JP2002076237A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度にして接合部やスルーホールが存在せ
ず、小型で信頼性に優れた半導体装置を提供すること、
並びに、この種の半導体装置を高精度かつ高能率に製造
する方法を提供すること。 【解決手段】 ICチップ1、コンデンサ2及びフィル
タ3と、これらの各回路部品1,2,3を一体に保持す
る絶縁性のチップ保持体4と、当該チップ保持体の表面
に電解鋳造され、前記各回路部品の端子部と電気的に接
続された回路パターン5とをもって半導体装置を構成す
る。チップ保持体は、フィラー添加樹脂よりなるフィラ
ー添加部4aとフィラーが添加されていない樹脂よりな
る樹脂単体部4bの二層構造とする。製造方法について
は、バンプ1a,2a,3aが電解鋳造された回路部品
をベース板21上に仮搭載した後、これらの回路部品を
フィラー添加樹脂22及びフィラーが添加されていない
樹脂23でポッティングし、樹脂23の表面に露出され
たバンプ間に回路パターン5を電解鋳造する。
ず、小型で信頼性に優れた半導体装置を提供すること、
並びに、この種の半導体装置を高精度かつ高能率に製造
する方法を提供すること。 【解決手段】 ICチップ1、コンデンサ2及びフィル
タ3と、これらの各回路部品1,2,3を一体に保持す
る絶縁性のチップ保持体4と、当該チップ保持体の表面
に電解鋳造され、前記各回路部品の端子部と電気的に接
続された回路パターン5とをもって半導体装置を構成す
る。チップ保持体は、フィラー添加樹脂よりなるフィラ
ー添加部4aとフィラーが添加されていない樹脂よりな
る樹脂単体部4bの二層構造とする。製造方法について
は、バンプ1a,2a,3aが電解鋳造された回路部品
をベース板21上に仮搭載した後、これらの回路部品を
フィラー添加樹脂22及びフィラーが添加されていない
樹脂23でポッティングし、樹脂23の表面に露出され
たバンプ間に回路パターン5を電解鋳造する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ICチップとこれ
に接続された回路パターンとを有する半導体装置と、当
該半導体装置の製造方法とに係り、特に、ICチップを
含む所要の回路部品を一体に保持するチップ保持体の構
成に関する。
に接続された回路パターンとを有する半導体装置と、当
該半導体装置の製造方法とに係り、特に、ICチップを
含む所要の回路部品を一体に保持するチップ保持体の構
成に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、小型電子部品等の実装におい
て、ICチップとこれに接続された回路パターンとを有
する半導体装置としては、金属箔エッチングや導電ペー
スト印刷などによって所要の回路パターンが形成された
回路基板上にICチップをフェースダウン実装し、回路
パターンとICチップのパッド部(端子部)に施された
バンプとをはんだ、導電ペースト或いは異方性導電接着
剤などを介して電気的に接続したものや、前記と同一構
成の回路基板上にICチップをフェースアップ実装し、
回路パターンとICチップのパッド部とをワイヤボンデ
ィングによって電気的に接続したものなどが知られてい
る。
て、ICチップとこれに接続された回路パターンとを有
する半導体装置としては、金属箔エッチングや導電ペー
スト印刷などによって所要の回路パターンが形成された
回路基板上にICチップをフェースダウン実装し、回路
パターンとICチップのパッド部(端子部)に施された
バンプとをはんだ、導電ペースト或いは異方性導電接着
剤などを介して電気的に接続したものや、前記と同一構
成の回路基板上にICチップをフェースアップ実装し、
回路パターンとICチップのパッド部とをワイヤボンデ
ィングによって電気的に接続したものなどが知られてい
る。
【0003】また、アンテナコイルを有する無線通信用
の半導体装置においては、アンテナコイルを金属箔エッ
チングや導電ペースト印刷などによって回路パターンと
一体に形成したもののほか、巻線コイルをもってアンテ
ナコイルを形成し、当該巻線コイルをICチップのパッ
ド部又は回路基板上に形成された回路パターンに接続し
たものや、ICチップ上に絶縁層を介してアンテナコイ
ルを直接パターン形成したものが提案されている。
の半導体装置においては、アンテナコイルを金属箔エッ
チングや導電ペースト印刷などによって回路パターンと
一体に形成したもののほか、巻線コイルをもってアンテ
ナコイルを形成し、当該巻線コイルをICチップのパッ
ド部又は回路基板上に形成された回路パターンに接続し
たものや、ICチップ上に絶縁層を介してアンテナコイ
ルを直接パターン形成したものが提案されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年におけ
る各種電子機器の小型化及び高密度化の進展に伴い、こ
れらの各種電子機器に搭載又は接続される半導体装置の
小型化及び高密度化が強く求められている。半導体装置
の小型化及び高密度化を図るためには、配線の高密度化
と配線長の短縮による遅延やノイズの低減が重要な課題
となるが、特に、数百MHz以上の周波数の無線を利用
する高周波対応型の半導体装置においては、配線又は接
合部に生じる微小な容量成分が通信特性に影響を及ぼす
ため、配線長の短縮化と接合部の微小化及び均質化がき
わめて重要な課題となる。なお、各種電子機器に搭載又
は接続されない半導体装置、例えば非接触通信式ICカ
ードや非接触通信式ICタグにおいても、特性の改善を
図るためには、配線長の短縮化と接合部の微小化及び均
質化を図る必要がある。
る各種電子機器の小型化及び高密度化の進展に伴い、こ
れらの各種電子機器に搭載又は接続される半導体装置の
小型化及び高密度化が強く求められている。半導体装置
の小型化及び高密度化を図るためには、配線の高密度化
と配線長の短縮による遅延やノイズの低減が重要な課題
となるが、特に、数百MHz以上の周波数の無線を利用
する高周波対応型の半導体装置においては、配線又は接
合部に生じる微小な容量成分が通信特性に影響を及ぼす
ため、配線長の短縮化と接合部の微小化及び均質化がき
わめて重要な課題となる。なお、各種電子機器に搭載又
は接続されない半導体装置、例えば非接触通信式ICカ
ードや非接触通信式ICタグにおいても、特性の改善を
図るためには、配線長の短縮化と接合部の微小化及び均
質化を図る必要がある。
【0005】金属箔エッチングや導電ペースト印刷によ
る回路パターンの加工精度は、通常数十μmが最小限度
であるため、これらの方法によっては、要求される半導
体装置の小型化及び高密度化を図ることができない。な
お、最近では、ウエハ中に貫通孔を開設して所要の配線
を立体的に行ういわゆる三次元実装も研究されている
が、未だ実用の域に達していない。
る回路パターンの加工精度は、通常数十μmが最小限度
であるため、これらの方法によっては、要求される半導
体装置の小型化及び高密度化を図ることができない。な
お、最近では、ウエハ中に貫通孔を開設して所要の配線
を立体的に行ういわゆる三次元実装も研究されている
が、未だ実用の域に達していない。
【0006】また、前記したように、従来の半導体装置
においては、ICチップのパッド部と回路基板に形成さ
れた回路パターンや巻線コイルとが、はんだや導電ペー
スト或いは異方性導電接着剤などの異種材料を介して接
合されているので、接合状態が不安定になりやすく、イ
ンピーダンスが増加したり寄生容量が発生したりして、
特性が劣化しやすいという問題がある。
においては、ICチップのパッド部と回路基板に形成さ
れた回路パターンや巻線コイルとが、はんだや導電ペー
スト或いは異方性導電接着剤などの異種材料を介して接
合されているので、接合状態が不安定になりやすく、イ
ンピーダンスが増加したり寄生容量が発生したりして、
特性が劣化しやすいという問題がある。
【0007】さらに、複数ターンのアンテナコイルが所
望の配線と共に回路基板上にパターン形成される従来の
半導体装置にあっては、必然的に回路基板にスルーホー
ルやビアを形成せざるを得ず、基板設計や製造工程が複
雑化して製品コストが高価になるばかりでなく、特性に
対する信頼性が低下するおそれがある。
望の配線と共に回路基板上にパターン形成される従来の
半導体装置にあっては、必然的に回路基板にスルーホー
ルやビアを形成せざるを得ず、基板設計や製造工程が複
雑化して製品コストが高価になるばかりでなく、特性に
対する信頼性が低下するおそれがある。
【0008】本発明は、かかる従来技術の不備を解消す
るためになされたものであって、高密度にして接合部や
スルーホールが存在せず、小型で信頼性に優れた半導体
装置を定供すこと、並びに、この種の半導体装置を高精
度かつ高能率に製造する方法を提供することを目的とす
る。
るためになされたものであって、高密度にして接合部や
スルーホールが存在せず、小型で信頼性に優れた半導体
装置を定供すこと、並びに、この種の半導体装置を高精
度かつ高能率に製造する方法を提供することを目的とす
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するため、半導体装置に関して、第1に、少なくとも
1つのICチップを含む1乃至複数個の回路部品と、当
該回路部品の端子部に形成されたバンプと、前記回路部
品を保持する絶縁性のチップ保持体と、当該チップ保持
体の表面に電解鋳造され、前記バンプと電気的に接続さ
れた回路パターンとを有し、前記チップ保持体が、フィ
ラー添加樹脂よりなるフィラー添加部とフィラーが添加
されていない樹脂よりなる樹脂単体部とからなり、前記
樹脂単体部の表面に前記回路パターンを形成するという
構成にした。
成するため、半導体装置に関して、第1に、少なくとも
1つのICチップを含む1乃至複数個の回路部品と、当
該回路部品の端子部に形成されたバンプと、前記回路部
品を保持する絶縁性のチップ保持体と、当該チップ保持
