JPH034974B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH034974B2 JPH034974B2 JP8067682A JP8067682A JPH034974B2 JP H034974 B2 JPH034974 B2 JP H034974B2 JP 8067682 A JP8067682 A JP 8067682A JP 8067682 A JP8067682 A JP 8067682A JP H034974 B2 JPH034974 B2 JP H034974B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- sio
- magneto
- transparent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 40
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 28
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 11
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- -1 rare earth transition metal Chemical class 0.000 claims 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/16—Layers for recording by changing the magnetic properties, e.g. for Curie-point-writing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザ光により情報の記録・再生・消
去を行なう磁気光学記憶素子に関する。
去を行なう磁気光学記憶素子に関する。
近年、高密度・大容量・高速アクセス等の要求
を満足する光メモリ装置の研究開発が活発に推進
されている。そして既に実用化に達したものとし
て、情報記憶用デイスクに情報に対応した微細ピ
ツト列を形成し各ピツトにレーザ光を照射した際
の回折現象を利用して情報を読み取る光デイスク
装置、あるいは情報記憶用デイスクの記憶媒体に
情報に対応した反射率変化部分列を形成し各部分
にレーザ光を照射した際の反射光量変化を利用し
て情報を読み取る光デイスク装置がある。
を満足する光メモリ装置の研究開発が活発に推進
されている。そして既に実用化に達したものとし
て、情報記憶用デイスクに情報に対応した微細ピ
ツト列を形成し各ピツトにレーザ光を照射した際
の回折現象を利用して情報を読み取る光デイスク
装置、あるいは情報記憶用デイスクの記憶媒体に
情報に対応した反射率変化部分列を形成し各部分
にレーザ光を照射した際の反射光量変化を利用し
て情報を読み取る光デイスク装置がある。
しかしながらこれらの装置は再生専用であるか
又は再生と追加記録が可能なものに留まつてお
り、情報の消去が可能なものは実用化迄には到つ
ていないのが現状である。
又は再生と追加記録が可能なものに留まつてお
り、情報の消去が可能なものは実用化迄には到つ
ていないのが現状である。
本発明は情報の再生・記録・消去が可能な光デ
イスク装置のメモリ素子として期待される磁気光
学記憶素子の改良に関するものである。磁気光学
記憶素子をメモリ素子として用いた場合の難点の
一つは再生信号レベルが低いことである。特に磁
気光学記憶素子にレーザ光を照射しその反射光に
よつて情報の再生を行なう所謂カー効果再生方式
では、カー回転角が小さいので信号雑音比（Ｓ／
Ｎ）を高める事が困難であつた。その為従来では
記憶媒体である磁性材料の改良を行なつたり、記
憶媒体上にSiOやSiO2の誘電体膜を形成してカー
回転角を高める工夫をしている。
イスク装置のメモリ素子として期待される磁気光
学記憶素子の改良に関するものである。磁気光学
記憶素子をメモリ素子として用いた場合の難点の
一つは再生信号レベルが低いことである。特に磁
気光学記憶素子にレーザ光を照射しその反射光に
よつて情報の再生を行なう所謂カー効果再生方式
では、カー回転角が小さいので信号雑音比（Ｓ／
Ｎ）を高める事が困難であつた。その為従来では
記憶媒体である磁性材料の改良を行なつたり、記
憶媒体上にSiOやSiO2の誘電体膜を形成してカー
回転角を高める工夫をしている。
後者の例として例えばTbFe磁性体薄膜上に
SiO膜を形成することによつてカー回転角が0.15
度から0.6度に増大した例が報告されている
（IEEE Trans of Mag Vol−16 No.−５ 1980
P1194）。しかしながら上記SiOやSiO2の誘電体膜
では、磁性体に腐蝕の恐れのある場合はその腐蝕
の実質的な防御とはなり得ず、又1μｍ程度の小
さなほこりやゴミが該誘電体膜に付着した場合は
記録ビツト径が1μｍ程度であるためビツト検出
が不可能になり、よつて上記SiO、SiO2の誘電体
膜を形成することは実用に適さなかつた。そして
前記腐蝕の防御及びほこりやゴミに対する対策の
為には0.5〜２mm程度のガラス又は透明樹脂を磁
性体に被覆することが望ましいとされている。し
かしこの被覆材料では当然ながらカー回転角の増
