JPS6244815B2 - - Google Patents
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- JPS6244815B2 JPS6244815B2 JP56064893A JP6489381A JPS6244815B2 JP S6244815 B2 JPS6244815 B2 JP S6244815B2 JP 56064893 A JP56064893 A JP 56064893A JP 6489381 A JP6489381 A JP 6489381A JP S6244815 B2 JPS6244815 B2 JP S6244815B2
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 32
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 32
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000009795 derivation Methods 0.000 claims 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/181—Encapsulation
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は比較的大きな電力を取り扱うことので
きる樹脂封止形半導体装置を製造する方法および
これに用いるリードフレームに関する。
きる樹脂封止形半導体装置を製造する方法および
これに用いるリードフレームに関する。
樹脂封止形半導体装置は、量産性ならびに低コ
ストといつた面では金属封止形半導体装置に勝つ
ているが、動作時に発生する熱を放散させる面で
は金属封止形半導体装置に劣つている。近年、半
導体装置の樹脂封止化が進み、たとえばかなり大
きな電力を取り扱うことのできるトランジスタも
樹脂封止構造とされるに至つている。この場合、
放熱の面で十分な配慮が払われている。
ストといつた面では金属封止形半導体装置に勝つ
ているが、動作時に発生する熱を放散させる面で
は金属封止形半導体装置に劣つている。近年、半
導体装置の樹脂封止化が進み、たとえばかなり大
きな電力を取り扱うことのできるトランジスタも
樹脂封止構造とされるに至つている。この場合、
放熱の面で十分な配慮が払われている。
第1図は、樹脂封止構造を有する従来の電力用
トランジスタの構造例を示す断面図であり、トラ
ンジスタ素子1の接着される基板支持部2の裏面
を封止樹脂外殼3で覆うことなく露出させるとと
もに、放熱板への取り付けも可能にするためのね
じ止め用の貫通孔4を形成した構造となつてい
る。なお、5は保護用樹脂、6は外部リードであ
る。このような構造の樹脂封止形電力用トランジ
スタは、放熱板(図示せず)への取り付けに際し
ては、露出する基板支持部1の裏面を放熱板に対
して電気的には絶縁して熱的に結合する。この電
気的絶縁はマイカ板などの絶縁板を両者間に介在
させることによつてなされる。
トランジスタの構造例を示す断面図であり、トラ
ンジスタ素子1の接着される基板支持部2の裏面
を封止樹脂外殼3で覆うことなく露出させるとと
もに、放熱板への取り付けも可能にするためのね
じ止め用の貫通孔4を形成した構造となつてい
る。なお、5は保護用樹脂、6は外部リードであ
る。このような構造の樹脂封止形電力用トランジ
スタは、放熱板(図示せず)への取り付けに際し
ては、露出する基板支持部1の裏面を放熱板に対
して電気的には絶縁して熱的に結合する。この電
気的絶縁はマイカ板などの絶縁板を両者間に介在
させることによつてなされる。
ところで、このような構造によれば、放熱効果
の点に関しては所期の目的が達成される。しかし
ながら、上記のように放熱板への取り付けに際し
て、絶縁板を介在させることが不可避であり、取
りつけ作業が煩雑となる。さらに、絶縁板は基板
支持体と放熱板との間に正しく位置しなければな
らないところであるが、両者を一体的に緊着する
際にともすると正しい位置関係が損われ、電気的
絶縁が保てなくなる。このため、第2図で示すよ
うに、基板支持体2の裏面側にも封止樹脂層7を
薄く設け、絶縁板を不要とするようにした構造の
樹脂封止形電力用トランジスタが提案されるに至
つている。
の点に関しては所期の目的が達成される。しかし
ながら、上記のように放熱板への取り付けに際し
て、絶縁板を介在させることが不可避であり、取
りつけ作業が煩雑となる。さらに、絶縁板は基板
