度補償板３、４、５は、タングステンあ
るいはモリブデン等、半導体素子１と熱膨張係数の近い
金属が用いられる。
両側に温度補償板３、４、５を設けた理由は、半導体素
子１とポスト電極７、８との熱膨張係数の違いにより、
半導体装置の稼働時と停止時等の温度変化によって、半
導体素子１に大きな剪断力が加わるのを防ぐためであ
る。従って、温度補償板３、４、５は、タングステンあ
るいはモリブデン等、半導体素子１と熱膨張係数の近い
金属が用いられる。
【０００５】また、従来から使用されているサイリス
タ、ダイオード等の電力用半導体素子のカソード電極
は、電気的に一体で構成されているが、ＧＴＯや大電力
トランジスタ等の半導体素子１は、図４（ａ）、（ｂ）
に示すように、カソード電極１１が、多数の突起状に分
割されているため、ポスト電極（温度補償板）の圧接に
より半導体素子１に加わる応力が問題になる。特に、Ｇ
ＴＯでは分割された各々のカソード電極１１がそれぞれ
独立したＧＴＯであり、これらが並列動作するので、カ
ソード面全体に均一な圧接力が要求される。
タ、ダイオード等の電力用半導体素子のカソード電極
は、電気的に一体で構成されているが、ＧＴＯや大電力
トランジスタ等の半導体素子１は、図４（ａ）、（ｂ）
に示すように、カソード電極１１が、多数の突起状に分
割されているため、ポスト電極（温度補償板）の圧接に
より半導体素子１に加わる応力が問題になる。特に、Ｇ
ＴＯでは分割された各々のカソード電極１１がそれぞれ
独立したＧＴＯであり、これらが並列動作するので、カ
ソード面全体に均一な圧接力が要求される。
【０００６】ところが、この種の圧接型半導体装置を図
６に示すようにモデル化し、圧接時に半導体素子１に加
わる応力を有限要素法（ＦＥＭ）等で解析すると、温度
補償板３、４の周縁部直下に圧縮応力が集中する。そし
て場合によっては、圧縮応力の集中のため、半導体素子
１を破壊するまでになる。図５は、図４に示すカソード
電極１１の一つを拡大したものであり、カソード電極１
１ａが温度補償板の周縁部直下で圧接され、潰された状
態を呈しているものである。
６に示すようにモデル化し、圧接時に半導体素子１に加
わる応力を有限要素法（ＦＥＭ）等で解析すると、温度
補償板３、４の周縁部直下に圧縮応力が集中する。そし
て場合によっては、圧縮応力の集中のため、半導体素子
１を破壊するまでになる。図５は、図４に示すカソード
電極１１の一つを拡大したものであり、カソード電極１
１ａが温度補償板の周縁部直下で圧接され、潰された状
態を呈しているものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術におい
ては、圧接時に発生する応力の集中については、何らの
配慮もされていないため、半導体素子の変形や破損によ
り、半導体装置としての信頼性が低いものになってい
た。
ては、圧接時に発生する応力の集中については、何らの
配慮もされていないため、半導体素子の変形や破損によ
り、半導体装置としての信頼性が低いものになってい
た。
【０００８】上記の事情に鑑み、本発明の目的は、半導
体素子に圧接されるポスト電極の周縁部直下に発生する
応力集中を緩和し、半導体素子の変形や破損を防止し
て、信頼性を向上させた圧接型半導体装置を提供するこ
とにある。
体素子に圧接されるポスト電極の周縁部直下に発生する
応力集中を緩和し、半導体素子の変形や破損を防止し
て、信頼性を向上させた圧接型半導体装置を提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明においては、半導体素子とポスト電極とを温
度保証板を介して圧接してなる圧接型半導体装置におい
て、カソード側の温度補償板の縁部を圧接されるポスト
電極の縁部より適宜寸法突出状に大きく形成するととも
に、アノード側の温度補償板を半導体素子と同径に形成
し、アノード側のポスト電極を温度補償板より適宜寸法
だけ小さく形成し、各ポスト電極周縁部直下の応力を、
各ポスト電極の周縁部から突出する温度保証板の突出部
