JPH034973B2 - - Google Patents
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- JPH034973B2 JPH034973B2 JP56070284A JP7028481A JPH034973B2 JP H034973 B2 JPH034973 B2 JP H034973B2 JP 56070284 A JP56070284 A JP 56070284A JP 7028481 A JP7028481 A JP 7028481A JP H034973 B2 JPH034973 B2 JP H034973B2
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- reflective film
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- thin film
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザー光により情報の記録再生消去
を行う磁気光学記憶素子に関する。
を行う磁気光学記憶素子に関する。
近年、高密度・大容量・高速アクセス等の種々
の要求を満足し得る光メモリ装置の研究開発が活
発に進められている。
の要求を満足し得る光メモリ装置の研究開発が活
発に進められている。
各種光メモリ装置のうちでも特に記録材料とし
て垂直磁化膜を用いた磁気光学記憶装置は、不要
になつた情報を消去しその上に新しい情報を再記
録できるという特長があり広く注目されている。
て垂直磁化膜を用いた磁気光学記憶装置は、不要
になつた情報を消去しその上に新しい情報を再記
録できるという特長があり広く注目されている。
しかし、上記の特長を有する反面、磁気光学記
憶素子は再生信号が小さいため、信号雑音比
（Ｓ／Ｎ）が良くないという欠点があつた。特に
磁気光学記憶素子からの反射光を利用して情報の
再生を行う、所謂カー効果再生方式においては磁
性体のカー回転角が小さいため、Ｓ／Ｎ比を高め
る事が困難であつた。そのため従来では記録媒体
である磁性材料を改良したり、或いは記録媒体上
にSiOやSiO2の誘電体膜を形成したりして、カー
回転角を高める工夫がなされていた。後者の例と
して、たとえばTbFe 磁性体薄膜上にSiO膜を
形成することによつてカー回転角が0.15度から
0.6度に増大した事が報告されている（IEEE
Trans on Mag Vol Mag−16 no5、1980
P1194）。しかしながら、このような磁性体膜上
への誘電体膜の形成による方法では、カー回転角
が増大する一方で反射光量が減退し（たとえば、
上記TbFeとSiOの例では反射光量が50％から10
％へ減少する）、その為実質的なＳ／Ｎ比の改善
にはならず理論値程の期待はできなかつた。又、
一方SiOやSiO2等の誘電体薄膜の形成では、磁性
体に腐蝕の恐れのある場合はその腐蝕の実質的な
防御となり得ない事や、記録ビツト径が1μｍ程
度であるため1μｍ程度の小さなほこりやゴミが
該誘電体薄膜に付着した場合は記録ビツト検出が
不可能になる事等のため実質的な記録素子とする
ためには厚さ0.5〜２mm程度のガラス又は透明樹
脂を使用する事が望ましい。しかし、そうする事
によりカー回転角の増大は期待できない。
憶素子は再生信号が小さいため、信号雑音比
（Ｓ／Ｎ）が良くないという欠点があつた。特に
磁気光学記憶素子からの反射光を利用して情報の
再生を行う、所謂カー効果再生方式においては磁
性体のカー回転角が小さいため、Ｓ／Ｎ比を高め
る事が困難であつた。そのため従来では記録媒体
である磁性材料を改良したり、或いは記録媒体上
にSiOやSiO2の誘電体膜を形成したりして、カー
回転角を高める工夫がなされていた。後者の例と
して、たとえばTbFe 磁性体薄膜上にSiO膜を
形成することによつてカー回転角が0.15度から
0.6度に増大した事が報告されている（IEEE
Trans on Mag Vol Mag−16 no5、1980
P1194）。しかしながら、このような磁性体膜上
への誘電体膜の形成による方法では、カー回転角
が増大する一方で反射光量が減退し（たとえば、
上記TbFeとSiOの例では反射光量が50％から10
