JPH0444333B2 - - Google Patents
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- JPH0444333B2 JPH0444333B2 JP56004090A JP409081A JPH0444333B2 JP H0444333 B2 JPH0444333 B2 JP H0444333B2 JP 56004090 A JP56004090 A JP 56004090A JP 409081 A JP409081 A JP 409081A JP H0444333 B2 JPH0444333 B2 JP H0444333B2
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- Japan
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- film
- thin film
- magnetic thin
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- magneto
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザー光により情報の記録、再生、
消去を行う磁気光学記憶素子に関する。
消去を行う磁気光学記憶素子に関する。
近年、高密度・大容量・高速アクセス等の種々
の要求を満足し得る光メモリ装置の研究開発が活
発に推進されている。各種光メモリ装置のうちで
も特に記憶材料として垂直磁化膜、即ち膜面に垂
直な磁化容易軸を有する磁性体膜を用いた磁気光
学記憶装置は、不要になつた情報を消去しその上
に新しい情報を再記録できるという特徴があり注
目を受けている。
の要求を満足し得る光メモリ装置の研究開発が活
発に推進されている。各種光メモリ装置のうちで
も特に記憶材料として垂直磁化膜、即ち膜面に垂
直な磁化容易軸を有する磁性体膜を用いた磁気光
学記憶装置は、不要になつた情報を消去しその上
に新しい情報を再記録できるという特徴があり注
目を受けている。
しかし上記の利点を有する一方で磁気光学記憶
装置は再生信号が小さいという欠点があり、特に
磁気光学記憶素子からの反射光を利用して情報の
再生を行う、所謂カー効果再生方式においては磁
性体のカー回転角が小さいため信号対雑音比
（Ｓ／Ｎ）を高める事が困難であつた。そのため
従来では記録媒体である磁性材料を改良したり或
いは記録媒体上にSiOやSiO2の誘電体膜を形成し
たりして、カー回転角を高める工夫がなされてい
た。後者の例として例えばMnBi磁性体膜上に
SiO膜を形成する事によつてカー回転角が0.7度か
ら3.6度に増大した例が報告されている（J.Appl.
Phys.Vol45.No.8August 1974）。しかしながらこ
のような磁性体膜上への誘電体膜の形成ではカー
回転角の増大に伴つて反射光量が著しく減少し、
実質的なＳ／Ｎは約２倍程度にしか増大していな
い。又SiOやSiO2等の誘電体薄膜を形成しただけ
では、磁性体に腐食の恐れのある場合はその腐食
の実質的な防御とはなり得ない事や、記録ビツト
径が1μm程度であるため1μm程度の小さなほこり
やゴミが該誘電体膜に付着した場合は該ビツト検
出が不可能になる事等のため、実用性のある記憶
素子とするためには厚さ0.5〜２mm程度のガラス
又は透明樹脂を使用する事が望ましい。しかしそ
うする事によりカー回転角の増大は期待できず、
従つて誘電体薄膜の形成によるＳ／Ｎの増大の効
果も理論値程の期待はできなかつた。
装置は再生信号が小さいという欠点があり、特に
磁気光学記憶素子からの反射光を利用して情報の
再生を行う、所謂カー効果再生方式においては磁
性体のカー回転角が小さいため信号対雑音比
（Ｓ／Ｎ）を高める事が困難であつた。そのため
従来では記録媒体である磁性材料を改良したり或
いは記録媒体上にSiOやSiO2の誘電体膜を形成し
たりして、カー回転角を高める工夫がなされてい
た。後者の例として例えばMnBi磁性体膜上に
SiO膜を形成する事によつてカー回転角が0.7度か
ら3.6度に増大した例が報告されている（J.Appl.
