JPH08204083A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH08204083A JPH08204083A JP7027552A JP2755295A JPH08204083A JP H08204083 A JPH08204083 A JP H08204083A JP 7027552 A JP7027552 A JP 7027552A JP 2755295 A JP2755295 A JP 2755295A JP H08204083 A JPH08204083 A JP H08204083A
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- Japan
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- lead frame
- semiconductor device
- groove
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半田流れを防止し、耐湿性を向上させ、熱応
力によるチップへの影響を抑えた信頼性の高い、品質の
よい半導体装置用リードフレームを提供すること。 【構成】 半導体装置用リードフレーム１のダイパット
部１３の半田流れ止め用に溝８と突堤７とを用い、それ
によって、半田流れ効果を大幅に向上させる。又、リー
ドフレームと封止材との接触面に凹凸をつけることによ
る接触面積の増大により、耐湿性を向上させる。又、突
堤としてリードフレームと異種の材料を用いて熱膨張係
数を調節することによって、熱膨張係数の違いによる応
力を緩和させる。
力によるチップへの影響を抑えた信頼性の高い、品質の
よい半導体装置用リードフレームを提供すること。 【構成】 半導体装置用リードフレーム１のダイパット
部１３の半田流れ止め用に溝８と突堤７とを用い、それ
によって、半田流れ効果を大幅に向上させる。又、リー
ドフレームと封止材との接触面に凹凸をつけることによ
る接触面積の増大により、耐湿性を向上させる。又、突
堤としてリードフレームと異種の材料を用いて熱膨張係
数を調節することによって、熱膨張係数の違いによる応
力を緩和させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用リードフ
レームに関するものである。
レームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、図５に示すように、トランジスタ
チップ１０を搭載するため、半田１１を使用してダイボ
ンドする際、半田１１の流れを最小にとどめるために、
ダイパット部１３の周囲に、二重の溝５，６が形成され
たリードフレーム１を使用していた。又、この種のリー
ドフレームの他の例として、図７に示すような溝６が形
成されたものや、図８に示すような三重の溝５，６，１
５が形成されたものがある。又は、図９に示すように、
リードフレーム１のダイパット部１３を凹部１６に形成
し、凹部１６の内部にトランジスタチップ１０をダイボ
ンドする形状のものを使用していた。
チップ１０を搭載するため、半田１１を使用してダイボ
ンドする際、半田１１の流れを最小にとどめるために、
ダイパット部１３の周囲に、二重の溝５，６が形成され
たリードフレーム１を使用していた。又、この種のリー
ドフレームの他の例として、図７に示すような溝６が形
成されたものや、図８に示すような三重の溝５，６，１
５が形成されたものがある。又は、図９に示すように、
リードフレーム１のダイパット部１３を凹部１６に形成
し、凹部１６の内部にトランジスタチップ１０をダイボ
ンドする形状のものを使用していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前者の溝形式
のものは、Ｖ溝を形成してあるのが一般的であるが、こ
の場合、図５、図７、図８に示すように、リードフレー
ム１のダイパット部１３にトランジスタチップ１０を半
田でダイボンドする際に、半田１１の流れが良好であっ
た場合や、半田の量が多すぎた場合には、半田１１がＶ
溝まで到達し、ダイパット部１３から溢れだし、半田１
１が他の部分に流れ出してしまう。
のものは、Ｖ溝を形成してあるのが一般的であるが、こ
の場合、図５、図７、図８に示すように、リードフレー
ム１のダイパット部１３にトランジスタチップ１０を半
田でダイボンドする際に、半田１１の流れが良好であっ
た場合や、半田の量が多すぎた場合には、半田１１がＶ
溝まで到達し、ダイパット部１３から溢れだし、半田１
