JPS584928A - 薄膜パタ−ン形成方法 - Google Patents
薄膜パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS584928A JPS584928A JP10276881A JP10276881A JPS584928A JP S584928 A JPS584928 A JP S584928A JP 10276881 A JP10276881 A JP 10276881A JP 10276881 A JP10276881 A JP 10276881A JP S584928 A JPS584928 A JP S584928A
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- JP
- Japan
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- layer
- substrate
- photoresist layer
- thin film
- positive photoresist
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はリフトオフ法を用いて所定物質からなる薄膜パ
ターンを形成する方法に関し、さらに具体的には例えば
半導体集積回路基板上に金属配線のような導電体パター
ンを形成する方法の改良に関するものである。
ターンを形成する方法に関し、さらに具体的には例えば
半導体集積回路基板上に金属配線のような導電体パター
ンを形成する方法の改良に関するものである。
既に周知のようにリフトオフ法は、基板上に塗布したホ
トレジスト層上に露光用マスクを配置して露光した後、
現像を施して基板上の導電体パターン形成領域以外の領
域に中シレジス）を形成し、その状態で基板上方からＡ
Ｉ等の導電体層を蒸着等によって付着した後、ホトレジ
スト層の除去とともに導電体パターン形成領域以外の導
電体層を除去するととによって、基板上に導電体パター
ンを形成するようにしたものである。
トレジスト層上に露光用マスクを配置して露光した後、
現像を施して基板上の導電体パターン形成領域以外の領
域に中シレジス）を形成し、その状態で基板上方からＡ
Ｉ等の導電体層を蒸着等によって付着した後、ホトレジ
スト層の除去とともに導電体パターン形成領域以外の導
電体層を除去するととによって、基板上に導電体パター
ンを形成するようにしたものである。
このようなり７Ｆオフ法で社一般にポジ形ホトレジスジ
が用いられている。リフトオフ法でポジ形ホシレジスＦ
を用いること社、露光時に露光用マスクとホ）Ｖシスト
層とが密着する際に極めて好都合である。つｔｂマスク
の遮光領域端縁部において、ポジ形ホＦｖｖスト層のマ
スクと密着している部分は感光しないが、ホｔレジスト
層のマスクから厚さ方向に遠い部分拡充のまわシ込みＫ
よって感光するので、露光、現像後のポジ形ホトレジメ
を層には上層部が庇状に延び出た、いわゆる逆テーパを
有するパターンが形成され、基板上方から例えば導電体
層を付着した際、基板上に付着した導電体層とホ）Ｌ／
ジスＦ層上に付着した導電体層とは、ホ）レジスト層に
形成された逆テーバによって、分離された形で付着する
。それ故にホトレジスト層除去時にホトレジスト層上に
付着した不要な導電体層のみを容易に除去することがで
きるのである。
が用いられている。リフトオフ法でポジ形ホシレジスＦ
を用いること社、露光時に露光用マスクとホ）Ｖシスト
層とが密着する際に極めて好都合である。つｔｂマスク
の遮光領域端縁部において、ポジ形ホＦｖｖスト層のマ
スクと密着している部分は感光しないが、ホｔレジスト
層のマスクから厚さ方向に遠い部分拡充のまわシ込みＫ
よって感光するので、露光、現像後のポジ形ホトレジメ
を層には上層部が庇状に延び出た、いわゆる逆テーパを
有するパターンが形成され、基板上方から例えば導電体
層を付着した際、基板上に付着した導電体層とホ）Ｌ／
ジスＦ層上に付着した導電体層とは、ホ）レジスト層に
形成された逆テーバによって、分離された形で付着する
。それ故にホトレジスト層除去時にホトレジスト層上に
付着した不要な導電体層のみを容易に除去することがで
きるのである。
ところが例えば半導体集積回路基板上に絶縁体層を介し
て多層の金属配線を形成するよう壜場合には、基板表面