支持体と放熱板との間に正しく位置しなければな
らないところであるが、両者を一体的に緊着する
際にともすると正しい位置関係が損われ、電気的
絶縁が保てなくなる。このため、第2図で示すよ
うに、基板支持体2の裏面側にも封止樹脂層7を
薄く設け、絶縁板を不要とするようにした構造の
樹脂封止形電力用トランジスタが提案されるに至
つている。
第3図は、第1図および第2図で示した樹脂封
止形電力用トランジスタを組み立てるに際して、
通常用いられるリードフレームの平面図であり、
図示するように、移送ピツチの決定ならびに樹脂
封止時の位置決めをなす孔8が穿設された共通接
続細条9から同一方向へ向つてトランジスタの外
部リード6,10,11が延び、さらに外部リー
ド6の端部に基板支持体2が繋つた構造となつて
いる。トランジスタの組みたては、その左端部に
示したように、トランジスタ素子1の接着、トラ
ンジスタ素子電極と外部リード10,11との間
の金属細線12による接続ならびに保護用樹脂5
の形成を経てなされる。
止形電力用トランジスタを組み立てるに際して、
通常用いられるリードフレームの平面図であり、
図示するように、移送ピツチの決定ならびに樹脂
封止時の位置決めをなす孔8が穿設された共通接
続細条9から同一方向へ向つてトランジスタの外
部リード6,10,11が延び、さらに外部リー
ド6の端部に基板支持体2が繋つた構造となつて
いる。トランジスタの組みたては、その左端部に
示したように、トランジスタ素子1の接着、トラ
ンジスタ素子電極と外部リード10,11との間
の金属細線12による接続ならびに保護用樹脂5
の形成を経てなされる。
以上のようなリードフレームを用いてトランジ
スタ組立構体を得、これを第2図で示した封止構
造とするには、第4図で示すように、上金型13
と下金型14の間に形成された空所の中にトラン
ジスタ組立構体の基板支持部2を浮かせて配置
し、こののち、空所内へ樹脂30を注入すること
が行われる。この注入により樹脂30は基板支持
部2の裏面直下の空所にも満たされ、第2図で示
すように封止成型がなされる。
スタ組立構体を得、これを第2図で示した封止構
造とするには、第4図で示すように、上金型13
と下金型14の間に形成された空所の中にトラン
ジスタ組立構体の基板支持部2を浮かせて配置
し、こののち、空所内へ樹脂30を注入すること
が行われる。この注入により樹脂30は基板支持
部2の裏面直下の空所にも満たされ、第2図で示
すように封止成型がなされる。
ところで、第4図からも明らかなように、第2
図で示した封止構造を第3図で示したリードフレ
ームを用いて得ようとした場合、リードフレーム
の外部リードの形成側のみが上下の金型によつて
挾持された状態で樹脂の注入がなされるため、基
板支持部2が樹脂の圧力で空所内で屈曲するおそ
れが多分にあり、したがつて、樹脂内の正しい位
置に基板支持部2が位置する状態で封止を行うこ
とが極めて困難であつた。かかる基板支持板の屈
曲は、薄い樹脂層7の厚みにばらつきをもたら
し、さらに、この厚みのばらつきは、完成したト
ランジスタの放熱特性のばらつきに直結する。
図で示した封止構造を第3図で示したリードフレ
ームを用いて得ようとした場合、リードフレーム
の外部リードの形成側のみが上下の金型によつて
挾持された状態で樹脂の注入がなされるため、基
板支持部2が樹脂の圧力で空所内で屈曲するおそ
れが多分にあり、したがつて、樹脂内の正しい位
置に基板支持部2が位置する状態で封止を行うこ
とが極めて困難であつた。かかる基板支持板の屈
曲は、薄い樹脂層7の厚みにばらつきをもたら
し、さらに、この厚みのばらつきは、完成したト
ランジスタの放熱特性のばらつきに直結する。
本発明は、第2図で示した構造、すなわち、放
熱板を兼ねる基板支持体の一方の主面(半導体基
板の接着面とは反対側の面)の直下にも薄い樹脂
の層を形成した構造の樹脂封止形半導体装置を製
造するにあたり、基板支持体直下の薄い樹脂層の
厚みを高い精度でしかも均一な厚みに制御するこ
とのできる樹脂封止形半導体装置の製造方法とこ
れに用いるリードフレームを提供するものであ
る。
熱板を兼ねる基板支持体の一方の主面(半導体基
板の接着面とは反対側の面)の直下にも薄い樹脂
の層を形成した構造の樹脂封止形半導体装置を製
造するにあたり、基板支持体直下の薄い樹脂層の
厚みを高い精度でしかも均一な厚みに制御するこ
とのできる樹脂封止形半導体装置の製造方法とこ
れに用いるリードフレームを提供するものであ
る。
以下に図面を参照して本発明を詳しく説明す
る。
る。
第5図は、本発明にかかるリードフレームの構
