JPS589348A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
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- JPS589348A JPS589348A JP10790581A JP10790581A JPS589348A JP S589348 A JPS589348 A JP S589348A JP 10790581 A JP10790581 A JP 10790581A JP 10790581 A JP10790581 A JP 10790581A JP S589348 A JPS589348 A JP S589348A
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- lead frame
- notch
- connection strip
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
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- H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、比較的大きな電力を取り扱うことのできる樹
脂封止形半導体装置を製造するために用いるリードフレ
ームに関する。
脂封止形半導体装置を製造するために用いるリードフレ
ームに関する。
近年、半導体装置の樹脂封止化が進み、たとえばかなり
大きな電力を取り扱うことのできるトランジスタも樹脂
封止構造とされるに至っているが、この樹脂封止形電力
用半導体装置では、これを組みたてるために用いるリー
ドフレームの基板支持部が放熱板を兼ね、半導体基板の
接着される面とは反対側の面が成型樹脂により覆われる
こと遅く露出する構造となっている。このような構造を
有する樹脂封止形電力用半導体装置は各種の機器にとり
つける際して露出する基板支持部を放熱板へ熱的に結合
されるが、このとき放熱板と基板支持部との間を絶縁板
等を介在させるなどして電気的に絶縁させる必要があっ
た。このため取り付は作業が煩雑となり、組立作業能率
の面で問題があった。
大きな電力を取り扱うことのできるトランジスタも樹脂
封止構造とされるに至っているが、この樹脂封止形電力
用半導体装置では、これを組みたてるために用いるリー
ドフレームの基板支持部が放熱板を兼ね、半導体基板の
接着される面とは反対側の面が成型樹脂により覆われる
こと遅く露出する構造となっている。このような構造を
有する樹脂封止形電力用半導体装置は各種の機器にとり
つける際して露出する基板支持部を放熱板へ熱的に結合
されるが、このとき放熱板と基板支持部との間を絶縁板
等を介在させるなどして電気的に絶縁させる必要があっ
た。このため取り付は作業が煩雑となり、組立作業能率
の面で問題があった。
このような不都合を排除するために、基板支持体の半導
体基板が接着される側とは反対側の面上を成型樹脂で薄
く被覆した絶縁構造の樹脂封止形半導体装置の実用化が
進められている。
体基板が接着される側とは反対側の面上を成型樹脂で薄
く被覆した絶縁構造の樹脂封止形半導体装置の実用化が
進められている。
第１図はかかる樹脂封止形半導体装置の組み立てに際し
て用いられるリードフレームとして、出願人が特願昭６
６−３２２２９号で提案したＩＪ−ドフレームの平面図
であり、図中１はトランジスタ素子の接着される基板支
持部、２は放熱板への取り付けを可能にするためのねじ
止め用貫通孔、３．４．５は外部リード部、６は移送ピ
ッチの決定ならびに樹脂封止時の位置決めをなす孔７が
穿設された共通接続細条であり、さらに基板支持体１の
外部リード３に繋る辺とは反対側の辺から２本の細条８
，９が延び、これらが第２の共通接続細条１ｏに繋った
構造となっている。なお、第２の共通接続細条１０には
樹脂封止工程で金型の一部と嵌合し、位置規正のための
孔１１が形成されている。第２図は、このような形状の
リードフレームを用いて形成したトランジスタ組立構体
を樹脂で封止成型する状態を示す図であり、上下の金型
１２と１３の間に形成される空所内へ樹脂１４を注入し
て成型がなされる。
て用いられるリードフレームとして、出願人が特願昭６
６−３２２２９号で提案したＩＪ−ドフレームの平面図
であり、図中１はトランジスタ素子の接着される基板支
持部、２は放熱板への取り付けを可能にするためのねじ
止め用貫通孔、３．４．５は外部リード部、６は移送ピ
ッチの決定ならびに樹脂封止時の位置決めをなす孔７が
穿設された共通接続細条であり、さらに基板支持体１の
外部リード３に繋る辺とは反対側の辺から２本の細条８
，９が延び、これらが第２の共通接続細条１ｏに繋った
構造となっている。なお、第２の共通接続細条１０には
樹脂封止工程で金型の一部と嵌合し、位置規正のための
孔１１が形成されている。第２図は、このような形状の
リードフレームを用いて形成したトランジスタ組立構体
