JPS584928A - Forming method for thin film pattern - Google Patents
Forming method for thin film patternInfo
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- JPS584928A JPS584928A JP10276881A JP10276881A JPS584928A JP S584928 A JPS584928 A JP S584928A JP 10276881 A JP10276881 A JP 10276881A JP 10276881 A JP10276881 A JP 10276881A JP S584928 A JPS584928 A JP S584928A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はリフトオフ法を用いて所定物質からなる薄膜パ
ターンを形成する方法に関し、さらに具体的には例えば
半導体集積回路基板上に金属配線のような導電体パター
ンを形成する方法の改良に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for forming a thin film pattern made of a predetermined material using a lift-off method, and more specifically, for forming a conductor pattern such as a metal wiring on a semiconductor integrated circuit board. It concerns an improvement in the method.
既に周知のようにリフトオフ法は、基板上に塗布したホ
トレジスト層上に露光用マスクを配置して露光した後、
現像を施して基板上の導電体パターン形成領域以外の領
域に中シレジス）を形成し、その状態で基板上方からＡ
Ｉ等の導電体層を蒸着等によって付着した後、ホトレジ
スト層の除去とともに導電体パターン形成領域以外の導
電体層を除去するととによって、基板上に導電体パター
ンを形成するようにしたものである。As is already well known, the lift-off method involves placing an exposure mask on a photoresist layer coated on a substrate, exposing it to light, and then
Developing is performed to form a medium resist (medium resist) in areas other than the conductor pattern forming area on the substrate, and in this state A is applied from above the substrate.
After depositing a conductor layer such as I by vapor deposition or the like, a conductor pattern is formed on a substrate by removing the photoresist layer and removing the conductor layer outside the conductor pattern formation area. .
このようなり７Ｆオフ法で社一般にポジ形ホトレジスジ
が用いられている。リフトオフ法でポジ形ホシレジスＦ
を用いること社、露光時に露光用マスクとホ）Ｖシスト
層とが密着する際に極めて好都合である。つｔｂマスク
の遮光領域端縁部において、ポジ形ホＦｖｖスト層のマ
スクと密着している部分は感光しないが、ホｔレジスト
層のマスクから厚さ方向に遠い部分拡充のまわシ込みＫ
よって感光するので、露光、現像後のポジ形ホトレジメ
を層には上層部が庇状に延び出た、いわゆる逆テーパを
有するパターンが形成され、基板上方から例えば導電体
層を付着した際、基板上に付着した導電体層とホ）Ｌ／
ジスＦ層上に付着した導電体層とは、ホ）レジスト層に
形成された逆テーバによって、分離された形で付着する
。それ故にホトレジスト層除去時にホトレジスト層上に
付着した不要な導電体層のみを容易に除去することがで
きるのである。As described above, a positive photoresist is generally used in the 7F off method. Positive type star resist F using lift-off method
It is very convenient to use this method when the exposure mask and e) V cyst layer come into close contact during exposure. At the edge of the light-shielding area of the tb mask, the part of the positive photo resist layer that is in close contact with the mask is not exposed to light, but the part of the photo resist layer that is far from the mask in the thickness direction is enlarged.
Therefore, since it is exposed to light, a pattern with a so-called reverse taper in which the upper layer extends like an eave is formed in the positive photoresist layer after exposure and development. The conductor layer attached on top and e) L/
The conductor layer deposited on the resist layer is separated from the conductive layer deposited on the resist layer by e) the inverted taber formed on the resist layer. Therefore, when removing the photoresist layer, only the unnecessary conductor layer deposited on the photoresist layer can be easily removed.