に凸部が存在するので、露光用マスクとホトレジスト層
とが密着し危い領域が生じ、その領域に金属配線のよう
な導電体パターンを形成する際には、前述のように露光
用マスクとホトレジスト層との密着による逆テーバが形
成できず、リフトオフ法の適用が困難になることがある
。つまり第１図に示すように基板１上に塗布したポジ形
ホトレジスト層２の上方に露光用マスク８を止むを得ず
間隙４を介して配置せざるを得ない場合、露光用マスク
８上方から光を照射すると、そのマスク８の透光領域８
ａからの入射光でホトレジスト層２が感光するのである
が、この際透光領域８ａからの入射光はマスク８の遮光
領域８ｂの下にもまわり込み、その光によってもホトレ
ジ７１層２が感光する。その結果ホトレジスト層２の上
層部よシも下層部になるほど、その感光領域は小さくな
る。その様子を図において実線矢印で示す。第１図にお
いて実線矢印で示したような光で感光したポジ形ホトレ
Ｖスト層８を現像すると、第２図に示すように基板１上
に形成されるホトレジスト層２には、上層部が庇状に延
び出したいわゆる逆テーパが形成されずにホトレジスト
層２の下層部が延び出した、いわゆる順テーパが形成さ
れる。
て多層の金属配線を形成するよう壜場合には、基板表面
に凸部が存在するので、露光用マスクとホトレジスト層
とが密着し危い領域が生じ、その領域に金属配線のよう
な導電体パターンを形成する際には、前述のように露光
用マスクとホトレジスト層との密着による逆テーバが形
成できず、リフトオフ法の適用が困難になることがある
。つまり第１図に示すように基板１上に塗布したポジ形
ホトレジスト層２の上方に露光用マスク８を止むを得ず
間隙４を介して配置せざるを得ない場合、露光用マスク
８上方から光を照射すると、そのマスク８の透光領域８
ａからの入射光でホトレジスト層２が感光するのである
が、この際透光領域８ａからの入射光はマスク８の遮光
領域８ｂの下にもまわり込み、その光によってもホトレ
ジ７１層２が感光する。その結果ホトレジスト層２の上
層部よシも下層部になるほど、その感光領域は小さくな
る。その様子を図において実線矢印で示す。第１図にお
いて実線矢印で示したような光で感光したポジ形ホトレ
Ｖスト層８を現像すると、第２図に示すように基板１上
に形成されるホトレジスト層２には、上層部が庇状に延
び出したいわゆる逆テーパが形成されずにホトレジスト
層２の下層部が延び出した、いわゆる順テーパが形成さ
れる。
このようガ状頗で基板ｌの上方からＡＩ等の導電体層５
ａ、５ｂを蒸着等で付着すると、基板１上に付着した導
電体層６ａとホトレジスト層２上に付着した導電体層６
ｂとが連続した形で形成されてしまい、ホトレジ７１層
２を除去する際に、基板ｌ上に形成すべき導電体層６ａ
も同時に除去される場合が生じ、リフトオフ法で導電体
パターンのような薄膜パターンを形成することが困難に
なるといった欠点があった。
ａ、５ｂを蒸着等で付着すると、基板１上に付着した導
電体層６ａとホトレジスト層２上に付着した導電体層６
ｂとが連続した形で形成されてしまい、ホトレジ７１層
２を除去する際に、基板ｌ上に形成すべき導電体層６ａ
も同時に除去される場合が生じ、リフトオフ法で導電体
パターンのような薄膜パターンを形成することが困難に
なるといった欠点があった。
本発明は前述の点に鑑みなされたもので、その目的はリ
フトオフ法を用いて表面に凹凸の存在する基板上に薄膜
パターンを容易に形成することが層と金属層とを積層し
た後、該金属層とポジ形ホトレジスト層とを順次所定形
状にパターンユングし、しかる後、基板上方二り所定物
質からなる薄膜層を付着し、前記ポジ形ホトレジスト層
を除去することによって基板上に所定形状の薄膜パター
ンを形成するようにした薄膜パターン形成方法において
、あらかじめパターンユングした金属層をマスクトシて
ポジ形ホトレジスト層を露光する際、露光用光線の照射
方向が基板面と斜めになる関係で露光するようにしたと
ころにある。
フトオフ法を用いて表面に凹凸の存在する基板上に薄膜
パターンを容易に形成することが層と金属層とを積層し
た後、該金属層とポジ形ホトレジスト層とを順次所定形
状にパターンユングし、しかる後、基板上方二り所定物
質からなる薄膜層を付着し、前記ポジ形ホトレジスト層
を除去することによって基板上に所定形状の薄膜パター
ンを形成するようにした薄膜パターン形成方法において
、あらかじめパターンユングした金属層をマスクトシて