造例を示す図であり、第5図aは平面図を、第5
図bは第5図aのB−B線に沿つた断面図をそれ
ぞれ示す。図示するように、基板支持部2の外部
リード6に繋る辺とは反対側の辺から2本の細条
15と16が延び、これらが、第2の共通接続細
条17に繋つた構造となつている。なお、細条1
5と16には断面積の小さい部分18と19が存
在している。また、第2の共通接続細条に形成さ
れた孔20は、樹脂封止工程で金型の一部と嵌合
し位置規正のために作用する。ところで、第5図
bで示すように、細条15と16の厚みは基板支
持体2よりも薄く選定され、しかも、その下面と
基板支持体2の下面との間に所定の段差が形成さ
れ、また、18と19の部分は、この部分の厚み
をさらに薄くすることによつて他部分よりも断面
積が小さくされている。
造例を示す図であり、第5図aは平面図を、第5
図bは第5図aのB−B線に沿つた断面図をそれ
ぞれ示す。図示するように、基板支持部2の外部
リード6に繋る辺とは反対側の辺から2本の細条
15と16が延び、これらが、第2の共通接続細
条17に繋つた構造となつている。なお、細条1
5と16には断面積の小さい部分18と19が存
在している。また、第2の共通接続細条に形成さ
れた孔20は、樹脂封止工程で金型の一部と嵌合
し位置規正のために作用する。ところで、第5図
bで示すように、細条15と16の厚みは基板支
持体2よりも薄く選定され、しかも、その下面と
基板支持体2の下面との間に所定の段差が形成さ
れ、また、18と19の部分は、この部分の厚み
をさらに薄くすることによつて他部分よりも断面
積が小さくされている。
第6図は、かかる本発明のリードフレームを用
いて形成したトランジスタ組立構体を樹脂で封止
成型する状態を示す図であり、上下の金型13と
14の間に形成される空所内へ樹脂30を注入し
て成型する点では、従来の方法と同じである。し
かしながら、本発明のリードフレームを使用した
場合には、図示するように、リードフレームの外
部リード6が一方の側において上下の金型13と
14によつて挾持されるとともに、他方の側で
も、細条15,16ならびに第2の共通接続細条
17が上下の金型13と14によつて挾持され
る。また第1の共通接続細条に設けた孔8に金型
の突出部が嵌合(図示せず)するばかりでなく、
第2の共通接続細条17の孔20にも金型の突出
部21が嵌合する。なお、22はねじ止め用の孔
を形成するべく樹脂を部分的に排除する突起であ
る。
いて形成したトランジスタ組立構体を樹脂で封止
成型する状態を示す図であり、上下の金型13と
14の間に形成される空所内へ樹脂30を注入し
て成型する点では、従来の方法と同じである。し
かしながら、本発明のリードフレームを使用した
場合には、図示するように、リードフレームの外
部リード6が一方の側において上下の金型13と
14によつて挾持されるとともに、他方の側で
も、細条15,16ならびに第2の共通接続細条
17が上下の金型13と14によつて挾持され
る。また第1の共通接続細条に設けた孔8に金型
の突出部が嵌合(図示せず)するばかりでなく、
第2の共通接続細条17の孔20にも金型の突出
部21が嵌合する。なお、22はねじ止め用の孔
を形成するべく樹脂を部分的に排除する突起であ
る。
このように、本発明の方法によれば、リードフ
レームの基板支持部2は、上下の金型13と14
によつて挾持される外部リード6と細条15,1
6とにより支持されて金型内の空所内に浮いた状
態で位置する。また、第1、第2の共通接続細条
の双方は、金型によつて単に挾持されるだけでは
なく、これらに穿設した孔と金型の突起との嵌合
によつて水平方向の動きが完全に阻止されるた
め、上記の浮いた状態は極めて正確に制御され
る。
レームの基板支持部2は、上下の金型13と14
によつて挾持される外部リード6と細条15,1
6とにより支持されて金型内の空所内に浮いた状
態で位置する。また、第1、第2の共通接続細条
の双方は、金型によつて単に挾持されるだけでは
なく、これらに穿設した孔と金型の突起との嵌合
によつて水平方向の動きが完全に阻止されるた
め、上記の浮いた状態は極めて正確に制御され
る。
ところで、本発明では、第6図からも明らかな
ように、上下の金型13と14によつて形成され
る空所が、細条15,16に形成した断面積の小
さな部分18,19の上下で終つている。このた
め、封止成形後に封止外殼から外部へ導出される
部分は、細条15,16に形成した断面積の小さ
な部分18,19となる。かかる細条の導出部の
形状により、封止成型後の切断処理時に後述する
