JPS586541A - 磁気光学記憶素子 - Google Patents
磁気光学記憶素子Info
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- JPS586541A JPS586541A JP10407181A JP10407181A JPS586541A JP S586541 A JPS586541 A JP S586541A JP 10407181 A JP10407181 A JP 10407181A JP 10407181 A JP10407181 A JP 10407181A JP S586541 A JPS586541 A JP S586541A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- amorphous thin
- reflected
- kerr
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーデ光によシ情報の記録・再生・消去を行う
磁気光学記憶素子に関する。
磁気光学記憶素子に関する。
近年、高密度・大容量・高速アクセス等積々の要求を満
足し得る光メモリ装置の研究開発が活発に推進されてい
る。
足し得る光メモリ装置の研究開発が活発に推進されてい
る。
そして既に実用化に達したものとして、記憶ディスクに
微細ピット列を形成し各ビット部における光ビームの回
折現象を利用して再生信号を得る装置、及び記憶媒体の
反射率変化を利用して再装置は再生専用であるか又は再
生及び情報の追加記憶が可能なものに留まシ、不要な情
報を消去し再記憶可能なものについては未だ研究開発段
階にある。
微細ピット列を形成し各ビット部における光ビームの回
折現象を利用して再生信号を得る装置、及び記憶媒体の
反射率変化を利用して再装置は再生専用であるか又は再
生及び情報の追加記憶が可能なものに留まシ、不要な情
報を消去し再記憶可能なものについては未だ研究開発段
階にある。
本発明は上記した、記憶した情報を消去し新しい情報を
再記憶出来る素子として期待される、記憶材料として希
土類−遷移金属の非晶質薄膜を用いた磁気光学記憶素子
に関するものである。
再記憶出来る素子として期待される、記憶材料として希
土類−遷移金属の非晶質薄膜を用いた磁気光学記憶素子
に関するものである。
次に磁気光学記憶素子の従来問題点について説明する。
磁気光学記憶素子は上記の利点を有する一方で再生信号
レベルが低いという欠点がある。特に磁気光学記憶素子
からの反射光を利用して情報の再生を行う所謂カー効果
再生方式においてはカー回転角が小さいため信号雑音比
（Ｓ／Ｎ）を高める事が困難であった。その為従来では
記憶媒体である磁性材料を改良したり或いは記憶媒体上
にＳｉＯやＳｉｎ、の誘電体薄膜を形成したりしてカー
回転角を高める工夫がなされていた。後者の例とじてる
ことによってカー回転角が０．１５度からα６度に増大
した例が報告されている（ ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓｏｎ
Ｍａｇ Ｖｏｌ−１６Ｎｏ５ １９８０ ＰＬＩ９
４）。
レベルが低いという欠点がある。特に磁気光学記憶素子
からの反射光を利用して情報の再生を行う所謂カー効果
再生方式においてはカー回転角が小さいため信号雑音比
（Ｓ／Ｎ）を高める事が困難であった。その為従来では
記憶媒体である磁性材料を改良したり或いは記憶媒体上
にＳｉＯやＳｉｎ、の誘電体薄膜を形成したりしてカー
回転角を高める工夫がなされていた。後者の例とじてる
ことによってカー回転角が０．１５度からα６度に増大
した例が報告されている（ ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓｏｎ
Ｍａｇ Ｖｏｌ−１６Ｎｏ５ １９８０ ＰＬＩ９
４）。
しかしながら上記ＳｉＯや５ｉｎ２ の誘電体薄膜では
、磁性体に腐蝕の恐れのある場合はその腐蝕の実質的な
防御とはなり得なく、又１μｍ程度の小さなほこりやゴ
ミが該誘電体薄膜に付着した場合は記録ビット径が１μ
ｍ程度であるためビット検出が不可能になシ、よって上
記Ｓｉｎ、５ｉｎ２の誘電体薄膜を形成することけ実用
に適さなかった。そして前記腐蝕の防御及びほこりやゴ
ミに対する対策の為にはα５〜２Ｗ程度のガラス又は透
明樹脂を磁性体に被覆することが望ましいとされてｈる
。しかしこの被覆材では当然ながらカー回転角の増大は
難しく従ってＳ／Ｎの増大の効果を得ることも困難であ
る。
、磁性体に腐蝕の恐れのある場合はその腐蝕の実質的な
防御とはなり得なく、又１μｍ程度の小さなほこりやゴ
ミが該誘電体薄膜に付着した場合は記録ビット径が１μ
ｍ程度であるためビット検出が不可能になシ、よって上
記Ｓｉｎ、５ｉｎ２の誘電体薄膜を形成することけ実用
に適さなかった。そして前記腐蝕の防御及びほこりやゴ
ミに対する対策の為にはα５〜２Ｗ程度のガラス又は透
明樹脂を磁性体に被覆することが望ましいとされてｈる