Phys.Vol45.No.8August 1974）。しかしながらこ
のような磁性体膜上への誘電体膜の形成ではカー
回転角の増大に伴つて反射光量が著しく減少し、
実質的なＳ／Ｎは約２倍程度にしか増大していな
い。又SiOやSiO2等の誘電体薄膜を形成しただけ
では、磁性体に腐食の恐れのある場合はその腐食
の実質的な防御とはなり得ない事や、記録ビツト
径が1μm程度であるため1μm程度の小さなほこり
やゴミが該誘電体膜に付着した場合は該ビツト検
出が不可能になる事等のため、実用性のある記憶
素子とするためには厚さ0.5〜２mm程度のガラス
又は透明樹脂を使用する事が望ましい。しかしそ
うする事によりカー回転角の増大は期待できず、
従つて誘電体薄膜の形成によるＳ／Ｎの増大の効
果も理論値程の期待はできなかつた。
一方最近ではガーネツト基板の上にDyFe等の
アモルフアス磁性体を付けDyFeに記録された情
報をＳ／Ｎの良いガーネツトに転写し読み出す方
式等も提案されている（第４回日本応用磁気学会
学術講演概要集5aB−４）。DyFeのような希土類
と遷移金属より成るアモルフアスの垂直磁化膜は
記録感度が高い、高密度記録ができる、粒界がな
いので媒体雑音が低い等の長所を有するが、磁気
光学的読出しのカー回転角が小さいのでこの短所
を補うためである。しかしその方式では大面積の
記憶素子にはなり得ず、大容量メモリには適さな
い。
アモルフアス磁性体を付けDyFeに記録された情
報をＳ／Ｎの良いガーネツトに転写し読み出す方
式等も提案されている（第４回日本応用磁気学会
学術講演概要集5aB−４）。DyFeのような希土類
と遷移金属より成るアモルフアスの垂直磁化膜は
記録感度が高い、高密度記録ができる、粒界がな
いので媒体雑音が低い等の長所を有するが、磁気
光学的読出しのカー回転角が小さいのでこの短所
を補うためである。しかしその方式では大面積の
記憶素子にはなり得ず、大容量メモリには適さな
い。
又以上の問題とは別に光メモリ装置は高密度記
録が基本的な条件であるためその記録ビツト径は
上述したごとく1μm程度であり、従つて記録、再
生、消去の過程でフオーカスサーボ、トラツクサ
ーボ等のサーボ技術が不可欠となる。さもないと
記録装置は複雑でかつ精巧なものが必要となり実
用には適さなくなる。そして特にトラツクサーボ
をかける場合には、フイリツプス・MCA方式の
ビデオデイスク装置の様にあらかじめ記録されて
いる情報を再生するだけの装置とは異なり磁気光
学記録装置では何等の情報のない場所に新たに信
号を記録していく必要があり、そのためには信号
の記録トラツクと平行してサーボ用のガイドトラ
ツクがある事が望ましい。
録が基本的な条件であるためその記録ビツト径は
上述したごとく1μm程度であり、従つて記録、再
生、消去の過程でフオーカスサーボ、トラツクサ
ーボ等のサーボ技術が不可欠となる。さもないと
記録装置は複雑でかつ精巧なものが必要となり実
用には適さなくなる。そして特にトラツクサーボ
をかける場合には、フイリツプス・MCA方式の
ビデオデイスク装置の様にあらかじめ記録されて
いる情報を再生するだけの装置とは異なり磁気光
学記録装置では何等の情報のない場所に新たに信
号を記録していく必要があり、そのためには信号
の記録トラツクと平行してサーボ用のガイドトラ
ツクがある事が望ましい。
本発明は以上の点に鑑みなされたものであつ
て、反射光量を著しく減少させることなく磁気光
学効果を増大させ、しかもサーボ用のガイドトラ
ツクをも形成することを目的とする。
て、反射光量を著しく減少させることなく磁気光
学効果を増大させ、しかもサーボ用のガイドトラ
ツクをも形成することを目的とする。
本発明は、上述の目的を達成するために、帯状
の溝の形成された基板と、該基板の該溝の形成さ
れた面の上に形成され、該溝に対応する段差を有
する、膜面に垂直な磁化容易軸を有する希土類と
遷移金属より成るアモルフアス磁性体薄膜と、該
磁性体薄膜の上に形成され、該溝に対応する段差
を有する反射膜と、該溝の部分或いは該溝を隔て
る土手の部分又はその関連する部分により形成さ
れたガイドトラツクとを具備し、該磁性体薄膜は
該磁性体薄膜表面からの反射光だけでなく該磁性
体薄膜を通り抜ける透過光も反射させて利用する
ことでカー効果とフアラデー効果を合わせて再生
光のカー回転角を高めかつ信号対雑音比を増大す
るべく充分に薄い事を特徴とする磁気光学記憶素
子を提供するものである。
の溝の形成された基板と、該基板の該溝の形成さ
れた面の上に形成され、該溝に対応する段差を有
する、膜面に垂直な磁化容易軸を有する希土類と
遷移金属より成るアモルフアス磁性体薄膜と、該
磁性体薄膜の上に形成され、該溝に対応する段差
を有する反射膜と、該溝の部分或いは該溝を隔て
