JPS5854633A - 微細加工方法 - Google Patents
微細加工方法Info
- Publication number
- JPS5854633A JPS5854633A JP56154228A JP15422881A JPS5854633A JP S5854633 A JPS5854633 A JP S5854633A JP 56154228 A JP56154228 A JP 56154228A JP 15422881 A JP15422881 A JP 15422881A JP S5854633 A JPS5854633 A JP S5854633A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- film
- electron beam
- mask
- conductive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子ビームを用いた微細加工方法の改良に関
する。
する。
近時、半導体ウェーハやマスク基板等に微細な７譬ター
ンを形成するものとして、電子ビーム露光技術を利用し
た微細加工方法が用いられている。電子ビーム露光技術
は光露光技術と異なり、回折に起因する解像力の低下が
ない九め、本質的に微細・ｆターフを容易に形成できる
と云われている。ところが、電子ビームには固体中の散
乱と云う別のｌｓ像力の制限要素があり、これが数〔μ
ｍ〕以下の・譬ターン形成に重大な問題となっている。
ンを形成するものとして、電子ビーム露光技術を利用し
た微細加工方法が用いられている。電子ビーム露光技術
は光露光技術と異なり、回折に起因する解像力の低下が
ない九め、本質的に微細・ｆターフを容易に形成できる
と云われている。ところが、電子ビームには固体中の散
乱と云う別のｌｓ像力の制限要素があり、これが数〔μ
ｍ〕以下の・譬ターン形成に重大な問題となっている。
第１図は従来の微細加工方法に係わる電子ビーム露光法
を示す模式図である。基板１の上向に形成された被加工
物２上に感電子レジス）Ｊを塗布し、とのレジス）Ｊに
例えば２０（Ｋ＠Ｖ）に加速された電子ビームを照射し
て所望／ｆターンヲ露党する。次いで、レジストＪを現
像し九のち該レジストＪをマスクとして被加工物２を戸
うイエ、チングし、−臂ターン形成を行っている。
を示す模式図である。基板１の上向に形成された被加工
物２上に感電子レジス）Ｊを塗布し、とのレジス）Ｊに
例えば２０（Ｋ＠Ｖ）に加速された電子ビームを照射し
て所望／ｆターンヲ露党する。次いで、レジストＪを現
像し九のち該レジストＪをマスクとして被加工物２を戸
うイエ、チングし、−臂ターン形成を行っている。
ここで基板１をシリコン、被加工物２を厚さＯ，Ｓ（μ
ｍ〕の酸化シリコン、レゾスト３Ｙｒ厚さ１〔綿〕のｐ
−仏（ポリメチルメタク１ルート）とすると、電子ビー
ムは基板１内の数〔μ畷〕の深さまで到達し、その深さ
から後方散乱する。この後方散乱した電子はレゾス）Ｊ
Ｋ再入射し同レジスト１に、所謂カプリ現象を引き起こ
す、このカプリの及ぶ範囲は電子ビームの径の大きさに
拘らず数〔μｍ） Ｋ達する・そして、レゾストＪを現
像した場合、上記カプリによりレゾスト−ターンの寸法
精度が損われ、と九によｐ数〔＃解〕以下の・ヤターン
を精度良く形成することはできなかった。
ｍ〕の酸化シリコン、レゾスト３Ｙｒ厚さ１〔綿〕のｐ
−仏（ポリメチルメタク１ルート）とすると、電子ビー
ムは基板１内の数〔μ畷〕の深さまで到達し、その深さ
から後方散乱する。この後方散乱した電子はレゾス）Ｊ
Ｋ再入射し同レジスト１に、所謂カプリ現象を引き起こ
す、このカプリの及ぶ範囲は電子ビームの径の大きさに
拘らず数〔μｍ） Ｋ達する・そして、レゾストＪを現
像した場合、上記カプリによりレゾスト−ターンの寸法
精度が損われ、と九によｐ数〔＃解〕以下の・ヤターン
を精度良く形成することはできなかった。
そこで、上記後方散乱のＩＩ！囲を小さくする手段とし
て、電子ビームのエネルギを小さくすることが試みられ
ている０％に、５ （Ｋ＠Ｖ） 以下Ｏエネルギ和する
と電子ビームの侵入深さが極めて小さくな９、後方散乱
が及ぶ範囲も小さくな炒、ｆｆンクロンの・ナターン形
成に支１ｉＩがなくなる。しかしながら、この場合電子
ビームの侵入深さが小さいためレジスト１の全域を十分