％へ減少する）、その為実質的なＳ／Ｎ比の改善
にはならず理論値程の期待はできなかつた。又、
一方SiOやSiO2等の誘電体薄膜の形成では、磁性
体に腐蝕の恐れのある場合はその腐蝕の実質的な
防御となり得ない事や、記録ビツト径が1μｍ程
度であるため1μｍ程度の小さなほこりやゴミが
該誘電体薄膜に付着した場合は記録ビツト検出が
不可能になる事等のため実質的な記録素子とする
ためには厚さ0.5〜２mm程度のガラス又は透明樹
脂を使用する事が望ましい。しかし、そうする事
によりカー回転角の増大は期待できない。
一方最近では、ガーネツト基板の上にDyFe等
のアモルフアス磁性体を付け、DyFeに記録され
た情報をＳ／Ｎ比の良いガーネツトに転写し読み
出す方式等も提案されている（第４回日本応用磁
気学会学術講習会5aB−４）。しかし、その方式
では大面積の記憶素子にはなり得ず大容量メモリ
には適さない。
のアモルフアス磁性体を付け、DyFeに記録され
た情報をＳ／Ｎ比の良いガーネツトに転写し読み
出す方式等も提案されている（第４回日本応用磁
気学会学術講習会5aB−４）。しかし、その方式
では大面積の記憶素子にはなり得ず大容量メモリ
には適さない。
又以上の問題とは別に光メモリ装置は高密度記
録が基本的な条件であるため、その記録ビツト径
は上述したごとく1μｍ程度であり、従つて記録
再生・消去の過程でフオーカスサーボ、トラツク
サーボ等のサーボ技術が不可欠となる。さもない
と記録装置は複雑で、かつ精巧なものが必要とな
り、実用には適さなくなる。そして特にトラツク
サーボをかける場合にはフイリツプスMCA方式
のビデオデイスク装置の様にあらかじめ記録され
ている情報を再生するだけの装置とは異なり、磁
気光学記録装置では何等情報のない場所に新たに
信号を記録していく必要があり、そのためには信
号の記録トラツクと平行してサーボ用のガイドト
ラツクがある事が望ましい。
録が基本的な条件であるため、その記録ビツト径
は上述したごとく1μｍ程度であり、従つて記録
再生・消去の過程でフオーカスサーボ、トラツク
サーボ等のサーボ技術が不可欠となる。さもない
と記録装置は複雑で、かつ精巧なものが必要とな
り、実用には適さなくなる。そして特にトラツク
サーボをかける場合にはフイリツプスMCA方式
のビデオデイスク装置の様にあらかじめ記録され
ている情報を再生するだけの装置とは異なり、磁
気光学記録装置では何等情報のない場所に新たに
信号を記録していく必要があり、そのためには信
号の記録トラツクと平行してサーボ用のガイドト
ラツクがある事が望ましい。
本発明は以上の点に鑑みなされたものであつて
反射光量を減らす事なく、磁気光学効果を増大さ
せるとともに、サーボ用のガイドトラツクをも得
る事を目的とする。
反射光量を減らす事なく、磁気光学効果を増大さ
せるとともに、サーボ用のガイドトラツクをも得
る事を目的とする。
次に本発明の具体的な実施例を図面を参照しな
がら詳説する。
がら詳説する。
第１図は本発明の磁気光学記憶素子の一実施例
の一部拡大側面断面図である。ガラス又は
PMMA等の合成樹脂の基板１にGdTbFe、
TbDyFe等の希土類と遷移金属よりなるアモルフ
アスフエリ磁性体の垂直磁化膜２をスパツタリン
グや蒸着法等により形成する。更に該アモルフア
ス膜２の上からSiO2、SiO、MgF、TiO2等の透
明な誘電体膜３を形成し、該誘電体膜３の上から
Cu、Au、Ag、Zn、Sn等の反射層４を帯状に形
成する。アモルフアス膜２の最適膜厚は光メモリ
装置に使用するレーザ等の光の波長とアモルフア
ス膜２の種類と、反射膜４の種類により異なる
が、おおむね、50〜300Å程度である。具体的に
いえば、GdTbFe膜、HeNeレーザ、Cu反射膜の
組合せでは約150Å、又GdTbFe膜、8300Å半導
体レーザ、Cu反射膜では約200Åである。第２図
はGdTbFeの膜厚とカー回転角の関係をCuとAl
の反射膜に関して図示したものである。但し、使
用波長は6328Åである。GdTbFe膜だけのカー回
転角は0.27゜である事を考えると反射膜付き
GdTbFe膜の優位性は明らかである。AgやAuに
ついてもCuとほぼ同等の曲線を得ている。上記
透明な誘電体膜３はアモルフアス磁性体膜２にキ
ユリ点記録や補償点記録を行う場合、磁性体膜２
に加えられた熱が反射膜４に逃げないために断熱