大は難しく従つてＳ／Ｎの増大の効果を得ること
も困難である。
SiO膜を形成することによつてカー回転角が0.15
度から0.6度に増大した例が報告されている
（IEEE Trans of Mag Vol−16 No.−５ 1980
P1194）。しかしながら上記SiOやSiO2の誘電体膜
では、磁性体に腐蝕の恐れのある場合はその腐蝕
の実質的な防御とはなり得ず、又1μｍ程度の小
さなほこりやゴミが該誘電体膜に付着した場合は
記録ビツト径が1μｍ程度であるためビツト検出
が不可能になり、よつて上記SiO、SiO2の誘電体
膜を形成することは実用に適さなかつた。そして
前記腐蝕の防御及びほこりやゴミに対する対策の
為には0.5〜２mm程度のガラス又は透明樹脂を磁
性体に被覆することが望ましいとされている。し
かしこの被覆材料では当然ながらカー回転角の増
大は難しく従つてＳ／Ｎの増大の効果を得ること
も困難である。
又以上の手法とは別にカー効果再生方式の磁気
光学記憶素子において、記録媒体の背後に反射膜
を形成することによつて見かけのカー回転角を向
上させる手法を出願人は提案（特願昭55−85695）
している。
光学記憶素子において、記録媒体の背後に反射膜
を形成することによつて見かけのカー回転角を向
上させる手法を出願人は提案（特願昭55−85695）
している。
この構造の特徴は磁性体薄膜表面で反射された
レーザ光と磁性体薄膜を透過し次に反射膜にて反
射されたレーザ光が合成される為に上記反射膜が
存在しない構造体に比べて見かけのカー回転角が
向上することである。この場合カー回転角の増大
率は使用するレーザ光の波長、磁性体膜の種類及
び膜厚、反射膜の膜厚等によつて変化することが
確認されている。又第１図の構造の磁気光学記憶
素子も既に出願人は提案している。１はガラス等
の基板、２はGdTbFe非晶質薄膜、３はSiO2透明
膜、４はCu金属膜である。そしてこの構造体に
おいてSiO2透明膜３の膜厚を変化させるとカー
回転角が大きく変化することを確認している。第
２図はレーザ光の波長を632.8nｍとし、上記SiO2
透明膜３の膜厚を変化した時のカー回転角の変化
する様子を示したグラフ図である。
レーザ光と磁性体薄膜を透過し次に反射膜にて反
射されたレーザ光が合成される為に上記反射膜が
存在しない構造体に比べて見かけのカー回転角が
向上することである。この場合カー回転角の増大
率は使用するレーザ光の波長、磁性体膜の種類及
び膜厚、反射膜の膜厚等によつて変化することが
確認されている。又第１図の構造の磁気光学記憶
素子も既に出願人は提案している。１はガラス等
の基板、２はGdTbFe非晶質薄膜、３はSiO2透明
膜、４はCu金属膜である。そしてこの構造体に
おいてSiO2透明膜３の膜厚を変化させるとカー
回転角が大きく変化することを確認している。第
２図はレーザ光の波長を632.8nｍとし、上記SiO2
透明膜３の膜厚を変化した時のカー回転角の変化
する様子を示したグラフ図である。
SiO2透明膜３及びCu金属膜４が無い時のカー
回転角は0.27°であるのでCu金属膜４の存在の重
要性が判る。又、SiO2透明膜３が無い場合のカ
ー回転角は他の条件（磁性体膜厚、反射膜膜厚
等）を変えても最大で0.5°であるからSiO2透明膜
３の膜厚を適度に調整すればカー回転角を大きく
増加させることができることが判る。
回転角は0.27°であるのでCu金属膜４の存在の重
要性が判る。又、SiO2透明膜３が無い場合のカ
ー回転角は他の条件（磁性体膜厚、反射膜膜厚
等）を変えても最大で0.5°であるからSiO2透明膜
３の膜厚を適度に調整すればカー回転角を大きく
増加させることができることが判る。
本発明は以上の点に鑑み、反射膜を備えた磁気
光学記憶素子において更に実用的な構造を得んと
するものである。
光学記憶素子において更に実用的な構造を得んと
するものである。
以下、本発明に係わる磁気光学記憶素子の一実
施例を図面を用いて詳細に説明する。
施例を図面を用いて詳細に説明する。
第３図は本発明に係わる磁気光学記憶素子の一
実施例の一部側面断面図である。同図で５はガラ
ス、アクリル樹脂等の基板であり、該基板の厚さ
は0.5〜２mm程度である。６は上記基板上にスパ
ツタリング、蒸着等によつて形成された膜面に垂
直な磁化容易軸を有する希土類−遷移金属非晶質
薄膜である。この希土類−遷移金属非晶質薄膜の
材質はGdTbFe、TbDyFe、TbFe、GdTbDyFe
及びこれらの材質に若干の不純物例えばBi、Sn、
Co等を加えたもの等を用い得る。７は上記非晶
質薄膜上に形成されるMgF2、SiO2、SiO、
TiO2、Si34、Ta2O5等の透明薄膜であり、８はス
テンレス薄膜である。このステンレス薄膜として
は18−８ステンレス鋼SUS304（JIS規格）を用い
た。上記ステンレス薄膜８は反射膜として動作す
るものである。ステンレス薄膜は耐腐蝕性に優れ
ている点で反射膜として好ましい。又ステンレス
薄膜は熱伝導率が低いので前記非晶質薄膜６にレ
ーザスポツトを照射して光熱磁気記録を行なう場
合に反射膜へ熱が逃げることが少ない。従つて光
熱磁気記録時のパワーロスが小さく記録速度を向
上することができるものである。
実施例の一部側面断面図である。同図で５はガラ
ス、アクリル樹脂等の基板であり、該基板の厚さ
は0.5〜２mm程度である。６は上記基板上にスパ
