JPS60209940A - 光学式記録媒体 - Google Patents
光学式記録媒体Info
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- JPS60209940A JPS60209940A JP59064213A JP6421384A JPS60209940A JP S60209940 A JPS60209940 A JP S60209940A JP 59064213 A JP59064213 A JP 59064213A JP 6421384 A JP6421384 A JP 6421384A JP S60209940 A JPS60209940 A JP S60209940A
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- JP
- Japan
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- layer
- recording medium
- recording
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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-
- G—PHYSICS
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光学式記録媒体に関する。
背景技術とその問題点
透明な基板と光吸収層と光反射層′とからなる光学式記
録媒体ｉこおいて、記録感度および記録信号の変調度を
改善するために干渉効果を利用する方法は、光吸収層が
Ｔｅなどの金属薄膜である場合、あるいは光磁気記録媒
体においてよく研究されている（例えば、Ａ、Ｅ、Ｂｅ
ｌ １ 、 Ｆ、Ｗ、Ｓｐｏｎｇ、 ＩＥＥＥ、Ｊ 。
録媒体ｉこおいて、記録感度および記録信号の変調度を
改善するために干渉効果を利用する方法は、光吸収層が
Ｔｅなどの金属薄膜である場合、あるいは光磁気記録媒
体においてよく研究されている（例えば、Ａ、Ｅ、Ｂｅ
ｌ １ 、 Ｆ、Ｗ、Ｓｐｏｎｇ、 ＩＥＥＥ、Ｊ 。
Ｑｕａｎｔｕｍ Ｆｉｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ １４．ｐ
、４９７）。
、４９７）。
光吸収層が光吸収性有機材料あるいは光吸収物質を分散
させた高分子結合剤を用いて形成されている場合、光吸
収層は一般に屈折率が１．５に近く、°また吸光度も比
較的小さいため、記録感度を向上させるためには層の厚
さをレーザ光の波長程度に厚くする必要かある。この場
合、光吸収層が空気に面するように構成された光記録媒
体では、光吸収層の２つの界面から反射される光の位相
を打ち消し合うように光吸収層の厚さを調整すれば、こ
の層での吸光率が向上し、反射率が低下して、記録感度
が改善される（例えば、Ｋ、Ｙ、Ｌａｗ ； Ａｐｐｌ
。
させた高分子結合剤を用いて形成されている場合、光吸
収層は一般に屈折率が１．５に近く、°また吸光度も比
較的小さいため、記録感度を向上させるためには層の厚
さをレーザ光の波長程度に厚くする必要かある。この場
合、光吸収層が空気に面するように構成された光記録媒
体では、光吸収層の２つの界面から反射される光の位相
を打ち消し合うように光吸収層の厚さを調整すれば、こ
の層での吸光率が向上し、反射率が低下して、記録感度
が改善される（例えば、Ｋ、Ｙ、Ｌａｗ ； Ａｐｐｌ
。
Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔ ｔ 、 ３（ｉ Ｑｌ ｐ、９９４
；Ｄ、Ｇ、Ｈｏｗｅ ａｎｄ Ｊ 、Ｊ 、Ｗｒｏｂｅ
ｌ 。
；Ｄ、Ｇ、Ｈｏｗｅ ａｎｄ Ｊ 、Ｊ 、Ｗｒｏｂｅ
ｌ 。
Ｊ、Ｖａｃ、８ｃｉ、Ｔｅｃｈｎｏｌ、１８（１）ｐ、
９２） 。しかし、光吸収層（記録面）を保譲するため
に保繰層を設けたり、あるいは基板を通して記録再生を
行う場合、屈折率か１．５に近い光吸収層は、屈折率が
やはり１．５程度の基板または保護層に面するために、
界面での反射はほとんど起こらず、干渉効果が得られな