層として設けたものであるが、この誘電体膜３の
膜厚によつてカー回転角は大きく異なる。従つ
て、磁性体膜２、誘電体膜３、反射膜４、使用波
長等によつて適当な膜厚を定めねばならない。例
えばGdTbFe磁性体膜、SiO2誘電体膜、Cu反射
膜を用い、HeNeレーザ波長6328Åの光を用いる
場合、SiO2膜厚は約2000Åが、又光源8300Åの
半導体レーザに変つた場合は、約2700Åが適当で
ある。
の一部拡大側面断面図である。ガラス又は
PMMA等の合成樹脂の基板１にGdTbFe、
TbDyFe等の希土類と遷移金属よりなるアモルフ
アスフエリ磁性体の垂直磁化膜２をスパツタリン
グや蒸着法等により形成する。更に該アモルフア
ス膜２の上からSiO2、SiO、MgF、TiO2等の透
明な誘電体膜３を形成し、該誘電体膜３の上から
Cu、Au、Ag、Zn、Sn等の反射層４を帯状に形
成する。アモルフアス膜２の最適膜厚は光メモリ
装置に使用するレーザ等の光の波長とアモルフア
ス膜２の種類と、反射膜４の種類により異なる
が、おおむね、50〜300Å程度である。具体的に
いえば、GdTbFe膜、HeNeレーザ、Cu反射膜の
組合せでは約150Å、又GdTbFe膜、8300Å半導
体レーザ、Cu反射膜では約200Åである。第２図
はGdTbFeの膜厚とカー回転角の関係をCuとAl
の反射膜に関して図示したものである。但し、使
用波長は6328Åである。GdTbFe膜だけのカー回
転角は0.27゜である事を考えると反射膜付き
GdTbFe膜の優位性は明らかである。AgやAuに
ついてもCuとほぼ同等の曲線を得ている。上記
透明な誘電体膜３はアモルフアス磁性体膜２にキ
ユリ点記録や補償点記録を行う場合、磁性体膜２
に加えられた熱が反射膜４に逃げないために断熱
層として設けたものであるが、この誘電体膜３の
膜厚によつてカー回転角は大きく異なる。従つ
て、磁性体膜２、誘電体膜３、反射膜４、使用波
長等によつて適当な膜厚を定めねばならない。例
えばGdTbFe磁性体膜、SiO2誘電体膜、Cu反射
膜を用い、HeNeレーザ波長6328Åの光を用いる
場合、SiO2膜厚は約2000Åが、又光源8300Åの
半導体レーザに変つた場合は、約2700Åが適当で
ある。
該誘電体膜３の膜厚は基本的にはλ／2n（使用
光源の波長をλ、誘電体膜３の屈折率をｎとす
る）の整数倍であれば良い。反射膜４は帯状のガ
イドトラツクを形成するとともに、トラツク番号
やトラツクをセクターに分ける場合に必要な情報
を断続した帯状トラツクとして入れても良い。又
接着層５はガイドトラツク付き反射膜４を保護す
るためのものであり、支持基板６と反射膜４を接
着するものであれば良い。
光源の波長をλ、誘電体膜３の屈折率をｎとす
る）の整数倍であれば良い。反射膜４は帯状のガ
イドトラツクを形成するとともに、トラツク番号
やトラツクをセクターに分ける場合に必要な情報
を断続した帯状トラツクとして入れても良い。又
接着層５はガイドトラツク付き反射膜４を保護す
るためのものであり、支持基板６と反射膜４を接
着するものであれば良い。
第３図は本発明に基づく磁気光学記憶素子の使
用例を説明する説明図である。
用例を説明する説明図である。
集光レンズ１０で絞られたレーザ光９は反射膜
付きトラツク７へ照射され、該反射膜７に対応す
る磁性体膜の部分１１を記録トラツクとして情報
が記録・再生・消去される。同図の構造によれば
再生時においては反射膜７によりカー回転角が増
大され高いＳ／Ｎを得る事が出来、一方書込み時
には誘電体膜３により反射膜７へ熱が逃げるのを
防ぐので、少ないレーザパワーで記録ができる。
ガイドトラツクとしては反射膜のない部分８が使
用される。該部分８からの返り光は少いため、レ
ーザ光が記録トラツク１１からはずれた事を容易
に検出できる。
付きトラツク７へ照射され、該反射膜７に対応す
る磁性体膜の部分１１を記録トラツクとして情報
が記録・再生・消去される。同図の構造によれば
再生時においては反射膜７によりカー回転角が増
大され高いＳ／Ｎを得る事が出来、一方書込み時
には誘電体膜３により反射膜７へ熱が逃げるのを
防ぐので、少ないレーザパワーで記録ができる。
ガイドトラツクとしては反射膜のない部分８が使
用される。該部分８からの返り光は少いため、レ
ーザ光が記録トラツク１１からはずれた事を容易