体の表面に電解鋳造され、前記バンプと電気的に接続さ
れた回路パターンとを有し、前記チップ保持体が、フィ
ラー添加樹脂よりなるフィラー添加部とフィラーが添加
されていない樹脂よりなる樹脂単体部とからなり、前記
樹脂単体部の表面に前記回路パターンを形成するという
構成にした。
【0010】回路パターンの電解鋳造は、チップ保持体
の表面に導体膜をスパッタ形成した後、当該導電膜上に
フォトレジストを塗布し、次いで、当該フォトレジスト
の露光と現像とを行ってフォトレジスト層に所要の回路
パターン(アンテナを含むこともできる。)に相当する
くぼみを形成して当該部分の導体膜を露出し、しかる後
に、前記導体膜を一方の電極として電解鋳造を行い、前
記露出された導体膜に選択的にメッキ層を形成するの
で、金属箔エッチングや導電ペースト印刷などによって
回路パターンを形成する場合に比べて、回路パターンを
格段に高精度に形成することができる。よって、回路パ
ターンを高密度化することができると共に配線長を短縮
することができ、半導体装置の小型化と遅延やノイズの
低減を図ることができる。また、回路部品の端子部にバ
ンプを形成し、当該バンプに電解鋳造により回路パター
ンを接続すると、バンプと回路パターンとの間に異物が
介在されず、その接続状態を安定化することができるの
で、インピーダンスの増加や寄生容量の発生による特性
劣化を防止することができる。さらに、チップ保持体の
表面に回路パターン電解鋳造したので、回路パターンが
形成された回路基板上に回路部品を搭載してポッティン
グする場合に比べて半導体装置を薄形化することがで
き、この点からも半導体装置の小型化を図ることができ
る。加えて、チップ保持体を、フィラー添加樹脂よりな
るフィラー添加部とフィラーが添加されていない樹脂よ
りなる樹脂単体部とから構成し、樹脂単体部の表面に回
路パターンを形成すると、回路パターンを平滑な樹脂単
体部の表面に形成できるので、回路パターンの形成精度
が害されることがなく、また、回路部品をフィラー添加
樹脂にて保持できるので、半導体装置の剛性を高めるこ
とができる。なお、本構成によれば、1ターンのアンテ
ナコイルを備えた無線通信用の半導体装置を得ることが
できる。
の表面に導体膜をスパッタ形成した後、当該導電膜上に
フォトレジストを塗布し、次いで、当該フォトレジスト
の露光と現像とを行ってフォトレジスト層に所要の回路
パターン(アンテナを含むこともできる。)に相当する
くぼみを形成して当該部分の導体膜を露出し、しかる後
に、前記導体膜を一方の電極として電解鋳造を行い、前
記露出された導体膜に選択的にメッキ層を形成するの
で、金属箔エッチングや導電ペースト印刷などによって
回路パターンを形成する場合に比べて、回路パターンを
格段に高精度に形成することができる。よって、回路パ
ターンを高密度化することができると共に配線長を短縮
することができ、半導体装置の小型化と遅延やノイズの
低減を図ることができる。また、回路部品の端子部にバ
ンプを形成し、当該バンプに電解鋳造により回路パター
ンを接続すると、バンプと回路パターンとの間に異物が
介在されず、その接続状態を安定化することができるの
で、インピーダンスの増加や寄生容量の発生による特性
劣化を防止することができる。さらに、チップ保持体の
表面に回路パターン電解鋳造したので、回路パターンが
形成された回路基板上に回路部品を搭載してポッティン
グする場合に比べて半導体装置を薄形化することがで
き、この点からも半導体装置の小型化を図ることができ
る。加えて、チップ保持体を、フィラー添加樹脂よりな
るフィラー添加部とフィラーが添加されていない樹脂よ
りなる樹脂単体部とから構成し、樹脂単体部の表面に回
路パターンを形成すると、回路パターンを平滑な樹脂単
体部の表面に形成できるので、回路パターンの形成精度
が害されることがなく、また、回路部品をフィラー添加
樹脂にて保持できるので、半導体装置の剛性を高めるこ
とができる。なお、本構成によれば、1ターンのアンテ
ナコイルを備えた無線通信用の半導体装置を得ることが
できる。
【0011】本発明は、半導体装置に関して、第2に、
少なくとも1つのICチップを含む1乃至複数個の回路
部品と、当該回路部品の端子部に形成されたバンプと、
前記回路部品を保持する絶縁性のチップ保持体と、当該
チップ保持体の表面に電解鋳造され、前記バンプと電気
的に接続された第1回路パターンと、当該第1回路パタ
ーンの一部を覆う絶縁層と、当該絶縁層の表面側に電解
鋳造され、前記第1回路パターンと電気的に接続された
第2回路パターンとを有し、前記チップ保持体が、フィ
ラー添加樹脂からなるフィラー添加部とフィラーが添加
されていない樹脂からなる樹脂単体部とからなり、前記
樹脂単体部の表面に前記回路パターンを形成するという
構成にした。
少なくとも1つのICチップを含む1乃至複数個の回路
部品と、当該回路部品の端子部に形成されたバンプと、
前記回路部品を保持する絶縁性のチップ保持体と、当該
チップ保持体の表面に電解鋳造され、前記バンプと電気
的に接続された第1回路パターンと、当該第1回路パタ
ーンの一部を覆う絶縁層と、当該絶縁層の表面側に電解
鋳造され、前記第1回路パターンと電気的に接続された
第2回路パターンとを有し、前記チップ保持体が、フィ
ラー添加樹脂からなるフィラー添加部とフィラーが添加
されていない樹脂からなる樹脂単体部とからなり、前記
樹脂単体部の表面に前記回路パターンを形成するという
構成にした。
【0012】本構成によると、前記第1の手段と同様の
作用効果を奏するほか、バンプと電気的に接続された第
1回路パターンの上に、絶縁層を介して第2回路パター
ンを形成するので、スルーホールやビアを形成すること
なく、回路パターンを2層に形成することができ、例え
ば2ターン以上の巻線数を有するアンテナコイルを備え
た無線通信用の半導体装置を得ることができる。そし
て、スルーホールやビアを有しないので、基板設計や製
造工程の複雑化を防止できると共に、特性に対する信頼
性の低下も防止できる。
作用効果を奏するほか、バンプと電気的に接続された第
1回路パターンの上に、絶縁層を介して第2回路パター
ンを形成するので、スルーホールやビアを形成すること
なく、回路パターンを2層に形成することができ、例え
ば2ターン以上の巻線数を有するアンテナコイルを備え
た無線通信用の半導体装置を得ることができる。そし
て、スルーホールやビアを有しないので、基板設計や製
造工程の複雑化を防止できると共に、特性に対する信頼
性の低下も防止できる。
【0013】本発明は、半導体装置に関して、第3に、
回路パターン中にアンテナを形成するという構成にし
た。
回路パターン中にアンテナを形成するという構成にし
た。
【0014】本構成によると、回路パターン中にアンテ
ナを形成したので、無線通信式の半導体装置を得ること
ができる。
ナを形成したので、無線通信式の半導体装置を得ること
ができる。
【0015】本発明は、半導体装置に関して、第4に、
回路パターンが形成されたチップ保持体の外周を絶縁性
の外装材でカバーするという構成にした。
回路パターンが形成されたチップ保持体の外周を絶縁性
の外装材でカバーするという構成にした。
【0016】本構成によると、回路パターンが形成され
たチップ保持体の外周を絶縁性の外装材でカバーしたの
で、取り扱いを容易化することができ、実用性を高める
ことができる。
たチップ保持体の外周を絶縁性の外装材でカバーしたの
で、取り扱いを容易化することができ、実用性を高める
ことができる。
【0017】一方、本発明は、前記目的を達成するた
め、半導体装置の製造方法に関して、第1に、端子部に
形成されたバンプを上向きにして、回路部品をベース板
に仮搭載する工程と、前記ベース板に仮搭載された回路
部品のうち、少なくとも前記バンプの先端部を除く部分
をフィラー添加樹脂にてポッティングする工程と、当該
フィラー添加樹脂よりなるフィラー添加部の表面に、フ
ィラーが添加されていない樹脂をポッティングして、前
記バンプの先端部を覆う工程と、前記フィラーが添加さ
れていない樹脂よりなる樹脂単体部の表面を機械研磨し
て、当該樹脂単体部の片面に前記バンプを露出させる工
程と、前記樹脂単体部の表面に、前記バンプと電気的に
接続された回路パターンを電解鋳造する工程と、前記フ
ィラー添加部及び回路部品と前記ベース板の界面を剥離
する工程とを含む工程を経て半導体装置を製造するとい
う構成にした。
め、半導体装置の製造方法に関して、第1に、端子部に
形成されたバンプを上向きにして、回路部品をベース板
に仮搭載する工程と、前記ベース板に仮搭載された回路
部品のうち、少なくとも前記バンプの先端部を除く部分
をフィラー添加樹脂にてポッティングする工程と、当該
フィラー添加樹脂よりなるフィラー添加部の表面に、フ
ィラーが添加されていない樹脂をポッティングして、前
記バンプの先端部を覆う工程と、前記フィラーが添加さ
れていない樹脂よりなる樹脂単体部の表面を機械研磨し
て、当該樹脂単体部の片面に前記バンプを露出させる工
程と、前記樹脂単体部の表面に、前記バンプと電気的に
接続された回路パターンを電解鋳造する工程と、前記フ
ィラー添加部及び回路部品と前記ベース板の界面を剥離
する工程とを含む工程を経て半導体装置を製造するとい
う構成にした。
【0018】本構成によると、バンプを上向きにして回
路部品をベース板に仮搭載するので、仮搭載された回路
部品の安定性が高く、当該回路部品に対するフィラー添
加樹脂及びフィラーが添加されていない樹脂のポッティ
ングを容易に行うことができる。また、本構成による
と、ポッティング樹脂の機械研磨をベース板に取り付け
たまま行うことができるので、研磨加工を効率的に行う
ことができる。なお、本構成によれば、1ターンのアン
テナコイルを備えた無線通信用の半導体装置を製造する
ことができる。
路部品をベース板に仮搭載するので、仮搭載された回路
部品の安定性が高く、当該回路部品に対するフィラー添
加樹脂及びフィラーが添加されていない樹脂のポッティ
