JPS5839039A - 樹脂封止形半導体装置 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置Info
- Publication number
- JPS5839039A JPS5839039A JP56138965A JP13896581A JPS5839039A JP S5839039 A JPS5839039 A JP S5839039A JP 56138965 A JP56138965 A JP 56138965A JP 13896581 A JP13896581 A JP 13896581A JP S5839039 A JPS5839039 A JP S5839039A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- case
- sealed
- substrate
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は樹脂封止形半導体装ｆＫ関する亀のである。
従来例によるこの種の樹脂封止形半導体装置として、ダ
イオード３素子を金属基板にロー付けし、かつケースを
被嵌して樹脂封止したダイオードモジュールの構成を第
１図ないし第３図に示しである。すなわち、これらの各
図において、共通の金属基板（１）には、３個のダイオ
ード素子（りがロー付けされ、かつ各素子（２）からは
それぞれに端子（３）が一様１（ａ−付けにより取抄出
されている。また樹脂ケース（４）は各素子（２）を包
蔵すると共に、それぞれの端子（３）の一部を上部に突
出した状態で、前記金属基板（１）上に両面接着テープ
あるいはシリコンゴム系接着材（５）Ｋより接着させる
。さらにこの樹脂ケース（４内に熱硬化性液体エポキシ
樹脂（咎を注入し丸上で、端子台となる樹脂フタ（７）
を前記各端子（３）の上方からケース上に挿入、被嵌さ
せ、その後１２０〜１３０℃程度に昇温し、４〜５時間
時間数！して注入樹脂を硬化して完成する。
イオード３素子を金属基板にロー付けし、かつケースを
被嵌して樹脂封止したダイオードモジュールの構成を第
１図ないし第３図に示しである。すなわち、これらの各
図において、共通の金属基板（１）には、３個のダイオ
ード素子（りがロー付けされ、かつ各素子（２）からは
それぞれに端子（３）が一様１（ａ−付けにより取抄出
されている。また樹脂ケース（４）は各素子（２）を包
蔵すると共に、それぞれの端子（３）の一部を上部に突
出した状態で、前記金属基板（１）上に両面接着テープ
あるいはシリコンゴム系接着材（５）Ｋより接着させる
。さらにこの樹脂ケース（４内に熱硬化性液体エポキシ
樹脂（咎を注入し丸上で、端子台となる樹脂フタ（７）
を前記各端子（３）の上方からケース上に挿入、被嵌さ
せ、その後１２０〜１３０℃程度に昇温し、４〜５時間
時間数！して注入樹脂を硬化して完成する。
とｙで前記樹脂ケース（４）内に充填する液体エポキシ
樹脂社シリコンチップおよび金属基板の膨張系数に合わ
せ、かつダイオード素子（２）と金属基板（１）との接
着力を曖善して、外部からの湿気の浸透を防止できるよ
うＫその素絆を選択しているのであるが、一方、金属基
板（１）と樹脂ケース（４）とは、組織（重合度）の粗
い両面接着テープあるいけシリコンゴム系接着材（５）
により接着しているために、その接着面は湿気およびガ
ス状の不純物を透過し易い状態となってお秒、これを耐
湿試験すると、符号（ａｔで示すこの接着部は数時間程
度で湿気の透過を許容してしまい、その後は同棲階部か
ら素子ロー付は部までの符号（ｂ）で示す部分の樹脂固
着力でその透過を阻止する。しかし従来はこの阻止力を
発揮する（ｂ）部の寸法が短かいために、耐湿性。
樹脂社シリコンチップおよび金属基板の膨張系数に合わ
せ、かつダイオード素子（２）と金属基板（１）との接
着力を曖善して、外部からの湿気の浸透を防止できるよ
うＫその素絆を選択しているのであるが、一方、金属基
板（１）と樹脂ケース（４）とは、組織（重合度）の粗
い両面接着テープあるいけシリコンゴム系接着材（５）
により接着しているために、その接着面は湿気およびガ
ス状の不純物を透過し易い状態となってお秒、これを耐
湿試験すると、符号（ａｔで示すこの接着部は数時間程
度で湿気の透過を許容してしまい、その後は同棲階部か
ら素子ロー付は部までの符号（ｂ）で示す部分の樹脂固
着力でその透過を阻止する。しかし従来はこの阻止力を
発揮する（ｂ）部の寸法が短かいために、耐湿性。
耐プレツシヤクツカー性の信頼度に問題があり、かつこ
の信頼性を向上させるのにけ、（ｂ）寸法、ひいては外
形寸法を大きくして対策する必要があったのである。
の信頼性を向上させるのにけ、（ｂ）寸法、ひいては外
形寸法を大きくして対策する必要があったのである。
との発明は従来のこのような実情に鑑み、金属基板と樹
脂ケースとの接着手段を改善して、耐湿性、耐プレッシ
ャー性の信頼度を向上しようとするものである。
脂ケースとの接着手段を改善して、耐湿性、耐プレッシ
ャー性の信頼度を向上しようとするものである。
以下、この発明の一実施例につき、第４図ないし第７図
を参照して詳細に説明する。
を参照して詳細に説明する。
この第４図ないし第７図に示す実施例においても、共通
の金属基板（１１）に３個のダイオード素子Ｃ１２】と
、各素子（１２）からそれぞれ端子（１３）を取り出し
てあり、また樹脂ケースＣ１４）は各素子Ｃｌ２）の側
部周辺に該当する部分を開口部（１４ｍ）として基板Ｃ
１１）には直接々触しないようにし、この樹脂ケースＣ
１４）を素子側部周辺以外のこれから遠去かった端部で
、例えばクリップ、ネジなどで位置ずれしない程度に軽