に露光できないと云う問題を生じる。また、電子ビーム
のエネルギを１０（Ｋ＠Ｖ）に設定し九場合にはｓ ２
０（Ｋ＠Ｖ）の場合より多小嵐好な結果が得られるが、
満足できるものではなかった。
て、電子ビームのエネルギを小さくすることが試みられ
ている０％に、５ （Ｋ＠Ｖ） 以下Ｏエネルギ和する
と電子ビームの侵入深さが極めて小さくな９、後方散乱
が及ぶ範囲も小さくな炒、ｆｆンクロンの・ナターン形
成に支１ｉＩがなくなる。しかしながら、この場合電子
ビームの侵入深さが小さいためレジスト１の全域を十分
に露光できないと云う問題を生じる。また、電子ビーム
のエネルギを１０（Ｋ＠Ｖ）に設定し九場合にはｓ ２
０（Ｋ＠Ｖ）の場合より多小嵐好な結果が得られるが、
満足できるものではなかった。
本発明は上記事情を考慮してな畜れたもので、その目的
とするところは、電子ビームの後方敏ＬＫ起因するカプ
リを低減でき、かつレジストを十分に露光でき、微細・
皆ターンを高精度に形成することのできる微細加工方法
を提供することにある。
とするところは、電子ビームの後方敏ＬＫ起因するカプ
リを低減でき、かつレジストを十分に露光でき、微細・
皆ターンを高精度に形成することのできる微細加工方法
を提供することにある。
まず、本発明のａＳを説明する。電子ビームの加速電圧
を７（Ｋ＠Ｖ）以下とすると前述しえ如くレジストの十
分な露光は不可能である。このため、電子ビームの加速
電圧は７（Ｋ＠Ｖ）以上にする必要がある。また、ＶＢ
度の高い物質はど電子の侵入深さは浅くなり、それだけ
後方散乱の及ぶ範−が狭くなる。この九め、ある程度高
い密度の物質をある程度以上の膜厚に形成すれば、電子
の侵入を抑制できることになる。そして、本発明者等の
研究によれば、密度りが１０以上の導電膜をＤ 〔μｍ
〕以上の厚さに形成すると、１５（Ｋ＠Ｖ）以下の電子
ビームの侵入は大１１に抑制されることが判った。
を７（Ｋ＠Ｖ）以下とすると前述しえ如くレジストの十
分な露光は不可能である。このため、電子ビームの加速
電圧は７（Ｋ＠Ｖ）以上にする必要がある。また、ＶＢ
度の高い物質はど電子の侵入深さは浅くなり、それだけ
後方散乱の及ぶ範−が狭くなる。この九め、ある程度高
い密度の物質をある程度以上の膜厚に形成すれば、電子
の侵入を抑制できることになる。そして、本発明者等の
研究によれば、密度りが１０以上の導電膜をＤ 〔μｍ
〕以上の厚さに形成すると、１５（Ｋ＠Ｖ）以下の電子
ビームの侵入は大１１に抑制されることが判った。
本発明はこのような点に着目し、被加工物上に高密度の
導電膜、を形成し、この導電膜上に感電子レジストを形
成したのち、７〜ｌ ５（Ｋ＠Ｖ）に加速された電子ビ
ームを用いてレジストを所望ノｆターンに露光し現像し
、次いでレジストをマスクとして上記導電膜をドライエ
、チンｒし、しかるのち導電膜ｔマスクとして上記被加
工物をドライエ、チンｒするようにした方法である。
導電膜、を形成し、この導電膜上に感電子レジストを形
成したのち、７〜ｌ ５（Ｋ＠Ｖ）に加速された電子ビ
ームを用いてレジストを所望ノｆターンに露光し現像し
、次いでレジストをマスクとして上記導電膜をドライエ
、チンｒし、しかるのち導電膜ｔマスクとして上記被加
工物をドライエ、チンｒするようにした方法である。
したがって、本発明によれば、電子ビームの後方散乱を
極めて小さくでき、かつレジストの十分な露光を行うこ
とができる。このため、上記後方散乱に起因する解像力
低下を防止し、数（Ｊ帛〕以下Ｏｄターン會もｊｌ！Ｉ
精変に形成する仁とがてきる。−例として、第２ｍＫ示
す如くレゾスト３０編厚を１［ＪｌｌＩ）、白金（密度
２１４ ｔ／ｄ ）からなる導電膜４のｇ厚ｔ Ｏ，ｌ
（ｓ鯛〕とし、加速電ｆＥ １ Ｇ（Ｋ＠Ｖ）の電子ビ
ームでレゾストＪ’）露光し九とζろ、同図にも示す如
く後方散乱の及ぶ範囲が１８１図に比して著しく小さく
なった。
極めて小さくでき、かつレジストの十分な露光を行うこ
とができる。このため、上記後方散乱に起因する解像力
低下を防止し、数（Ｊ帛〕以下Ｏｄターン會もｊｌ！Ｉ
精変に形成する仁とがてきる。−例として、第２ｍＫ示
す如くレゾスト３０編厚を１［ＪｌｌＩ）、白金（密度
２１４ ｔ／ｄ ）からなる導電膜４のｇ厚ｔ Ｏ，ｌ
（ｓ鯛〕とし、加速電ｆＥ １ Ｇ（Ｋ＠Ｖ）の電子ビ
ームでレゾストＪ’）露光し九とζろ、同図にも示す如
く後方散乱の及ぶ範囲が１８１図に比して著しく小さく