効果が奏される。
ように、上下の金型13と14によつて形成され
る空所が、細条15,16に形成した断面積の小
さな部分18,19の上下で終つている。このた
め、封止成形後に封止外殼から外部へ導出される
部分は、細条15,16に形成した断面積の小さ
な部分18,19となる。かかる細条の導出部の
形状により、封止成型後の切断処理時に後述する
効果が奏される。
第7図は上記の封止成型過程を経たのちの状態
を示す斜視図であり、図示するように封止外殼に
は、ねじ止め用の孔4の形成を有する肉薄部23
と肉厚部24が形成されているが、両者間に段差
が形成されていることにより、放熱板への取りつ
け時にねじの頂部が突出することのない状態が成
立する。
を示す斜視図であり、図示するように封止外殼に
は、ねじ止め用の孔4の形成を有する肉薄部23
と肉厚部24が形成されているが、両者間に段差
が形成されていることにより、放熱板への取りつ
け時にねじの頂部が突出することのない状態が成
立する。
次いで、X−X′線ならびにY−Y′線に沿つた
分断処理を施すことによつて、第1の共通接続細
条9ならびに細条15,16を切断し、第8図で
示す構造の樹脂封止形トランジスタを得るわけで
あるが、上記のように、封止外殼の肉薄部23か
ら導出する細条部分18と19が他部分にくらべ
て断面積の小さい部分とされているため、Y−
Y′線に沿つた分断処理に際して矢印Z−Z′で示す
上下方向の折り曲げを施すことによつて極めて容
易に分断することができる。また、断面積の小さ
い部分18と19の分断面が封止外殼の肉薄部2
3の側面に露呈するとともに、殼封外殼内でこれ
らの部分と細条との連繋部に段部が形成されるた
め、分断面での樹脂と細条との境界長が短かくな
り、また、この分断面から封止されたトランジス
タ素子1に至るまでのパスが長くなる。したがつ
て、この分断面からの水分等の侵入が困難になる
効果も奏される。なお、細条15,16の分断を
プレス等による切断でなすことも可能であるが、
切断精度を高めて突出する細条の切断面を封止外
殼の側面と実質的に同一な面となす場合には、封
止外殼に損傷を与え外観を損ねる危険性があり、
加えて、基板支持体に不要な衝撃を与えるおそれ
もある。したがつて、上記のように、折り曲げに
よる分断がのぞましい。
分断処理を施すことによつて、第1の共通接続細
条9ならびに細条15,16を切断し、第8図で
示す構造の樹脂封止形トランジスタを得るわけで
あるが、上記のように、封止外殼の肉薄部23か
ら導出する細条部分18と19が他部分にくらべ
て断面積の小さい部分とされているため、Y−
Y′線に沿つた分断処理に際して矢印Z−Z′で示す
上下方向の折り曲げを施すことによつて極めて容
易に分断することができる。また、断面積の小さ
い部分18と19の分断面が封止外殼の肉薄部2
3の側面に露呈するとともに、殼封外殼内でこれ
らの部分と細条との連繋部に段部が形成されるた
め、分断面での樹脂と細条との境界長が短かくな
り、また、この分断面から封止されたトランジス
タ素子1に至るまでのパスが長くなる。したがつ
て、この分断面からの水分等の侵入が困難になる
効果も奏される。なお、細条15,16の分断を
プレス等による切断でなすことも可能であるが、
切断精度を高めて突出する細条の切断面を封止外
殼の側面と実質的に同一な面となす場合には、封
止外殼に損傷を与え外観を損ねる危険性があり、
加えて、基板支持体に不要な衝撃を与えるおそれ
もある。したがつて、上記のように、折り曲げに
よる分断がのぞましい。
さらに、本発明の方法により形成したトランジ
スタでは、細条15と16の切り口が封止外殼の
側面に露出するが、第5図で示したように、基板
支持部2の下面と細条15と16の下面との間に
厚みの差に基く段差が形成されているため、完成
したトランジスタの放熱板へとりつけられる側の
樹脂封止外殼の下面と切り口との間には十分な間
隔が付与される。したがつて、この部分において
短絡事故が発生するおそれはない。
スタでは、細条15と16の切り口が封止外殼の
側面に露出するが、第5図で示したように、基板
支持部2の下面と細条15と16の下面との間に
厚みの差に基く段差が形成されているため、完成
したトランジスタの放熱板へとりつけられる側の
樹脂封止外殼の下面と切り口との間には十分な間
隔が付与される。したがつて、この部分において
短絡事故が発生するおそれはない。
以上の実施例では、細条の断面積を小さくする
にあたり、細条15と16の一部を肉薄にした
が、たとえば、第9図aで示すように細条15と
16の厚みは変化させず、くびれ部を形成するこ