ポジ形ホトレジスト層を露光する際、露光用光線の照射
方向が基板面と斜めになる関係で露光するようにしたと
ころにある。
以下本発明の実施例につき図面を参照して説明する。
第８図〜第９図は本発明を説明するための要部断面図で
順次に示した工程図である。まず第８図に示すように例
えば半導体集積回路郷の基板１１上面にポジ形ホ）レジ
メを層１ｇをスピンナ等によシ塗布し、乾燥、硬化させ
た後、そのホトレジスを層ＩＢ上面に金属層１８を蒸着
形成し、さらＫその金属層１８上面に例えばポジ形ホト
レジスト層１４を塗布してから乾燥硬化させる。なお前
記工程中においてホトレジスト層１２およヒ１４は未感
光状態を保持するようにしておく。そしてホトレジスト
層１４上方には露光用マスク１５が止むを得ず間隙１６
を介して配置してあシ、そのマスタ１６の上方から光を
照射するとマスク１６の透光領域１５ａを通してポジ形
ホ）レジ７１層１４箋が感光する。しかる後、そのホト
レジスト層糾４を現像処理すると感光領域が除去されて
、第４図に示すように、金属層１８上には所定形状にパ
ターンユングされたホトレジスト層１４が形成される。
順次に示した工程図である。まず第８図に示すように例
えば半導体集積回路郷の基板１１上面にポジ形ホ）レジ
メを層１ｇをスピンナ等によシ塗布し、乾燥、硬化させ
た後、そのホトレジスを層ＩＢ上面に金属層１８を蒸着
形成し、さらＫその金属層１８上面に例えばポジ形ホト
レジスト層１４を塗布してから乾燥硬化させる。なお前
記工程中においてホトレジスト層１２およヒ１４は未感
光状態を保持するようにしておく。そしてホトレジスト
層１４上方には露光用マスク１５が止むを得ず間隙１６
を介して配置してあシ、そのマスタ１６の上方から光を
照射するとマスク１６の透光領域１５ａを通してポジ形
ホ）レジ７１層１４箋が感光する。しかる後、そのホト
レジスト層糾４を現像処理すると感光領域が除去されて
、第４図に示すように、金属層１８上には所定形状にパ
ターンユングされたホトレジスト層１４が形成される。
そして前記パターンユングされたホトレジスト層１４を
マスタにして金属層１８をエッチング処理するごとによ
シ、第５図に示すように、ポジ形ホトレジスト層ｌＢ上
には所定形状にパターンユングされた金属層１８が形成
される。次にそのパターンユングされた金属層１８をマ
スクとしてポジ形ホトレジスト層１２を露光するのであ
るが、本発明においてはこの際、第６図に示すように露
光用光線１７の光軸に対して基板１１を傾けた状轢でか
つ基板１１を回転させながら露光するのである。かくす
ることＫよシ、基板１１上に形成したボＶ形ホトレジス
を層１２の露光領域は金属層１８の開口領域よりも広く
なる。また金属層１８上のポジ形ホトレジスト層１４全
面も同時に露光される。しかる後、前記のように露光さ
れたメジ形ホＦレジスト層１２および１４を現像処理す
ると、それらのホトレジ７１層の露光領域が除去されて
、第７図に示すようにポジ形ホトレジスト層１８上に金
属層１８が残シ、その金属層１８の開口領域端縁部はポ
ジ形ホトレジスト層１８上に庇状に延び出した形に形成
されることとなる。
マスタにして金属層１８をエッチング処理するごとによ
シ、第５図に示すように、ポジ形ホトレジスト層ｌＢ上
には所定形状にパターンユングされた金属層１８が形成
される。次にそのパターンユングされた金属層１８をマ
スクとしてポジ形ホトレジスト層１２を露光するのであ
るが、本発明においてはこの際、第６図に示すように露
光用光線１７の光軸に対して基板１１を傾けた状轢でか
つ基板１１を回転させながら露光するのである。かくす
ることＫよシ、基板１１上に形成したボＶ形ホトレジス
を層１２の露光領域は金属層１８の開口領域よりも広く
なる。また金属層１８上のポジ形ホトレジスト層１４全
面も同時に露光される。しかる後、前記のように露光さ
れたメジ形ホＦレジスト層１２および１４を現像処理す
ると、それらのホトレジ７１層の露光領域が除去されて
、第７図に示すようにポジ形ホトレジスト層１８上に金
属層１８が残シ、その金属層１８の開口領域端縁部はポ
ジ形ホトレジスト層１８上に庇状に延び出した形に形成
されることとなる。
次に第８図に示すように例えばＡｊ等の導電体電体層１
ａ＆、１８１）を形成する。この際、前述したように金
属層１８がポジ形ホトレジスト層ｌＢ上から庇状に砥び
出しているので、基板１１上の導電体層１８ａと金属層