に分散させることにより、応力集中を緩和するようにし
た。
め、本発明においては、半導体素子とポスト電極とを温
度保証板を介して圧接してなる圧接型半導体装置におい
て、カソード側の温度補償板の縁部を圧接されるポスト
電極の縁部より適宜寸法突出状に大きく形成するととも
に、アノード側の温度補償板を半導体素子と同径に形成
し、アノード側のポスト電極を温度補償板より適宜寸法
だけ小さく形成し、各ポスト電極周縁部直下の応力を、
各ポスト電極の周縁部から突出する温度保証板の突出部
に分散させることにより、応力集中を緩和するようにし
た。
【００１０】また、温度補償板の突出寸法ｌは、温度補
償板の板厚をｔとすると、 ｌ＝０．５ｔ〜１．１ｔ とすることが望ましい。
償板の板厚をｔとすると、 ｌ＝０．５ｔ〜１．１ｔ とすることが望ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は、本発明による圧接型半導
体装置の断面図、図２は、図１における圧接型半導体装
置の組付け構造を示す断面図である。同図において、円
板状の半導体素子２１は、その上面のカソード側には、
中心部に開口穴２３ａが形成された環状の温度補償板２
３と、環状のゲート電極２７及び、環状の温度補償板２
２が同心円状に配設されている。また、半導体素子２１
の下面のアノード側には、半導体素子２１と同径の円板
状の温度補償板２４が配設されている。
に基づいて説明する。図１は、本発明による圧接型半導
体装置の断面図、図２は、図１における圧接型半導体装
置の組付け構造を示す断面図である。同図において、円
板状の半導体素子２１は、その上面のカソード側には、
中心部に開口穴２３ａが形成された環状の温度補償板２
３と、環状のゲート電極２７及び、環状の温度補償板２
２が同心円状に配設されている。また、半導体素子２１
の下面のアノード側には、半導体素子２１と同径の円板
状の温度補償板２４が配設されている。
【００１２】上記各温度補償板２２、２３、２４の背面
側には、夫々ポスト電極２５、２６が配設される。な
お、上記半導体素子２１のカソード側に配設された温度
補償板２２、２３は、厚さｔを有している。また、上記
ゲート電極２７の外壁部は、絶縁性スペーサ２８で覆わ
れている。
側には、夫々ポスト電極２５、２６が配設される。な
お、上記半導体素子２１のカソード側に配設された温度
補償板２２、２３は、厚さｔを有している。また、上記
ゲート電極２７の外壁部は、絶縁性スペーサ２８で覆わ
れている。
【００１３】上記温度補償板２２、２３、ゲート電極２
７の外側に接合されるカソード側ポスト電極２５には、
上記ゲート電極２４が移動可能に挿入される環状の溝２
５ａが形成され、その中央部には、凹部２５ｂが形成さ
れている。上記ゲート電極２７は、上記溝２５ａに移動
可能に装着され、溝２５ａ内に配設されたばね等の弾性
部材２９により半導体素子２１側に押圧される。
７の外側に接合されるカソード側ポスト電極２５には、
上記ゲート電極２４が移動可能に挿入される環状の溝２
５ａが形成され、その中央部には、凹部２５ｂが形成さ
れている。上記ゲート電極２７は、上記溝２５ａに移動
可能に装着され、溝２５ａ内に配設されたばね等の弾性
部材２９により半導体素子２１側に押圧される。
【００１４】上記半導体素子２１、温度補償板２４は、
環状の外壁部材３５の内壁に配設された位置決めリング
３０に嵌入され、樹脂等の充填材３１で接着され、位置
決め固定される。また、ポスト電極２５は、その外周に
上部フランジ３２が固定され、この上部フランジ３２の
下面に固定された裏フランジ３３を介して上記外壁部材
３５の端面に固定されている。また、半導体素子２１よ
り小径に形成された上記ポスト電極２６は、その外周に
下部フランジ３４が固定され、この下部フランジ２６を
介して上記外壁部材３５に固定されている。そして、各
ポスト電極２５、２６が外壁部材３５に固定されること
により、各ポスト電極２５、２６は、温度補償板２２、
２３、２４を介して半導体素子２１に所定の加圧力で圧