１が他の部分に流れ出してしまう。
【０００４】前述のように、半田１１が他の部分に流れ
出すと、図６に示すように、封止材１２と半田１１とを
接着する面積が増し、リードフレームと封止材との接触
界面１４での密着性の劣化等が発生し、製品の信頼性を
損なってしまう問題があった。
出すと、図６に示すように、封止材１２と半田１１とを
接着する面積が増し、リードフレームと封止材との接触
界面１４での密着性の劣化等が発生し、製品の信頼性を
損なってしまう問題があった。
【０００５】又、Ｖ溝形成はプレス加工によるが、プレ
ス加工時によって、Ｖ溝内部、つまりダイパット部１３
の周辺が盛り上がり、前記ダイパット部１３の内部の平
坦度がでない問題があった。
ス加工時によって、Ｖ溝内部、つまりダイパット部１３
の周辺が盛り上がり、前記ダイパット部１３の内部の平
坦度がでない問題があった。
【０００６】又、図９に示すように、後者の凹部にトラ
ンジスタチップ１０をダイボンドする場合は、余分な半
田１１がトランジスタチップ１０の上に付着する可能性
があった。
ンジスタチップ１０をダイボンドする場合は、余分な半
田１１がトランジスタチップ１０の上に付着する可能性
があった。
【０００７】本発明は、これらの欠点を除去し、ダイパ
ット部よりの半田流れ出し防止効果を向上させ、又、耐
湿性を向上させ、更に、リードフレーム及び封止材等の
熱応力によるチップへの影響を著しく押さえた、信頼性
の高い半導体装置用リードフレームを提供することを目
的とする。
ット部よりの半田流れ出し防止効果を向上させ、又、耐
湿性を向上させ、更に、リードフレーム及び封止材等の
熱応力によるチップへの影響を著しく押さえた、信頼性
の高い半導体装置用リードフレームを提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体装置用
リードフームのダイパット部の半田流れ止め用に溝と突
堤とを用い、それによって、半田流れ効果を大幅に向上
させたもの、又、リードフレームと封止材との接触面に
凹凸をつけることによる接触面積の増大により、耐湿性
を向上させたもの、又、突堤としてリードフレームと異
種の材料を用いて熱膨張係数を調節することによって、
熱膨張係数の違いによる応力を緩和させたものである。
リードフームのダイパット部の半田流れ止め用に溝と突
堤とを用い、それによって、半田流れ効果を大幅に向上
させたもの、又、リードフレームと封止材との接触面に
凹凸をつけることによる接触面積の増大により、耐湿性
を向上させたもの、又、突堤としてリードフレームと異
種の材料を用いて熱膨張係数を調節することによって、
熱膨張係数の違いによる応力を緩和させたものである。
【０００９】即ち、本発明は、リードフレームのダイパ
ット部のトランジスタチップが搭載される面の周囲に半
田の流れ出しを防止するための溝と、更にその外側に突
堤とを有することを特徴とした半導体装置用リードフレ
ームである。又、本発明は、リードフレームと封止材と
の接触面に凹凸を付けることにより、接触面積を増大さ
せたことを特徴とした半導体装置用リードフレームであ
る。又、本発明は、熱膨張係数の違いによる熱応力を緩
和させるためのリードフレームとは異種の材料を用いた
突堤を有し、更にその外周にリードフレームと封止材の
熱膨張係数の違いによる熱応力を緩和するための溝とを
有することを特徴とした半導体装置用リードフレームで
ある。
ット部のトランジスタチップが搭載される面の周囲に半
田の流れ出しを防止するための溝と、更にその外側に突
堤とを有することを特徴とした半導体装置用リードフレ
ームである。又、本発明は、リードフレームと封止材と
の接触面に凹凸を付けることにより、接触面積を増大さ
せたことを特徴とした半導体装置用リードフレームであ
る。又、本発明は、熱膨張係数の違いによる熱応力を緩
和させるためのリードフレームとは異種の材料を用いた
突堤を有し、更にその外周にリードフレームと封止材の
熱膨張係数の違いによる熱応力を緩和するための溝とを
有することを特徴とした半導体装置用リードフレームで
ある。
【００１０】本発明による溝と突堤の成形は、プレス加
工により一度に行うことができ、又、リードフレームと
異種の材料による突堤は、ろう付けによって形成するこ
とができる。
工により一度に行うことができ、又、リードフレームと
異種の材料による突堤は、ろう付けによって形成するこ
とができる。
【００１１】即ち、本発明は、トランジスタチップを
搭載するためのダイパット部を有する半導体装置用リー
ドフレームにおいて、前記ダイパット部の周囲に溝と、
その外周に突堤と、更に、その外側に溝を設けたことを