る土手の部分又はその関連する部分により形成さ
れたガイドトラツクとを具備し、該磁性体薄膜は
該磁性体薄膜表面からの反射光だけでなく該磁性
体薄膜を通り抜ける透過光も反射させて利用する
ことでカー効果とフアラデー効果を合わせて再生
光のカー回転角を高めかつ信号対雑音比を増大す
るべく充分に薄い事を特徴とする磁気光学記憶素
子を提供するものである。
次に本発明の実施例を図面を参照しながら詳説
する。
する。
第１図は本発明の磁気光学記憶素子の一実施例
の一部拡大側断面図である。ガラス又は合成樹脂
の基板１に帯状の溝７を形成し、その溝７の形成
された面の上からGdTbFe、GdTbDyFe、
SmTbFe、GdDyFe、TbCo等の希土類と遷移金
属よりなるアモルフアスフエリ磁性体の垂直磁化
膜２をスパツタリングや蒸着法で形成する。更
に、その上からSiO2、SiO、MgF、TiO2等の透
明な誘電体膜３を形成し、該誘電体膜３の上から
Al、Ag、Au、Cu、Zn、Sn等の反射膜４を形成
する。垂直磁化膜２、誘電体膜３、反射膜４には
基板１の帯状の溝７に対応した段差が付される。
更に、反射膜４は支持板６に接着層５で接着され
る。この素子構成において情報の記録、再生、消
去は基板１を通して行われる。その時記録トラツ
クとして帯状の溝の部分７を用いても溝を隔てる
土手の部分８を用いても良い。ガイドトラツクに
ついても同じ事が言える。即ち溝の部分７でも土
手の部分８でも良いし、又サーボ信号の取り方に
よつては溝の部分７と土手の部分８を半々に用い
てガイドトラツクとしても良い。換言すれば基板
１に段差を設ける事によつてトラツクサーボ用の
信号を得ようとするものである。この帯状の溝７
は例えば磁気光学素子が円板である場合は同心円
状又はらせん状をなす。磁性膜２は充分に薄く、
従つて磁性体層に入射した再性光は磁性体面から
の反射によるカー効果と磁性体膜２を通り抜け誘
電体膜３及び反射膜４のところで反射され再び磁
性体膜を通り抜けることで起こるフアラデー効果
が合わさる事によつて、単なるカー効果のみに比
べて数倍回転角が増大し、かつ反射光量はほとん
ど減少しないためＳ／Ｎが大きく増大するもので
ある。なお再生信号のＳ／Ｎは反射光量の平方根
に比例しかつカー回転角に比例する（特公昭40−
2619号公報参照）。
の一部拡大側断面図である。ガラス又は合成樹脂
の基板１に帯状の溝７を形成し、その溝７の形成
された面の上からGdTbFe、GdTbDyFe、
SmTbFe、GdDyFe、TbCo等の希土類と遷移金
属よりなるアモルフアスフエリ磁性体の垂直磁化
膜２をスパツタリングや蒸着法で形成する。更
に、その上からSiO2、SiO、MgF、TiO2等の透
明な誘電体膜３を形成し、該誘電体膜３の上から
Al、Ag、Au、Cu、Zn、Sn等の反射膜４を形成
する。垂直磁化膜２、誘電体膜３、反射膜４には
基板１の帯状の溝７に対応した段差が付される。
更に、反射膜４は支持板６に接着層５で接着され
る。この素子構成において情報の記録、再生、消
去は基板１を通して行われる。その時記録トラツ
クとして帯状の溝の部分７を用いても溝を隔てる
土手の部分８を用いても良い。ガイドトラツクに
ついても同じ事が言える。即ち溝の部分７でも土
手の部分８でも良いし、又サーボ信号の取り方に
よつては溝の部分７と土手の部分８を半々に用い
てガイドトラツクとしても良い。換言すれば基板
１に段差を設ける事によつてトラツクサーボ用の
信号を得ようとするものである。この帯状の溝７
は例えば磁気光学素子が円板である場合は同心円
状又はらせん状をなす。磁性膜２は充分に薄く、
従つて磁性体層に入射した再性光は磁性体面から
の反射によるカー効果と磁性体膜２を通り抜け誘
電体膜３及び反射膜４のところで反射され再び磁
性体膜を通り抜けることで起こるフアラデー効果
が合わさる事によつて、単なるカー効果のみに比
べて数倍回転角が増大し、かつ反射光量はほとん
ど減少しないためＳ／Ｎが大きく増大するもので
ある。なお再生信号のＳ／Ｎは反射光量の平方根
に比例しかつカー回転角に比例する（特公昭40−
2619号公報参照）。
本発明に係る磁気光学記憶素子において誘電体
膜３は無くても良いし又誘電体膜３と磁性体膜２
の間に極めて薄Al、Cr、Ti等の金属薄膜を形成
しても良い。更に支持板６の代わりに基板１、磁
性膜２、誘電膜３、反射膜４からなる素子を接着
層５で張り合せ両面使用可能な磁気光学記憶素子
とする事も出来る。
膜３は無くても良いし又誘電体膜３と磁性体膜２
の間に極めて薄Al、Cr、Ti等の金属薄膜を形成
しても良い。更に支持板６の代わりに基板１、磁
性膜２、誘電膜３、反射膜４からなる素子を接着
層５で張り合せ両面使用可能な磁気光学記憶素子
とする事も出来る。
又基板１は第２図の様にガラス基板９上に溝の
