JPH11251513A - 電力用半導体モジュール - Google Patents

電力用半導体モジュール

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JPH11251513A
JPH11251513A JP7322198A JP7322198A JPH11251513A JP H11251513 A JPH11251513 A JP H11251513A JP 7322198 A JP7322198 A JP 7322198A JP 7322198 A JP7322198 A JP 7322198A JP H11251513 A JPH11251513 A JP H11251513A
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JP
Japan
Prior art keywords
resin case
power semiconductor
top plate
groove
metal base
Prior art date
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Pending
Application number
JP7322198A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Saito
晃一 斎藤
Hiromitsu Hayashi
宏光 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sansha Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Sansha Electric Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sansha Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Sansha Electric Manufacturing Co Ltd
Priority to JP7322198A priority Critical patent/JPH11251513A/ja
Publication of JPH11251513A publication Critical patent/JPH11251513A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301Thyristor

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 樹脂ケースと天板とを強固に係合する電力用
半導体モジュールを提供する。 【解決手段】 金属ベース2と,金属ベース2上に絶縁
板4を介して半田付けされる電力用半導体素子6と,金
属ベース2の端部に接続される樹脂ケース10と,樹脂
ケース内に電力用半導体素子を封止する封止剤14と,
樹脂ケースの上端部に係合する天板12を備えている。
さらに,樹脂ケース10の対向するフレームの上端近傍
に形成された溝11aと,天板12の両端部に設けら
れ,上記溝と係合する突起12aとを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は,電力用半導体モジ
ュールに関し,特に電力用半導体素子を封止する天板の
改善に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の電力用半導体素子を収納する電力
用半導体モジュールに,図2に示すようなものがある。
図2において,2は金属ベースであり,この金属ベース
2の上に絶縁板4が半田付けされている。この絶縁板4
上には,サイリスタ,ダイオード,トランジスタ等の電
力用半導体素子6が載置されている。
【0003】一方,外部に引き出される端子8,9は,
樹脂ケース21と一体成形されている。この樹脂ケース
21は,金属ベース2の端部に係合し,シリコンゴム等
の接着剤で金属ベース2に接着される。この樹脂ケース
21が金属ベース2に接着されるとき,上記外部に引き
出される端子8,9の一方端の8a,9aは絶縁板4上
に載置され,絶縁板4と電力用半導体素子6,絶縁板4
と端子8,9の一方端8a,9aが半田付けされる。
【0004】絶縁板4に半田付けされた端子8,9の一
方端8a,9aが,絶縁板4に設けられた配線パターン
に,あるいは電力用半導体素子6と直接にワイヤ10に
よりボンディングされ,配線される。
【0005】上記樹脂ケース21内にシリコンゲル等の
封止剤14が注入されて電力用半導体素子6が封止され
る。この後,端子8,9の他方端8b,9bが貫通でき
る穴を有する天板22を樹脂ケース21の上端部に載置
し,電力用半導体モジュールが形成される。
【0006】ところで,上記樹脂ケース20の上端部に
は,天板22と係合できるようにテーパを有する突起2
1aが設けられている。他方天板22は,突起21aと
係合できるテーパを有する爪22aを有している。従っ
て天板22を樹脂ケース21に取り付ける場合,まず端
子8,9の他方端8b,9bを天板22の穴22b,2
2bに挿入し,爪22aを突起21aのテーパに反って
スライドすれば,突起21aと爪22aとが係合し,天
板22が樹脂ケース21に固定される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところが,樹脂加工さ
れる天板22がその形成時に反ることがあり,爪22a
が突起21aから外れて係合できなくなり,電力用半導