ところが例えば半導体集積回路基板上に絶縁体層を介し
て多層の金属配線を形成するよう壜場合には、基板表面
に凸部が存在するので、露光用マスクとホトレジスト層
とが密着し危い領域が生じ、その領域に金属配線のよう
な導電体パターンを形成する際には、前述のように露光
用マスクとホトレジスト層との密着による逆テーバが形
成できず、リフトオフ法の適用が困難になることがある
。つまり第１図に示すように基板１上に塗布したポジ形
ホトレジスト層２の上方に露光用マスク８を止むを得ず
間隙４を介して配置せざるを得ない場合、露光用マスク
８上方から光を照射すると、そのマスク８の透光領域８
ａからの入射光でホトレジスト層２が感光するのである
が、この際透光領域８ａからの入射光はマスク８の遮光
領域８ｂの下にもまわり込み、その光によってもホトレ
ジ７１層２が感光する。その結果ホトレジスト層２の上
層部よシも下層部になるほど、その感光領域は小さくな
る。その様子を図において実線矢印で示す。第１図にお
いて実線矢印で示したような光で感光したポジ形ホトレ
Ｖスト層８を現像すると、第２図に示すように基板１上
に形成されるホトレジスト層２には、上層部が庇状に延
び出したいわゆる逆テーパが形成されずにホトレジスト
層２の下層部が延び出した、いわゆる順テーパが形成さ
れる。However, when multilayer metal wiring is formed on a semiconductor integrated circuit board via an insulator layer, for example, there are convexities on the surface of the board, so the exposure mask and the photoresist layer come into close contact, creating dangerous areas. occurs, and when forming a conductor pattern such as metal wiring in that area, it is difficult to apply the lift-off method because the inverse taber cannot be formed due to the close contact between the exposure mask and the photoresist layer as described above. Sometimes. In other words, as shown in FIG. When irradiated with light, the transparent area 8 of the mask 8
The photoresist layer 2 is exposed to the incident light from the light-transmitting area 8a, but at this time, the incident light from the transparent area 8a also goes under the light-shielding area 8b of the mask 8, and the photoresist layer 2 is also exposed to the light. do. As a result, the photoresist layer 2 becomes smaller in its photosensitive area as it moves from the upper layer to the lower layer. This situation is shown by solid arrows in the figure. When the positive photoresist layer 8 exposed to light as shown by the solid arrow in FIG. A so-called forward taper in which the lower layer portion of the photoresist layer 2 extends is formed instead of a so-called reverse taper extending in a shape.
このようガ状頗で基板ｌの上方からＡＩ等の導電体層５
ａ、５ｂを蒸着等で付着すると、基板１上に付着した導
電体層６ａとホトレジスト層２上に付着した導電体層６
ｂとが連続した形で形成されてしまい、ホトレジ７１層
２を除去する際に、基板ｌ上に形成すべき導電体層６ａ
も同時に除去される場合が生じ、リフトオフ法で導電体
パターンのような薄膜パターンを形成することが困難に
なるといった欠点があった。In this manner, the conductor layer 5 of AI or the like is applied from above the substrate l.
When a and 5b are deposited by vapor deposition or the like, a conductor layer 6a deposited on the substrate 1 and a conductor layer 6 deposited on the photoresist layer 2 are formed.
b are formed in a continuous manner, and when removing the photoresist 71 layer 2, the conductor layer 6a to be formed on the substrate l
There are also cases where the film is removed at the same time, making it difficult to form a thin film pattern such as a conductive pattern using the lift-off method.
本発明は前述の点に鑑みなされたもので、その目的はリ
フトオフ法を用いて表面に凹凸の存在する基板上に薄膜
パターンを容易に形成することが層と金属層とを積層し
た後、該金属層とポジ形ホトレジスト層とを順次所定形
状にパターンユングし、しかる後、基板上方二り所定物
質からなる薄膜層を付着し、前記ポジ形ホトレジスト層
を除去することによって基板上に所定形状の薄膜パター
ンを形成するようにした薄膜パターン形成方法において
、あらかじめパターンユングした金属層をマスクトシて
ポジ形ホトレジスト層を露光する際、露光用光線の照射
方向が基板面と斜めになる関係で露光するようにしたと
ころにある。The present invention has been made in view of the above-mentioned points, and its purpose is to easily form a thin film pattern on a substrate with an uneven surface by using a lift-off method. A metal layer and a positive photoresist layer are sequentially patterned into a predetermined shape, and then a thin film layer made of a predetermined material is deposited over the substrate, and the positive photoresist layer is removed to form a predetermined shape on the substrate. In a thin film pattern forming method for forming a thin film pattern, when exposing a positive photoresist layer using a pre-patterned metal layer as a mask, the exposure direction is such that the irradiation direction of the exposure light is oblique to the substrate surface. It's located where I left it.
以下本発明の実施例につき図面を参照して説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第８図〜第９図は本発明を説明するための要部断面図で
順次に示した工程図である。まず第８図に示すように例
えば半導体集積回路郷の基板１１上面にポジ形ホ）レジ
メを層１ｇをスピンナ等によシ塗布し、乾燥、硬化させ
た後、そのホトレジスを層ＩＢ上面に金属層１８を蒸着
形成し、さらＫその金属層１８上面に例えばポジ形ホト
レジスト層１４を塗布してから乾燥硬化させる。なお前
記工程中においてホトレジスト層１２およヒ１４は未感
光状態を保持するようにしておく。そしてホトレジスト
層１４上方には露光用マスク１５が止むを得ず間隙１６
を介して配置してあシ、そのマスタ１６の上方から光を
照射するとマスク１６の透光領域１５ａを通してポジ形
ホ）レジ７１層１４箋が感光する。しかる後、そのホト
レジスト層糾４を現像処理すると感光領域が除去されて
、第４図に示すように、金属層１８上には所定形状にパ
ターンユングされたホトレジスト層１４が形成される。FIGS. 8 and 9 are process diagrams sequentially shown in sectional views of main parts for explaining the present invention. First, as shown in FIG. 8, for example, a layer 1g of a positive photoresist is coated on the upper surface of the substrate 11 of the semiconductor integrated circuit board 11 using a spinner or the like, and after drying and curing, the photoresist is applied to the upper surface of the layer IB with metal. Layer 18 is deposited and a layer of, for example, positive photoresist 14 is applied on top of metal layer 18 and dried and cured. Note that during the above steps, the photoresist layer 12 and the photoresist layer 14 are kept in an unexposed state. The exposure mask 15 is unavoidably placed above the photoresist layer 14 in the gap 16.