形成された樹脂１０を重ね合せる方式にしても良
い。更に、記録トラツクやガイドトラツクは必ず
しも平行な帯状である必要がなくトラツク番号
や、トラツクをセクターごとに分ける場合の情報
を入れても良い。
形成された樹脂１０を重ね合せる方式にしても良
い。更に、記録トラツクやガイドトラツクは必ず
しも平行な帯状である必要がなくトラツク番号
や、トラツクをセクターごとに分ける場合の情報
を入れても良い。
なお本発明においてはその磁気光学記憶素子の
構成に基づき基板の帯状の溝の部分又は溝を隔て
る土手の部分のいずれを記録トラツクとして用い
ることにしても、垂直磁化膜及び反射膜の薄膜形
成工程はその条件を大幅に変更する事なく実施で
きる。
構成に基づき基板の帯状の溝の部分又は溝を隔て
る土手の部分のいずれを記録トラツクとして用い
ることにしても、垂直磁化膜及び反射膜の薄膜形
成工程はその条件を大幅に変更する事なく実施で
きる。
第１図は本発明に係る磁気光学記憶素子の一実
施例の一部拡大側断面図、第２図は本発明に係る
磁気光学記憶素子において用いる基板の変型例を
示す一部拡大側断面図である。 １……基板、２……アモルフアス磁性体膜、３
……誘電体膜、４……反射膜、５……接着層、６
……支持板、７……溝の部分、８……土手の部
分、９……ガラス基板、１０……樹脂。
施例の一部拡大側断面図、第２図は本発明に係る
磁気光学記憶素子において用いる基板の変型例を
示す一部拡大側断面図である。 １……基板、２……アモルフアス磁性体膜、３
……誘電体膜、４……反射膜、５……接着層、６
……支持板、７……溝の部分、８……土手の部
分、９……ガラス基板、１０……樹脂。
Claims (1)
- １ 帯状の溝の形成された基板と、該基板の該溝
の形成された面の上に形成され、該溝に対応する
段差を有する、膜面に垂直な磁化容易軸を有する
希土類と遷移金属より成るアモルフアス磁性体薄
膜と、該磁性体薄膜の上に形成され、該溝に対応
する段差を有する反射膜と、該溝の部分或いは該
溝を隔てる土手の部分又はその関連する部分によ
り形成されたガイドトラツクとを具備し、該磁性
体薄膜は該磁性体薄膜表面からの反射光だけでな
く該磁性体薄膜を通り抜ける透過光も反射させて
利用することでカー効果とフアラデー効果を合わ
せて再生光のカー回転角を高めかつ信号対雑音比
を増大するべく充分に薄い事を特徴とする磁気光
学記憶素子。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP409081A JPS57120253A (en) | 1981-01-14 | 1981-01-14 | Magnetooptical storage elemen |
| CA000393547A CA1185013A (en) | 1981-01-14 | 1982-01-04 | Magneto-optic memory medium |
| US06/337,132 US4390600A (en) | 1981-01-14 | 1982-01-05 | Magneto-optic memory medium |
| GB8200314A GB2094540B (en) | 1981-01-14 | 1982-01-06 | Magnetic-optical memory medium |
| IT1905782A IT1149434B (it) | 1981-01-14 | 1982-01-12 | Supporto per una memoria di tipo magneto-ottico |
| DE3200661A DE3200661C2 (de) | 1981-01-14 | 1982-01-12 | Magneto-optischer Speicher |
| FR8200451A FR2497994B1 (fr) | 1981-01-14 | 1982-01-13 | Support de memoire magneto-optique |
| US06/476,345 US4489139A (en) | 1981-01-14 | 1983-03-17 | Magneto-optic memory medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP409081A JPS57120253A (en) | 1981-01-14 | 1981-01-14 | Magnetooptical storage elemen |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61315244A Division JP2565884B2 (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 磁気光学記憶素子 |