を樹脂で封止成型する状態を示す図であり、上下の金型
１２と１３の間に形成される空所内へ樹脂１４を注入し
て成型がなされる。
リードフレームは、外部リード部３〜６が一方の側にお
いて上下の金型によって挾持されるとともに、他方の側
でも細条１０，１１ならびに第２の共通接続細条８が上
下の金型によって挾持される。また第１の共通接続細条
６に設けた孔７に金型の突出部が嵌合（図示せず）する
ばかりでなく第２の共通接続細条１ｏの孔１１にも金型
の突出部１６が嵌合する。なお１６はねじ止め用の孔を
形成するべく樹脂を部分的に排除する突起、１７はトラ
ンジスタ素子である。
いて上下の金型によって挾持されるとともに、他方の側
でも細条１０，１１ならびに第２の共通接続細条８が上
下の金型によって挾持される。また第１の共通接続細条
６に設けた孔７に金型の突出部が嵌合（図示せず）する
ばかりでなく第２の共通接続細条１ｏの孔１１にも金型
の突出部１６が嵌合する。なお１６はねじ止め用の孔を
形成するべく樹脂を部分的に排除する突起、１７はトラ
ンジスタ素子である。
か＼るリードフレームによって封止を行なえば、トラン
ジスタ素子１７の接着された基板支持部１は、上下の金
型１２，１３によって挾持される外部リード３と細条１
０，１１とにより支持されて、金型空所内に浮いた状態
で位置し、放熱板を兼ねる基板支持体の一方の主面（半
導体基板の接着面とは反対の面）の直下にも薄い樹脂の
層を形成した構造の樹脂封止形半導体装置を製造するこ
とができる。
ジスタ素子１７の接着された基板支持部１は、上下の金
型１２，１３によって挾持される外部リード３と細条１
０，１１とにより支持されて、金型空所内に浮いた状態
で位置し、放熱板を兼ねる基板支持体の一方の主面（半
導体基板の接着面とは反対の面）の直下にも薄い樹脂の
層を形成した構造の樹脂封止形半導体装置を製造するこ
とができる。
しかしながらか＼るリードフレームを用いて封止成形す
る場合、第１の共通接続細条６、第２の共通接続細条１
ｏ及び基板支持体１の形状及び厚みの差等によって、封
止工程での加熱時に熱変形を生ずる場合があり、各々の
共通接続細条に形成した位置規正用孔７および１１に対
して封止金型の位置規正ピンが嵌合しにくくなること、
あるいは金型で挾持する際にリードフレームの一部が押
しつぶされ、封止成型不良が発生しやすいことなどの改
良すべき余地が残されていた。特に第２の共通接続細条
１０は基板支持部１に対して機械的に強固に接続されて
おり、この第２の共通接続細条１ｏにおいて熱変形が生
じた場合、この変形による影響が基板支持部１へ及びや
すい。
る場合、第１の共通接続細条６、第２の共通接続細条１
ｏ及び基板支持体１の形状及び厚みの差等によって、封
止工程での加熱時に熱変形を生ずる場合があり、各々の
共通接続細条に形成した位置規正用孔７および１１に対
して封止金型の位置規正ピンが嵌合しにくくなること、
あるいは金型で挾持する際にリードフレームの一部が押
しつぶされ、封止成型不良が発生しやすいことなどの改
良すべき余地が残されていた。特に第２の共通接続細条
１０は基板支持部１に対して機械的に強固に接続されて
おり、この第２の共通接続細条１ｏにおいて熱変形が生
じた場合、この変形による影響が基板支持部１へ及びや
すい。
本発明は、かかるリードフレームにおける不都合の発生
を排除することのできる改良されたリードフレームを提
供するものであり、本発明のリードフレームの特徴は第
１図で示したリードフレームの一部くとも第２の共通接
続細条に、熱変形の防止と封止成型時の位置決め部とし
て作用する切欠部を等しいピッチで形成したところにあ
る。
を排除することのできる改良されたリードフレームを提
供するものであり、本発明のリードフレームの特徴は第
１図で示したリードフレームの一部くとも第２の共通接
続細条に、熱変形の防止と封止成型時の位置決め部とし
て作用する切欠部を等しいピッチで形成したところにあ
る。
以下に本発明のリードフレームの実施例を示す第３図を
参照して詳しく説明する。
参照して詳しく説明する。
第３図は本発明の実施例にかかるリードフレームの平面
形状を示す図である。その全体的な形状は第１図で示し
たリードフレームと同じである。
形状を示す図である。その全体的な形状は第１図で示し
たリードフレームと同じである。
第１図で示したリードフレームと異る点は、第２の共通
接続細条１ｏの基板支持部１と対向する側の辺で、しか
も細条８と９との間に位置する部分に、たとえば、くさ
び形の切欠部１８が形成されている点である。このよう
に切欠部１８が形成された本発明のリードフレームでは
、第２の共通接続細条１０の幅が切欠部の形成部分にお
いて局部的に狭くなり、この部分で封止金型による加熱
に基く変形が緩和され、したがって、基板支持体１への
変形の影響が少くなる。
接続細条１ｏの基板支持部１と対向する側の辺で、しか
も細条８と９との間に位置する部分に、たとえば、くさ
び形の切欠部１８が形成されている点である。このよう
に切欠部１８が形成された本発明のリードフレームでは