When light is irradiated from above the master 16, the positive type resistor 71 layer 14 is exposed through the transparent area 15a of the mask 16. Thereafter, the photoresist layer 4 is developed to remove the photosensitive area, and a photoresist layer 14 patterned into a predetermined shape is formed on the metal layer 18, as shown in FIG.
そして前記パターンユングされたホトレジスト層１４を
マスタにして金属層１８をエッチング処理するごとによ
シ、第５図に示すように、ポジ形ホトレジスト層ｌＢ上
には所定形状にパターンユングされた金属層１８が形成
される。次にそのパターンユングされた金属層１８をマ
スクとしてポジ形ホトレジスト層１２を露光するのであ
るが、本発明においてはこの際、第６図に示すように露
光用光線１７の光軸に対して基板１１を傾けた状轢でか
つ基板１１を回転させながら露光するのである。かくす
ることＫよシ、基板１１上に形成したボＶ形ホトレジス
を層１２の露光領域は金属層１８の開口領域よりも広く
なる。また金属層１８上のポジ形ホトレジスト層１４全
面も同時に露光される。しかる後、前記のように露光さ
れたメジ形ホＦレジスト層１２および１４を現像処理す
ると、それらのホトレジ７１層の露光領域が除去されて
、第７図に示すようにポジ形ホトレジスト層１８上に金
属層１８が残シ、その金属層１８の開口領域端縁部はポ
ジ形ホトレジスト層１８上に庇状に延び出した形に形成
されることとなる。Each time the metal layer 18 is etched using the patterned photoresist layer 14 as a master, as shown in FIG. 18 is formed. Next, the positive photoresist layer 12 is exposed using the patterned metal layer 18 as a mask, but in the present invention, as shown in FIG. Exposure is carried out with the substrate 11 tilted and while rotating the substrate 11. In this way, the exposed area of the V-shaped photoresist layer 12 formed on the substrate 11 is wider than the opening area of the metal layer 18. The entire surface of the positive photoresist layer 14 on the metal layer 18 is also exposed at the same time. Thereafter, when the medium photoresist layers 12 and 14 exposed as described above are developed, the exposed areas of the photoresist layer 71 are removed, and as shown in FIG. The metal layer 18 is left behind, and the edge of the opening area of the metal layer 18 is formed in an eave-like shape extending above the positive photoresist layer 18.
次に第８図に示すように例えばＡｊ等の導電体電体層１
ａ＆、１８１）を形成する。この際、前述したように金
属層１８がポジ形ホトレジスト層ｌＢ上から庇状に砥び
出しているので、基板１１上の導電体層１８ａと金属層
１８上の導電体層１８℃とは分離され丸形で付着する。Next, as shown in FIG.
a&, 181) is formed. At this time, as mentioned above, the metal layer 18 is polished out from above the positive photoresist layer 1B in the shape of an eaves, so the conductor layer 18a on the substrate 11 and the conductor layer 18° C. on the metal layer 18 are separated. It is attached in a round shape.
゛しがる後、ホトレジスト剥離液を用いてポジ形ホトレ
ジスト層１ｇを除去すれば、同時に金属層１８および導
電体層１８１）も除去されて、第９図に示すごとく基板
１１上に所定形状の導電体層１８＆が形成される。この
際、前述のように導電体層１８＆と１８１）とは分離さ
れた形で形成されているので、基板１１上に所定形状の
導電体層ｔｓａを残して不要表導電体層１８’ｂのみを
春易に除去することができるのである。After that, if the positive photoresist layer 1g is removed using a photoresist stripping solution, the metal layer 18 and the conductive layer 181) are also removed at the same time, leaving a predetermined shape on the substrate 11 as shown in FIG. A conductor layer 18& is formed. At this time, since the conductor layers 18& and 181) are formed separately as described above, the conductor layer tsa of a predetermined shape is left on the substrate 11, and only the unnecessary surface conductor layer 18'b is left. can be easily removed.