| JP12472287A Division JPS62295238A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57120253A JPS57120253A (en) | 1982-07-27 |
| JPH0444333B2 true JPH0444333B2 (ja) | 1992-07-21 |
Family
ID=11575090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP409081A Granted JPS57120253A (en) | 1981-01-14 | 1981-01-14 | Magnetooptical storage elemen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57120253A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5938779A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-02 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| JPS5938781A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-02 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| JPS5954056A (ja) * | 1982-09-21 | 1984-03-28 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| NL8203725A (nl) * | 1982-09-27 | 1984-04-16 | Philips Nv | Thermo-magneto-optische geheugeninrichting en registratiemedium daarvoor. |
| ATE33432T1 (de) * | 1982-12-06 | 1988-04-15 | Plasmon Data Systems Nv | Bilderzeugung und informationsspeicherung. |
| JPS59195356A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-06 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録媒体円盤 |
| JPS6185653A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-05-01 | Sharp Corp | 光磁気メモリ素子 |
| JP2515761B2 (ja) * | 1986-11-12 | 1996-07-10 | 株式会社日立製作所 | 光記録媒体 |
| US5055353A (en) * | 1989-05-16 | 1991-10-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium |
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| JPS54130103A (en) * | 1978-03-16 | 1979-10-09 | Philips Nv | Device for writing and reading information on recording carrier body and recording carrier body |
-
1981
- 1981-01-14 JP JP409081A patent/JPS57120253A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54130103A (en) * | 1978-03-16 | 1979-10-09 | Philips Nv | Device for writing and reading information on recording carrier body and recording carrier body |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57120253A (en) | 1982-07-27 |
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