。しかしこの被覆材では当然ながらカー回転角の増大は
難しく従ってＳ／Ｎの増大の効果を得ることも困難であ
る。
本発明は以上の従来点に鑑みなされたものであり、カー
回転角を増大せしめしかも充分に実用に適する手段を提
供することを目的とする。
回転角を増大せしめしかも充分に実用に適する手段を提
供することを目的とする。
以下、本発明に係わる磁気光学記憶素子の一実施例を図
面を用いて詳細に説明する。
面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明に係わる磁気光学記憶素子の一実施例の
側面断面図である。同図で１はカラス、アクリル樹脂等
の基板であシ厚ざはａ５〜２陶程度である。２はＧｄＴ
ｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ、ＧｄＤｙＦｅ等の膜面に垂直な
磁化容易軸を有する希土類−遷移金属非晶質薄膜である
。８はＡｕｎＡｇｔＣｕ等、その屈折率の実数部が１以
下で虚数部が−３乃至−４の反射膜である。基板ｌ側か
ら入射した入射光は上記非晶質薄膜２０表面で反射され
、かつ上記非晶質薄膜２を通シ上記反射膜３で反射され
る。
側面断面図である。同図で１はカラス、アクリル樹脂等
の基板であシ厚ざはａ５〜２陶程度である。２はＧｄＴ
ｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ、ＧｄＤｙＦｅ等の膜面に垂直な
磁化容易軸を有する希土類−遷移金属非晶質薄膜である
。８はＡｕｎＡｇｔＣｕ等、その屈折率の実数部が１以
下で虚数部が−３乃至−４の反射膜である。基板ｌ側か
ら入射した入射光は上記非晶質薄膜２０表面で反射され
、かつ上記非晶質薄膜２を通シ上記反射膜３で反射され
る。
その為に上記二種の反射光が合成されることになりカー
効果とファラデー効果が加わり、見かけのカー回転角は
上記反射膜３が存在しない場合に比べて極めて大きなも
のが得られる。そしてその結果としてこの磁気光学記憶
素子にレーデ光を照射して得られる情報のＳ／Ｎは向上
する。
効果とファラデー効果が加わり、見かけのカー回転角は
上記反射膜３が存在しない場合に比べて極めて大きなも
のが得られる。そしてその結果としてこの磁気光学記憶
素子にレーデ光を照射して得られる情報のＳ／Ｎは向上
する。
上記カー回転角の増大率は、使用するレーザ光の波長、
上記非晶質薄膜２の種類、該非晶質薄膜２の膜厚及び上
記反射膜３の種類によって変化する。
上記非晶質薄膜２の種類、該非晶質薄膜２の膜厚及び上
記反射膜３の種類によって変化する。
ｉ２図ａＧｄＴｂＦｅ非晶質薄膜２の膜厚とカー回転角
との関係を、各種反射膜［関して示している。但し使用
したレーザの波長は６８２８Ａである。同図において示
されるカー回転角の値は、反射膜の無い場合のＧｄＴｂ
Ｆｅ非晶質薄膜のカー回転角がα２７°であることを考
えればかなシ大きく、反射膜を備えた場合の優位性を表
わしている。
との関係を、各種反射膜［関して示している。但し使用
したレーザの波長は６８２８Ａである。同図において示
されるカー回転角の値は、反射膜の無い場合のＧｄＴｂ
Ｆｅ非晶質薄膜のカー回転角がα２７°であることを考
えればかなシ大きく、反射膜を備えた場合の優位性を表
わしている。
又、同図では反射膜として膜厚の充分厚いＡｇ、Ａｕ、
Ｃｕ、 Ａｔ を用いた。Ａｇ％Ａｕ、Ｃｕを用い
た場合はＡｔを用りた場合に比較してカー回転角が大き
くしかも互いに略同等の特性となる。これは反射膜の屈
折率の値の相違による現象である。
Ｃｕ、 Ａｔ を用いた。Ａｇ％Ａｕ、Ｃｕを用い
た場合はＡｔを用りた場合に比較してカー回転角が大き
くしかも互いに略同等の特性となる。これは反射膜の屈
折率の値の相違による現象である。
即ち、使用レーザの波長６８２８人に於けるＡｔの屈折
率はＬ６−５．４ｉ、Ａｇの屈折率はα１８−ａ８ｉ％
Ａｕの屈折率はα８５−ａ１６ｉＣｕの屈折率はα６２
−＆６ｉであシ、Ａｇ、 Ａｕ。
率はＬ６−５．４ｉ、Ａｇの屈折率はα１８−ａ８ｉ％
Ａｕの屈折率はα８５−ａ１６ｉＣｕの屈折率はα６２
−＆６ｉであシ、Ａｇ、 Ａｕ。
Ｃｕの屈折率は比較的近く、ＡＩの屈折率のみが離れた
値を有する。この為、ＧｄＴｂＦｅ非晶質薄膜の膜厚が
８５０Å以下で１、Ａｇｓ Ａｕ、 Ｃｕ のいずれ
かの反射膜を設けた場合カー回転角は非常に大きく、上
記非晶質薄膜の膜厚がｔ５ｏＡ近傍でカー回転角は極大
値をとる。しかし、Ａｔの反射膜を設けた場合はカー回
転角は小さい。
値を有する。この為、ＧｄＴｂＦｅ非晶質薄膜の膜厚が
８５０Å以下で１、Ａｇｓ Ａｕ、 Ｃｕ のいずれ
かの反射膜を設けた場合カー回転角は非常に大きく、上
記非晶質薄膜の膜厚がｔ５ｏＡ近傍でカー回転角は極大
値をとる。しかし、Ａｔの反射膜を設けた場合はカー回
転角は小さい。
ここで、以上の実施例に留まらず、本発明の好適な実施
の形態として次のものが挙げられる。
の形態として次のものが挙げられる。
（リ 第１図の構成に加え非晶質薄膜２と反射膜３の闇
ＪＣ５ｉ０２ 、ＳｉαＴｉ０１ 、ＳｉＮ、等の断熱