ツタリング、蒸着等によつて形成された膜面に垂
直な磁化容易軸を有する希土類−遷移金属非晶質
薄膜である。この希土類−遷移金属非晶質薄膜の
材質はGdTbFe、TbDyFe、TbFe、GdTbDyFe
及びこれらの材質に若干の不純物例えばBi、Sn、
Co等を加えたもの等を用い得る。７は上記非晶
質薄膜上に形成されるMgF2、SiO2、SiO、
TiO2、Si34、Ta2O5等の透明薄膜であり、８はス
テンレス薄膜である。このステンレス薄膜として
は18−８ステンレス鋼SUS304（JIS規格）を用い
た。上記ステンレス薄膜８は反射膜として動作す
るものである。ステンレス薄膜は耐腐蝕性に優れ
ている点で反射膜として好ましい。又ステンレス
薄膜は熱伝導率が低いので前記非晶質薄膜６にレ
ーザスポツトを照射して光熱磁気記録を行なう場
合に反射膜へ熱が逃げることが少ない。従つて光
熱磁気記録時のパワーロスが小さく記録速度を向
上することができるものである。
ただし、レーザ波長632.8nｍでGdTbFe非晶質
薄膜を用い、この非晶質薄膜とステンレス薄膜の
間に透明薄膜を設けなかつた場合カー回転角は最
大で0.33°と小さく実用上難しかつた。しかし上
記透明薄膜としてSiO2を500nｍの厚さで設けた
時カー回転角は0.57°に上昇した。このカー回転
角であれば実用上（Ｓ／Ｎ）問題無い。
薄膜を用い、この非晶質薄膜とステンレス薄膜の
間に透明薄膜を設けなかつた場合カー回転角は最
大で0.33°と小さく実用上難しかつた。しかし上
記透明薄膜としてSiO2を500nｍの厚さで設けた
時カー回転角は0.57°に上昇した。このカー回転
角であれば実用上（Ｓ／Ｎ）問題無い。
ここで、上述の構成に加えて基板５と非晶質薄
膜６の間にSiO、TiO2等の透明誘電体膜を設けて
もよい。これは基板１がアクリル、ポリカーボ等
の樹脂からなる場合腐蝕に弱い為に設けた膜であ
る。この場合、上記透明誘電体膜の屈折率を上記
基板５の屈折率より大きく、かつ上記透明誘電体
膜の膜厚を略入×（１／4n＋ｍ）……入：入射レー ザ波長、ｎ：透明誘電体膜の屈折率、ｍ：整数、
とすれば上記基板５より入射した光は上記透明誘
電体膜内で干渉しそれによつてカー回転角が増大
しＳ／Ｎが向上するものである。
膜６の間にSiO、TiO2等の透明誘電体膜を設けて
もよい。これは基板１がアクリル、ポリカーボ等
の樹脂からなる場合腐蝕に弱い為に設けた膜であ
る。この場合、上記透明誘電体膜の屈折率を上記
基板５の屈折率より大きく、かつ上記透明誘電体
膜の膜厚を略入×（１／4n＋ｍ）……入：入射レー ザ波長、ｎ：透明誘電体膜の屈折率、ｍ：整数、
とすれば上記基板５より入射した光は上記透明誘
電体膜内で干渉しそれによつてカー回転角が増大
しＳ／Ｎが向上するものである。
又、上記基板５に凹凸状のガイドトラツクを形
成したり、上記ステンレス膜８の両面に透明薄膜
７、非晶質薄膜６、基板５を形成する両面構造体
としても勿論構わない。
成したり、上記ステンレス膜８の両面に透明薄膜
７、非晶質薄膜６、基板５を形成する両面構造体
としても勿論構わない。
以上詳細に説明した本発明によればステンレス
薄膜を磁気光学記憶素子の反射膜として設けたも
のであるから、耐腐蝕性に優れ、又熱伝導率が低
いので光熱磁気記録の際のパワーロスが小さいも
のである。
薄膜を磁気光学記憶素子の反射膜として設けたも
のであるから、耐腐蝕性に優れ、又熱伝導率が低
いので光熱磁気記録の際のパワーロスが小さいも
のである。
第１図は従来の磁気光学記憶素子の一部側面断
面図、第２図は特性グラフ図、第３図は本発明に
係る磁気光学記憶素子の一実施例の一部側面断面
図を示す。 図中、１，５：基板、２，６：非晶質薄膜、
３，７：透明膜、４：反射膜、８：ステンレス薄
膜。
面図、第２図は特性グラフ図、第３図は本発明に
係る磁気光学記憶素子の一実施例の一部側面断面
図を示す。 図中、１，５：基板、２，６：非晶質薄膜、
３，７：透明膜、４：反射膜、８：ステンレス薄
膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に、希土類遷移金属合金薄膜と透明膜
とステンレス薄膜とをこの順に形成したことを特
徴とする磁気光学記憶素子。 ２ 前記透明膜はSiO2、SiO、MgF2、TiO2、
Si3N4、Ta2O5の少なくとも一つの物質を含んで
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の磁気光学記憶素子。 ３ 前記希土類遷移金属合金薄膜はGdTbFe、
TbDyFe、TbFe、GdTbDyFeもしくはこれらに
Bi、Sn、Co等の不純物を含有した物質のいずれ
かから成ることを特徴とする特許請求の範囲第１
項又は第２項記載の磁気光学記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8067682A JPS58196641A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 磁気光学記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8067682A JPS58196641A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58196641A JPS58196641A (ja) | 1983-11-16 |