特徴とする半導体装置用リードフレームであり、上記
記載の半導体装置用リードフレームにおいて、前記突堤
の形成には、リードフレームと異種の材料を用いること
を特徴とする半導体装置用リードフレームである。
搭載するためのダイパット部を有する半導体装置用リー
ドフレームにおいて、前記ダイパット部の周囲に溝と、
その外周に突堤と、更に、その外側に溝を設けたことを
特徴とする半導体装置用リードフレームであり、上記
記載の半導体装置用リードフレームにおいて、前記突堤
の形成には、リードフレームと異種の材料を用いること
を特徴とする半導体装置用リードフレームである。
【００１２】
【作用】リードフレームのダイパット部のトランジスタ
チップが搭載される面の周囲に溝と、更にその外側に突
堤とを有し、更にその外側に溝を有することを特徴とす
る半導体装置用リードフレームにより、ダイパット部よ
りの半田の流れ防止を確実に行うことができるようにな
り、又、最外周の溝によりリードフレームを封止した時
の封止材とリードフレームの熱膨張係数の違いによるト
ランジスタチップ搭載部への熱応力を緩和できるように
なった。又、突堤としてリードフレームと封止材の熱膨
張係数の違いによるトランジスタチップ搭載部への応力
を緩和できるような材質のものを使用することにより、
より一層の応力緩和ができるようなり、製造工程は単純
化、確実化し、製品の信頼性は高まり、得率の向上及び
コストダウンを得ることができる。又、リードフレーム
表面の凹凸により、リードフレームと封止材の接触面積
が大きく、外界からの距離が大きいので、湿気が混入し
にくく、耐湿性の向上が図れる。
チップが搭載される面の周囲に溝と、更にその外側に突
堤とを有し、更にその外側に溝を有することを特徴とす
る半導体装置用リードフレームにより、ダイパット部よ
りの半田の流れ防止を確実に行うことができるようにな
り、又、最外周の溝によりリードフレームを封止した時
の封止材とリードフレームの熱膨張係数の違いによるト
ランジスタチップ搭載部への熱応力を緩和できるように
なった。又、突堤としてリードフレームと封止材の熱膨
張係数の違いによるトランジスタチップ搭載部への応力
を緩和できるような材質のものを使用することにより、
より一層の応力緩和ができるようなり、製造工程は単純
化、確実化し、製品の信頼性は高まり、得率の向上及び
コストダウンを得ることができる。又、リードフレーム
表面の凹凸により、リードフレームと封止材の接触面積
が大きく、外界からの距離が大きいので、湿気が混入し
にくく、耐湿性の向上が図れる。
【００１３】
【実施例】本発明の実施例について、図面を用いて説明
する。図１、図２に第一の実施例を示す。
する。図１、図２に第一の実施例を示す。
【００１４】図１に示すように、トランジスタチップ１
０が搭載されるダイパット部１３の面の周囲に溝８と、
更にその外側に突堤７と、又、その外周に溝５，６とを
プレス加工する時に、一度に成形したリードフレーム１
を用い、トランジスタチップ１０をダイパット部１３に
半田付けを行った。
０が搭載されるダイパット部１３の面の周囲に溝８と、
更にその外側に突堤７と、又、その外周に溝５，６とを
プレス加工する時に、一度に成形したリードフレーム１
を用い、トランジスタチップ１０をダイパット部１３に
半田付けを行った。
【００１５】リードフレームの実装において、ダイボン
ドの際、高温雰囲気に半田１１がセットされ、トランジ
スタチップ１０がダイボンドされるが、その際、半田が
流れ出し、流れた半田は、先ず溝８に流れ込み、更に、
それ以上は、前記溝８の外側に設けた突堤７によって充
分な半田量を吸収し得るので、それ以外の場所に流れ出
ることを防ぐことができる。
ドの際、高温雰囲気に半田１１がセットされ、トランジ
スタチップ１０がダイボンドされるが、その際、半田が
流れ出し、流れた半田は、先ず溝８に流れ込み、更に、
それ以上は、前記溝８の外側に設けた突堤７によって充
分な半田量を吸収し得るので、それ以外の場所に流れ出
ることを防ぐことができる。
【００１６】突堤７の外側に更に溝５，６を設けたこと
により、図２に示すように、封止材１２によりトランジ
スタチップ１０をダイボンドしたリードフレーム１を封
止した際に、リードフレーム１と封止材１２の熱膨張係
数の違いによる熱応力は、溝５，６で吸収され、応力が
直接トランジスタチップにかかるのを防ぐことができ
る。
により、図２に示すように、封止材１２によりトランジ
スタチップ１０をダイボンドしたリードフレーム１を封
止した際に、リードフレーム１と封止材１２の熱膨張係
数の違いによる熱応力は、溝５，６で吸収され、応力が
