KR0140643B1 - The manufacturing method of half-tone mask's guard board - Google Patents

Abstract

본 발명은 할프-톤 마스크와 가아드-보오드 제조방법에 관한 것으로, 가아드-보오드 영역에 Cr을 형성함으로써 웨이퍼가 빛에 노출되지 않고, 마스크 제작이 용이하며 비용이 절감된 할프-톤 마스크의 가아드-보오드 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a half-tone mask and a method of manufacturing a guard-board, wherein the formation of Cr in the guard-board region does not expose the wafer to light, making the mask easy and cost-effective. It is an object to provide a method for preparing a guard-board.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 할프-톤 마스크의 가아드-보오드의 제조방법은 마스크 기판상에 할프-톤 물질을 형성하는 제1공정과, 상기 할프-톤 물질의 소정영역을 메입칩영역과 가아드-보오드영역으로 정의한 후 상기 메인칩영역을 메인칩 패턴으로 패터닝하는 제2공정과, 상기 할프-톤 물질의 메인 칩영역에 인접한 가아드-보오드 영역에 금속 차단층을 형성하는 제3공정으로 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a method of manufacturing a guard-board of a half-tone mask of the present invention includes a first step of forming a half-tone material on a mask substrate, and a predetermined region of the half-tone material is embedded in the chip region. And a second step of patterning the main chip region into a main chip pattern after defining the and guard-board regions, and a third forming a metal blocking layer in the guard-board region adjacent to the main chip region of the half-tone material. Characterized in that it comprises a process.

Description

할프-톤 마스크의 가아드-보오드 제조방법Method for manufacturing guard-board of half-tone mask

제1도는 종래의 할프-톤 마스크의 평면도1 is a plan view of a conventional half-tone mask

제2도는 종래의 할프-톤 마스크의 가아드-보오드 공정단면도2 is a sectional view of a guard-board process of a conventional half-tone mask.

제3도는 본 발명의 할프-톤 마스크의 가아드-보오드 공정단면도3 is a guard-board process cross-sectional view of the half-tone mask of the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

8:할프-톤 물질9:Quartz8: Half-Tone Material 9: Quartz

10:제1포토레지스트11:제2포토레지스트10: first photoresist 11: second photoresist

12:Cr13:메인 칩 형성영역12: Cr13: main chip formation area

14:가아드-보오드 형성영역14: guard-board forming area

본 발명은 할프-톤(Half-tone) 마스크(mask)의 가아드-보오드(Guard-board)제조방법에 관한 것으로, 특히제조방법이 간단하고 마스크 제작이 용이하며 제작비의 감소에 적당하도록 한 할프-톤 마스크의 가아드-보오드 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a guard-board of a half-tone mask, and in particular, a half of the half-tone mask is simple, easy to manufacture, and suitable for reduction of manufacturing cost. It relates to a method of preparing a guard-board of a tone mask.

우선, 가아드-보오드를 포함한 할프-톤 마스크의 기본 구성을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.First, a basic configuration of a half-tone mask including a guard-board will be described with reference to the accompanying drawings.

우선, 제1도는 종래의 할프-톤 마스크의 평면도로써, 상기 할프-톤 마스크는 중앙 영역에 메인 칩(Main chip)(1)이 위치하며 상기 메인 칩(1)을 둘러싼 형태로 형성된 가아드-보오드(Guard-board)(2)와, 상기 메인 칩(1)과 가아드-보오드(2)를 제외한 영역에 형성된 할프-톤 물질(Crx Oy Nz etc)(3)로 이루어져 있다.First, FIG. 1 is a plan view of a conventional half-tone mask, wherein the half-tone mask has a main chip 1 in a central region and is formed in a shape surrounding the main chip 1. A guard-board 2 and a half-tone material (Crx Oy Nz etc) 3 formed in a region other than the main chip 1 and the guard-board 2 are formed.

그리고 상기 가아드-보오드(2)는 2000μm의 폭으로 구성되며 1.0μm×1.0μm 크기의 콘택홀(2-1)을 복수개로 형성되어 있다.The guard-board 2 has a width of 2000 μm and a plurality of contact holes 2-1 having a size of 1.0 μm × 1.0 μm.

그리고, 제1도에서 설명한 할프-톤 마스크를 형성하기 위한 종래의 할프-톤 마스크의 가아드-보오드 제조방법을 첨부된 제2도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.A method of manufacturing a guard-board of a conventional half-tone mask for forming the half-tone mask described with reference to FIG. 1 will now be described with reference to FIG. 2.

제2도는 종래의 할프-톤 마스크의 가아드-보오드 공정단면도를 나타내었다.2 shows a guard-board process cross section of a conventional half-tone mask.