、第２の共通接続細条１０の幅が切欠部の形成部分にお
いて局部的に狭くなり、この部分で封止金型による加熱
に基く変形が緩和され、したがって、基板支持体１への
変形の影響が少くなる。
また、切欠部１８は封止成型時に位置規正ピンが嵌合す
る位置規正部としても作用するが、図示するようにくさ
び形の形状をしているため、位置規正ピンと切欠部との
相対的な関係に多少のずれが生じたとしても、位置規正
ピンに確実に切欠部１８に嵌入するところとなり、この
嵌入の過程で、各基板支持部の位置を正しい位置に修正
する規正効果が奏される。したがって、極めて良好な封
止作業が可能となり、位置規正の不備によって生じる封
止成型不良が著るしく減少する。
る位置規正部としても作用するが、図示するようにくさ
び形の形状をしているため、位置規正ピンと切欠部との
相対的な関係に多少のずれが生じたとしても、位置規正
ピンに確実に切欠部１８に嵌入するところとなり、この
嵌入の過程で、各基板支持部の位置を正しい位置に修正
する規正効果が奏される。したがって、極めて良好な封
止作業が可能となり、位置規正の不備によって生じる封
止成型不良が著るしく減少する。
なお、図示する例では、切欠部１８の角度を約９００に
設定しているが、この角度に設定した場合封止成型前の
組立工程で実施されるダイスボンドあるいはワイヤボン
ドに際してのリードフレームの移送における位置規正面
で特に良好な結果が得られた。なお、以上の実施例では
、切欠部１８の形状をくさび形としたが、たとえば第４
図で示すように台形あるいは略半楕円形としてもよい。
設定しているが、この角度に設定した場合封止成型前の
組立工程で実施されるダイスボンドあるいはワイヤボン
ドに際してのリードフレームの移送における位置規正面
で特に良好な結果が得られた。なお、以上の実施例では
、切欠部１８の形状をくさび形としたが、たとえば第４
図で示すように台形あるいは略半楕円形としてもよい。
さらに切欠部の形成位置ならびに形成辺についても図示
するところに特定されるものではなく、基板支持体間の
第２の共通接続細条部分としてもよい、。
するところに特定されるものではなく、基板支持体間の
第２の共通接続細条部分としてもよい、。
また、第１の共通接続細条の側にも形成してもよい。
第１図は、従来の樹脂封止形半導体装置用ＩＪ−ドフレ
ームの形状を示す平面図、第２図はその封止状態を示す
断面図、第３図は本発明の樹脂封止形半導体装置用リー
ドフレームの形状を示す平面図、第４図は切欠部の形状
を示す図である。 １・・・・・・基板支持部、２・・・・・・ねじ止め用
の孔、３ 、４ 、６ 壷＠＠＠ｍｍ外部す−ド部、５
、１０ ｍｍｍ＠＠＠共通接続細条、７，１１・・・
・・・位置決め用の孔、８．９０・・・−細条、１２．
１３−・・・ｅ金型、１４・・・・・・樹脂、１５・・
・・・・金型の突起、１６・・・・・・ねじ止め用の孔
を形成するための金型の突起、１７・・・・・・トラン
ジスタ素子、１８・・・・・・切欠部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図 ９ｊ ／σ
ームの形状を示す平面図、第２図はその封止状態を示す
断面図、第３図は本発明の樹脂封止形半導体装置用リー
ドフレームの形状を示す平面図、第４図は切欠部の形状
を示す図である。 １・・・・・・基板支持部、２・・・・・・ねじ止め用
の孔、３ 、４ 、６ 壷＠＠＠ｍｍ外部す−ド部、５
、１０ ｍｍｍ＠＠＠共通接続細条、７，１１・・・
・・・位置決め用の孔、８．９０・・・−細条、１２．
１３−・・・ｅ金型、１４・・・・・・樹脂、１５・・
・・・・金型の突起、１６・・・・・・ねじ止め用の孔
を形成するための金型の突起、１７・・・・・・トラン
ジスタ素子、１８・・・・・・切欠部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図 ９ｊ ／σ
Claims (4)
- （１）第１の共通接続細条、同共通接続細条から同一方
向へ延びる複数本の外部リード部、同外部リード部の１
本の先端部に繋る放熱板を兼ねる基板支持部、同基板支
持部の前記外部リード部との連繋部側とは反対の反対側
に一端が繋る少くとも２本の細条および同細条の他端に
繋り、前記第１の共通接続細条と基板支持部をはさんで
向い合う第２の共通接続細条を有するとともに、同第２
の共通接続細条に位置決めならびに熱変形緩和用の切欠
部が形成されていることを特徴とするリードフレーム。 - （２）切欠部が２本の細条間に位置する第２の共通接続
細条部分に形成されていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載のリードフレーム。 - （３）切欠部の形状がくさび形２台形もしくは略半楕円
形のいずれかであることを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載のリードフレーム。 - （４）切欠部の形状がくさび形であり、爽角が約９００