なった。
そしてｔｏ場合、ｌ〔μｍ３寸法のＩ豐ターνを高精度
に露光することがで自た。また、被加工物２として絶縁
物ｔ！ｆＩいる場合、導電１１１４が電子ビームによる
チャージアラｆを訪止し、ｚ４ターンの歪を防止できる
等の利点がある。なお、微細加工では通常イオンビーム
エツチング、反応性イオンビームエツチング、反応性ス
／譬、タエ。
に露光することがで自た。また、被加工物２として絶縁
物ｔ！ｆＩいる場合、導電１１１４が電子ビームによる
チャージアラｆを訪止し、ｚ４ターンの歪を防止できる
等の利点がある。なお、微細加工では通常イオンビーム
エツチング、反応性イオンビームエツチング、反応性ス
／譬、タエ。
チンｒ等のドライエツチング用りられるが％導電膜はド
ライエ、チンｒのマスク材として十分使用可能である。
ライエ、チンｒのマスク材として十分使用可能である。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によりてｌＩＳ！明
する。
する。
第３図−）〜（ｄＪは本発明の一実１例に係わる黴ａｍ
／ｅターン形成工程を示す断復模式−であみ。
／ｅターン形成工程を示す断復模式−であみ。
マス、ＪｌｌＩＳ ｔｌｌＪｋｌＫ示ｆｔ１Ｊ ＜ ｙ
９ ｗ ｙ基１ｉ： Ｉ ｌ 上に熱酸化技術を用い
被加工物としての酸化シリコン膜１２を０．５〔μ講〕
の膜厚に形成し、この酸化シリコン膜１２上にアルｆン
スイ、り蒸着法で白金ＩＩ（導電膜）ＪＪｔＯ，１（μ
調〕の膜厚に形成し、続いて白金膜１３上Ｋ Ｐｌｉｌ
！ＭＡレジスト１４をｌ〔μ講〕の厚さに回転塗布し九
０次いで、電子ビームを用い加速電圧１０（Ｋ＠Ｖ）、
ドーズ量６０（Ｊａ／ｊ）の条件下で、レジスト１４１
１Ｃ１，２ｅ４ 、１０（ｍｓ）の−々ターンを露光し
た。続いてインゾロパノールとメチルインブチルケトン
と。
９ ｗ ｙ基１ｉ： Ｉ ｌ 上に熱酸化技術を用い
被加工物としての酸化シリコン膜１２を０．５〔μ講〕
の膜厚に形成し、この酸化シリコン膜１２上にアルｆン
スイ、り蒸着法で白金ＩＩ（導電膜）ＪＪｔＯ，１（μ
調〕の膜厚に形成し、続いて白金膜１３上Ｋ Ｐｌｉｌ
！ＭＡレジスト１４をｌ〔μ講〕の厚さに回転塗布し九
０次いで、電子ビームを用い加速電圧１０（Ｋ＠Ｖ）、
ドーズ量６０（Ｊａ／ｊ）の条件下で、レジスト１４１
１Ｃ１，２ｅ４ 、１０（ｍｓ）の−々ターンを露光し
た。続いてインゾロパノールとメチルインブチルケトン
と。
混合液でレジスト１４を現像し九ところ、第３図会）に
示す如きレノスト・ナターンが形成されえ。
示す如きレノスト・ナターンが形成されえ。
なお、第３図会）では前記１（μ溝〕と２〔μ寓）（Ｄ
Ｉ！党部を現像した状態を示している。
Ｉ！党部を現像した状態を示している。
次に、アル♂ンイオンピームエ、チング技櫂を用い、第
３図（＠）に示す如くレジスト１４をマスクとして白金
Ｉ［１ｓｔ−工、チングし九、続いて、７レオンと水素
との混合ガスを反応ガスとする反応性イオン工、チング
技術を用い、第８１１１（ｄ）に示す如く白金１１ＪＪ
をマスクとしてシリコン域化１ｓ１１を工、チングし友
、かくして形成された・＋４−ンは１ 、２ 、４ 、
１０（岸購〕のいずれの寸法であっても精度良いもので
あった。
３図（＠）に示す如くレジスト１４をマスクとして白金
Ｉ［１ｓｔ−工、チングし九、続いて、７レオンと水素
との混合ガスを反応ガスとする反応性イオン工、チング
技術を用い、第８１１１（ｄ）に示す如く白金１１ＪＪ
をマスクとしてシリコン域化１ｓ１１を工、チングし友
、かくして形成された・＋４−ンは１ 、２ 、４ 、
１０（岸購〕のいずれの寸法であっても精度良いもので
あった。
なお、上述した実施例てはシリコン基板を用いたが、こ
の代シにガラス基板を用りてもよく、クロム等を被加工
物とする７ｔ）マスクの作製に適用することもできる。
の代シにガラス基板を用りてもよく、クロム等を被加工
物とする７ｔ）マスクの作製に適用することもできる。
また、導電膜としては白金膜に限るものではなく、密度
の高い物質、好ましくは密度りが１０以上でその膜厚、
がυ 〔綿〕以上のものであればよい、さらに、被加工
物やレノストの材質および膜厚等は、仕ｉａＫ応じて適
宜定めればよい、その他、本発明の要旨を逸脱しない＠
−で、櫨々変形して実施する仁とができる。
の高い物質、好ましくは密度りが１０以上でその膜厚、