ングを容易に行うことができる。また、本構成による
と、ポッティング樹脂の機械研磨をベース板に取り付け
たまま行うことができるので、研磨加工を効率的に行う
ことができる。なお、本構成によれば、1ターンのアン
テナコイルを備えた無線通信用の半導体装置を製造する
ことができる。
【0019】本発明は、半導体装置の製造方法に関し
て、第2に、端子部に形成されたバンプを上向きにし
て、回路部品をベース板に仮搭載する工程と、前記ベー
ス板に仮搭載された回路部品のうち、少なくとも前記バ
ンプの先端部を除く部分をフィラー添加樹脂にてポッテ
ィングする工程と、当該フィラー添加樹脂よりなるフィ
ラー添加部の表面に、フィラーが添加されていない樹脂
をポッティングして、前記バンプの先端部を覆う工程
と、前記フィラーが添加されていない樹脂よりなる樹脂
単体部の表面を機械研磨して、当該樹脂単体部の片面に
前記バンプを露出させる工程と、前記樹脂単体部の表面
に、前記バンプと電気的に接続された第1回路パターン
を電解鋳造する工程と、前記第1回路パターン上に絶縁
層を選択的に形成する工程と、前記絶縁層の表面側に前
記第1回路パターンと電気的に接続された第2回路パタ
ーンを電解鋳造する工程と、前記フィラー添加部及び回
路部品と前記ベース板の界面を剥離する工程とを含む工
程を経て半導体装置を製造するという構成にした。
て、第2に、端子部に形成されたバンプを上向きにし
て、回路部品をベース板に仮搭載する工程と、前記ベー
ス板に仮搭載された回路部品のうち、少なくとも前記バ
ンプの先端部を除く部分をフィラー添加樹脂にてポッテ
ィングする工程と、当該フィラー添加樹脂よりなるフィ
ラー添加部の表面に、フィラーが添加されていない樹脂
をポッティングして、前記バンプの先端部を覆う工程
と、前記フィラーが添加されていない樹脂よりなる樹脂
単体部の表面を機械研磨して、当該樹脂単体部の片面に
前記バンプを露出させる工程と、前記樹脂単体部の表面
に、前記バンプと電気的に接続された第1回路パターン
を電解鋳造する工程と、前記第1回路パターン上に絶縁
層を選択的に形成する工程と、前記絶縁層の表面側に前
記第1回路パターンと電気的に接続された第2回路パタ
ーンを電解鋳造する工程と、前記フィラー添加部及び回
路部品と前記ベース板の界面を剥離する工程とを含む工
程を経て半導体装置を製造するという構成にした。
【0020】本構成によると、前記第1の手段と同様の
作用効果を奏するほか、バンプと電気的に接続された第
1回路パターンを電解鋳造した後、絶縁層を介して第2
回路パターンを電解鋳造するので、スルーホールやビア
を形成することなく、回路パターンを2層に形成するこ
とができ、例えば2ターン以上の巻線数を有するアンテ
ナコイルを備えた無線通信用の半導体装置を得ることが
できる。そして、スルーホールやビアを有しないので、
基板設計や製造工程の複雑化を防止できると共に、特性
に対する信頼性の低下も防止できる。
作用効果を奏するほか、バンプと電気的に接続された第
1回路パターンを電解鋳造した後、絶縁層を介して第2
回路パターンを電解鋳造するので、スルーホールやビア
を形成することなく、回路パターンを2層に形成するこ
とができ、例えば2ターン以上の巻線数を有するアンテ
ナコイルを備えた無線通信用の半導体装置を得ることが
できる。そして、スルーホールやビアを有しないので、
基板設計や製造工程の複雑化を防止できると共に、特性
に対する信頼性の低下も防止できる。
【0021】本発明は、半導体装置の製造方法に関し
て、第3に、端子部に形成されたバンプを下向きにし
て、回路部品をベース板に仮搭載する工程と、前記ベー
ス板に仮搭載された回路部品のうち、少なくとも前記バ
ンプの先端部を含む部分を、フィラーが添加されていな
い樹脂にてポッティングする工程と、当該フィラーが添
加されていない樹脂よりなる樹脂単体部の表面に、フィ
ラー添加樹脂をポッティングして、前記回路部品全体を
覆う工程と、前記樹脂単体部及びバンプと前記ベース板
の界面を剥離する工程と、前記樹脂単体部の表面に、前
記バンプと電気的に接続された回路パターンを電解鋳造
する工程とを含む工程を経て半導体装置を製造するとい
う構成にした。
て、第3に、端子部に形成されたバンプを下向きにし
て、回路部品をベース板に仮搭載する工程と、前記ベー
ス板に仮搭載された回路部品のうち、少なくとも前記バ
ンプの先端部を含む部分を、フィラーが添加されていな
い樹脂にてポッティングする工程と、当該フィラーが添
加されていない樹脂よりなる樹脂単体部の表面に、フィ
ラー添加樹脂をポッティングして、前記回路部品全体を
覆う工程と、前記樹脂単体部及びバンプと前記ベース板
の界面を剥離する工程と、前記樹脂単体部の表面に、前
記バンプと電気的に接続された回路パターンを電解鋳造
する工程とを含む工程を経て半導体装置を製造するとい
う構成にした。
【0022】本構成によると、前記第1の手段と同様の
作用効果を奏するほか、バンプを下向きにして回路部品
をベース板に仮搭載するので、ポッティング工程の段階
でバンプの先端位置を揃えることができ、かつポッティ
ング樹脂の表面からバンプの先端部を露出させることが
できるので、研磨加工を容易化又は省略することができ
る。
作用効果を奏するほか、バンプを下向きにして回路部品
をベース板に仮搭載するので、ポッティング工程の段階
でバンプの先端位置を揃えることができ、かつポッティ
ング樹脂の表面からバンプの先端部を露出させることが
できるので、研磨加工を容易化又は省略することができ
る。
【0023】本発明は、半導体装置の製造方法に関し
て、第4に、端子部に形成されたバンプを下向きにし
て、回路部品をベース板に仮搭載する工程と、前記ベー
ス板に仮搭載された回路部品のうち、少なくとも前記バ
ンプの先端部を含む部分を、フィラーが添加されていな
い樹脂にてポッティングする工程と、当該フィラーが添
加されていない樹脂よりなる樹脂単体部の表面に、フィ
ラー添加樹脂をポッティングして、前記回路部品全体を
覆う工程と、前記樹脂単体部及びバンプと前記ベース板
の界面を剥離する工程と、前記樹脂単体部の表面に、前
記バンプと電気的に接続された第1回路パターンを電解
鋳造する工程と、前記第1回路パターン上に絶縁層を選
択的に形成する工程と、前記絶縁層の表面側に前記第1
回路パターンと電気的に接続された第2回路パターンを
電解鋳造する工程とを含む工程を経て半導体装置を製造
するという構成にした。
て、第4に、端子部に形成されたバンプを下向きにし
て、回路部品をベース板に仮搭載する工程と、前記ベー
ス板に仮搭載された回路部品のうち、少なくとも前記バ
ンプの先端部を含む部分を、フィラーが添加されていな
い樹脂にてポッティングする工程と、当該フィラーが添
加されていない樹脂よりなる樹脂単体部の表面に、フィ
ラー添加樹脂をポッティングして、前記回路部品全体を
覆う工程と、前記樹脂単体部及びバンプと前記ベース板
の界面を剥離する工程と、前記樹脂単体部の表面に、前
記バンプと電気的に接続された第1回路パターンを電解
鋳造する工程と、前記第1回路パターン上に絶縁層を選
択的に形成する工程と、前記絶縁層の表面側に前記第1
回路パターンと電気的に接続された第2回路パターンを
電解鋳造する工程とを含む工程を経て半導体装置を製造
するという構成にした。
【0024】本構成によると、前記第3の手段と同様の
作用効果を奏するほか、バンプと電気的に接続された第
1回路パターンを電解鋳造した後、絶縁層を介して第2
回路パターンを電解鋳造するので、スルーホールやビア
を形成することなく、回路パターンを2層に形成するこ
とができ、例えば2ターン以上の巻線数を有するアンテ
ナコイルを備えた無線通信用の半導体装置を得ることが
できる。そして、スルーホールやビアを有しないので、
基板設計や製造工程の複雑化を防止できると共に、特性
に対する信頼性の低下も防止できる。
作用効果を奏するほか、バンプと電気的に接続された第
1回路パターンを電解鋳造した後、絶縁層を介して第2
回路パターンを電解鋳造するので、スルーホールやビア
を形成することなく、回路パターンを2層に形成するこ
とができ、例えば2ターン以上の巻線数を有するアンテ
ナコイルを備えた無線通信用の半導体装置を得ることが
できる。そして、スルーホールやビアを有しないので、
基板設計や製造工程の複雑化を防止できると共に、特性
に対する信頼性の低下も防止できる。
【0025】本発明は、半導体装置の製造方法に関し
て、第5に、回路部品をベース板に仮搭載する工程で、
ベース板上に半導体装置複数個分の回路部品を仮搭載
し、その後の各工程で、これら半導体装置複数個分の回
路部品を一体に取り扱うという構成にした。
て、第5に、回路部品をベース板に仮搭載する工程で、
ベース板上に半導体装置複数個分の回路部品を仮搭載
し、その後の各工程で、これら半導体装置複数個分の回
路部品を一体に取り扱うという構成にした。
【0026】本構成によると、1回の製造工程で所要の
半導体装置を多数個取りすることができるので、半導体
装置の製造効率を高めることができる。
半導体装置を多数個取りすることができるので、半導体
装置の製造効率を高めることができる。
【0027】
【発明の実施の形態】まず、本発明に係る半導体装置の
第1実施形態例を、図1乃至図4に基づいて説明する。
図1は第1実施形態例に係る半導体装置の断面図、図2
は第2実施形態例に係る半導体装置の断面図、図3は第
3実施形態例に係る半導体装置の断面図、図4は第4実
施形態例に係る半導体装置の断面図である。
第1実施形態例を、図1乃至図4に基づいて説明する。
図1は第1実施形態例に係る半導体装置の断面図、図2
は第2実施形態例に係る半導体装置の断面図、図3は第
3実施形態例に係る半導体装置の断面図、図4は第4実
施形態例に係る半導体装置の断面図である。
【0028】図1に示すように、第1実施形態例に係る
半導体装置は、ICチップ1と、コンデンサ2と、フィ
ルタ3と、これら各回路部品1,2,3を一体に保持す
る絶縁性のチップ保持体4と、当該チップ保持体4の表