먼저, 제2도 (a)와 같이 마스크 기판으로 사용되는 쿼러츠(Quartz)(4)상에 할프-톤 물질(Crx Oy Nz etc)(3)과 전자 빔(Elextron-beam)용 포토레지스트(5)를 차례로 형성한다.First, a half-tone material (Crx Oy Nz etc) 3 and a photoresist for an electron beam (Elextron-beam) on a quartz (4) used as a mask substrate as shown in FIG. 5) are formed in sequence.

다음에, 제2도 (b)와 같이 상기 포토레지스트(5)의 소정 영역을 메인칩 형성영역(6) 및 가아드-보오드 형성영역(7)으로 정의한후 전자-빔으로 상기 포토레지스트(5)를 고속으로 묘화하여 가아드-보오드 및 메인 칩 패펀으로 패터닝한다.Next, as shown in FIG. 2 (b), the predetermined region of the photoresist 5 is defined as the main chip forming region 6 and the guard-board forming region 7 and then the photoresist 5 is formed by an electron beam. ) Is drawn at high speed and patterned into guard-board and main chip padons.

이어서, 제2도 (c)와 같이 소정 패턴으로 패터닝된 상기 포토레지스트(5)를 마스크로 이용하여 상기 할프-톤 물질을 선택적으로 제거하여 메인 칩과 가아드-보오드 패턴을 형성하고 마스크로 사용된 포토레지스트(5)를 제거하여 가아드 보오드 영역에 복수개의 콘택홀(2-1)을 형성함으로써 종래의 할프-톤 마스크의 가아드-보오드 제조방법을 완성한다.Subsequently, the half-tone material is selectively removed using the photoresist 5 patterned in a predetermined pattern as a mask as shown in FIG. 2 (c) to form a main chip and a guard-board pattern and use as a mask. The photoresist 5 is removed to form a plurality of contact holes 2-1 in the guard board region, thereby completing a conventional method of manufacturing a guard-board of a half-tone mask.

그러나 종래의 할프-톤 마스크의 가아드-보오드 제조방법에 있어서 가아드-보오드 영역은 빛이 투과되지 않아야 하는데 최종 공정까지 2번 또는 4번 빛에 노출되어 웨이퍼가 노광되는 단점과 상기 가아드 보오드 영역에 메인 칩영역보다 더 미세한 패턴으로 형성해야 하므로 공정 시간이 길어지고 고 비용의 부담과 불량이 생기는 문제점이 발생하였다.However, in the conventional method for manufacturing a guard-board of a half-tone mask, the guard-board region should not transmit light, but the disadvantage of exposing the wafer by exposure to light 2 or 4 until the final process and the guard board Since the region has to be formed in a finer pattern than the main chip region, a process time is long, and a problem of high cost and defects occurs.

본 고안은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로 웨이퍼가 노광되지 않고 가아드-보오드의 패턴 공정을 간소화하여 마스크 제작이 용이하고 또한 전자-빔의 묘화시간이 현저하게 감소함으로써 비용이 절감된 할프-톤 마스크의 가아드-보오드 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been devised to solve the above problems, and the wafer is not exposed, and thus the pattern process of the guard-board is simplified, so that the mask is easily manufactured and the cost is reduced by significantly reducing the electron-beam drawing time. It is an object of the present invention to provide a method for preparing a guard-board of a tone mask.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 할프-톤 마스크의 가아드-보오드 제조방법은 마스크 기판상에 할프-톤 물질을 형성하는 제1공정과, 상기 할프-톤 물질의 소정 영역을 메인 칩영역과 가아드-보오드 영역으로 정의한후 상기 메인 칩 영역을 메인칩 패턴으로 패터닝하는 제2공정과, 상기 할프-톤 물질의 메인 칩영역에 인접한 가아드-보오드 영역에 금속 차단층을 형성하는 제3공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a method for manufacturing a guard-board of a half-tone mask according to the present invention includes a first step of forming a half-tone material on a mask substrate; A second process of patterning the main chip region into a main chip pattern after defining the guard-board region and a third process of forming a metal blocking layer in the guard-board region adjacent to the main chip region of the half-tone material Characterized in that comprises a.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

제3도는 본 발명의 할프-톤 마스크 가아드-보오드 공정 단면도를 나타내었다.3 shows a cross-sectional view of a half-tone mask guard-board process of the present invention.

먼저, 제3 (a)와 같이 마스크 기판으로 사용되는 쿼러츠(Quartz)(9)상에 할프-톤 물질(Crx On Nz etc)(8)과 전자-빔용 제1포토레지스트(10)를 차례로 형성한다.First, a half-tone material (Crx On Nz etc) 8 and a first photoresist 10 for an electron-beam are sequentially placed on a quartz 9 used as a mask substrate as shown in the third (a). Form.