直接トランジスタチップにかかるのを防ぐことができ
る。
【００１７】又、リードフレーム表面の凹凸により、リ
ードフレームと封止材の接触面積が大きく、外界からの
距離が大きいので、湿気が混入しにくく、耐湿性の向上
が図れた。
ードフレームと封止材の接触面積が大きく、外界からの
距離が大きいので、湿気が混入しにくく、耐湿性の向上
が図れた。
【００１８】図３、図４に第二の実施例を示す。
【００１９】図３に示すように、トランジスタチップ１
０が搭載されるダイパット部１３の面の周囲に溝８と、
更に、その外側に溝５，６とをプレス加工する時に、一
度に成形し、溝８と６の間に金属の突堤９をろう付けし
たリードフレームを用い、トランジスタチップ１０をダ
イパット部１３に半田付けを行った。
０が搭載されるダイパット部１３の面の周囲に溝８と、
更に、その外側に溝５，６とをプレス加工する時に、一
度に成形し、溝８と６の間に金属の突堤９をろう付けし
たリードフレームを用い、トランジスタチップ１０をダ
イパット部１３に半田付けを行った。
【００２０】リードフレームの実装において、ダイボン
ドの際、高温雰囲気に半田１１がセットされ、トランジ
スタチップ１０がダイボンドされるが、その際、半田が
流れ出し、流れた半田は、先ず溝８に流れ込み、更にそ
れ以上は、前記溝の外側に設けた突堤によって充分な半
田量を吸収し得るので、それ以外の場所に流れ出ること
を防ぐことができる。
ドの際、高温雰囲気に半田１１がセットされ、トランジ
スタチップ１０がダイボンドされるが、その際、半田が
流れ出し、流れた半田は、先ず溝８に流れ込み、更にそ
れ以上は、前記溝の外側に設けた突堤によって充分な半
田量を吸収し得るので、それ以外の場所に流れ出ること
を防ぐことができる。
【００２１】突堤９の外側に、更に溝５，６を設けたこ
とにより、図４に示すように、封止材１２によりトラン
ジスタチップ１０をダイボンドしたリードフレーム１を
封止した際に、リードフレーム１と封止材１２の熱膨張
係数の違いによる熱応力は、溝５，６で吸収され、応力
が直接トランジスタチップにかかるのを防ぐことがで
き、更に突堤９を封止材とリードフレームの熱膨張係数
の違いによる応力を緩和するような材質を用いたことに
より、溝５，６だけによる応力緩和より一層大きな応力
緩和ができる。
とにより、図４に示すように、封止材１２によりトラン
ジスタチップ１０をダイボンドしたリードフレーム１を
封止した際に、リードフレーム１と封止材１２の熱膨張
係数の違いによる熱応力は、溝５，６で吸収され、応力
が直接トランジスタチップにかかるのを防ぐことがで
き、更に突堤９を封止材とリードフレームの熱膨張係数
の違いによる応力を緩和するような材質を用いたことに
より、溝５，６だけによる応力緩和より一層大きな応力
緩和ができる。
【００２２】又、リードフレーム表面の凹凸により、リ
ードフレームと封止材の接触面積が大きく、外界からの
距離が大きいので、湿気が混入しにくく、耐湿性の向上
が図れる。
ードフレームと封止材の接触面積が大きく、外界からの
距離が大きいので、湿気が混入しにくく、耐湿性の向上
が図れる。
【００２３】以上において、溝形状はＶ型、凹型等、
又、角度及び幅、深さ等はリードフレーム形状、材質、
封止材材質により、任意に選定できる。又、突堤の材質
についても、リードフレーム形状、材質、封止材の材質
により任意に選定できる。
又、角度及び幅、深さ等はリードフレーム形状、材質、
封止材材質により、任意に選定できる。又、突堤の材質
についても、リードフレーム形状、材質、封止材の材質
により任意に選定できる。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、ダイパット部よりの半
田流れ出し防止効果を向上させ、又、リードフレームと
封止材との接触面に凹凸をつけることによる接触面積の
増大により、耐湿性を向上させ、更に、リードフレーム
及び封止材等の熱応力によるチップへの影響を著しく押
さえた、信頼性の高い半導体装置用リードフレームを提
供することができた。
田流れ出し防止効果を向上させ、又、リードフレームと
封止材との接触面に凹凸をつけることによる接触面積の
増大により、耐湿性を向上させ、更に、リードフレーム
及び封止材等の熱応力によるチップへの影響を著しく押
さえた、信頼性の高い半導体装置用リードフレームを提
供することができた。
【図１】本発明の第一の実施例である半導体装置用リー
ドフレームを示す図。図１（ａ）は平面図。図１（ｂ）
は正面図。
ドフレームを示す図。図１（ａ）は平面図。図１（ｂ）
は正面図。
【図２】本発明の第一の実施例である半導体装置用リー