面に電解鋳造され、前記各回路部品1,2,3の端子部
と電気的に接続された回路パターン5とから構成されて
いる。
半導体装置は、ICチップ1と、コンデンサ2と、フィ
ルタ3と、これら各回路部品1,2,3を一体に保持す
る絶縁性のチップ保持体4と、当該チップ保持体4の表
面に電解鋳造され、前記各回路部品1,2,3の端子部
と電気的に接続された回路パターン5とから構成されて
いる。
【0029】ICチップ1、コンデンサ2、フィルタ3
の各端子部には、それぞれバンプ1a,2a,3aが電
解鋳造されており、これらの各バンプ1a,2a,3a
間が回路パターン5にて接続されている。これらのバン
プ1a,2a,3aは、銅をもって形成されており、一
辺が約100μmの大きさのパッド部を有するICチッ
プ1については、縦、横、高さがそれぞれ約70μmの
バンプ1aが形成される。コンデンサ2のバンプ2a及
びフィルタ3のバンプ3aについても、これとほぼ同一
サイズに形成される。
の各端子部には、それぞれバンプ1a,2a,3aが電
解鋳造されており、これらの各バンプ1a,2a,3a
間が回路パターン5にて接続されている。これらのバン
プ1a,2a,3aは、銅をもって形成されており、一
辺が約100μmの大きさのパッド部を有するICチッ
プ1については、縦、横、高さがそれぞれ約70μmの
バンプ1aが形成される。コンデンサ2のバンプ2a及
びフィルタ3のバンプ3aについても、これとほぼ同一
サイズに形成される。
【0030】チップ保持体4は、フィラー添加樹脂より
なるフィラー添加部4aとフィラーが添加されていない
樹脂よりなる樹脂単体部4bとの二層構造になってお
り、フィラー添加部4aは、ICチップ1、コンデンサ
2、フィルタ3のうちのバンプ1a,2a,3aの先端
部を除く部分に設けられ、樹脂単体部4bは、その表面
が前記各バンプ1a,2a,3aの先端部と同一平面を
なすように形成される。フィラー添加部4aの厚さは、
製品である半導体装置に要求される合成を考慮して、適
宜調整することができる。回路パターン5は、樹脂単体
部4bの表面に形成される。フィラー添加部4a及び樹
脂単体部4bを構成する樹脂材料としては、エポキシ樹
脂、アクリル樹脂、アクリルシリコン樹脂、ウレタン樹
脂又はポリイミド樹脂などを用いることができ、フィラ
ー添加部4aを構成する樹脂材料に添加されるフィラー
としては、シリカ、アルミナ、炭酸カルシウム、シリコ
ンビーズ又はガラス繊維等を用いることができる。
なるフィラー添加部4aとフィラーが添加されていない
樹脂よりなる樹脂単体部4bとの二層構造になってお
り、フィラー添加部4aは、ICチップ1、コンデンサ
2、フィルタ3のうちのバンプ1a,2a,3aの先端
部を除く部分に設けられ、樹脂単体部4bは、その表面
が前記各バンプ1a,2a,3aの先端部と同一平面を
なすように形成される。フィラー添加部4aの厚さは、
製品である半導体装置に要求される合成を考慮して、適
宜調整することができる。回路パターン5は、樹脂単体
部4bの表面に形成される。フィラー添加部4a及び樹
脂単体部4bを構成する樹脂材料としては、エポキシ樹
脂、アクリル樹脂、アクリルシリコン樹脂、ウレタン樹
脂又はポリイミド樹脂などを用いることができ、フィラ
ー添加部4aを構成する樹脂材料に添加されるフィラー
としては、シリカ、アルミナ、炭酸カルシウム、シリコ
ンビーズ又はガラス繊維等を用いることができる。
【0031】回路パターン5は、電解鋳造によって形成
され、メッキ時の電極として使用するシード層と電解鋳
造によってシード層上に積層されるメッキ層とからな
る。シード層及びメッキ層を構成する金属材料として
は、銅やニッケルなどを用いることができるが、メッキ
応力を抑制するため、シード層を構成する金属材料とメ
ッキ層を構成する金属材料とは、同種のものを用いるこ
とが好ましい。回路パターン5には、所要の配線パター
ンのほか、例えばGHz帯といった高周波を用いる無線
通信式の半導体装置については、アンテナコイルやスト
リップアンテナそれにダイポールアンテナ等を形成する
ことができる。
され、メッキ時の電極として使用するシード層と電解鋳
造によってシード層上に積層されるメッキ層とからな
る。シード層及びメッキ層を構成する金属材料として
は、銅やニッケルなどを用いることができるが、メッキ
応力を抑制するため、シード層を構成する金属材料とメ
ッキ層を構成する金属材料とは、同種のものを用いるこ
とが好ましい。回路パターン5には、所要の配線パター
ンのほか、例えばGHz帯といった高周波を用いる無線
通信式の半導体装置については、アンテナコイルやスト
リップアンテナそれにダイポールアンテナ等を形成する
ことができる。
【0032】本例の半導体装置は、回路パターン5を電
解鋳造により形成するので、金属箔エッチングや導電ペ
ースト印刷などによって回路パターンを形成する場合に
比べて、回路パターン5を格段に高精度に形成すること
ができる。よって、回路パターン5の高密度化と配線長
の短縮化を図ることができ、半導体装置の小型化と遅延
やノイズの低減を図ることができる。また、回路部品
1,2,3の端子部にバンプ1a,2a,3aを形成
し、当該バンプ1a,2a,3aに電解鋳造により回路
パターン5を接続したので、バンプ1a,2a,3aと
回路パターン5との間に異物が介在されず、インピーダ
ンスの増加や寄生容量の発生による特性劣化を防止する
ことができる。さらに、チップ保持体4の表面に回路パ
ターン5を電解鋳造したので、回路パターンが形成され
た回路基板上に回路部品を搭載してポッティングする場
合に比べて半導体装置を薄形化することができる。加え
て、チップ保持体4を、フィラー添加部4aと樹脂単体
部4bとから構成し、樹脂単体部4bの表面に回路パタ
ーン5を形成したので、フィラー添加部4aによる半導
体装置の剛性向上と樹脂単体部4bの表面に回路パター
ン5を形成することによる回路パターン5の形成精度の
維持とを同時に図ることができる。
解鋳造により形成するので、金属箔エッチングや導電ペ
ースト印刷などによって回路パターンを形成する場合に
比べて、回路パターン5を格段に高精度に形成すること
ができる。よって、回路パターン5の高密度化と配線長
の短縮化を図ることができ、半導体装置の小型化と遅延
やノイズの低減を図ることができる。また、回路部品
1,2,3の端子部にバンプ1a,2a,3aを形成
し、当該バンプ1a,2a,3aに電解鋳造により回路
パターン5を接続したので、バンプ1a,2a,3aと
回路パターン5との間に異物が介在されず、インピーダ
ンスの増加や寄生容量の発生による特性劣化を防止する
ことができる。さらに、チップ保持体4の表面に回路パ
ターン5を電解鋳造したので、回路パターンが形成され
た回路基板上に回路部品を搭載してポッティングする場
合に比べて半導体装置を薄形化することができる。加え
て、チップ保持体4を、フィラー添加部4aと樹脂単体
部4bとから構成し、樹脂単体部4bの表面に回路パタ
ーン5を形成したので、フィラー添加部4aによる半導
体装置の剛性向上と樹脂単体部4bの表面に回路パター
ン5を形成することによる回路パターン5の形成精度の
維持とを同時に図ることができる。
【0033】図2に示すように、第2実施形態例に係る
半導体装置は、第1実施形態例に係る半導体装置の外周
を外装材8で密封したことを特徴とする。外装材8とし
ては、透湿性が低いことなどから、ホットメルト接着剤
が塗布されたPETフィルムなどを用いることができ
る。その他については、第1実施形態例に係る半導体装
置と同じであるので、重複を避けるために説明を省略す
る。
半導体装置は、第1実施形態例に係る半導体装置の外周
を外装材8で密封したことを特徴とする。外装材8とし
ては、透湿性が低いことなどから、ホットメルト接着剤
が塗布されたPETフィルムなどを用いることができ
る。その他については、第1実施形態例に係る半導体装
置と同じであるので、重複を避けるために説明を省略す
る。
【0034】本例の半導体装置は、外周を外装材8で密
封したので、強度及び耐久性に優れ、より実用に適す
る。
封したので、強度及び耐久性に優れ、より実用に適す
る。
【0035】図3に示すように、第3実施形態例に係る
半導体装置は、第1実施形態例に係る半導体装置におけ
る回路パターン(本例においては、「第1回路パター
ン」という。)5の表面側に、絶縁層6を介して第2回
路パターン7を形成し、第1回路パターン5間を電気的
に接続したことを特徴とする。この第2回路パターン7
も、第1回路パターン5と同様に、電解鋳造法にて形成
される。また、絶縁層6は、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂、アクリルシリコン樹脂、ウレタン樹脂又はポリイミ
ド樹脂などの樹脂材料を用いて形成することができる。
その他については、第1実施形態例に係る半導体装置と
同じであるので、重複を避けるために説明を省略する。
半導体装置は、第1実施形態例に係る半導体装置におけ
る回路パターン(本例においては、「第1回路パター
ン」という。)5の表面側に、絶縁層6を介して第2回
路パターン7を形成し、第1回路パターン5間を電気的
に接続したことを特徴とする。この第2回路パターン7
も、第1回路パターン5と同様に、電解鋳造法にて形成
される。また、絶縁層6は、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂、アクリルシリコン樹脂、ウレタン樹脂又はポリイミ
ド樹脂などの樹脂材料を用いて形成することができる。
その他については、第1実施形態例に係る半導体装置と
同じであるので、重複を避けるために説明を省略する。
【0036】本例の半導体装置は、第1回路パターン5
の表面側に絶縁層6を介して第2回路パターン7を形成
したので、スルーホールやビアを形成することなく、回
路パターンを2層に形成することができ、例えば複数タ
ーンの巻線数を有するアンテナコイルを容易に形成する