接される。この時、ゲート電極２７は、弾性部材２９の
圧力で半導体素子２１に圧接される。 上記の構成にお
いて、温度補償板２２、２３の内外径は、その上面に圧
接されるポスト電極２５の外径、環状溝２５ａの内外径
及び凹部２５ｂの内径の周縁より適宜寸法突出してい
る。すなわち、温度補償板２２の外径は、ポスト電極２
５の外径よりｌ寸法だけ突出し、その内径は、ポスト電
極２５の溝２５ａの外径よりｌ寸法だけ溝２５の内側に
突出している。また、温度補償板２３の外径は、ポスト
電極２５の溝２５ａの内径よりｌ寸法だけ溝２５ａの内
側に突出し、その内径は、ポスト電極２５の凹部２５ｂ
の外径よりｌ寸法だけ凹部２５ｂの内側に突出してい
る。
環状の外壁部材３５の内壁に配設された位置決めリング
３０に嵌入され、樹脂等の充填材３１で接着され、位置
決め固定される。また、ポスト電極２５は、その外周に
上部フランジ３２が固定され、この上部フランジ３２の
下面に固定された裏フランジ３３を介して上記外壁部材
３５の端面に固定されている。また、半導体素子２１よ
り小径に形成された上記ポスト電極２６は、その外周に
下部フランジ３４が固定され、この下部フランジ２６を
介して上記外壁部材３５に固定されている。そして、各
ポスト電極２５、２６が外壁部材３５に固定されること
により、各ポスト電極２５、２６は、温度補償板２２、
２３、２４を介して半導体素子２１に所定の加圧力で圧
接される。この時、ゲート電極２７は、弾性部材２９の
圧力で半導体素子２１に圧接される。 上記の構成にお
いて、温度補償板２２、２３の内外径は、その上面に圧
接されるポスト電極２５の外径、環状溝２５ａの内外径
及び凹部２５ｂの内径の周縁より適宜寸法突出してい
る。すなわち、温度補償板２２の外径は、ポスト電極２
５の外径よりｌ寸法だけ突出し、その内径は、ポスト電
極２５の溝２５ａの外径よりｌ寸法だけ溝２５の内側に
突出している。また、温度補償板２３の外径は、ポスト
電極２５の溝２５ａの内径よりｌ寸法だけ溝２５ａの内
側に突出し、その内径は、ポスト電極２５の凹部２５ｂ
の外径よりｌ寸法だけ凹部２５ｂの内側に突出してい
る。
【００１５】上記各ｌ寸法は、温度補償板２２、２３の
板圧をｔとしたとき、ｌ＝０．５ｔ〜１．１ｔとするこ
とが望ましい。このようにｌ寸法を設定すると、ポスト
電極２５の加圧圧接時及び半導体装置の作動時に、上記
半導体素子２１の上記ポスト電極２５との圧接面の周縁
部に作用する圧縮応力が、温度補償板２２、２３の突出
部に分散され、突出部が弾性変形することにより応力集
中が緩和される。すなわち、図７にモデル化して示すよ
うに、半導体素子２１に配設された温度補償板２２（２
３）をポスト電極２５で、加圧力ｑで加圧した場合を有
限要素法で解析すると、図６に示すモデルと比較して、
応力集中のないほぼ平坦な応力分布になることがわか
る。
板圧をｔとしたとき、ｌ＝０．５ｔ〜１．１ｔとするこ
とが望ましい。このようにｌ寸法を設定すると、ポスト
電極２５の加圧圧接時及び半導体装置の作動時に、上記
半導体素子２１の上記ポスト電極２５との圧接面の周縁
部に作用する圧縮応力が、温度補償板２２、２３の突出
部に分散され、突出部が弾性変形することにより応力集
中が緩和される。すなわち、図７にモデル化して示すよ
うに、半導体素子２１に配設された温度補償板２２（２
３）をポスト電極２５で、加圧力ｑで加圧した場合を有
限要素法で解析すると、図６に示すモデルと比較して、
応力集中のないほぼ平坦な応力分布になることがわか
る。
【００１６】図７に示すモデルの右半分を拡大して、便
宜上図８に示すモデルに置き換える。図８のモデルにお
いても、温度補償板２２をポスト電極２５で加圧力ｑで
加圧すると、温度補償板２２とポスト電極２５の圧接面
ｕ−ｖラインの面圧力（応力）は、ポスト電極２５の外
周面近傍（ｖ側）に大きく集中する。この応力分布につ
いてみると、ポスト電極２５の外周面からａ寸法だけ内
（ｕ側）に入ったところまでの平均面圧力がＱであり、
