JPS5896760A - 半導体装置の製法 - Google Patents

半導体装置の製法

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JPS5896760A JP56195486A JP19548681A JPS5896760A JP S5896760 A JPS5896760 A JP S5896760A JP 56195486 A JP56195486 A JP 56195486A JP 19548681 A JP19548681 A JP 19548681A JP S5896760 A JPS5896760 A JP S5896760A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明６才、」１：涌の配線基板ｊ１に複数の半導体チ
ップを実装する場合の実装密度？向上させるためなされ
た半導体装置の製法に関するものである。
絶縁基板上に所望のパターンの配線層？形成したいわゆ
る配線基板上に複数の半導体チップを実装する場合、従
来は第１図および第２図のように配線基板１上の所望位
置に複数の半導体チップ２ａ、　２ｂ、　２ｃ・・・を
配置し、これら半導体チップ２ＥＬ、　２ｂ、　　２０
・・・の周囲部に設けられたポンディングパッド３ａ、
３ｂ、３ｃ・・・と基板１上の配線層４　ａ、　４　ｂ
、　４　ｃ＝・・間を極細線５ａ、　５ｂ、　５Ｑ、、
。
（ポンディングワイヤ）Ｋより接続することが行われる
。５ａ、　５ｂ、　ＯＣ−は上記配線層４ａ、４ｂ。
４Ｃ・・・と導通する外部端子である。
しかし従来のように配線基板１と半導体チップ２間を極
細線５により接続する方法は、上記ポンディングパッド
３および配線層４に寸法的制約があるために半導体チッ
プ２の実装密度に制限２受ける。また極細線５が空間に
存在することは高周波の場合電気的特性が劣化する原因
となり、特に高速化をはかる半導体装置においては大き
な影響を受ける。
本発明は以上の問題に対処してなされたもので、複数の
半導体チップをその一面が平坦となるように相互間？絶
縁体により接続して集合体を形成し、この集合体を配線
基板上に固定した後、配線基板と集合体の半導体チップ
表面に渡るように金属細線ヲ形成することにより従来欠
点？除去し得るよ５に構成した半導体装置の製法２提供
することを目的とするものである。以下図面を参照して
本発明実施例を説明する。
第３図（ａｌ乃至げ）は本発明実施例ｆよろ半導体装置
の製法を示す断面図で以下工程順に説明する。
工程（ａ）：第３図（ａｌのように、表面が平滑な保持
台７上に密着性フィルム８ヶ貼り、このフィルム８表面
に複数の半導体チップ”２ａ、　　２１１）、　　’Ｉ
ｃ・・・をその−面が平坦となるように密着させる。半
導体チップ２としては各々チップ厚さの異なるものを用
意してもよく、その電極（前記ポンディングパッド３？
含む）形成部がフィルム８表面に密着するように配置す
る。
工程（ｂ）°第３図ｔｂ＋のよ５ｃ、上記複数の半導体
チップ２間の隙間に絶縁体９例えばエポキシ樹脂、シリ
コーン樹脂、ポリイミド樹脂等を適量注入してその隙間
例えば５０〜６０μｍ’７埋めるようにする。
この時半導体チップ表面（電極形成面）は上記のよウニ
フィルム８に密着しているので、上記樹脂のしみ出しは
防止される。
続いてこの状態で樹脂の硬化処理を行うことにより、絶
縁体ってより相互間が接続さり、　ｒ、＝半導体チップ
２の集合体１０り形成する。
工程（Ｃｉ　：　Ｉ　３図（Ｃ）のよ５Ｍ、集合体ＩＯ
からフィルム８を剥がすことにより集合体１０を独立さ
せる、工程（ｄ）：第３図ｆｄｌのように、頂部ＩＩ　
Ａおよび凹部１４　Ｂを備えた凹状の配線基板１］、例
えばセラミック基板を用意し、上記凹部１１　ｆ３内に
絶縁体１２例えばエポキシ樹脂等を介して上記集合体１
０２平坦而１３が土になるようにして配置する。この場
合配線基板１１のｍ部月ＡＶｃは配線層４が形成さＪｌ
、この頂部１１　Ａと士言ｅ平坦面１３とがほぼ同一面
になるよ５［配置する。続いてこの状態で上記樹脂の硬
化処理２行うことにより、集合体１０２凹部１１Ｂ内に
固定する。
工程（ｅ）：第３図（ｅ）のように、集合体１０表面に
絶縁体１４例えばポリイミド系樹脂、環化ブタジェンゴ
ム系樹脂？塗布した後、フォトリソグラフィー法により
不要部を除去して上記間隙内の絶縁体９上にのみその一
部？残すようにする。
工程（，１１：第３図げ）のように、集合体１０内の半
導体チップ２表面上のポンディングパッド３と配線基板
】］の頂部１１　Ａ表面上の配線層４とに渡るように、
あるいはチップ２のポンディングパッド３同士に渡るよ
うに金属配線１５を平坦面１３に密着するように形成す
る。
この形成方法としては例えば第４図のように、（ａｌチ
ップ２あるいは１基板月表面の配線形成面ａ馨除いた面
のみにフォトレジスト１６２塗布しておき、（ｂ）全面
に配線金属１５ヲ蒸着法等により付着した後、上記フォ
トレジスト１６ヲこの上の金属１５と共に除去するよう
にしたいわゆるリフトオフ法により、所望部のみに金属
を残して配線１５り形成することができる。
あるいは基板１５全而に予め配線金属１５２句着した後
、フォトリソグラフィー法により不要部ケ除去して上記
配線１５のみ２残すようにすることもできる。
以上の工程によって第５図に示すような構造の半導体装
置を得ろことができる。
以上の本発明によれば、複数の半導体チップ？その一面
が平坦となるように相互間を絶縁体により接続して集合
体を形成し、この集合体を配線基板上に固定した後、配
線基板と集合体の半導体チップ表面に渡るように金属配
線を形成するものであるから、金属配線の寸法をフォト
リソグラフィー法の加工精度によって決定することがで
き約５〜１０μの範囲内に選ぶことが可能となる。した
がってポンティングバッドと配線層間の接続部の寸法的
制約は大巾に緩和されるので、同一寸法の配線基板上に
密接して多数の半導体チップを実装す・ることかできる
ようになるため実装密度を向上させることができる。ま
た金属配線は空間には存在しないので電気的特性に与え
る影響は著るしく低減さＪする。さらに従来のように極
細線によるポンティングは不要になるため、接続部にお
ける信頼度を大巾に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は従来例を示す平面図および斜視図
、第３図（ａｌ乃至げ）は本発明実施例を示す断面図、
第４図（ａｌ、　（ｂ）は共に本発明実施例を示す断面
図、第５図は本発明実施例を示す斜初図である。 ２．２ａ、２ｔ）、２Ｑ−・・半導体チップ、３，３ａ
。 ３ｂ、３Ｃ・・・ポンディングパッド、４．　４．ａ、
　４１）。 ４Ｃ・・・配線層、８・・・密着性フィルム、９．１２
．１４・・絶縁体、１０・・・集合体、】１・・・配線
基板、］］Ａ・・・頂部、ＩＩ　Ｂ・・・凹部、１３・
・・平坦面、１５・・・配線、１６・・・フォトレジス
ト。 ７− 第１図 第３図（ＣＬ） 学３周（ｂ） 巣３図（Ｃ） 学３図（ｄ） 葦３図（ｆ）