ことができる。
の表面側に絶縁層6を介して第2回路パターン7を形成
したので、スルーホールやビアを形成することなく、回
路パターンを2層に形成することができ、例えば複数タ
ーンの巻線数を有するアンテナコイルを容易に形成する
ことができる。
【0037】図4に示すように、第4実施形態例に係る
半導体装置は、第3実施形態例に係る半導体装置の外周
を外装材8で密封したことを特徴とする。その他につい
ては、第2実施形態例に係る半導体装置と同じであるの
で、重複を避けるために説明を省略する。
半導体装置は、第3実施形態例に係る半導体装置の外周
を外装材8で密封したことを特徴とする。その他につい
ては、第2実施形態例に係る半導体装置と同じであるの
で、重複を避けるために説明を省略する。
【0038】本例の半導体装置も、第2実施形態例に係
る半導体装置と同様に、外周を外装材8で密封したの
で、強度及び耐久性に優れ、実用に適する。
る半導体装置と同様に、外周を外装材8で密封したの
で、強度及び耐久性に優れ、実用に適する。
【0039】以下、本発明に係る半導体装置製造方法の
第1実施形態例を、図5乃至図11に基づいて説明す
る。図5はICチップにバンプを形成する工程を示す説
明図、図6はICチップを含む回路部品を一体化する工
程を示す説明図、図7は樹脂単体層の表面の平坦化処理
方法を示す説明図、図8は回路パターン(第1回路パタ
ーン)の形成工程を示す説明図、図9は絶縁層の形成工
程を示す説明図、図10は第2回路パターン及び保護層
の形成工程を示す説明図、図11はベース板から剥離さ
れた構造体の断面図である。
第1実施形態例を、図5乃至図11に基づいて説明す
る。図5はICチップにバンプを形成する工程を示す説
明図、図6はICチップを含む回路部品を一体化する工
程を示す説明図、図7は樹脂単体層の表面の平坦化処理
方法を示す説明図、図8は回路パターン(第1回路パタ
ーン)の形成工程を示す説明図、図9は絶縁層の形成工
程を示す説明図、図10は第2回路パターン及び保護層
の形成工程を示す説明図、図11はベース板から剥離さ
れた構造体の断面図である。
【0040】本例の半導体装置製造方法においては、ま
ず最初に、端子部にバンプを有する回路部品1,2,3
を作製する。
ず最初に、端子部にバンプを有する回路部品1,2,3
を作製する。
【0041】一例として、ICチップ1にバンプ1aを
形成する工程を図5にしたがって説明する。この工程に
おいては、まず、図5(a)に示すように、所要のIC
パターンが形成されたシリコンウエハ11上のパッド部
12以外の部分に、ポリイミド系の絶縁膜13を約2μ
mの厚さに塗布する。次いで、図5(b)に示すよう
に、当該絶縁膜13の上に銅製の第1シード層14をス
パッタによって約5000Åの厚さに形成した後、図5
(c)に示すように、パッド部12以外の部分に第1フ
ォトレジスト層15を形成する。なお、かかる第1のフ
ォトレジスト層15は、シリコンウエハ11上にフォト
レジストを均一に塗布した後、パッド部12に対応する
部分を選択的に露光し、現像処理にて当該露光部分を除
去することにより形成できる。次いで、前記第1のシー
ド層14を一方の電極として電解鋳造を行い、パッド部
12に銅バンプ1aを形成する。次いで、第1のフォト
レジスト層15の除去と当該第1のフォトレジスト層1
5にて覆われていた部分の第1シード層14の除去とを
行い、図5(d)に示すように、パッド部12に高さが
約50μmの銅バンプ1aが形成されたシリコンウエハ
11を得る。最後に、シリコンウエハ11をダイシング
して、図5(e)に示すように、パッド部12に銅バン
プ1aが形成されたICチップ1を取り出す。なお、本
例においては、シリコンウエハ11の段階で銅バンプ1
aの形成を行ったが、ダイシングにより取り出された個
々のICチップに銅バンプ1aを形成することもでき
る。また、図示は省略するが、コンデンサ2やフィルタ
3等の他の回路部品についても、同様の方法で端子部に
銅バンプ2a,3aが形成される。
形成する工程を図5にしたがって説明する。この工程に
おいては、まず、図5(a)に示すように、所要のIC
パターンが形成されたシリコンウエハ11上のパッド部
12以外の部分に、ポリイミド系の絶縁膜13を約2μ
mの厚さに塗布する。次いで、図5(b)に示すよう
に、当該絶縁膜13の上に銅製の第1シード層14をス
パッタによって約5000Åの厚さに形成した後、図5
(c)に示すように、パッド部12以外の部分に第1フ
ォトレジスト層15を形成する。なお、かかる第1のフ
ォトレジスト層15は、シリコンウエハ11上にフォト
レジストを均一に塗布した後、パッド部12に対応する
部分を選択的に露光し、現像処理にて当該露光部分を除
去することにより形成できる。次いで、前記第1のシー
ド層14を一方の電極として電解鋳造を行い、パッド部
12に銅バンプ1aを形成する。次いで、第1のフォト
レジスト層15の除去と当該第1のフォトレジスト層1
5にて覆われていた部分の第1シード層14の除去とを
行い、図5(d)に示すように、パッド部12に高さが
約50μmの銅バンプ1aが形成されたシリコンウエハ
11を得る。最後に、シリコンウエハ11をダイシング
して、図5(e)に示すように、パッド部12に銅バン
プ1aが形成されたICチップ1を取り出す。なお、本
例においては、シリコンウエハ11の段階で銅バンプ1
aの形成を行ったが、ダイシングにより取り出された個
々のICチップに銅バンプ1aを形成することもでき
る。また、図示は省略するが、コンデンサ2やフィルタ
3等の他の回路部品についても、同様の方法で端子部に
銅バンプ2a,3aが形成される。
【0042】次に、前記のようにして作製された各回路
部品1,2,3を別途用意されたベース板を利用して一
体化する。この工程においては、まず、図6(a)に示
すように、表面が平滑に形成された平行平板状のベース
板21に、銅バンプ1a,2a,3aが形成されたIC
チップ1、コンデンサ2、フィルタ3をフェースアップ
で仮搭載する。なお、ベース板21としては、ステンレ
ス等の金属板又はセラミック板或いは硬質樹脂板等をも
ちいることができる。また、搭載部品は、ICチップ
1、コンデンサ2及びフィルタ3の組み合わせに限定さ
れるものではなく、少なくとも1個のICチップ1を含
む任意の回路部品の組み合わせとすることができる。ベ
ース板21に所要の回路部品1,2,3を搭載した後、
図6(b)に示すように、ICチップ1、コンデンサ
2、フィルタ3のうちの少なくともバンプ1a,2a,
3aの先端部を除く部分にフィラー添加樹脂22をポッ
ティングし、フィラー添加部4aを形成する。しかる後
に、図6(c)に示すように、当該フィラー添加部4a
の上にフィラーが添加されていない樹脂23をポッティ
ングして各回路部品1,2,3の上面を完全に覆い、樹
脂硬化後、当該ポッティング樹脂23の表面を機械研磨
して、図6(d)に示すように、ポッティング樹脂23
の樹脂面を平坦化すると共に銅バンプ1a,2a,3a
を外部に露出させて、樹脂単体部4bを形成する。これ
によって、フィラー添加部4aと樹脂単体部4bとから
なる二層構造のチップ保持体4が形成される。
部品1,2,3を別途用意されたベース板を利用して一
体化する。この工程においては、まず、図6(a)に示
すように、表面が平滑に形成された平行平板状のベース
板21に、銅バンプ1a,2a,3aが形成されたIC
チップ1、コンデンサ2、フィルタ3をフェースアップ
で仮搭載する。なお、ベース板21としては、ステンレ
ス等の金属板又はセラミック板或いは硬質樹脂板等をも
ちいることができる。また、搭載部品は、ICチップ
1、コンデンサ2及びフィルタ3の組み合わせに限定さ
れるものではなく、少なくとも1個のICチップ1を含
む任意の回路部品の組み合わせとすることができる。ベ
ース板21に所要の回路部品1,2,3を搭載した後、
図6(b)に示すように、ICチップ1、コンデンサ
2、フィルタ3のうちの少なくともバンプ1a,2a,
3aの先端部を除く部分にフィラー添加樹脂22をポッ
ティングし、フィラー添加部4aを形成する。しかる後
に、図6(c)に示すように、当該フィラー添加部4a
の上にフィラーが添加されていない樹脂23をポッティ
ングして各回路部品1,2,3の上面を完全に覆い、樹
脂硬化後、当該ポッティング樹脂23の表面を機械研磨
して、図6(d)に示すように、ポッティング樹脂23
の樹脂面を平坦化すると共に銅バンプ1a,2a,3a
を外部に露出させて、樹脂単体部4bを形成する。これ
によって、フィラー添加部4aと樹脂単体部4bとから
なる二層構造のチップ保持体4が形成される。
【0043】この状態では、図7(a)に拡大して示す
ように、樹脂単体部4bの表面には、機械研磨に伴う微
細な凹凸24が形成されている。そこで、図7(b)に
示すように、機械研磨終了後、樹脂単体部4bの銅バン
プ露出側の表面にポッティング樹脂23の溶剤25を塗
布することにより、凹凸24を除去して樹脂単体部4b
の表面を平坦化することができる。なお、溶剤24の塗
布方法としては、スピン塗布、ロール塗布、スプレー塗
布など任意の手段をとることができるが、樹脂面に溶剤
を均一かつ速やかに塗布することができて樹脂面の平滑
化を高能率かつ高精度に行うことができ、かつ、余剰の
溶剤を遠心力によって除去することができて溶剤の塗布
と余剰の溶剤の除去とを1工程で行うことができ、樹脂
面の平滑化を高能率に行うことができることから、スピ
ン塗布法を用いることが特に好ましい。
ように、樹脂単体部4bの表面には、機械研磨に伴う微
細な凹凸24が形成されている。そこで、図7(b)に
示すように、機械研磨終了後、樹脂単体部4bの銅バン
プ露出側の表面にポッティング樹脂23の溶剤25を塗
布することにより、凹凸24を除去して樹脂単体部4b
の表面を平坦化することができる。なお、溶剤24の塗
布方法としては、スピン塗布、ロール塗布、スプレー塗
布など任意の手段をとることができるが、樹脂面に溶剤