이어서, 제3도 (b)와 같이 상기 제1포토레지스트(10)의 소정 영역을 메인 칩 형성영역(13)으로 정의한 후 전자-빔으로 상기 제1포토레지스트(10)을 직접 고속 묘화하여 메인 칩 패턴으로 패터닝한다.Subsequently, as shown in FIG. 3B, a predetermined region of the first photoresist 10 is defined as the main chip forming region 13, and then the first photoresist 10 is directly drawn at high speed by an electron beam. Patterned into chip patterns.

다음에, 제3도 (c)와 같이 메인 칩 패턴으로 패터닝된 상기 제1포토레지스트(10)를 마스크로 이용하여 상기 할프-톤 물질(8)을 선택적으로 제거하고, 또한, 마스크로 사용된 상기 제1포토레지스트(10)를 제거하여 메인 칩 패턴을 완성한다.Next, the half-tone material 8 is selectively removed using the first photoresist 10 patterned into the main chip pattern as a mask as shown in FIG. 3 (c), and also used as a mask. The first photoresist 10 is removed to complete the main chip pattern.

이어서 제3도 (d)와 같이 상기 메인 칩영역에 인접한 할프-톤 물질(8)의 소정영역을 가아드-보오드 형성영역(14)으로 정의하고, 정의된 가아드-보오드 형성영역(14)을 제외한 나머지 영역에만 전자-빔용 제2포토레지스트(11)가 형성되도록 패터닝한후, 전면에 크롬(Cr)(12)을 스퍼터링(sputtering)공정으로 증착한다.Subsequently, a predetermined region of the half-tone material 8 adjacent to the main chip region is defined as a guard-board forming region 14 as shown in FIG. 3 (d), and the defined guard-board forming region 14 is defined. After patterning the second photoresist 11 for the electron-beam is formed only in the remaining region except for, the chromium (Cr) 12 is deposited on the entire surface by a sputtering process.

이때 상기 제2포토레지스트(11)과 가아드-보오드 형성영역(14)으로 정의된 상기 할프-톤 물질(8)은 서로 큰 단차를 갖기에 크롬이 불연속적으로 증착된다.In this case, since the half-tone material 8 defined as the second photoresist 11 and the guard-board forming region 14 has a large step, chromium is discontinuously deposited.

다음에 제3도 (e)와 같이 상기 제2포토레지스트(8)를 리프트-오프(Lift-off)방법으로 제거하면 상기 가아드-보오드 형성영역(14)에만 Cr(12)이 남게되어 본 발명의 할프-톤 마스크의 가아드-보오드 제조방법을 완성한다.Next, as shown in FIG. 3E, when the second photoresist 8 is removed by a lift-off method, Cr 12 remains only in the guard-board forming region 14. The method for preparing a guard-board of the half-tone mask of the invention is completed.

이상에서 설명한 본 발명의 할프-톤 마스크의 가아드-보오드 제조방법은 가아드-보오드 영역에 Cr을 형성함으로 웨이퍼가 빛에 노출되지 않고, 마스크 제작이 용이하며, 비용이 절감되는 효과가 있다.In the method of manufacturing a guard-board of the half-tone mask of the present invention described above, since the Cr is formed in the guard-board region, the wafer is not exposed to light, the mask is easily manufactured, and the cost is reduced.

Claims (3)

마스크의 기판상에 할프-톤 물질을 형성하는 공정; 상기 할프-톤 물질의 소정영역을 메입칩영역과 가아드-보오드영역으로 정의하고, 상기 메인칩영역을 메인칩패턴으로 패터닝하는 공정; 상기 가아드-보오드를 제외한 영역상에 감광막을 형성하고, 전면에 불연속적으로 금속차단층을 형성하는 공정; 상기 가아드-보드 영역에만 금속차단층이 남도록 상기 감광막과 금속차단층을 선택적으로 제거하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 할프-톤 마스크의 가아드-보오드 제조방법.Forming a half-tone material on the substrate of the mask; Defining a predetermined region of the half-tone material as a buried chip region and a guard-board region, and patterning the main chip region into a main chip pattern; Forming a photoresist film on a region excluding the guard-board, and discontinuously forming a metal blocking layer on the entire surface; And selectively removing the photosensitive film and the metal blocking layer such that the metal blocking layer remains only in the guard-board region. 제1항에 있어서, 상기 금속차단층은 크롬으로 형성함을 특징으로 하는 할프-톤 마스크의 가아드-보오드 제조방법.The method of claim 1, wherein the metal barrier layer is formed of chromium. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 금속차단층은 스퍼터링 공정으로 형성함을 특징으로 하는 할프-톤 마스크의 가아드-보오드 제조방법.The method of claim 1 or 2, wherein the metal blocking layer is formed by a sputtering process.