とによつて細条15と16の幅を局部的に狭くす
ること、あるいは第9図bで示すように孔25,
26を形成して実質的に細条の幅を狭くするこ
と、さらに細条15と16の幅と厚みの双方を局
部的に小さくすることなどによつても断面積を小
さくすることができる。なお、本発明の方法で用
いる封止成型用の樹脂は出来うる限り熱伝導性の
高いものであることが望ましく、また、基板支持
部直下の樹脂層の厚みは、放熱特性と電気的絶縁
性の両者に鑑み、約0.3〜0.5mm程度に選定される
ことがのぞましく、この範囲で特に良好な結果が
得られた。
にあたり、細条15と16の一部を肉薄にした
が、たとえば、第9図aで示すように細条15と
16の厚みは変化させず、くびれ部を形成するこ
とによつて細条15と16の幅を局部的に狭くす
ること、あるいは第9図bで示すように孔25,
26を形成して実質的に細条の幅を狭くするこ
と、さらに細条15と16の幅と厚みの双方を局
部的に小さくすることなどによつても断面積を小
さくすることができる。なお、本発明の方法で用
いる封止成型用の樹脂は出来うる限り熱伝導性の
高いものであることが望ましく、また、基板支持
部直下の樹脂層の厚みは、放熱特性と電気的絶縁
性の両者に鑑み、約0.3〜0.5mm程度に選定される
ことがのぞましく、この範囲で特に良好な結果が
得られた。
以上説明したところから明らかなように、本発
明によれば、放熱板を兼ねる基板支持部の直下に
薄い樹脂層をもつ樹脂封止形半導体装置を、高い
封止精度を付与して形成することができる。
明によれば、放熱板を兼ねる基板支持部の直下に
薄い樹脂層をもつ樹脂封止形半導体装置を、高い
封止精度を付与して形成することができる。
第1図および第2図は従来の樹脂封止形電力用
トランジスタの構造を示す断面図、第3図は従来
のリードフレームを示す平面図、第4図は第3図
で示すリードフレームを用いて第2図で示す樹脂
封止形電力用トランジスタを形成するときの封止
成型の状態を示す図、第5図a,bは本発明のリ
ードフレームを示す平面図ならびに断面図、第6
図〜第8図は本発明の製造方法における封止成型
工程から完成までの状態を示す図、第9図a,b
は細条の断面積を小さくする他の例を示す図であ
る。 1……トランジスタ素子、2……基板支持部、
3……封止樹脂外殼、4……ねじ止め用の孔、5
……保護用樹脂、6,10,11……外部リー
ド、12……金属細線、13,14……金型、3
0……樹脂、7……薄い樹脂層、8,20……
孔、9,17……共通接続細条、15,16……
細条、18,19……細条の断面積の小さい部
分、21,22……金型の突起、23……封止樹
脂外殼肉薄部、24……封止樹脂外殼肉厚部、2
5,26……孔。
トランジスタの構造を示す断面図、第3図は従来
のリードフレームを示す平面図、第4図は第3図
で示すリードフレームを用いて第2図で示す樹脂
封止形電力用トランジスタを形成するときの封止
成型の状態を示す図、第5図a,bは本発明のリ
ードフレームを示す平面図ならびに断面図、第6
図〜第8図は本発明の製造方法における封止成型
工程から完成までの状態を示す図、第9図a,b
は細条の断面積を小さくする他の例を示す図であ
る。 1……トランジスタ素子、2……基板支持部、
3……封止樹脂外殼、4……ねじ止め用の孔、5
……保護用樹脂、6,10,11……外部リー
ド、12……金属細線、13,14……金型、3
0……樹脂、7……薄い樹脂層、8,20……
孔、9,17……共通接続細条、15,16……
細条、18,19……細条の断面積の小さい部
分、21,22……金型の突起、23……封止樹
脂外殼肉薄部、24……封止樹脂外殼肉厚部、2
5,26……孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 放熱板を兼ねる基板支持体の一方の側から導
出される外部リードに繋る第1の共通接続細条
と、前記基板支持体の他方の側から導出され、か
つ、導出方向と直交する断面の面積が所定の長さ
にわたり小さく設定された細条が繋る第2の共通
接続細条を有するリードフレームを用いて構成し
た半導体装置組立構体の前記外部リードと細条を
上下の金型で挾持し、前記基板支持部を金型内の
空所に浮かせるとともに、前記細条の断面積の小
さく設定された部分の一部を金型の空所内に残部
を金型間に位置させて樹脂封止したのち、前記外
部リードと第1の共通接続細条との連結部の切断
ならびに封止樹脂外殼から外部へ導出する前記細
条の小断面積部分の封止樹脂面に沿つた分断の処
理を施すことを特徴とする樹脂封止形半導体装置