を均一かつ速やかに塗布することができて樹脂面の平滑
化を高能率かつ高精度に行うことができ、かつ、余剰の
溶剤を遠心力によって除去することができて溶剤の塗布
と余剰の溶剤の除去とを1工程で行うことができ、樹脂
面の平滑化を高能率に行うことができることから、スピ
ン塗布法を用いることが特に好ましい。
【0044】ベース板21上に仮搭載された回路部品
1,2,3をポッティングにより一体化した後、樹脂単
体部4bの表面に回路パターン(第1回路パターン)5
が形成される。この工程においては、まず、図8(a)
に示すように、樹脂単体部4bの表面に前記第1シード
層14と同様の第2シード層31を形成する。次いで、
図8(b)に示すように、第2シード層31の回路パタ
ーン(第1回路パターン)5を形成しない部分に、前記
第1フォトレジスト層15と同様の第2フォトレジスト
層32を形成する。次いで、前記第2シード層31のう
ちの前記第2フォトレジスト層32が形成されていない
部分の除去と、残存した第2フォトレジスト層32の除
去とを行う。しかる後に、残存した第2シード層31を
一方の電極として第2フォトレジスト層32の形成面に
電解鋳造を行い、図8(c)に示す回路パターン5を形
成する。なお、典型的な配線の幅は50μmであり、配
線ピッチは10μmとした。この段階でベース板21を
除去し、所要の整形を施せば、図1に示した第1実施例
に係る半導体装置が得られる。また、これを外装体8で
密封すれば、図2に示した第2実施例に係る半導体装置
が得られる。
1,2,3をポッティングにより一体化した後、樹脂単
体部4bの表面に回路パターン(第1回路パターン)5
が形成される。この工程においては、まず、図8(a)
に示すように、樹脂単体部4bの表面に前記第1シード
層14と同様の第2シード層31を形成する。次いで、
図8(b)に示すように、第2シード層31の回路パタ
ーン(第1回路パターン)5を形成しない部分に、前記
第1フォトレジスト層15と同様の第2フォトレジスト
層32を形成する。次いで、前記第2シード層31のう
ちの前記第2フォトレジスト層32が形成されていない
部分の除去と、残存した第2フォトレジスト層32の除
去とを行う。しかる後に、残存した第2シード層31を
一方の電極として第2フォトレジスト層32の形成面に
電解鋳造を行い、図8(c)に示す回路パターン5を形
成する。なお、典型的な配線の幅は50μmであり、配
線ピッチは10μmとした。この段階でベース板21を
除去し、所要の整形を施せば、図1に示した第1実施例
に係る半導体装置が得られる。また、これを外装体8で
密封すれば、図2に示した第2実施例に係る半導体装置
が得られる。
【0045】第3実施形態例及び第4実施形態例に係る
半導体装置を製造するに際しては、第1回路パターン5
を形成した後、絶縁層6の形成が行われる。この工程に
おいては、まず、図9(a)に示すように、前記回路パ
ターン5上の導通端子となる部分に第3のフォトレジス
ト層41を形成した後、図9(b)に示すように、該レ
ジスト41が塗布された部分以外の領域に例えばアクリ
ルシリコン樹脂からなる絶縁層6を約5μmの厚さに塗
布する。しかる後に、前記第3のフォトレジスト層41
を除去し、図9(c)に示すように、第2回路パターン
7の接続部42を作製する。なお、当該絶縁層6の表面
についても、必要に応じて、当該絶縁層6を構成する樹
脂材料の溶剤を塗布することによって、平滑化すること
ができる。
半導体装置を製造するに際しては、第1回路パターン5
を形成した後、絶縁層6の形成が行われる。この工程に
おいては、まず、図9(a)に示すように、前記回路パ
ターン5上の導通端子となる部分に第3のフォトレジス
ト層41を形成した後、図9(b)に示すように、該レ
ジスト41が塗布された部分以外の領域に例えばアクリ
ルシリコン樹脂からなる絶縁層6を約5μmの厚さに塗
布する。しかる後に、前記第3のフォトレジスト層41
を除去し、図9(c)に示すように、第2回路パターン
7の接続部42を作製する。なお、当該絶縁層6の表面
についても、必要に応じて、当該絶縁層6を構成する樹
脂材料の溶剤を塗布することによって、平滑化すること
ができる。
【0046】次に、第2回路パターン5及び保護層9の
形成工程を図10にしたがって説明すると、まず、図1
0(a)に示すように、前記絶縁層6の表面に、前記第
1シード層14と同様の第3シード層51を形成する。
次いで、図10(b)に示すように、当該第3シード層
51の回路パターン(第2回路パターン)7を形成しな
い部分に、第1フォトレジスト層15と同様の第4フォ
トレジスト層52を形成する。しかる後に、前記第3シ
ード層51を一方の電極として電解鋳造を行い、前記第
3シード層51の第4フォトレジスト層52にて覆われ
ていない部分に第2回路パターン7を形成する。次い
で、第4フォトレジスト層52の除去と当該第4フォト
レジスト層52にて覆われていた部分の第3シード層5
1の除去とを行い、図10(c)に示すように、第1回
路パターン5が第2回路パターン7にて電気的に接続さ
れたものを得る。最後に、図10(d)に示すように、
第2回路パターン7上に例えばシリコーン樹脂等の保護
層9を形成する。
形成工程を図10にしたがって説明すると、まず、図1
0(a)に示すように、前記絶縁層6の表面に、前記第
1シード層14と同様の第3シード層51を形成する。
次いで、図10(b)に示すように、当該第3シード層
51の回路パターン(第2回路パターン)7を形成しな
い部分に、第1フォトレジスト層15と同様の第4フォ
トレジスト層52を形成する。しかる後に、前記第3シ
ード層51を一方の電極として電解鋳造を行い、前記第
3シード層51の第4フォトレジスト層52にて覆われ
ていない部分に第2回路パターン7を形成する。次い
で、第4フォトレジスト層52の除去と当該第4フォト
レジスト層52にて覆われていた部分の第3シード層5
1の除去とを行い、図10(c)に示すように、第1回
路パターン5が第2回路パターン7にて電気的に接続さ
れたものを得る。最後に、図10(d)に示すように、
第2回路パターン7上に例えばシリコーン樹脂等の保護
層9を形成する。
【0047】以下、ベース板21を除去して図11に示
す構造体を得、この構造体に所要の整形を施すことによ
り、図3に示した第3実施例に係る半導体装置が得られ
る。また、これを外装体8で密封すれば、図4に示した
第4実施例に係る半導体装置が得られる。
す構造体を得、この構造体に所要の整形を施すことによ
り、図3に示した第3実施例に係る半導体装置が得られ
る。また、これを外装体8で密封すれば、図4に示した
第4実施例に係る半導体装置が得られる。
【0048】本例の製造方法によると、バンプ1a,2
a,3aを上向きにして回路部品1,2,3をベース板
21に仮搭載するので、仮搭載された回路部品1,2,
3の安定性が高く、当該回路部品のポッティングを容易
に行うことができる。また、回路部品1.2.3をポッ
ティングした樹脂の研磨をベース板21に取り付けたま
ま行うことができるので、研磨加工を効率化することが
できる。
a,3aを上向きにして回路部品1,2,3をベース板
21に仮搭載するので、仮搭載された回路部品1,2,
3の安定性が高く、当該回路部品のポッティングを容易
に行うことができる。また、回路部品1.2.3をポッ
ティングした樹脂の研磨をベース板21に取り付けたま
ま行うことができるので、研磨加工を効率化することが
できる。
【0049】なお、本例の製造方法とは異なり、図12
に示すように、ベース板21に回路部品1,2,3をフ
ェースダウンで仮搭載することもできる。
に示すように、ベース板21に回路部品1,2,3をフ
ェースダウンで仮搭載することもできる。
【0050】この場合には、回路部品1,2,3のベー
ス板21側にまずフィラーが添加されていない樹脂23
をポッティングして各回路部品1,2,3に形成された
バンプ1a,2a,3aの先端部を当該ポッティング樹
脂23で覆い、樹脂単体部4bを形成する。しかる後
に、当該樹脂単体部4bの上にフィラー添加樹脂22を
ポッティングし、フィラー添加部4aを形成する。そし
て、フィラー添加部4aが硬化した後、ポッティング樹
脂23及びバンプ1a,2a,3aとベース板21との
界面を剥離し、回路パターン5の形成を行う。その他に
ついては、前記実施形態例に係る製造方法と同じである
ので、重複を避けるために説明を省略する。
ス板21側にまずフィラーが添加されていない樹脂23
をポッティングして各回路部品1,2,3に形成された
バンプ1a,2a,3aの先端部を当該ポッティング樹
脂23で覆い、樹脂単体部4bを形成する。しかる後
に、当該樹脂単体部4bの上にフィラー添加樹脂22を
ポッティングし、フィラー添加部4aを形成する。そし
て、フィラー添加部4aが硬化した後、ポッティング樹
脂23及びバンプ1a,2a,3aとベース板21との
界面を剥離し、回路パターン5の形成を行う。その他に
ついては、前記実施形態例に係る製造方法と同じである
ので、重複を避けるために説明を省略する。
【0051】なお、ベース板21を剥離した後、必要に
応じて、樹脂単体部4bの表面に溶剤を塗布して、当該
樹脂単体部4bの表面を平滑化することもできる。
応じて、樹脂単体部4bの表面に溶剤を塗布して、当該
樹脂単体部4bの表面を平滑化することもできる。
【0052】本構成によると、前記実施形態例と同様の
効果を奏するほか、バンプを下向きにして回路部品をベ
ース板に仮搭載するので、樹脂のポッティング工程でバ
ンプ1a,2a,3aの先端位置と樹脂単体部4bの表
面とを同一面上に揃えることができ、研磨加工を容易化
又は省略することができる。
効果を奏するほか、バンプを下向きにして回路部品をベ
ース板に仮搭載するので、樹脂のポッティング工程でバ
ンプ1a,2a,3aの先端位置と樹脂単体部4bの表
面とを同一面上に揃えることができ、研磨加工を容易化
又は省略することができる。
【0053】なお、本例の場合には、ポッティングされ