１８上の導電体層１８℃とは分離され丸形で付着する。
ａ＆、１８１）を形成する。この際、前述したように金
属層１８がポジ形ホトレジスト層ｌＢ上から庇状に砥び
出しているので、基板１１上の導電体層１８ａと金属層
１８上の導電体層１８℃とは分離され丸形で付着する。
゛しがる後、ホトレジスト剥離液を用いてポジ形ホトレ
ジスト層１ｇを除去すれば、同時に金属層１８および導
電体層１８１）も除去されて、第９図に示すごとく基板
１１上に所定形状の導電体層１８＆が形成される。この
際、前述のように導電体層１８＆と１８１）とは分離さ
れた形で形成されているので、基板１１上に所定形状の
導電体層ｔｓａを残して不要表導電体層１８’ｂのみを
春易に除去することができるのである。
ジスト層１ｇを除去すれば、同時に金属層１８および導
電体層１８１）も除去されて、第９図に示すごとく基板
１１上に所定形状の導電体層１８＆が形成される。この
際、前述のように導電体層１８＆と１８１）とは分離さ
れた形で形成されているので、基板１１上に所定形状の
導電体層ｔｓａを残して不要表導電体層１８’ｂのみを
春易に除去することができるのである。
なお前述の実施例ではパターンユングされた金属層１８
を″Ｖスクとしてポジ形ホトレＶスト層１２拳を露光す
る際、露光用光線１７の光軸に対して基板１１を傾けた
場合について述べたが、露光用光線の光軸を基板面に対
して煩けるととも可能である。を九基板上に導電体パタ
ーンを形成する場合以外に絶縁物質等のその他の物質を
付着して所定形状の薄膜パターンを形成する際にも適用
可能である。
を″Ｖスクとしてポジ形ホトレＶスト層１２拳を露光す
る際、露光用光線１７の光軸に対して基板１１を傾けた
場合について述べたが、露光用光線の光軸を基板面に対
して煩けるととも可能である。を九基板上に導電体パタ
ーンを形成する場合以外に絶縁物質等のその他の物質を
付着して所定形状の薄膜パターンを形成する際にも適用
可能である。
以上の説明から明らかなように要するに本発明は、基板
上に順次ポジ形ホトレジスト層と金属層とを積層した後
、該金属層とポジ形ホトレジスト層とを順次所定形状に
パターンユングし、しかる後基板上方より所定物質から
なる薄膜層を付着し、前記ポジ形ホトレジスト層を除去
することによって基板上に所定形状の薄膜パターンを形
成するようにした薄膜パターン形成方法において、あら
かじめパターンユングした金属層をマスクとしてポジ形
ホトレジスト層を露光する際、露光用光線の照射方向が
基板面と斜めになる関係で露光することにより、金属層
がポジ形ホトレジスト層上から庇状に延び出した形で形
成されるようにしたもので、特に基板表面に凹凸が存在
して露光用マスクとホトレジスト層とが密着しないよう
な場合に適用して、薄膜パターンをリフトオフ法で容易
に形成で色る利点を有する。
上に順次ポジ形ホトレジスト層と金属層とを積層した後
、該金属層とポジ形ホトレジスト層とを順次所定形状に
パターンユングし、しかる後基板上方より所定物質から
なる薄膜層を付着し、前記ポジ形ホトレジスト層を除去
することによって基板上に所定形状の薄膜パターンを形
成するようにした薄膜パターン形成方法において、あら
かじめパターンユングした金属層をマスクとしてポジ形
ホトレジスト層を露光する際、露光用光線の照射方向が
基板面と斜めになる関係で露光することにより、金属層
がポジ形ホトレジスト層上から庇状に延び出した形で形
成されるようにしたもので、特に基板表面に凹凸が存在
して露光用マスクとホトレジスト層とが密着しないよう
な場合に適用して、薄膜パターンをリフトオフ法で容易
に形成で色る利点を有する。
第１図および第２図は従来のリフトオフ法による導電体
パターン形成方法を説明するための要部断面図で順次に
示した工程図、第３図〜第９図は本発明を説明するため
の要部断面図で順次に示した工程図である。 １１ ：基板、１２ ：デジ形ホトレジスト層、Ｂ塾：
＆ｇｉＦ、１７ ：ｌｌ光用光線、１８ａ、１８ｂ ：
４電体層。 第１ Ｂで 第 ２１−１ 第３１２１ ＋Ｓ。 閂 第４３ 第５図 第 ６ 図 − ７ｉ’２１
パターン形成方法を説明するための要部断面図で順次に
示した工程図、第３図〜第９図は本発明を説明するため
の要部断面図で順次に示した工程図である。 １１ ：基板、１２ ：デジ形ホトレジスト層、Ｂ塾：
＆ｇｉＦ、１７ ：ｌｌ光用光線、１８ａ、１８ｂ ：