い。なお、基板または保護層に接する光吸収層の界面に
金属コーティング層を設ければ、強Ｇ１干渉効果は得ら
れるが、金属自身の光吸収が大きいため好ましくない。
９２） 。しかし、光吸収層（記録面）を保譲するため
に保繰層を設けたり、あるいは基板を通して記録再生を
行う場合、屈折率か１．５に近い光吸収層は、屈折率が
やはり１．５程度の基板または保護層に面するために、
界面での反射はほとんど起こらず、干渉効果が得られな
い。なお、基板または保護層に接する光吸収層の界面に
金属コーティング層を設ければ、強Ｇ１干渉効果は得ら
れるが、金属自身の光吸収が大きいため好ましくない。
発明の目的
本発明は、前記の点に鑑み、強い干渉効果が得られ、記
録感度および記録信号の変調度が改善された光学式記録
媒体を提供するものである。
録感度および記録信号の変調度が改善された光学式記録
媒体を提供するものである。
発明の概要
本発明の光学式記録媒体は、透明基板と、第１反射層と
、光吸収層と、第２反射層とが積層されてなり、前記光
吸収層は第１反射層と第２反射層との間にあり、前記第
１反射層は光入射側にあって前記透明基板および前記光
吸収層の各屈折率より大きい屈折率を有する材料を用い
て厚さか”、（１＋２ｍ）（ここで、λはレーザ光の波
長、ｎ ｎは第１反射層の屈折率、ｍは０または正の整数を表わ
す）であるように形成されている。
、光吸収層と、第２反射層とが積層されてなり、前記光
吸収層は第１反射層と第２反射層との間にあり、前記第
１反射層は光入射側にあって前記透明基板および前記光
吸収層の各屈折率より大きい屈折率を有する材料を用い
て厚さか”、（１＋２ｍ）（ここで、λはレーザ光の波
長、ｎ ｎは第１反射層の屈折率、ｍは０または正の整数を表わ
す）であるように形成されている。
このように構成された本発明の光学式記録媒体において
は、第１反射層と光吸収層との界面における光の反射率
が増大しかつ強い干渉効果が得られ、記録感度と記録信
号の変調度が太き（改善される。
は、第１反射層と光吸収層との界面における光の反射率
が増大しかつ強い干渉効果が得られ、記録感度と記録信
号の変調度が太き（改善される。
実施例
以下、本発明の光学式記録媒体の実施例につき図面を参
照しながら説明する”。
照しながら説明する”。
第１図は本実施例による記録媒体１の構造を示す断面図
である。記録媒体１は、ガラスを材料として作られた厚
さ０．２ ｒｏｍ 、屈折率１．５の基板２を有する。
である。記録媒体１は、ガラスを材料として作られた厚
さ０．２ ｒｏｍ 、屈折率１．５の基板２を有する。
基板２の片面には反射率強化コーティング層として、厚
ざｓ ６０ Ｘ％屈折率２．３のＺｎＳ蒸着膜の第１反
射層３が設けられている。第１反射層３の露出面上には
記録層としての光吸収層４か設けられている。この光吸
収層４は、７０００ｍ以上の波長域に高い吸収特性を示
す次式のスピロピラン化合物、即ち５′−メトキシ−１
′−ｎ−へキシル−３’、 ３ ’−レジメチル−６−
二トロ−８−メトキシスピロ（２Ｈ−１−ベンゾチオビ
ラン−２，２′−インドリン〕と塩化ビニル−塩化ビニ
リデン共重合体（電気化学工業社製デンカビニル＄１０
００Ｗ）とを重量比１：２で混合し、溶剤（テトラヒド
ロフラン：シクロへキサノン＝１：１）に溶解させてス
ピンナ塗布により形成させた層であり、厚さ０．７μｍ
および屈折率１．５である。光吸収層４は紫外線照射に
より発色し、波長７８０〜８０００ｍの半導体レーザ光
を吸収して記録を行い、可視光照射あるいは加熱により
消色する。
ざｓ ６０ Ｘ％屈折率２．３のＺｎＳ蒸着膜の第１反
射層３が設けられている。第１反射層３の露出面上には
記録層としての光吸収層４か設けられている。この光吸
収層４は、７０００ｍ以上の波長域に高い吸収特性を示
す次式のスピロピラン化合物、即ち５′−メトキシ−１
′−ｎ−へキシル−３’、 ３ ’−レジメチル−６−
二トロ−８−メトキシスピロ（２Ｈ−１−ベンゾチオビ
ラン−２，２′−インドリン〕と塩化ビニル−塩化ビニ
リデン共重合体（電気化学工業社製デンカビニル＄１０
００Ｗ）とを重量比１：２で混合し、溶剤（テトラヒド
ロフラン：シクロへキサノン＝１：１）に溶解させてス