層を設ける。
ＪＣ５ｉ０２ 、ＳｉαＴｉ０１ 、ＳｉＮ、等の断熱
層を設ける。
（２）第１図の構成に加え基板Ｉと非晶質薄膜２の闇に
ＳｉＯ％Ｔｉｅ、等の透明誘電体膜を設ける。
ＳｉＯ％Ｔｉｅ、等の透明誘電体膜を設ける。
これは基板１がアクリル、ボリカーポ等の樹脂の場合は
水を含有する為ゴミやホコリに対しては防御可能だが腐
蝕に対して充分な対応か不可能であるために設けられる
ものである。この場合上記透明誘電体膜の屈折率を上記
基板の屈折率よシ大きく、かつ上記透明誘電体膜の膜厚
を略λ／４ｎ（λ：入射レーザー波長、ｎ：整数）とす
れば上記基板より入射した光は上記透明誘電体膜の内部
で干渉し、それによってカー回転角が増大しＳ／Ｎが向
上する。
水を含有する為ゴミやホコリに対しては防御可能だが腐
蝕に対して充分な対応か不可能であるために設けられる
ものである。この場合上記透明誘電体膜の屈折率を上記
基板の屈折率よシ大きく、かつ上記透明誘電体膜の膜厚
を略λ／４ｎ（λ：入射レーザー波長、ｎ：整数）とす
れば上記基板より入射した光は上記透明誘電体膜の内部
で干渉し、それによってカー回転角が増大しＳ／Ｎが向
上する。
（３）基板ｌに凹凸状のガイドトラックを形成する。
（４） 非晶質薄膜２の一部を結晶化せしめガイドト
ラックとなす。
ラックとなす。
（５） 反射膜３に接着層を介し第２の非晶質薄膜２
、第２の基板Ｉを設は両面使用とする。
、第２の基板Ｉを設は両面使用とする。
以上の（１）〜（５）の形態は互込に組合わせることも
可能である。
可能である。
以上説明した如く本発明によれば適切なる反射膜を非晶
質薄膜の裏面に形成することによって、 雫↓ 図面の
簡単な説明 ２第１図は
本発明に係わる磁気光学記憶素子の一実施例の側面断面
図、第２図は特性グラフ図である。
質薄膜の裏面に形成することによって、 雫↓ 図面の
簡単な説明 ２第１図は
本発明に係わる磁気光学記憶素子の一実施例の側面断面
図、第２図は特性グラフ図である。
図中、 １：基板、 ２：非晶質薄膜、３：反射膜。
代理人 弁理士 福 士 愛 彦
第１図
１００ ２００ ３００ ４０Ｃ第２
図
図
Claims (1)
- １、希土類−遷移金属非晶質薄膜を記憶媒体としかつ該
記憶媒体の裏面に屈折率の実数部が１以下であって虚数
部が−８乃至−４の値を有する反射膜を設けたことを特
徴とする磁気光学記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10407181A JPS586541A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 磁気光学記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10407181A JPS586541A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 磁気光学記憶素子 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25292590A Division JPH03228240A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 磁気光学記憶素子 |
| JP24872291A Division JP2801984B2 (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS586541A true JPS586541A (ja) | 1983-01-14 |
| JPH0263262B2 JPH0263262B2 (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=14370922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10407181A Granted JPS586541A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS586541A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS605442A (ja) * | 1983-05-17 | 1985-01-12 | ミネソタ・マイニング・アンド・マニユフアクチユアリング・コンパニ− | 多層無定形磁気光学的記録用媒体 |
| JPS6063747A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-12 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| JPS60209940A (ja) * | 1984-03-31 | 1985-10-22 | Sony Corp | 光学式記録媒体 |