４電体層。 第１ Ｂで 第 ２１−１ 第３１２１ ＋Ｓ。 閂 第４３ 第５図 第 ６ 図 − ７ｉ’２１
Claims (1)
- 基板上に順次ポジ形ホトレジスト層と金属層とを積層し
た後、該金属層とポジ形ホＦレジスト層とを順次所定形
状にパターンユングし、しかる後基板上方よシ所定物質
からなる薄膜層を付着し、前記ポジ形ホトレジスト層を
除去するととＫよって基板上に所定形状の薄膜パターン
を形成するようにしたリフトオフ法による薄膜パターン
形成方法において、あらかじめパターンユングした上記
金属層をマスクとしてポジ形ホトレジスト層を露る薄膜
パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10276881A JPS584928A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 薄膜パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10276881A JPS584928A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 薄膜パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584928A true JPS584928A (ja) | 1983-01-12 |
Family
ID=14336346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10276881A Pending JPS584928A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 薄膜パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584928A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61111533A (ja) * | 1984-11-05 | 1986-05-29 | Mitsubishi Electric Corp | 感光性樹脂のパタ−ン形成方法 |
| US4818712A (en) * | 1987-10-13 | 1989-04-04 | Northrop Corporation | Aluminum liftoff masking process and product |
| US4824538A (en) * | 1986-12-10 | 1989-04-25 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method for electrodeposition coating |
| US4844783A (en) * | 1986-07-22 | 1989-07-04 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method for electrodeposition coating |
| CN108198751A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-06-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 光阻层剥离方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5657039A (en) * | 1979-10-17 | 1981-05-19 | Fujitsu Ltd | Forming method of metal pattern |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP10276881A patent/JPS584928A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN108198751B (zh) * | 2017-12-27 | 2020-08-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 光阻层剥离方法 |
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