た構造体の剥離を容易にするため、ベース板21に所要
の離型処理61を施しておくことが好ましい。また、こ
の方法によるときは、ベース板21を除去した後に構造
体の研磨を行うので、構造体保護のため、研磨加工時、
構造体を所要のホルダに取り付けることが好ましい。
た構造体の剥離を容易にするため、ベース板21に所要
の離型処理61を施しておくことが好ましい。また、こ
の方法によるときは、ベース板21を除去した後に構造
体の研磨を行うので、構造体保護のため、研磨加工時、
構造体を所要のホルダに取り付けることが好ましい。
【0054】
【発明の効果】請求項1に記載の発明は、回路パターン
を電解鋳造により形成するので、金属箔エッチングや導
電ペースト印刷などによって回路パターンを形成する場
合に比べて、回路パターンを格段に高精度に形成するこ
とができる。よって、回路パターンの高密度化と配線長
の短縮化を図ることができ、半導体装置の小型化と遅延
やノイズの低減を図ることができる。また、回路部品の
端子部にバンプを形成し、当該バンプに電解鋳造により
回路パターンを接続したので、バンプと回路パターンと
の間に異物が介在されず、インピーダンスの増加や寄生
容量の発生による特性劣化を防止することができる。さ
らに、チップ保持体の表面に回路パターンを電解鋳造し
たので、回路パターンが形成された回路基板上に回路部
品を搭載してポッティングする場合に比べて半導体装置
を薄形化することができる。加えて、チップ保持体を、
フィラー添加部と樹脂単体部とから構成し、樹脂単体部
の表面に回路パターンを形成したので、フィラー添加部
による半導体装置の剛性向上と樹脂単体部の表面に回路
パターンを形成することによる回路パターンの形成精度
の維持とを同時に図ることができる。
を電解鋳造により形成するので、金属箔エッチングや導
電ペースト印刷などによって回路パターンを形成する場
合に比べて、回路パターンを格段に高精度に形成するこ
とができる。よって、回路パターンの高密度化と配線長
の短縮化を図ることができ、半導体装置の小型化と遅延
やノイズの低減を図ることができる。また、回路部品の
端子部にバンプを形成し、当該バンプに電解鋳造により
回路パターンを接続したので、バンプと回路パターンと
の間に異物が介在されず、インピーダンスの増加や寄生
容量の発生による特性劣化を防止することができる。さ
らに、チップ保持体の表面に回路パターンを電解鋳造し
たので、回路パターンが形成された回路基板上に回路部
品を搭載してポッティングする場合に比べて半導体装置
を薄形化することができる。加えて、チップ保持体を、
フィラー添加部と樹脂単体部とから構成し、樹脂単体部
の表面に回路パターンを形成したので、フィラー添加部
による半導体装置の剛性向上と樹脂単体部の表面に回路
パターンを形成することによる回路パターンの形成精度
の維持とを同時に図ることができる。
【0055】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の発明と同様の効果を奏するほか、バンプと電気的に接
続された第1回路パターンの上に、絶縁層を介して第2
回路パターンを形成するので、スルーホールやビアを形
成することなく、回路パターンを2層に形成することが
でき、例えば2ターン以上の巻線数を有するアンテナコ
イルを備えた無線通信用の半導体装置を得ることができ
る。そして、スルーホールやビアを有しないので、基板
設計や製造工程の複雑化を防止できると共に、特性に対
する信頼性の低下も防止できる。
の発明と同様の効果を奏するほか、バンプと電気的に接
続された第1回路パターンの上に、絶縁層を介して第2
回路パターンを形成するので、スルーホールやビアを形
成することなく、回路パターンを2層に形成することが
でき、例えば2ターン以上の巻線数を有するアンテナコ
イルを備えた無線通信用の半導体装置を得ることができ
る。そして、スルーホールやビアを有しないので、基板
設計や製造工程の複雑化を防止できると共に、特性に対
する信頼性の低下も防止できる。
【0056】請求項3に記載の発明は、請求項1に記載
の発明と同様の効果を奏するほか、回路パターン中にア
ンテナを形成したので、無線通信式の半導体装置を得る
ことができる。
の発明と同様の効果を奏するほか、回路パターン中にア
ンテナを形成したので、無線通信式の半導体装置を得る
ことができる。
【0057】請求項4に記載の発明は、請求項1に記載
の発明と同様の効果を奏するほか、回路パターンが形成
されたチップ保持体の外周を絶縁性の外装材でカバーし
たので、取り扱いを容易化することができ、実用性を高
めることができる。
の発明と同様の効果を奏するほか、回路パターンが形成
されたチップ保持体の外周を絶縁性の外装材でカバーし
たので、取り扱いを容易化することができ、実用性を高
めることができる。
【0058】請求項5に記載の発明は、バンプを上向き
にして回路部品をベース板に仮搭載するので、仮搭載さ
れた回路部品の安定性が高く、当該回路部品に対するフ
ィラー添加樹脂及びフィラーが添加されていない樹脂の
ポッティングを容易に行うことができる。また、ポッテ
ィング樹脂の機械研磨をベース板に取り付けたまま行う
ことができるので、研磨加工を効率的に行うことができ
る。
にして回路部品をベース板に仮搭載するので、仮搭載さ
れた回路部品の安定性が高く、当該回路部品に対するフ
ィラー添加樹脂及びフィラーが添加されていない樹脂の
ポッティングを容易に行うことができる。また、ポッテ
ィング樹脂の機械研磨をベース板に取り付けたまま行う
ことができるので、研磨加工を効率的に行うことができ
る。
【0059】請求項6に記載の発明は、請求項5に記載
の発明と同様の効果を奏するほか、バンプと電気的に接
続された第1回路パターンを電解鋳造した後、絶縁層を
介して第2回路パターンを電解鋳造するので、スルーホ
ールやビアを形成することなく、回路パターンを2層に
形成することができ、例えば2ターン以上の巻線数を有
するアンテナコイルを備えた無線通信用の半導体装置を
得ることができる。そして、スルーホールやビアを有し
ないので、基板設計や製造工程の複雑化を防止できると
共に、特性に対する信頼性の低下も防止できる。
の発明と同様の効果を奏するほか、バンプと電気的に接
続された第1回路パターンを電解鋳造した後、絶縁層を
介して第2回路パターンを電解鋳造するので、スルーホ
ールやビアを形成することなく、回路パターンを2層に
形成することができ、例えば2ターン以上の巻線数を有
するアンテナコイルを備えた無線通信用の半導体装置を
得ることができる。そして、スルーホールやビアを有し
ないので、基板設計や製造工程の複雑化を防止できると
共に、特性に対する信頼性の低下も防止できる。
【0060】請求項7に記載の発明は、請求項5に記載
の発明と同様の効果を奏するほか、バンプを下向きにし
て回路部品をベース板に仮搭載するので、ポッティング
工程の段階でバンプの先端位置を揃えることができ、か
つポッティング樹脂の表面からバンプの先端部を露出さ
せることができるので、研磨加工を容易化又は省略する
ことができる。
の発明と同様の効果を奏するほか、バンプを下向きにし
て回路部品をベース板に仮搭載するので、ポッティング
工程の段階でバンプの先端位置を揃えることができ、か
つポッティング樹脂の表面からバンプの先端部を露出さ
せることができるので、研磨加工を容易化又は省略する
ことができる。
【0061】請求項8に記載の発明は、請求項7に記載
の発明と同様の効果を奏するほか、バンプと電気的に接
続された第1回路パターンを電解鋳造した後、絶縁層を
介して第2回路パターンを電解鋳造するので、スルーホ
ールやビアを形成することなく、回路パターンを2層に
形成することができ、例えば2ターン以上の巻線数を有
するアンテナコイルを備えた無線通信用の半導体装置を
得ることができる。そして、スルーホールやビアを有し
ないので、基板設計や製造工程の複雑化を防止できると
共に、特性に対する信頼性の低下も防止できる。
の発明と同様の効果を奏するほか、バンプと電気的に接
続された第1回路パターンを電解鋳造した後、絶縁層を
介して第2回路パターンを電解鋳造するので、スルーホ
ールやビアを形成することなく、回路パターンを2層に
形成することができ、例えば2ターン以上の巻線数を有
するアンテナコイルを備えた無線通信用の半導体装置を
得ることができる。そして、スルーホールやビアを有し
ないので、基板設計や製造工程の複雑化を防止できると
共に、特性に対する信頼性の低下も防止できる。
【0062】請求項9に記載の発明は、請求項5乃至8
に記載の発明と同様の効果を奏するほか、回路部品をベ
ース板に仮搭載する工程で、ベース板上に半導体装置複
数個分の回路部品を仮搭載し、その後の各工程で、これ
ら半導体装置複数個分の回路部品を一体に取り扱うよう
にしたので、1回の製造工程で所要の半導体装置を多数
個取りすることができ、半導体装置の製造効率を高める
ことができる。
に記載の発明と同様の効果を奏するほか、回路部品をベ
ース板に仮搭載する工程で、ベース板上に半導体装置複
数個分の回路部品を仮搭載し、その後の各工程で、これ
ら半導体装置複数個分の回路部品を一体に取り扱うよう
にしたので、1回の製造工程で所要の半導体装置を多数
個取りすることができ、半導体装置の製造効率を高める
ことができる。
【図1】第1実施形態例に係る半導体装置の断面図であ
る。
る。
【図2】第2実施形態例に係る半導体装置の断面図であ
る。
る。
【図3】第3実施形態例に係る半導体装置の断面図であ
る。
る。
【図4】第4実施形態例に係る半導体装置の断面図であ
る。
る。
【図5】ICチップにバンプを形成する工程を示す説明
図である。
図である。
【図6】ICチップを含む回路部品を一体化する工程を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図7】ポッティング樹脂の平滑化方法を示す説明図で
ある。
ある。
【図8】回路パターン(第1回路パターン)の形成工程