がυ 〔綿〕以上のものであればよい、さらに、被加工
物やレノストの材質および膜厚等は、仕ｉａＫ応じて適
宜定めればよい、その他、本発明の要旨を逸脱しない＠
−で、櫨々変形して実施する仁とができる。
ｉａ１図は微細加工方法に係わる従来の電子ビーム露光
法を示す模式図、ｗ４２図は本砧明の原理をｌ！Ｉ！明
するための模式図、第３図（１）〜（ｄ）は本発明の一
実施例に係わる微細・譬ターン形成工程を示す模式−で
ある。 １１・軸シリコン基’ｌ、Ｊ ｘ・−シリコン１１化１
［（被加工物）、ＩＳ・・・白金ＩＩ（導電ＩＩ）、１
４−・レジスト。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図・
法を示す模式図、ｗ４２図は本砧明の原理をｌ！Ｉ！明
するための模式図、第３図（１）〜（ｄ）は本発明の一
実施例に係わる微細・譬ターン形成工程を示す模式−で
ある。 １１・軸シリコン基’ｌ、Ｊ ｘ・−シリコン１１化１
［（被加工物）、ＩＳ・・・白金ＩＩ（導電ＩＩ）、１
４−・レジスト。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図・
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ａ） 被加工物上に電子の侵入を抑制する高置（ｉｃ＠
ｖ）に加速された電子ビームｆ：ＭＪいて上記レジスト
を所望ｐ４ターンに露光した０ち該レジストを現像する
工程と、次いで上記レジストをマスクとして前記導電＠
ｔドライエツチングする工程と、しかるのち上記導電膜
をマスクとして前記被加工物をドライエツチングする工
程とを具備したことを特徴とする微細加工方法。 Ｑ）前記導電膜の密度Ｄｉ−１０以上とし、かつその膜
圧をＤ Ｃμｍ１以上としたことｔｑ＃黴とする特許請
求の範囲第１項記載の微細加工方法。 （３）前記導電膜として、タンタル、白金、金或いはこ
れらの複合物を用いたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項又は１８２項記載の微細加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154228A JPS5854633A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 微細加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154228A JPS5854633A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 微細加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5854633A true JPS5854633A (ja) | 1983-03-31 |
Family
ID=15579647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56154228A Pending JPS5854633A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 微細加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5854633A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61288427A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63110729A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0210356A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細パターン形成方法 |
| US5019485A (en) * | 1988-10-13 | 1991-05-28 | Fujitsu Limited | Process of using an electrically conductive layer-providing composition for formation of resist patterns |