ピンナ塗布により形成させた層であり、厚さ０．７μｍ
および屈折率１．５である。光吸収層４は紫外線照射に
より発色し、波長７８０〜８０００ｍの半導体レーザ光
を吸収して記録を行い、可視光照射あるいは加熱により
消色する。
光吸収層４の露出面上には光反射層として、厚き１ｏｏ
ｏＸ、屈折率０．０８５〜ｉ５．３５のＡｇ蒸着層の第
２反射層５が設けられている。
ｏＸ、屈折率０．０８５〜ｉ５．３５のＡｇ蒸着層の第
２反射層５が設けられている。
このように構成された記録媒体１の緒特性を測定するた
め、基板２側から紫外線を照射して光吸収層４を発色さ
せた。このためには、ｓｏｏｗ超高圧水銀灯（ウシオ電
気社製）を用い、東芝製フ付近の紫外線を選択的に照射
した。照度は約１５ｍＷ／ｃ〆である。次に、この発色
した光吸収層４に基板２側から半導体レーザ光を照射し
た。
め、基板２側から紫外線を照射して光吸収層４を発色さ
せた。このためには、ｓｏｏｗ超高圧水銀灯（ウシオ電
気社製）を用い、東芝製フ付近の紫外線を選択的に照射
した。照度は約１５ｍＷ／ｃ〆である。次に、この発色
した光吸収層４に基板２側から半導体レーザ光を照射し
た。
比較例として、第１図の記録媒体１における第１反射層
３が設けられていないこと以外は前記記録媒体１と同じ
様に構成された記録媒体６（第２図）についても、前記
と同様に紫外線および半導体レーザ光の照射を行った。
３が設けられていないこと以外は前記記録媒体１と同じ
様に構成された記録媒体６（第２図）についても、前記
と同様に紫外線および半導体レーザ光の照射を行った。
各記録媒体の特性として次の結果を得た。
１、紫外線照射時間に対する半導体レーザ光の反射率変
化（第３図および第４図） 紫外線の照射時間を０．５，１５．６０秒と変化させて
、光吸収層４でのスピロビラ発色ｉこ伴うレレーザ光の
各波長における反射率の変化を測定し、第３図に本実施
例の記録媒体１１こよる結果を実線で、比較例の記録媒
体６による結果を点線で示した。
化（第３図および第４図） 紫外線の照射時間を０．５，１５．６０秒と変化させて
、光吸収層４でのスピロビラ発色ｉこ伴うレレーザ光の
各波長における反射率の変化を測定し、第３図に本実施
例の記録媒体１１こよる結果を実線で、比較例の記録媒
体６による結果を点線で示した。
第３図から明らかなように、記録媒体１は記録媒体６に
比べて、少ない紫外線照射量で波長７８０〜８００ｎｍ
付近の反射率が低下し、牛導体レーザ光がより吸収され
易くなっていることがわかる。
比べて、少ない紫外線照射量で波長７８０〜８００ｎｍ
付近の反射率が低下し、牛導体レーザ光がより吸収され
易くなっていることがわかる。
逆に、配置媒体１は６００〜ｙｏｏｎｍ付近で反射率の
低下が少なく、この波長範囲の光が吸収されにくくなっ
ている。
低下が少なく、この波長範囲の光が吸収されにくくなっ
ている。
才た、＠３図における波長７８０１ｍでの反射率変化を
、紫外線照射時間に対してプロットして第４図に示した
。第４図からも本実施例の記録媒体１が比較例の記録媒
体６に比べて少ない紫外線照射量で反射率の低下が大き
いことが明らかである。
、紫外線照射時間に対してプロットして第４図に示した
。第４図からも本実施例の記録媒体１が比較例の記録媒
体６に比べて少ない紫外線照射量で反射率の低下が大き
いことが明らかである。
２、記録感度（第５図）
記録媒体１および６の各試料に前記と同様の紫外線を
照射して光吸収層４を 発色させ、次いで半導体レーザ光を照射し、この照射（
記録）前後の反射率変化を測定した。
照射して光吸収層４を 発色させ、次いで半導体レーザ光を照射し、この照射（
記録）前後の反射率変化を測定した。
記録条件二レーザ光の波長＝７８０ｎｍレーザパワー＝
９ｍＷ（試料上） レーザビーム直径＝１．２μｍ（牛値＠う、パルス幅＝
０．１〜７μｓ 得られた結果を第５図に示す。
９ｍＷ（試料上） レーザビーム直径＝１．２μｍ（牛値＠う、パルス幅＝
０．１〜７μｓ 得られた結果を第５図に示す。
第５図から明らかなように、本実施例の記録媒体１は比
較例の記録媒体６に比べて、小さなエネルギーで大きな
反射率変化が得られ、例えば反射率変化２０％を得るた