体モジュールが外観不良となることがある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の電力用半導体モ
ジュールは,金属ベースと,上記金属ベースに半田付け
された電力用半導体素子と,上記金属ベースの端部に接
着された樹脂ケースと,上記樹脂ケース内に上記電力用
半導体素子を封止する封止剤と,上記樹脂ケースの上端
部と係合する天板を備えた電力用半導体モジュールにお
いて,上記樹脂ケースの対向するフレームの上端近傍に
形成された第1の溝,又は第1の突起と,上記天板の両
端部に設けられ,上記第1の溝,又は第1の突起と係合
する第2の突起,又は第2の溝とを有するものである。
【0009】すなわち,金属ベース上に電力用半導体素
子が半田付けされている。上記金属ベースの端部に樹脂
ケースが接着され,樹脂ケース内に封止剤が注入され,
電力用半導体素子が封止される。この後,樹脂ケースの
上端部に天板が置かれる。
【0010】上記樹脂ケースの対向する上端近傍に,第
1の溝が形成されている。さらに,天板の両端部に,第
1の溝に係合する第2の突起が形成されている。これに
より,第1の溝に天板の第2の突起を挿入し,天板を溝
に沿ってスライドすれば,天板が樹脂ケースと一体化さ
れる。
【0011】また,樹脂ケースの対向する上端近傍に,
第1の突起が形成され,天板の両端部に第1の突起に係
合する第2の溝が形成されている。これにより,第1の
突起を第2の溝に挿入し,天板をスライドすれば,天板
が樹脂ケースと一体化される。
【0012】すなわち,第1の溝又は第1の突起が,第
2の突起又は第2の溝に係合して,天板をスライドすれ
ば,天板が樹脂ケースと一体化され,電力用半導体モジ
ュールが形成する。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明をその1実施の形態を示す
図1に基づき説明する。図1において,2は金属ベース
であり,この金属ベース2の上に絶縁板4が半田付けさ
れている。この絶縁板4上には,サイリスタ,ダイオー
ド,トランジスタ等の電力用半導体素子6が載置されて
いる。
【0014】一方,外部に引き出される端子8,9は,
樹脂ケース11と一体形成され,この樹脂ケース11は
金属ベース2の端部に係合し,シリコンゴム等の接着剤
で金属ベース2に接着される。この樹脂ケース11が金
属ベース2に接着されるとき,外部に引き出される端子
8,9の一方端8a,9aは絶縁板4上に載置され,絶
縁板4と端子8,9の一方端8a,9aが半田付けされ
る。
【0015】絶縁板4に半田付けされた端子8,9の一
方端8a,9aが絶縁板4に設けられた配線パターン
に,あるいは電力用半導体素子6と直接にワイヤ10に
よりボンディングされ,配線される。上記樹脂ケース1
1内に,シリコンゲル等の封止剤14が注入され,硬化
されて電力用半導体素子6が封止される。
【0016】上記樹脂ケース11の対向するフレームの
上端近傍には,溝11a,11aが形成されている。こ
の溝11a,11aに係合できる突起12a,12aを
有する天板12を設け,この突起12a,12aを溝1
1a,11aに挿入してスライドさせると,電力用半導
体モジュールの天板が形成される。これにより電力用半
導体モジュールが得られる。
【0017】もし,樹脂加工される天板12がその形成
時に反っていても,天板の突起12a,12aが溝11
a,11aに圧入されたとき,突起12a,12aが溝
11a,11aから外れることもない。このため,電力
用半導体モジュールが外観不良となることはない。
【0018】上記実施の形態では,天板12に突起12
aが形成され,ケース11に溝11aが形成されている
が,逆に天板12に溝が形成され,ケース11に突起が
形成されてもよい。また,上記実施の形態では,電力用
半導体素子が1素子設けられているが,これにこだわる
ことなく電力用半導体素子を複数個設け,さらにケース
内に抵抗,コンデンサや小容量の半導体装置を設けても
よい。また,絶縁板4を設けずに電力用半導体素子6を
金属ベース2に直接半田付けしてもよい。
【0019】
【発明の効果】樹脂ケースの溝に天板の突起が,あるい
は,樹脂ケースの突起が天板の溝に挿入しスライドして
係合され,天板と樹脂ケースとが一体化されて,天板が
樹脂ケースから外れることがない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電力用半導体モジュールの実施の形態
を示す断面図である。
【図2】従来の電力用半導体モジュールの断面図であ
る。
【符号の説明】
2 金属ベース 4 絶縁板 6 電力用半導体素子 8,9 端子 10 ワイヤ 11 樹脂ケース 11a 溝 12 天板 12a 突起 14 封止剤

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金属ベースと,上記金属ベースに半田付
    けされた電力用半導体素子と,上記金属ベースの端部に
    接着された樹脂ケースと,上記樹脂ケース内に上記電力
    用半導体素子を封止する封止剤と,上記樹脂ケースの上
    端部と係合する天板を備えた電力用半導体モジュールに
    おいて,上記樹脂ケースの対向するフレームの上端の近
    傍に形成された第1の溝,又は第1の突起と,上記天板
    の両端部に設けられ,上記第1の溝,又は第1の突起と
    係合する第2の突起,又は第2の溝とを有することを特
    徴とする電力用半導体モジュール。
JP7322198A 1998-03-05 1998-03-05 電力用半導体モジュール Pending JPH11251513A (ja)

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