の製造方法。 2 第1の共通接続細条、同共通接続細条から同
一方向にのびる複数本の外部リード部、同外部リ
ード部の1本の先端部に繋る基板支持部、同基板
支持部の外部リード部との連繋部側とは反対の側
に一端が繋り、導出方向に直交する断面が一部で
小さく設定された細条および同細条の他端に繋
り、前記第1の共通接続細条と基板支持部をはさ
んで平行にのびる第2の共通接続細条を有し、前
記細条は前記基板支持部より肉薄とされ、さら
に、その下面が基板支持部の下面より上部に位置
していることを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6489381A JPS57178352A (en) | 1981-04-28 | 1981-04-28 | Manufacture of resin sealing type semiconductor device and lead frame employed thereon |
US06/367,809 US4451973A (en) | 1981-04-28 | 1982-04-13 | Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor |
DE8282103521T DE3270561D1 (en) | 1981-04-28 | 1982-04-26 | A method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device |
DE198282103521T DE63811T1 (de) | 1981-04-28 | 1982-04-26 | Verfahren zum herstellen einer in kunststoff verkapselten halbleiteranordnung und ein leitergitter dafuer. |
EP19820103521 EP0063811B1 (en) | 1981-04-28 | 1982-04-26 | A method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device |
CA000401752A CA1200623A (en) | 1981-04-28 | 1982-04-27 | Plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor |
US06/581,251 US4589010A (en) | 1981-04-28 | 1984-02-17 | Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor |
CA000480771A CA1209721A (en) | 1981-04-28 | 1985-05-03 | Plastic encapsulated semiconductor device and lead frame therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6489381A JPS57178352A (en) | 1981-04-28 | 1981-04-28 | Manufacture of resin sealing type semiconductor device and lead frame employed thereon |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57178352A JPS57178352A (en) | 1982-11-02 |
JPS6244815B2 true JPS6244815B2 (ja) | 1987-09-22 |
Family
ID=13271210
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6489381A Granted JPS57178352A (en) | 1981-04-28 | 1981-04-28 | Manufacture of resin sealing type semiconductor device and lead frame employed thereon |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS57178352A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59119040U (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-11 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 樹脂封止形半導体装置 |