に選定されていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載のリードフレーム。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10790581A JPS589348A (ja) | 1981-07-09 | 1981-07-09 | リ−ドフレ−ム |
| CA000406545A CA1195782A (en) | 1981-07-06 | 1982-07-05 | Lead frame for plastic encapsulated semiconductor device |
| DE8282106033T DE3277757D1 (en) | 1981-07-06 | 1982-07-06 | Lead frame for plastic encapsulated semiconductor device |
| EP82106033A EP0069390B1 (en) | 1981-07-06 | 1982-07-06 | Lead frame for plastic encapsulated semiconductor device |
| US06/395,799 US4482915A (en) | 1981-07-06 | 1982-07-06 | Lead frame for plastic encapsulated semiconductor device |
| DE198282106033T DE69390T1 (de) | 1981-07-06 | 1982-07-06 | Leiterrahmen fuer halbleiteranordnung in plastikverkapselung. |
| CA000471714A CA1213678A (en) | 1981-07-06 | 1985-01-08 | Lead frame for plastic encapsulated semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10790581A JPS589348A (ja) | 1981-07-09 | 1981-07-09 | リ−ドフレ−ム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS589348A true JPS589348A (ja) | 1983-01-19 |
| JPS6220706B2 JPS6220706B2 (ja) | 1987-05-08 |
Family
ID=14471032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10790581A Granted JPS589348A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-09 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS589348A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015029143A (ja) * | 2008-08-29 | 2015-02-12 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法、リードフレーム |
| US9905497B2 (en) | 2008-08-29 | 2018-02-27 | Semiconductor Components Industries, Llc | Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same, and lead frame |
-
1981
- 1981-07-09 JP JP10790581A patent/JPS589348A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015029143A (ja) * | 2008-08-29 | 2015-02-12 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法、リードフレーム |
| US9905497B2 (en) | 2008-08-29 | 2018-02-27 | Semiconductor Components Industries, Llc | Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same, and lead frame |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6220706B2 (ja) | 1987-05-08 |
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