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図9】絶縁層の形成工程を示す説明図である。
【図10】第2回路パターン及び保護層の形成工程を示
す説明図である。
す説明図である。
【図11】ベース板から剥離された構造体の断面図であ
る。
る。
【図12】本発明に係る半導体装置製造方法の他の例を
示す断面図である。
示す断面図である。
1 ICチップ 2 コンデンサ 3 フィルタ 1a,2a,3a バンプ 4 チップ保持体 4a フィラー添加部 4b 樹脂単体部 5 回路パターン(第1回路パターン) 6 絶縁層 7 第2回路パターン 8 外装材 21 ベース板
Claims (9)
- 【請求項1】 少なくとも1つのICチップを含む1乃
至複数個の回路部品と、当該回路部品の端子部に形成さ
れたバンプと、前記回路部品を保持する絶縁性のチップ
保持体と、当該チップ保持体の表面に電解鋳造され、前
記バンプと電気的に接続された回路パターンとを有し、
前記チップ保持体が、フィラー添加樹脂よりなるフィラ
ー添加部とフィラーが添加されていない樹脂よりなる樹
脂単体部とからなり、前記樹脂単体部の表面に前記回路
パターンを形成したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 少なくとも1つのICチップを含む1乃
至複数個の回路部品と、当該回路部品の端子部に形成さ
れたバンプと、前記回路部品を保持する絶縁性のチップ
保持体と、当該チップ保持体の表面に電解鋳造され、前
記バンプと電気的に接続された第1回路パターンと、当
該第1回路パターンの一部を覆う絶縁層と、当該絶縁層
の表面側に電解鋳造され、前記第1回路パターンと電気
的に接続された第2回路パターンとを有し、前記チップ
保持体が、フィラー添加樹脂よりなるフィラー添加部と
フィラーが添加されていない樹脂よりなる樹脂単体部と
からなり、前記樹脂単体部の表面に前記回路パターンを
形成したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項3】 請求項1又は2に記載の半導体装置にお
いて、前記回路パターン中にアンテナを形成したことを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項4】 請求項1又は2に記載の半導体装置にお
いて、前記回路パターンが形成されたチップ保持体の外
周を絶縁性の外装材でカバーしたことを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項5】 端子部に形成されたバンプを上向きにし
て、回路部品をベース板に仮搭載する工程と、 前記ベース板に仮搭載された回路部品のうち、少なくと
も前記バンプの先端部を除く部分をフィラー添加樹脂に
てポッティングする工程と、 当該フィラー添加樹脂よりなるフィラー添加部の表面
に、フィラーが添加されていない樹脂をポッティングし
て、前記バンプの先端部を覆う工程と、 前記フィラーが添加されていない樹脂よりなる樹脂単体
部の表面を機械研磨して、当該樹脂単体部の片面に前記
バンプを露出させる工程と、 前記樹脂単体部の表面に、前記バンプと電気的に接続さ
れた回路パターンを電解鋳造する工程と、 前記フィラー添加部及び回路部品と前記ベース板の界面
を剥離する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項6】 端子部に形成されたバンプを上向きにし
て、回路部品をベース板に仮搭載する工程と、 前記ベース板に仮搭載された回路部品のうち、少なくと
も前記バンプの先端部を除く部分をフィラー添加樹脂に
てポッティングする工程と、 当該フィラー添加樹脂よりなるフィラー添加部の表面
に、フィラーが添加されていない樹脂をポッティングし
て、前記バンプの先端部を覆う工程と、 前記フィラーが添加されていない樹脂よりなる樹脂単体
部の表面を機械研磨して、当該樹脂単体部の片面に前記
バンプを露出させる工程と、 前記樹脂単体部の表面に、前記バンプと電気的に接続さ
れた第1回路パターンを電解鋳造する工程と、 前記第1回路パターン上に絶縁層を選択的に形成する工
程と、 前記絶縁層の表面側に前記第1回路パターンと電気的に
接続された第2回路パターンを電解鋳造する工程と、 前記フィラー添加部及び回路部品と前記ベース板の界面
を剥離する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項7】 端子部に形成されたバンプを下向きにし
て、回路部品をベース板に仮搭載する工程と、 前記ベース板に仮搭載された回路部品のうち、少なくと
も前記バンプの先端部を含む部分を、フィラーが添加さ
れていない樹脂にてポッティングする工程と、 当該フィラーが添加されていない樹脂よりなる樹脂単体
部の表面に、フィラー添加樹脂をポッティングして、前
記回路部品全体を覆う工程と、 前記樹脂単体部及びバンプと前記ベース板の界面を剥離
する工程と、 前記樹脂単体部の表面に、前記バンプと電気的に接続さ
れた回路パターンを電解鋳造する工程とを含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項8】 端子部に形成されたバンプを下向きにし
て、回路部品をベース板に仮搭載する工程と、 前記ベース板に仮搭載された回路部品のうち、少なくと
も前記バンプの先端部を含む部分を、フィラーが添加さ
れていない樹脂にてポッティングする工程と、 当該フィラーが添加されていない樹脂よりなる樹脂単体
部の表面に、フィラー添加樹脂をポッティングして、前
記回路部品全体を覆う工程と、 前記樹脂単体部及びバンプと前記ベース板の界面を剥離
する工程と、 前記樹脂単体部の表面に、前記バンプと電気的に接続さ
れた第1回路パターンを電解鋳造する工程と、 前記第1回路パターン上に絶縁層を選択的に形成する工
程と、 前記絶縁層の表面側に前記第1回路パターンと電気的に
接続された第2回路パターンを電解鋳造する工程とを含
むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項9】 請求項5乃至8に記載の半導体装置の製
造方法において、前記回路部品をベース板に仮搭載する
工程で、ベース板上に半導体装置複数個分の回路部品を
仮搭載し、その後の各工程で、これら半導体装置複数個
分の回路部品を一体に取り扱うことを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000261499A JP2002076237A (ja) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000261499A JP2002076237A (ja) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002076237A true JP2002076237A (ja) | 2002-03-15 |
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ID=18749329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000261499A Withdrawn JP2002076237A (ja) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002076237A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010165940A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の樹脂封止方法 |
JP2011238767A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
JP2015076519A (ja) * | 2013-10-09 | 2015-04-20 | 富士通株式会社 | 電子部品パッケージおよび電子部品パッケージの製造方法 |
US9509058B2 (en) | 2014-07-04 | 2016-11-29 | Fujitsu Limited | High-frequency module and method for manufacturing the same |
-
2000
- 2000-08-30 JP JP2000261499A patent/JP2002076237A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010165940A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の樹脂封止方法 |
US8610292B2 (en) | 2009-01-16 | 2013-12-17 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Resin sealing method of semiconductor device |
JP2011238767A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
JP2015076519A (ja) * | 2013-10-09 | 2015-04-20 | 富士通株式会社 | 電子部品パッケージおよび電子部品パッケージの製造方法 |
US9509058B2 (en) | 2014-07-04 | 2016-11-29 | Fujitsu Limited | High-frequency module and method for manufacturing the same |
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