| JPH05326385A (ja) * | 1992-05-25 | 1993-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1981
- 1981-09-29 JP JP56154228A patent/JPS5854633A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61288427A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63110729A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0210356A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細パターン形成方法 |
| US5019485A (en) * | 1988-10-13 | 1991-05-28 | Fujitsu Limited | Process of using an electrically conductive layer-providing composition for formation of resist patterns |
| JPH05326385A (ja) * | 1992-05-25 | 1993-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4976818A (en) | Fine pattern forming method | |
| JPH05205989A (ja) | リソグラフィ法及び半導体装置の製造方法 | |
| JPS5854633A (ja) | 微細加工方法 | |
| US5098815A (en) | Process for the production of dielectric layers in planar circuits on ceramics substrates | |
| JPS52119172A (en) | Forming method of fine pattern | |
| KR100754369B1 (ko) | 중성입자빔을 이용한 직접 에칭에 의해 기판 상에 소정의패턴을 형성하는 방법 | |
| JPS6246976B2 (ja) | ||
| JPH01221637A (ja) | 観察試料処理方法 | |
| JPS607131A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP2561511B2 (ja) | マスクブランクス | |
| JPS58102523A (ja) | 位置合わは用マ−カ | |
| JPS58147117A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP2899542B2 (ja) | 転写マスクの製造方法 | |
| JPS62241338A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH04196209A (ja) | ステンシルマスク形成方法 | |
| JPS6279622A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| KR100238237B1 (ko) | 전자빔 셀 투영 리소그래피용 마스크 및 그 제조방법 | |
| JPS5934632A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH02174216A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63237524A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| JPS59100537A (ja) | 電極配線形成方法 | |
| JPH0748468B2 (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS634700B2 (ja) | ||
| JPH0247848B2 (ja) | ||
| JPS58106545A (ja) | 露光方法 |