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、（Ｎ　　複数の半導体チップ？その一面が平坦とな
    るよ５Ｆ共通のフィルム上に配置する工程、（Ｂ）　　
    上記複数の半導体チップ相互を絶縁体により接続して集
    合体り形成する工程、 （ｑ　上記集合体からフィルムを除去する工程。 （Ｉ））上記集合体？その平坦面が上になるようにして
    配線基板上に固定する工程、 止）上記配線基板および集合体の半導体チップに渡る金
    属配線ン上記平坦面に密着するように形成する工程、 を含むことを特徴とする半導体装置の製法。 ２、上記（ｒＪ工程における配線基板が凹状から成り集
    合体をその凹部内に配置すると共に、集合体の平坦面と
    上記配線基板のｍ部とをほぼ同一面に保持することを特
    徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製法
    。
JP56195486A 1981-12-04 1981-12-04 半導体装置の製法 Granted JPS5896760A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56195486A JPS5896760A (ja) 1981-12-04 1981-12-04 半導体装置の製法
US06/446,346 US4466181A (en) 1981-12-04 1982-12-02 Method for mounting conjoined devices

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56195486A JPS5896760A (ja) 1981-12-04 1981-12-04 半導体装置の製法

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Publication Number Publication Date
JPS5896760A true JPS5896760A (ja) 1983-06-08
JPS6139741B2 JPS6139741B2 (ja) 1986-09-05

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ID=16341883

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JP56195486A Granted JPS5896760A (ja) 1981-12-04 1981-12-04 半導体装置の製法

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US (1) US4466181A (ja)
JP (1) JPS5896760A (ja)

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