ａ寸法を小さい値にとれば、厚さｔの温度補償板２２と
半導体素子が圧接されるｍ−ｎ面に作用する面圧力分布
は、図９の計算モデルによりもとめられる。
宜上図８に示すモデルに置き換える。図８のモデルにお
いても、温度補償板２２をポスト電極２５で加圧力ｑで
加圧すると、温度補償板２２とポスト電極２５の圧接面
ｕ−ｖラインの面圧力（応力）は、ポスト電極２５の外
周面近傍（ｖ側）に大きく集中する。この応力分布につ
いてみると、ポスト電極２５の外周面からａ寸法だけ内
（ｕ側）に入ったところまでの平均面圧力がＱであり、
ａ寸法を小さい値にとれば、厚さｔの温度補償板２２と
半導体素子が圧接されるｍ−ｎ面に作用する面圧力分布
は、図９の計算モデルによりもとめられる。
【００１７】前記計算モデルにおける圧縮応力分布の算
出法の一例として、Ｓ．Ｐ．Ｔｉｍｏｓｈｅｋｏ ａｎ
ｄ Ｊ．Ｎ．Ｇｏｏｄｉｅｒ共著のＴｈｅｏｒｙ ｏｆ
Ｅｌａｓｔｉｃｉｔｙ（チモシェンコとグッドイヤー
両氏による弾性学）なる世界及び国内で一般的となって
いる参考書に記載されている計算方法がある。この計算
方法によれば、図９のｍ−ｎ面に作用する圧縮応力σｚ
は次式により求められる。
出法の一例として、Ｓ．Ｐ．Ｔｉｍｏｓｈｅｋｏ ａｎ
ｄ Ｊ．Ｎ．Ｇｏｏｄｉｅｒ共著のＴｈｅｏｒｙ ｏｆ
Ｅｌａｓｔｉｃｉｔｙ（チモシェンコとグッドイヤー
両氏による弾性学）なる世界及び国内で一般的となって
いる参考書に記載されている計算方法がある。この計算
方法によれば、図９のｍ−ｎ面に作用する圧縮応力σｚ
は次式により求められる。
【００１８】
【数１】
【００１９】一例として、Ｑ＝８０Ｍｐａ、ａ＝０．０
１ｍｍ、ｌ＝０．８ｍｍ、ｔ＝１ｍｍ、すなわち、ｌ／
ｔ＝０．８の場合で、ｉ＝１〜５０まで計算したとき
（ｉ＝３０程度で充分に収束している）の計算結果を図
１０に示す。図１０から明らかなように、最大応力は、
ｘ＝０の位置に生じ、その値σｚ1 で端面のｌ＝０．８
ｍｍ位置の応力σｚ2 を除すと０．４５求まる。
１ｍｍ、ｌ＝０．８ｍｍ、ｔ＝１ｍｍ、すなわち、ｌ／
ｔ＝０．８の場合で、ｉ＝１〜５０まで計算したとき
（ｉ＝３０程度で充分に収束している）の計算結果を図
１０に示す。図１０から明らかなように、最大応力は、
ｘ＝０の位置に生じ、その値σｚ1 で端面のｌ＝０．８
ｍｍ位置の応力σｚ2 を除すと０．４５求まる。
【００２０】次に、温度補償板に厚みｔと突出長さｌの
比ｌ／ｔと、最大応力σｚ1 と端面の応力σｚ2 の比σ
ｚ2 ／σｚ1 の関係を求める。すなわち、突出部端面の
圧縮応力σｚ2 が、最大応力σｚ1 より１０％以上小さ
くなれば、温度補償板が圧接される半導体素子の強度は
充分保証されることになる。
比ｌ／ｔと、最大応力σｚ1 と端面の応力σｚ2 の比σ
ｚ2 ／σｚ1 の関係を求める。すなわち、突出部端面の
圧縮応力σｚ2 が、最大応力σｚ1 より１０％以上小さ
くなれば、温度補償板が圧接される半導体素子の強度は
充分保証されることになる。
【００２１】図１１は、前記比ｌ／ｔと比σｚ2 ／σｚ
1 の関係を示すものである。図において、縦軸で、突出
部端面の圧縮応力σｚ2 が、最大応力σｚ1 より１０％
以上小さくなる位置、すなわち、σｚ2 ／σｚ1 ＝０．
９に対応する横軸をみると、ｌ／ｔ＝０．５であり、温
度補償板の突出長さを、温度補償板の厚みｔの０．５倍
以上あれば良いことがわかる。また、比ｌ／ｔが大きく
なるに従って比σｚ2／σｚ1 が小さくなり、比ｌ／ｔ
＝１．３５のところで、比σｚ2 ／σｚ1 ＝０となる。
半導体装置の寸法から受ける制約と経済性を考慮し、比
σｚ2 ／σｚ1＝０．９〜０．１を適正範囲とすると、
温度補償板の突出寸法ｌ＝０．５ｔ〜１．１ｔと定める
ことができる。
1 の関係を示すものである。図において、縦軸で、突出
部端面の圧縮応力σｚ2 が、最大応力σｚ1 より１０％
以上小さくなる位置、すなわち、σｚ2 ／σｚ1 ＝０．
９に対応する横軸をみると、ｌ／ｔ＝０．５であり、温
度補償板の突出長さを、温度補償板の厚みｔの０．５倍