| JPS6134748A (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-19 | Daido Steel Co Ltd | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US4664977A (en) * | 1984-04-02 | 1987-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Opto-magnetic recording medium |
| EP0598377A3 (en) * | 1992-11-17 | 1996-08-21 | Mitsubishi Chem Ind | Magneto-optical recording medium and optical information recording and reading-out method. |
| US5714251A (en) * | 1982-12-15 | 1998-02-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optic memory device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5231703A (en) * | 1975-09-05 | 1977-03-10 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | Magnetic thin film recording medium |
-
1981
- 1981-07-02 JP JP10407181A patent/JPS586541A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5231703A (en) * | 1975-09-05 | 1977-03-10 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | Magnetic thin film recording medium |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5714251A (en) * | 1982-12-15 | 1998-02-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optic memory device |
| US5738765A (en) * | 1982-12-15 | 1998-04-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optic memory device |
| JPS605442A (ja) * | 1983-05-17 | 1985-01-12 | ミネソタ・マイニング・アンド・マニユフアクチユアリング・コンパニ− | 多層無定形磁気光学的記録用媒体 |
| JPS6063747A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-12 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| JPH039546B2 (ja) * | 1983-09-16 | 1991-02-08 | Sharp Kk | |
| JPS60209940A (ja) * | 1984-03-31 | 1985-10-22 | Sony Corp | 光学式記録媒体 |
| JPH0544739B2 (ja) * | 1984-03-31 | 1993-07-07 | Sony Corp | |
| US4664977A (en) * | 1984-04-02 | 1987-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Opto-magnetic recording medium |
| JPS6134748A (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-19 | Daido Steel Co Ltd | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
| EP0598377A3 (en) * | 1992-11-17 | 1996-08-21 | Mitsubishi Chem Ind | Magneto-optical recording medium and optical information recording and reading-out method. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0263262B2 (ja) | 1990-12-27 |
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