めのエネルギー密度は第１表に示す通り、比較例の場合
の約１／２になっている。なお。
較例の記録媒体６に比べて、小さなエネルギーで大きな
反射率変化が得られ、例えば反射率変化２０％を得るた
めのエネルギー密度は第１表に示す通り、比較例の場合
の約１／２になっている。なお。
この結果は各試料について、光吸収層４の発色条件をい
ろいろに変えて測定したうちの最良の場合を比較したも
ので、第１表にそのときの紫外線照射量と記録前の反射
率が示しである。
ろいろに変えて測定したうちの最良の場合を比較したも
ので、第１表にそのときの紫外線照射量と記録前の反射
率が示しである。
本実施例の記録媒体１による記録感度の向上は、第１反
射Ｎ３と光吸収層４との界面での反射率を高めたことに
より、光吸収層４と第２反射層５の界面からの光と強い
干渉を起こし、入射したレーザ光か光吸収層４に一層集
中し、反射する光量が減少するためであると考えられる
。
射Ｎ３と光吸収層４との界面での反射率を高めたことに
より、光吸収層４と第２反射層５の界面からの光と強い
干渉を起こし、入射したレーザ光か光吸収層４に一層集
中し、反射する光量が減少するためであると考えられる
。
本実施例において、ざらに、基板２の厚さを変えた以外
は記録媒体１および６の各種構成を有する光ディスクを
次のように作製し、キャリアの記録、再生特性を測定し
た。
は記録媒体１および６の各種構成を有する光ディスクを
次のように作製し、キャリアの記録、再生特性を測定し
た。
光ディスクの形状：
直径８ ｃｍ ＋ガラス製基板厚さ＝ １．３ ｍｍ
；プリグループなし。
；プリグループなし。
記録条件＝（紫外＃（３６０ｎｍ）照射量： １．ＱＪ
／ｃｍ ）基板側からレーザ光照射；レーザ光の波長＝
７８Ｑｎｍ；レーザパワー＝５３ｍＷ（試料上）；レン
ズＮＡ＝０．５；キャリア周波数１ｆｖｌ）ｉｚ；デユ
ーティ比５０％の方形波使用；記録線速度＝２．６ｍ／
Ｓ；記録波長＝２．６μｍ；トラックピッ千＝約５μｍ
０ こうして記録された各党ディスクから、家庭用コンパク
トディスクプレーヤを利用した再生装置により得られた
再生信号（ディスク１周分）のエンベロープは第６図（
実施例の光ディスク；曲線−Ｌ Ｌ ｌ −ｙｓ二！
’ｌ ｊ＋ Ｌ Ｖ１６ｔｈ）ＥＴＡ ／ ＩＩ Ｍ
ａｌｌ Ｍ ｍ ｒノスク；曲線Ｃとｄとで示す）の通
りであった。これらの図において、縦軸の０．５Ｖ単位
は反射率で２０％に相当する。本実施例の構成を有する
光ディスクのエンベロープは比較例の光ディスクのエン
ベロープに比べて信号振幅か約２倍であり、キャリアレ
ベルが６ｄＢ向上していることがわかる。
／ｃｍ ）基板側からレーザ光照射；レーザ光の波長＝
７８Ｑｎｍ；レーザパワー＝５３ｍＷ（試料上）；レン
ズＮＡ＝０．５；キャリア周波数１ｆｖｌ）ｉｚ；デユ
ーティ比５０％の方形波使用；記録線速度＝２．６ｍ／
Ｓ；記録波長＝２．６μｍ；トラックピッ千＝約５μｍ
０ こうして記録された各党ディスクから、家庭用コンパク
トディスクプレーヤを利用した再生装置により得られた
再生信号（ディスク１周分）のエンベロープは第６図（
実施例の光ディスク；曲線−Ｌ Ｌ ｌ −ｙｓ二！
’ｌ ｊ＋ Ｌ Ｖ１６ｔｈ）ＥＴＡ ／ ＩＩ Ｍ
ａｌｌ Ｍ ｍ ｒノスク；曲線Ｃとｄとで示す）の通
りであった。これらの図において、縦軸の０．５Ｖ単位
は反射率で２０％に相当する。本実施例の構成を有する
光ディスクのエンベロープは比較例の光ディスクのエン
ベロープに比べて信号振幅か約２倍であり、キャリアレ
ベルが６ｄＢ向上していることがわかる。
第１反射層は、屈折率が通常のガラス、間分子樹脂など
の屈折率と大きく具なる方が効果的であり、また透明で
あることが好ましく、前記実施例におけるＺｎ８ （７
）他に、ＴｉＯ２、Ｚｒ（Ｊ２、Ｙ２Ｏ３などλ に、膜厚−５（１＋ ２ ｍ ’）の高屈折率層と低屈
折率層とを交互に重ねた多層構造であってもよい。なお
前記ｍの値は特に制限はないが、実用上θ〜３の整数で
あるのが好ましい。
の屈折率と大きく具なる方が効果的であり、また透明で
あることが好ましく、前記実施例におけるＺｎ８ （７
）他に、ＴｉＯ２、Ｚｒ（Ｊ２、Ｙ２Ｏ３などλ に、膜厚−５（１＋ ２ ｍ ’）の高屈折率層と低屈