に検出できる。
第４図は本発明に基づく磁気光学記憶素子の他
の実施例を示す一部側面断面図である。即ち、ガ
ラス又はPMMA等の樹脂基板１と磁性体膜２の
間にZnS、SiO、TiO2等該基板１の屈折率よりも
大きな屈折率を有する誘電体薄膜１２を入れたも
のである。他の部分は第１図の構成と同じであ
る。該誘電体薄膜１２は第１図の磁気光学記憶素
子よりも更にカー回転角を高めＳ／Ｎ比を改善す
るために導入されたものである。
の実施例を示す一部側面断面図である。即ち、ガ
ラス又はPMMA等の樹脂基板１と磁性体膜２の
間にZnS、SiO、TiO2等該基板１の屈折率よりも
大きな屈折率を有する誘電体薄膜１２を入れたも
のである。他の部分は第１図の構成と同じであ
る。該誘電体薄膜１２は第１図の磁気光学記憶素
子よりも更にカー回転角を高めＳ／Ｎ比を改善す
るために導入されたものである。
ここで本発明の主旨は磁気光学効果を増大させ
るための反射膜と該反射膜を帯状に形成する事で
ガイドトラツクを形成する事にある。従つて本発
明の主旨の範囲で他の種々の構成をとる事が出来
る。例えば磁性体膜はGdTbFeやDyTbFeの他に
GdBiFe、GdSnFe、GdPbFe、GdYFe、TbFe、
DyFe、MnBi、MnBiCu等の膜でも良い。又支
持基板６は接着層５が充分の強度を有するならば
不要であるし、又基板１から反射膜４までの構成
の素子を基板６に対し２枚はり合せ、表裏両面使
用の磁気光学記録素子としても良い。又本発明は
ガイドトラツクを有する反射膜の作成方法には依
らない事はもちろんであり、例えばケミカルエツ
チング、ドライエツチング等のエツチングやレー
ザ光によるカツチング法等をその製造に用いるこ
とが考えられる。
るための反射膜と該反射膜を帯状に形成する事で
ガイドトラツクを形成する事にある。従つて本発
明の主旨の範囲で他の種々の構成をとる事が出来
る。例えば磁性体膜はGdTbFeやDyTbFeの他に
GdBiFe、GdSnFe、GdPbFe、GdYFe、TbFe、
DyFe、MnBi、MnBiCu等の膜でも良い。又支
持基板６は接着層５が充分の強度を有するならば
不要であるし、又基板１から反射膜４までの構成
の素子を基板６に対し２枚はり合せ、表裏両面使
用の磁気光学記録素子としても良い。又本発明は
ガイドトラツクを有する反射膜の作成方法には依
らない事はもちろんであり、例えばケミカルエツ
チング、ドライエツチング等のエツチングやレー
ザ光によるカツチング法等をその製造に用いるこ
とが考えられる。
以上説明した如く本発明によれば、磁気光学効
果を増大せしめる反射膜を帯形状にすることによ
つて該反射膜の存在によりサーボ用のトラツキン
グ信号をも得ることができるものである。
果を増大せしめる反射膜を帯形状にすることによ
つて該反射膜の存在によりサーボ用のトラツキン
グ信号をも得ることができるものである。
第１図は本発明に係わる磁気光学記憶素子の一
実施例の一部拡大側面断面図、第２図はGdTbFe
膜の反射膜膜厚変化に対するKerr回転角依存性
を示すグラフ図、第３図は第１図の磁気光学記憶
素子にレーザーを照射した状態を示す一部拡大側
面断面図、第４図は本発明に係わる磁気光学記憶
素子の他の実施例の一部拡大側面断面図を示す。 図中、１：基板、２：アモルフアス磁性体膜、
３：誘電体膜、４：反射膜、５：接着層、６：支
持基板、９：レーザ光、１０：集光レンズ、１
１：記録トラツク、１２：誘電体薄膜。
実施例の一部拡大側面断面図、第２図はGdTbFe
膜の反射膜膜厚変化に対するKerr回転角依存性
を示すグラフ図、第３図は第１図の磁気光学記憶
素子にレーザーを照射した状態を示す一部拡大側
面断面図、第４図は本発明に係わる磁気光学記憶
素子の他の実施例の一部拡大側面断面図を示す。 図中、１：基板、２：アモルフアス磁性体膜、
３：誘電体膜、４：反射膜、５：接着層、６：支
持基板、９：レーザ光、１０：集光レンズ、１
１：記録トラツク、１２：誘電体薄膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明な基板上に、膜面に垂直な磁化容易軸を
有する磁性体薄膜を形成し、該磁性体薄膜の上部
に帯状の反射膜を形成するとともに、 前記磁性体薄膜の前記帯状の反射膜に対向する
部分を情報記録部とし、前記磁性体薄膜の前記帯