以上あれば良いことがわかる。また、比ｌ／ｔが大きく
なるに従って比σｚ2／σｚ1 が小さくなり、比ｌ／ｔ
＝１．３５のところで、比σｚ2 ／σｚ1 ＝０となる。
半導体装置の寸法から受ける制約と経済性を考慮し、比
σｚ2 ／σｚ1＝０．９〜０．１を適正範囲とすると、
温度補償板の突出寸法ｌ＝０．５ｔ〜１．１ｔと定める
ことができる。
【００２２】この結果、図１及び図２に示した本発明に
よる圧接型半導体装置における半導体素子２１の圧縮応
力の分布は図１２に示すように、応力集中のないほぼ均
一な分布となる。また、半導体素子２１と温度補償板２
２、２３の接触面積が増大し、機械的な信頼性を向上さ
せることができ、さらに、電気的、熱的特性も向上させ
ることができる。
よる圧接型半導体装置における半導体素子２１の圧縮応
力の分布は図１２に示すように、応力集中のないほぼ均
一な分布となる。また、半導体素子２１と温度補償板２
２、２３の接触面積が増大し、機械的な信頼性を向上さ
せることができ、さらに、電気的、熱的特性も向上させ
ることができる。
【００２３】なお、上記の実施の形態においては、ＧＴ
Ｏについて説明したが、サイリスタ、ダイオード、トラ
ンジスタ等に応用しても、上記と同様の効果を得ること
ができる。
Ｏについて説明したが、サイリスタ、ダイオード、トラ
ンジスタ等に応用しても、上記と同様の効果を得ること
ができる。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、半
導体素子とポスト電極とを温度補償板を介して圧接して
なる圧接型半導体装置において、カソード側の温度補償
板の縁部を圧接されるポスト電極の縁部より適宜寸法突
出状に大きく形成することにより、半導体素子に応力集
中が発生するのを防止することができ、圧接型半導体装
置の機械的な信頼性を向上させ、さらに、電気的、熱的
特性を向上させることができる。
導体素子とポスト電極とを温度補償板を介して圧接して
なる圧接型半導体装置において、カソード側の温度補償
板の縁部を圧接されるポスト電極の縁部より適宜寸法突
出状に大きく形成することにより、半導体素子に応力集
中が発生するのを防止することができ、圧接型半導体装
置の機械的な信頼性を向上させ、さらに、電気的、熱的
特性を向上させることができる。
【図１】本発明によるＧＴＯサイリスタの一例を示す横
断面図。
断面図。
【図２】図１におけるＧＴＯサイリスタの組付け構造を
示す横断面図。
示す横断面図。
【図３】従来の圧接面に溝のある半導体装置の要部を示
す横断面図。
す横断面図。
【図４】ＧＴＯサイリスタのカソード側の構造を示し、
（ａ）は平面図、（ｂ）はその横断面図。
（ａ）は平面図、（ｂ）はその横断面図。
【図５】ＧＴＯサイリスタのカソード側の突起の構造を
示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はその横断面図。
示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はその横断面図。
【図６】従来の圧接型半導体装置をモデル化した形状
図。
図。
【図７】本発明による圧接型半導体装置をモデル化した
形状図。
形状図。
【図８】図７における圧接部端部近傍の応力計算用のモ
デル図。
デル図。
【図９】図７における圧接部端部近傍の応力計算用のモ
デル図。
デル図。
【図１０】圧接部における温度補償板の突出寸法と圧縮
応力の関係を示す特性図。
応力の関係を示す特性図。
【図１１】寸法比と応力比の関係を示す特性図。
【図１２】本発明の圧接型半導体装置における圧縮応力
の分布を示すモデル図。
の分布を示すモデル図。
２１ 半導体素子 ２２、２３ 温度補償板 ２４ 温度補償板 ２５ ポスト電極 ２６ ポスト電極
Claims (1)
- 【請求項１】少なくとも一対のＰ層とＮ層を有する半導
体素子と、この半導体素子のカソード側に、所定の厚さ
と半導体素子の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する内