折率層とを交互に重ねた多層構造であってもよい。なお
前記ｍの値は特に制限はないが、実用上θ〜３の整数で
あるのが好ましい。
第２反射層は、不発明において屈折率が１．５に近い材
料で効果が高く、スピロピラン化合物の他に各種の色素
、金属微粒子などを高分仔結合剤に分散させて得た材料
を使用することができる。
料で効果が高く、スピロピラン化合物の他に各種の色素
、金属微粒子などを高分仔結合剤に分散させて得た材料
を使用することができる。
基板は第１反射層に面しているか、あるいは第２反射層
に面しているか、いずれでもよい。
に面しているか、いずれでもよい。
発明の効果
光学式記録媒体において、光吸収層が従来の反射層と本
発明における新規な反射率強化層との開基こ存在するよ
うに構成することにより、光吸収層における記録感度の
向上した光学式記録媒体を得ることができる。また、光
吸収層がスピロピラン系フォトクロミック化合物を材料
として形成されている場合、記録に先立って必要な発色
のための紫外線の量を減少させることができ、光吸収層
が長寿命化し、書き換え回数が増加した光学式記録媒体
を得ることができる。さらに、記録媒体の吸光度変化だ
けでなく、屈折率変化や体積変化記録再生方式において
も反射率を大きく変化させることができる。また、レー
ザ光の波長以外の波長の光に対しては、光吸収層の吸光
率が低くなるので、光化学的変化に基づく記録媒体では
記録の保存性を向上させることができる。
発明における新規な反射率強化層との開基こ存在するよ
うに構成することにより、光吸収層における記録感度の
向上した光学式記録媒体を得ることができる。また、光
吸収層がスピロピラン系フォトクロミック化合物を材料
として形成されている場合、記録に先立って必要な発色
のための紫外線の量を減少させることができ、光吸収層
が長寿命化し、書き換え回数が増加した光学式記録媒体
を得ることができる。さらに、記録媒体の吸光度変化だ
けでなく、屈折率変化や体積変化記録再生方式において
も反射率を大きく変化させることができる。また、レー
ザ光の波長以外の波長の光に対しては、光吸収層の吸光
率が低くなるので、光化学的変化に基づく記録媒体では
記録の保存性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の光学式記録媒体の構成、第
２図は比較例の光学式記録媒体の構成、執３図〜第５図
はレーザ光の反射率変化、第６図は本発明の一実施例の
光ディスクによる再生信号のエンベロープおよび第７図
は比較例の光ディスクによる再生信号のエンベロープを
示す。 なお図面に用いられた符号において、 １・・・・・・・・・・・・記録媒体 ２・・・・・・・・・・・・基板 ３・・・・・・・・・・・・第１反射層４・・・・・・
・・・・・・光吸収層 ５・・・・・・・・・・・・第２反射層６・・・・・・
・・・・・・記録媒体 である。 代理人 土星 勝 Ｉ 常包芳男
２図は比較例の光学式記録媒体の構成、執３図〜第５図
はレーザ光の反射率変化、第６図は本発明の一実施例の
光ディスクによる再生信号のエンベロープおよび第７図
は比較例の光ディスクによる再生信号のエンベロープを
示す。 なお図面に用いられた符号において、 １・・・・・・・・・・・・記録媒体 ２・・・・・・・・・・・・基板 ３・・・・・・・・・・・・第１反射層４・・・・・・
・・・・・・光吸収層 ５・・・・・・・・・・・・第２反射層６・・・・・・
・・・・・・記録媒体 である。 代理人 土星 勝 Ｉ 常包芳男
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透明基板と、第１反射層き、光吸収層と、第２反射層と
が積層されてなり、前記光吸収層は第１反射層と第２反
射層との間にあり、前記第１反射層は光入射側にあって
、前記透明基板お、よび前記光吸収・層の各屈折率より
大きい屈折率を有する材λ 料を用いて厚さが ４．（１＋２ｍ）（ここで、λはレ
ーザ光の波長、ｎは第１反射層の屈折率、ｍは０〜また
は正の整数を表わず）であるように形成されてなること
を特徴とする光学式記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59064213A JPS60209940A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 光学式記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59064213A JPS60209940A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 光学式記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60209940A true JPS60209940A (ja) | 1985-10-22 |
| JPH0544739B2 JPH0544739B2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=13251579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59064213A Granted JPS60209940A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 光学式記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60209940A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0458604A2 (en) * | 1990-05-22 | 1991-11-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for recording and reproducing information in cells using multiple interference |
| JPH08315422A (ja) * | 1995-05-15 | 1996-11-29 | Nec Corp | 光記録媒体 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5437740A (en) * | 1977-08-29 | 1979-03-20 | Rca Corp | Laser beam recording media |
| JPS5778649A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-17 | Teijin Ltd | Laminated material for optical memory |
| JPS586541A (ja) * | 1981-07-02 | 1983-01-14 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
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| JPH0226299A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-29 | Matsushita Electric Works Ltd | ステップモータ |
-
1984
- 1984-03-31 JP JP59064213A patent/JPS60209940A/ja active Granted
Patent Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
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| JPH08315422A (ja) * | 1995-05-15 | 1996-11-29 | Nec Corp | 光記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0544739B2 (ja) | 1993-07-07 |
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