なお前述の実施例ではパターンユングされた金属層１８
を″Ｖスクとしてポジ形ホトレＶスト層１２拳を露光す
る際、露光用光線１７の光軸に対して基板１１を傾けた
場合について述べたが、露光用光線の光軸を基板面に対
して煩けるととも可能である。を九基板上に導電体パタ
ーンを形成する場合以外に絶縁物質等のその他の物質を
付着して所定形状の薄膜パターンを形成する際にも適用
可能である。In the above embodiment, the patterned metal layer 18
When exposing the positive photoresist layer 12 with "V screen", we have described the case where the substrate 11 is tilted with respect to the optical axis of the exposure light beam 17, but when the optical axis of the exposure light beam is In addition to forming a conductive pattern on a substrate, this method can also be applied to forming a thin film pattern of a predetermined shape by attaching other materials such as an insulating material.
以上の説明から明らかなように要するに本発明は、基板
上に順次ポジ形ホトレジスト層と金属層とを積層した後
、該金属層とポジ形ホトレジスト層とを順次所定形状に
パターンユングし、しかる後基板上方より所定物質から
なる薄膜層を付着し、前記ポジ形ホトレジスト層を除去
することによって基板上に所定形状の薄膜パターンを形
成するようにした薄膜パターン形成方法において、あら
かじめパターンユングした金属層をマスクとしてポジ形
ホトレジスト層を露光する際、露光用光線の照射方向が
基板面と斜めになる関係で露光することにより、金属層
がポジ形ホトレジスト層上から庇状に延び出した形で形
成されるようにしたもので、特に基板表面に凹凸が存在
して露光用マスクとホトレジスト層とが密着しないよう
な場合に適用して、薄膜パターンをリフトオフ法で容易
に形成で色る利点を有する。As is clear from the above description, in short, the present invention sequentially laminates a positive photoresist layer and a metal layer on a substrate, and then sequentially patterns the metal layer and positive photoresist layer into a predetermined shape. A thin film pattern forming method in which a thin film layer of a predetermined material is deposited from above the substrate and a thin film pattern of a predetermined shape is formed on the substrate by removing the positive photoresist layer. When exposing the positive photoresist layer as a mask, the metal layer is formed in the form of an eave-like extension from above the positive photoresist layer by exposing the irradiation direction of the exposure light obliquely to the substrate surface. This method has the advantage that thin film patterns can be easily formed and colored by the lift-off method, especially when the substrate surface has irregularities and the exposure mask and photoresist layer do not come into close contact.
第１図および第２図は従来のリフトオフ法による導電体
パターン形成方法を説明するための要部断面図で順次に
示した工程図、第３図〜第９図は本発明を説明するため
の要部断面図で順次に示した工程図である。
１１ ：基板、１２ ：デジ形ホトレジスト層、Ｂ塾：
＆ｇｉＦ、１７ ：ｌｌ光用光線、１８ａ、１８ｂ ：
４電体層。
第１ Ｂで
第 ２１−１
第３１２１
＋Ｓ。
閂
第４３
第５図
第 ６ 図 −
７ｉ’２１1 and 2 are cross-sectional views of main parts for explaining a method of forming a conductor pattern by the conventional lift-off method, and process diagrams shown in sequence, and FIGS. 3 to 9 are process diagrams for explaining the present invention. It is a process diagram sequentially shown in main part sectional views. 11: Substrate, 12: Digital photoresist layer, School B:
&giF, 17: ll light rays, 18a, 18b:
4 electric layers. 21st-1st 3121st +S in 1st B. Bolt No. 43 Figure 5 Figure 6 - 7i'21
Claims (1)
た後、該金属層とポジ形ホＦレジスト層とを順次所定形
状にパターンユングし、しかる後基板上方よシ所定物質
からなる薄膜層を付着し、前記ポジ形ホトレジスト層を
除去するととＫよって基板上に所定形状の薄膜パターン
を形成するようにしたリフトオフ法による薄膜パターン
形成方法において、あらかじめパターンユングした上記
金属層をマスクとしてポジ形ホトレジスト層を露る薄膜
パターン形成方法。After sequentially laminating a positive photoresist layer and a metal layer on a substrate, the metal layer and the positive photoresist layer are sequentially patterned into a predetermined shape, and then a thin film layer made of a predetermined material is deposited on the upper part of the substrate. In a thin film pattern forming method using a lift-off method, in which a thin film pattern of a predetermined shape is formed on a substrate by removing the positive photoresist layer, the positive photoresist layer is formed using the metal layer, which has been patterned in advance, as a mask. A thin film patterning method that exposes layers.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10276881A JPS584928A (en) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | Forming method for thin film pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10276881A JPS584928A (en) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | Forming method for thin film pattern |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584928A true JPS584928A (en) | 1983-01-12 |
Family
ID=14336346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10276881A Pending JPS584928A (en) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | Forming method for thin film pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584928A (en) |
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- 1981-06-30 JP JP10276881A patent/JPS584928A/en active Pending
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