状の反射膜に対向しない部分を非情報記録部とし
たことを特徴とする磁気光学記憶素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7028481A JPS57183647A (en) | 1981-05-08 | 1981-05-08 | Magentrooptical storage element |
| US06/275,388 US4414650A (en) | 1980-06-23 | 1981-06-19 | Magneto-optic memory element |
| FR8112234A FR2485241B1 (fr) | 1980-06-23 | 1981-06-22 | Element de memorisation magneto-optique |
| GB8119345A GB2081537B (en) | 1980-06-23 | 1981-06-23 | Magneto-optic memory element |
| DE3124573A DE3124573C2 (de) | 1980-06-23 | 1981-06-23 | Magneto-optisches Speichermedium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7028481A JPS57183647A (en) | 1981-05-08 | 1981-05-08 | Magentrooptical storage element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57183647A JPS57183647A (en) | 1982-11-12 |
| JPH034973B2 true JPH034973B2 (ja) | 1991-01-24 |
Family
ID=13427023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7028481A Granted JPS57183647A (en) | 1980-06-23 | 1981-05-08 | Magentrooptical storage element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57183647A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6391847A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-22 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH04364250A (ja) * | 1991-09-26 | 1992-12-16 | Brother Ind Ltd | 光記録媒体 |
| JP2790553B2 (ja) * | 1991-10-25 | 1998-08-27 | シャープ株式会社 | 光磁気記憶素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56105344A (en) * | 1980-01-25 | 1981-08-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photomagnetic recording medium |
-
1981
- 1981-05-08 JP JP7028481A patent/JPS57183647A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56105344A (en) * | 1980-01-25 | 1981-08-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photomagnetic recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57183647A (en) | 1982-11-12 |
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