| JPH034974B2 true JPH034974B2 (ja) | 1991-01-24 |
Family
ID=13724951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8067682A Granted JPS58196641A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58196641A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101497616B1 (ko) * | 2014-01-10 | 2015-03-19 | (주)성미 | 양측 개방형 비상탈출도어가 구비된 선박용 도어 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2551403B2 (ja) * | 1984-07-09 | 1996-11-06 | 京セラ株式会社 | 光磁気記録素子 |
| JPH0766582B2 (ja) * | 1985-01-26 | 1995-07-19 | 京セラ株式会社 | 光磁気記録素子 |
| DE3677078D1 (de) * | 1985-07-10 | 1991-02-28 | Mitsubishi Chem Ind | Magnetooptischer traeger. |
| JPH0777044B2 (ja) * | 1985-07-24 | 1995-08-16 | ダイセル化学工業株式会社 | 光磁気デイスク |
| JPS62170050A (ja) * | 1986-01-22 | 1987-07-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光磁気デイスク |
| JP2578418B2 (ja) * | 1986-12-29 | 1997-02-05 | 三菱化学株式会社 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH03181041A (ja) * | 1990-11-28 | 1991-08-07 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH0490024U (ja) * | 1991-05-30 | 1992-08-06 | ||
| JPH0589517A (ja) * | 1991-09-25 | 1993-04-09 | Sony Corp | 光デイスク |
| JPH0644626A (ja) * | 1992-08-27 | 1994-02-18 | Canon Inc | 磁性薄膜記録媒体 |
-
1982
- 1982-05-12 JP JP8067682A patent/JPS58196641A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101497616B1 (ko) * | 2014-01-10 | 2015-03-19 | (주)성미 | 양측 개방형 비상탈출도어가 구비된 선박용 도어 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58196641A (ja) | 1983-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6227458B2 (ja) | ||
| JPH034974B2 (ja) | ||
| JPS586542A (ja) | 磁気光学記憶素子 | |
| JPS6080144A (ja) | 光メモリ素子 | |
| JPH0444333B2 (ja) | ||
| JPH0263262B2 (ja) | ||
| JPH02779B2 (ja) | ||
| JPS61196445A (ja) | 光磁気デイスク | |
| JPS6314342A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0263261B2 (ja) | ||
| JPH034973B2 (ja) | ||
| JPH0479076B2 (ja) | ||
| JP2801984B2 (ja) | 磁気光学記憶素子 | |
| JPH0512778B2 (ja) | ||
| JP2565884B2 (ja) | 磁気光学記憶素子 | |
| JP2787077B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0462140B2 (ja) | ||
| JP2672914B2 (ja) | 磁気光学記憶素子 | |
| JPH0350342B2 (ja) | ||
| JPS62289945A (ja) | 光記録素子 | |
| JPS60209946A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0427617B2 (ja) | ||
| JPS61276148A (ja) | 光磁気デイスク | |
| JPS63124249A (ja) | 光磁気デイスク | |
| JPH0442736B2 (ja) |