JPS60172346U (ja) * | 1984-04-23 | 1985-11-15 | 新電元工業株式会社 | 樹脂密封型半導体装置 |
JPS6194349A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-13 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止形半導体装置の製造方法及びその製造方法に使用するリ−ドフレ−ム |
JPH0777248B2 (ja) * | 1988-11-09 | 1995-08-16 | 富士電機株式会社 | 樹脂封止形半導体装置及びその製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3431092A (en) * | 1965-10-22 | 1969-03-04 | Motorola Inc | Lead frame members for semiconductor devices |
US3716764A (en) * | 1963-12-16 | 1973-02-13 | Texas Instruments Inc | Process for encapsulating electronic components in plastic |
JPS5082967A (ja) * | 1973-10-19 | 1975-07-04 | ||
JPS538635A (en) * | 1976-07-14 | 1978-01-26 | Ichikoh Industries Ltd | Method of fixing gasket |
JPS5487474A (en) * | 1977-12-23 | 1979-07-11 | Nec Corp | Semiconductor device |
JPS57147260A (en) * | 1981-03-05 | 1982-09-11 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of resin-sealed semiconductor device and lead frame used therefor |
-
1981
- 1981-04-28 JP JP6489381A patent/JPS57178352A/ja active Granted
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3716764A (en) * | 1963-12-16 | 1973-02-13 | Texas Instruments Inc | Process for encapsulating electronic components in plastic |
US3431092A (en) * | 1965-10-22 | 1969-03-04 | Motorola Inc | Lead frame members for semiconductor devices |
JPS5082967A (ja) * | 1973-10-19 | 1975-07-04 | ||
JPS538635A (en) * | 1976-07-14 | 1978-01-26 | Ichikoh Industries Ltd | Method of fixing gasket |
JPS5487474A (en) * | 1977-12-23 | 1979-07-11 | Nec Corp | Semiconductor device |
JPS57147260A (en) * | 1981-03-05 | 1982-09-11 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of resin-sealed semiconductor device and lead frame used therefor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57178352A (en) | 1982-11-02 |
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