ドフレームを封止材で封止したことを示す図。図２
（ａ）は平面図。図２（ｂ）は正面図。
ドフレームを封止材で封止したことを示す図。図２
（ａ）は平面図。図２（ｂ）は正面図。
【図３】本発明の第二の実施例である半導体装置用リー
ドフレームを示す図。図３（ａ）は平面図。図３（ｂ）
は正面図。
ドフレームを示す図。図３（ａ）は平面図。図３（ｂ）
は正面図。
【図４】本発明の第二の実施例である半導体装置用リー
ドフレームを封止材で封止したことを示す図。図４
（ａ）は平面図。図４（ｂ）は正面図。
ドフレームを封止材で封止したことを示す図。図４
（ａ）は平面図。図４（ｂ）は正面図。
【図５】従来の二重の溝を有する半導体装置用リードフ
レームを示す図。図５（ａ）は平面図。図５（ｂ）は正
面図。
レームを示す図。図５（ａ）は平面図。図５（ｂ）は正
面図。
【図６】従来の二重の溝を有する半導体装置用リードフ
レームを封止材で封止したことを示す図。図６（ａ）は
平面図。図６（ｂ）は正面図。
レームを封止材で封止したことを示す図。図６（ａ）は
平面図。図６（ｂ）は正面図。
【図７】従来の溝を有する半導体装置用リードフレーム
を示す図。図７（ａ）は平面図。図７（ｂ）は正面図。
を示す図。図７（ａ）は平面図。図７（ｂ）は正面図。
【図８】従来の三重の溝を有する半導体装置用リードフ
レームを示す図。図８（ａ）は平面図。図８（ｂ）は正
面図。
レームを示す図。図８（ａ）は平面図。図８（ｂ）は正
面図。
【図９】従来の凹部を有する半導体装置用リードフレー
ムを示す図。図９（ａ）は平面図。図９（ｂ）は正面
図。
ムを示す図。図９（ａ）は平面図。図９（ｂ）は正面
図。
１ （半導体装置用）リードフレーム ２，３，４ 半導体装置用リードフレーム電極端子 ５，６，８，１５ 溝 ７，９ 突堤 １０ トランジスタチップ １１ 半田 １２ 封止材 １３ ダイパット部 １４ （リードフレームと封止材の）接触界面 １６ 凹部
Claims (2)
- 【請求項１】 トランジスタチップを搭載するためのダ
イパット部を有する半導体装置用リードフレームにおい
て、前記ダイパット部の周囲に溝と、その外周に突堤
と、更に、その外側に溝を設けたことを特徴とする半導
体装置用リードフレーム。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置用リードフレ
ームにおいて、前記突堤の形成には、リードフレームと
異種の材料を用いることを特徴とする半導体装置用リー
ドフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7027552A JPH08204083A (ja) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7027552A JPH08204083A (ja) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08204083A true JPH08204083A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=12224234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7027552A Pending JPH08204083A (ja) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08204083A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6404041B1 (en) * | 1998-02-18 | 2002-06-11 | Infineon Technologies Ag | EMC-optimized power switch |
| JP2006005281A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Nippon Inter Electronics Corp | リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置 |
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| CN102683317A (zh) * | 2012-05-14 | 2012-09-19 | 宜兴市东晨电子科技有限公司 | 一种to3pb引线框架 |
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