外一対の温度補償板を同心状に配置して接合し、両温度
補償板の背面に円板状のポスト電極を接合状に配設し、
また、半導体素子のアノード側に、上記温度補償板と同
じ熱膨張係数を有するアノード側温度補償板とその背面
のポスト電極とを接合状に配設し、両ポスト電極に加圧
力を与えて半導体素子とポスト電極とを温度補償板を介
して圧接してなる圧接型半導体装置において、カソード
側の温度補償板の縁部を圧接されるポスト電極の縁部よ
り適宜寸法突出状に大きく形成するとともに、アノード
側の温度補償板を半導体素子と同径に形成し、アノード
側のポスト電極を温度補償板より適宜寸法だけ小さく形
成したことを特徴とする圧接型半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7281866A JP2604997B2 (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 圧接型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7281866A JP2604997B2 (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 圧接型半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61058328A Division JPH0691117B2 (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 圧接型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08227906A JPH08227906A (ja) | 1996-09-03 |
| JP2604997B2 true JP2604997B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=17645082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7281866A Expired - Lifetime JP2604997B2 (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 圧接型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2604997B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116090261B (zh) * | 2023-04-07 | 2023-06-23 | 深圳平创半导体有限公司 | 一种压接型功率半导体器件应力场重构方法及*** |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0691117A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-04-05 | Ebara Corp | フィルターを用いる空気浄化装置と浄化方法 |
-
1995
- 1995-10-30 JP JP7281866A patent/JP2604997B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0691117A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-04-05 | Ebara Corp | フィルターを用いる空気浄化装置と浄化方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08227906A (ja) | 1996-09-03 |
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