（圧接保持して同様に各素子（１２）を色層すると共に
、前記開口部（１４ｍ）の該当個所には、シリコンテー
プＣ１５）を仮に貼着するか、あるいけ専用の治具を用
意して仮閉塞する。ついで仁の樹脂ケース（４）内には
前記と同様に熱硬化性液体エポキシ樹脂Ｃ１＠）を注入
し、かつ端子台となる樹脂７りＣ１７）を施し先止で、
１２０〜１３０℃程度に昇温し、４〜５時間寝度放置し
て注入樹脂を硬化させ、この硬化を待ってから前記シリ
コンテープ（１５）を引き剥がし、あるいは治具を取り
外して完成する。
の金属基板（１１）に３個のダイオード素子Ｃ１２】と
、各素子（１２）からそれぞれ端子（１３）を取り出し
てあり、また樹脂ケースＣ１４）は各素子Ｃｌ２）の側
部周辺に該当する部分を開口部（１４ｍ）として基板Ｃ
１１）には直接々触しないようにし、この樹脂ケースＣ
１４）を素子側部周辺以外のこれから遠去かった端部で
、例えばクリップ、ネジなどで位置ずれしない程度に軽
（圧接保持して同様に各素子（１２）を色層すると共に
、前記開口部（１４ｍ）の該当個所には、シリコンテー
プＣ１５）を仮に貼着するか、あるいけ専用の治具を用
意して仮閉塞する。ついで仁の樹脂ケース（４）内には
前記と同様に熱硬化性液体エポキシ樹脂Ｃ１＠）を注入
し、かつ端子台となる樹脂７りＣ１７）を施し先止で、
１２０〜１３０℃程度に昇温し、４〜５時間寝度放置し
て注入樹脂を硬化させ、この硬化を待ってから前記シリ
コンテープ（１５）を引き剥がし、あるいは治具を取り
外して完成する。
そしてこの場合も注入樹脂としては、シリコンチップお
よび金属基板の膨張系数に合わせ、かつロー付けされた
ダイオード素子を保霞すると共に、金属基板（１１）と
樹脂ケースＣ１４）とを接着し得る素材を選択するので
あり、この実施例の構成では、少なくと４前記従来例で
の金属基板（１）と樹脂ケース（４）との接着部分該当
の間隔（ａ）だけ、すなわち（ａ ＋ ｂ ） ＝＝ａ
（ｃｌだけ接着距離を短長でき、信頼性をｅ／１倍に向
上し得るのである。
よび金属基板の膨張系数に合わせ、かつロー付けされた
ダイオード素子を保霞すると共に、金属基板（１１）と
樹脂ケースＣ１４）とを接着し得る素材を選択するので
あり、この実施例の構成では、少なくと４前記従来例で
の金属基板（１）と樹脂ケース（４）との接着部分該当
の間隔（ａ）だけ、すなわち（ａ ＋ ｂ ） ＝＝ａ
（ｃｌだけ接着距離を短長でき、信頼性をｅ／１倍に向
上し得るのである。
なお前記実施例はダイオード素子に適用した場合である
が、その他の半導体素子にも適用できることは勿論であ
る。
が、その他の半導体素子にも適用できることは勿論であ
る。
以上詳述したようにこの発明によるときは、被封止素子
の側部周辺に該当するケース部分を開口部とした樹脂ケ
ースを用い、素子を四−付は固定した金属基板上に、こ
の樹脂ケースを素子から遠去かった端部で位置ずれしな
いように保持し、かつ開口部を仮閉塞した状態で樹脂封
止して、この封止樹脂によ抄本来の素子封止保時と共に
金属基板、樹脂ケース間の接着を行なうようにしたから
、素子から外部までの接着距離を格段に短長できて、湿
気およびガス状不純物などの透過を一層効果的に防止し
、耐湿性、耐プレツシヤクツカー性などの信頼性を大巾
に改善し得る４のであり、しかもこのためＫｌ￥ｊＫ全
体を大形化し表〈てよく、併せて構成も簡単で容易に実
施できるなどの特長を有する。
の側部周辺に該当するケース部分を開口部とした樹脂ケ
ースを用い、素子を四−付は固定した金属基板上に、こ
の樹脂ケースを素子から遠去かった端部で位置ずれしな
いように保持し、かつ開口部を仮閉塞した状態で樹脂封
止して、この封止樹脂によ抄本来の素子封止保時と共に
金属基板、樹脂ケース間の接着を行なうようにしたから
、素子から外部までの接着距離を格段に短長できて、湿
気およびガス状不純物などの透過を一層効果的に防止し
、耐湿性、耐プレツシヤクツカー性などの信頼性を大巾
に改善し得る４のであり、しかもこのためＫｌ￥ｊＫ全
体を大形化し表〈てよく、併せて構成も簡単で容易に実
施できるなどの特長を有する。
第１図は従来の樹脂封止形半導体装置を示す斜視図、第
２図および第３図は同上縦断面および拡大横断面図、第
４図はとの発明に係わる樹脂封止形半導体装置の一実施
例を示す斜視図、第５図および第６図は同上縦断面およ
び拡大横断面図、第７図は同上要部の拡大図である。 Ｃ１１）・・・・金属基板、（１２）・・・・ダイオー
ド素子、 （１３）・・・・端子、 ［１４）・・
・・樹脂ケース、 （１５１・・・・シリコン？−７
’、（１６１・・・・熱硬化性エポキシ樹脂、（１７）
・・・・樹脂フタ。 代理人 葛 野 信 −（外１名） 第１図 ［２図 第３図 第４図
２図および第３図は同上縦断面および拡大横断面図、第
４図はとの発明に係わる樹脂封止形半導体装置の一実施
例を示す斜視図、第５図および第６図は同上縦断面およ
び拡大横断面図、第７図は同上要部の拡大図である。 Ｃ１１）・・・・金属基板、（１２）・・・・ダイオー
ド素子、 （１３）・・・・端子、 ［１４）・・
・・樹脂ケース、 （１５１・・・・シリコン？−７
’、（１６１・・・・熱硬化性エポキシ樹脂、（１７）
・・・・樹脂フタ。 代理人 葛 野 信 −（外１名） 第１図 ［２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 金属基板に半導体素子と、との半導体素子から取抄出す
端子とを設けると共に、前記基板上に半導体素子を包蔵
するようにして樹脂ケースおよび７タを被嵌させ、ケー
ス内部を樹脂封止する構成において、前記素子Ｏ側部周
辺に該当する部分を開口部とした樹脂ケースを用い、仁
の樹脂ケースを前記基板上の素子から遠去かった端部で
圧接保持させ、かつ前記開口部を仮閉塞した状態で樹脂
封止させ、この封止樹脂によ抄素子の封止保霞に併せて
、基板、ケース間を接着したことを特徴とする樹脂封止
形半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56138965A JPS5839039A (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | 樹脂封止形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56138965A JPS5839039A (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | 樹脂封止形半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5839039A true JPS5839039A (ja) | 1983-03-07 |
Family
ID=15234314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56138965A Pending JPS5839039A (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | 樹脂封止形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5839039A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01296649A (ja) * | 1988-05-24 | 1989-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1981
- 1981-09-02 JP JP56138965A patent/JPS5839039A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01296649A (ja) * | 1988-05-24 | 1989-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3092307B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS59181627A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS56104459A (en) | Semiconductor device | |
| JPS5839039A (ja) | 樹脂封止形半導体装置 | |
| JPS6077446A (ja) | 封止半導体装置 | |
| JP3918303B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPS641262A (en) | Electronic device and manufacture thereof | |
| JPH08204066A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03116960A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH11251513A (ja) | 電力用半導体モジュール | |
| JPH01143963A (ja) | 半導体加速度センサーの製造方法 | |
| JPS61260657A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05183072A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07302863A (ja) | 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS62202544A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0237752A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04219955A (ja) | 電子チップ部品のテーピング包装方法 | |
| JPS5624956A (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
| JP2807472B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR960703272A (ko) | 전자소자 팩케이지 및 그 제조방법 (electronic device package and method for manufacturing the same) | |
| KR200152651Y1 (ko) | 리드프레임 | |
| JPS6415957A (en) | Package | |
| JPH02181460A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0479256A (ja) | 耐湿性および放熱性の改良された半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0256958A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |