JPS5834925A - 液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長装置Info
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- JPS5834925A JPS5834925A JP13367081A JP13367081A JPS5834925A JP S5834925 A JPS5834925 A JP S5834925A JP 13367081 A JP13367081 A JP 13367081A JP 13367081 A JP13367081 A JP 13367081A JP S5834925 A JPS5834925 A JP S5834925A
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液相エピタキＶヤμ成長装置、特に化合物半導
体のテ／Ｌ／／Ｉ／化カド識つム水銀（Ｈｇ １−ｘｃ
ｄｘＴｅ）の液相エビタキＶヤ〃成長装置の改良に関
するものである。
体のテ／Ｌ／／Ｉ／化カド識つム水銀（Ｈｇ １−ｘｃ
ｄｘＴｅ）の液相エビタキＶヤ〃成長装置の改良に関
するものである。
化合物半導体のＨＪＥｌ−ｘｃｄｘＴｅは、そのエネル
ギーギャップが狭く、赤外線検知素子の材料とじて用い
られている。
ギーギャップが狭く、赤外線検知素子の材料とじて用い
られている。
このようなＨｇ１−ｘＣｄｚＴｅの結晶の製造方法とし
ては、従来カーボンよりなる支持台に例えばテルル化カ
ドミウム（ＣｄＴｅ ）よりなる基板を埋設し、該支持
台上をスライドして移動するスフイド部材に液だめを設
け、該液だめ中にテルル（Ｔｅ ）を溶媒、カドミウム
水銀（ＨｇＣｄ）を溶質とした液相を充填し、該スライ
ド部材をスライドさせて基板上に上記液相を接触させる
ことでＣｄＴｅの基板上にＨｇ１−ｚｃｄｚＴｅの結晶
層を形成するいわゆるスライディング法が用いられてい
た。
ては、従来カーボンよりなる支持台に例えばテルル化カ
ドミウム（ＣｄＴｅ ）よりなる基板を埋設し、該支持
台上をスライドして移動するスフイド部材に液だめを設
け、該液だめ中にテルル（Ｔｅ ）を溶媒、カドミウム
水銀（ＨｇＣｄ）を溶質とした液相を充填し、該スライ
ド部材をスライドさせて基板上に上記液相を接触させる
ことでＣｄＴｅの基板上にＨｇ１−ｚｃｄｚＴｅの結晶
層を形成するいわゆるスライディング法が用いられてい
た。
しかし前記Ｔｅよりなる溶媒はスライド部材および支持
台よりなる液相エピタキシャル成長装置を形成するカー
ボン材に対してなじみやすく容易に分離され難いため、
たとえば基板上にＨｇ ｓ −ｘＣｄｚＴｅの結晶層を
形成してから、スライド部材を移動させて基板上に残留
している液相を除去しようとしても該液相がスフイド部
材あるいは支持台に付着しやすいのでスライドする際に
支持台、スライド部材に付着している液相が基板に再び
付着し、基板上から液相をぬぐい去ることは困難であっ
た。
台よりなる液相エピタキシャル成長装置を形成するカー
ボン材に対してなじみやすく容易に分離され難いため、
たとえば基板上にＨｇ ｓ −ｘＣｄｚＴｅの結晶層を
形成してから、スライド部材を移動させて基板上に残留
している液相を除去しようとしても該液相がスフイド部
材あるいは支持台に付着しやすいのでスライドする際に
支持台、スライド部材に付着している液相が基板に再び
付着し、基板上から液相をぬぐい去ることは困難であっ
た。
そこで水銀（Ｈｇ）を溶媒として、該ＨｇにＣｄＴｅを
溶質として溶解させてＱ １−ｘＣｄｘＴｅの液相を形
成してから、０ｄＴｅの基板上にＨｇ１−ｘＣｄｘＴｅ
の結晶層を液相エビタキＶヤル成長方法によシ形成する
方法がとられている。
溶質として溶解させてＱ １−ｘＣｄｘＴｅの液相を形
成してから、０ｄＴｅの基板上にＨｇ１−ｘＣｄｘＴｅ
の結晶層を液相エビタキＶヤル成長方法によシ形成する
方法がとられている。
ところで前述したＨｇ １−ｃｃｄｘＴ６１のＨｇは易
蒸発性であり、このような易蒸発性の１（ｇを含む■１
−ｘＯ（１ｘＴｅの材料の液相を用いて基板上にエピタ
キシャル成長させる場合には、従来第１図のような装置
を用いていた。
蒸発性であり、このような易蒸発性の１（ｇを含む■１
−ｘＯ（１ｘＴｅの材料の液相を用いて基板上にエピタ
キシャル成長させる場合には、従来第１図のような装置
を用いていた。
第１図は従来の液相エビタキシャ／Ｌ／成憂装置の概略
図で、例えばカーボンまたは石英よりなる密閉容器１中
にＨｇ１−ｘ’：”１ｘＴｅの液相２を充填し、Ｃｌ１
Ｔｅの基板８を設置した基板支持棒４を下方に移動させ
て該基板を液相中に浸漬させたのち前記密閉容器１を加
熱する加熱炉（図示せず）の温度を下降させて液相の温
度を冷却させてＣｄＴｅ基板上にＨｇｔ−１ＯＬｌｚＴ
ｅの結晶を析出させてから基板支持棒を上方に移動させ
て基板上にＨｇ１−ｘｏｄｘＴｅの結晶層を形成させる
いわゆるディッピング法を用いた装置である。
図で、例えばカーボンまたは石英よりなる密閉容器１中
にＨｇ１−ｘ’：”１ｘＴｅの液相２を充填し、Ｃｌ１
Ｔｅの基板８を設置した基板支持棒４を下方に移動させ
て該基板を液相中に浸漬させたのち前記密閉容器１を加
熱する加熱炉（図示せず）の温度を下降させて液相の温
度を冷却させてＣｄＴｅ基板上にＨｇｔ−１ＯＬｌｚＴ
ｅの結晶を析出させてから基板支持棒を上方に移動させ
て基板上にＨｇ１−ｘｏｄｘＴｅの結晶層を形成させる
いわゆるディッピング法を用いた装置である。
しかし上記した装置では前記Ｈｇが易蒸発性で蒸気圧が
高いため、前記ｆ（ｇの蒸気圧に耐えるように装置を設
計しなければならず、装置が高価なものとなる欠点があ
る。
高いため、前記ｆ（ｇの蒸気圧に耐えるように装置を設
計しなければならず、装置が高価なものとなる欠点があ
る。
また前記した力〜ボンよりなる支持台とスライド部材よ
りなる液相エビタキシャ／Ｌ’成長装置を用いて、液だ
めにＨｇを溶媒とし、ＣｄＴｅを溶質として形成した液
相を充填し、該液相をＣｄＴｅの基板に接触させて該エ
ビタキシャμ成長装置を加熱する加熱炉の温度を低下さ
せて基板にＨｇ１−ｘｃｄｘ’ｒｅの結晶層を形成する
いわゆるスライディング法によってＨｇＩ−ｚｃｄｚＴ
ｅの結晶層を形成することも試みた。しかしこの方法で
あるとエビタキンヤｐ成長装置を挿入する水素ガス雰囲
気の又応管が開管状頗になってお９易蒸発性のＨｇが蒸
発して反応管より外部に逃散し均一な組成のＨｇ１−ｘ
ＣｄｘＴｅの結晶層が形成されない不都合を生じる。
りなる液相エビタキシャ／Ｌ’成長装置を用いて、液だ
めにＨｇを溶媒とし、ＣｄＴｅを溶質として形成した液
相を充填し、該液相をＣｄＴｅの基板に接触させて該エ
ビタキシャμ成長装置を加熱する加熱炉の温度を低下さ
せて基板にＨｇ１−ｘｃｄｘ’ｒｅの結晶層を形成する
いわゆるスライディング法によってＨｇＩ−ｚｃｄｚＴ
ｅの結晶層を形成することも試みた。しかしこの方法で
あるとエビタキンヤｐ成長装置を挿入する水素ガス雰囲
気の又応管が開管状頗になってお９易蒸発性のＨｇが蒸
発して反応管より外部に逃散し均一な組成のＨｇ１−ｘ
ＣｄｘＴｅの結晶層が形成されない不都合を生じる。
本発明は上述した欠点を除去し、簡単な構造でしかも易
蒸発性のＩ（ｇが蒸発しないような構造の液相エピタキ
シャル成長装置の提供を目的とするものである。
蒸発性のＩ（ｇが蒸発しないような構造の液相エピタキ
シャル成長装置の提供を目的とするものである。
かかる目的を達成するための液相エピタキシャル成長装
置は、基板を埋設する基板支持台と、該基板上に成長さ
せるべき結晶の液相を収容せる液だめを保持する部材と
を対向配置して密閉容器内に封入した構成を有し、前記
基板支持台には基板を設置するとともに１前記液だめに
は基板上に成長させるべき結晶の材料を充填した状態で
、前記基板支持台と液だめを保持する部材との上下関係
を反転できるよう加熱炉中に回転可能に設置したことを
特徴とするものである。
置は、基板を埋設する基板支持台と、該基板上に成長さ
せるべき結晶の液相を収容せる液だめを保持する部材と
を対向配置して密閉容器内に封入した構成を有し、前記
基板支持台には基板を設置するとともに１前記液だめに
は基板上に成長させるべき結晶の材料を充填した状態で
、前記基板支持台と液だめを保持する部材との上下関係
を反転できるよう加熱炉中に回転可能に設置したことを
特徴とするものである。
以下図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明す
る。
る。
第２図は本発明の液相エビタキシャ／ｌ／成長装置の一
実施例の断面図で図示するようにＣ（ＩＴｅ基板１１を
埋設するカーボン製の基板支持台【２と該基板支持台１
２に対向して該基板上に形成すべき１（ｇを溶媒としＣ
ｄＴｅを溶質としてＨｇ１−２ｃｄｘＴｅの材料の液相
１８を収容する液だめ１４を保持するカーボン製の部材
１６が石英製の容器１６中に収容されている。該容器内
部は真空に排気されて一端が封止されている。そして基
板１１と液だめ１４とは対向配置されているものとする
。
実施例の断面図で図示するようにＣ（ＩＴｅ基板１１を
埋設するカーボン製の基板支持台【２と該基板支持台１
２に対向して該基板上に形成すべき１（ｇを溶媒としＣ
ｄＴｅを溶質としてＨｇ１−２ｃｄｘＴｅの材料の液相
１８を収容する液だめ１４を保持するカーボン製の部材
１６が石英製の容器１６中に収容されている。該容器内
部は真空に排気されて一端が封止されている。そして基
板１１と液だめ１４とは対向配置されているものとする
。
このような基板支持台１２にｃｄ’ｒｅの基板１１を、
また液だめにはＨｇを溶媒としＣｄＴｅを溶質とした’
Ｈｇ １−ＸＣＣＩＸＴｅの材料を充填した状態で前記
基板支持台１２と液だめを保持する部材１５とを石英容
器内部に挿入し該石英容器の内部を排気して端部Ａを封
止する。その後封止した石英容器１６を反応管１７中に
挿入し、該反応管１７を加熱炉１８にて加熱する。
また液だめにはＨｇを溶媒としＣｄＴｅを溶質とした’
Ｈｇ １−ＸＣＣＩＸＴｅの材料を充填した状態で前記
基板支持台１２と液だめを保持する部材１５とを石英容
器内部に挿入し該石英容器の内部を排気して端部Ａを封
止する。その後封止した石英容器１６を反応管１７中に
挿入し、該反応管１７を加熱炉１８にて加熱する。
このようにして液だめ１４中のＨｇ１−ｘＣｄｘＴｅの
材料が溶融した状態で該一端を封止した石英容器１６を
回転させて基板１１上にＨｇ ５−ｘＣｄｘＴｅ１の液
相を接触させてから加熱炉の温度を冷却させて過飽和状
頗となった１ｋ １−ｘＣｄｘＴ”の液相の組成を結晶
層として基板上に成長させる。この回転時に基板支持台
と液だめ保持部材が離れないようにピン等を用いて支持
台と部材を固定する。その後所定時間経過して基板上に
所定の厚さ結晶層が成長した段階で再び一端を封止した
石英容−を回転させて基板上に載っているＨｇｔ−ｚＣ
ｄｚＴｅの液相を取り除く。このように一端を封止した
石英容器を回転させるには、該石英容器に石英棒Ｂ等を
溶着等によシ取りつけて反応管１７の外部の方向に引き
出しておけばよい、ｔたこの回転時に基板支持台と液だ
め保持部材が移動しないように石英容器１６の内部に石
英製の枠１９をもうけて該枠に液だめ保持部材を固定す
る。
材料が溶融した状態で該一端を封止した石英容器１６を
回転させて基板１１上にＨｇ ５−ｘＣｄｘＴｅ１の液
相を接触させてから加熱炉の温度を冷却させて過飽和状
頗となった１ｋ １−ｘＣｄｘＴ”の液相の組成を結晶
層として基板上に成長させる。この回転時に基板支持台
と液だめ保持部材が離れないようにピン等を用いて支持
台と部材を固定する。その後所定時間経過して基板上に
所定の厚さ結晶層が成長した段階で再び一端を封止した
石英容−を回転させて基板上に載っているＨｇｔ−ｚＣ
ｄｚＴｅの液相を取り除く。このように一端を封止した
石英容器を回転させるには、該石英容器に石英棒Ｂ等を
溶着等によシ取りつけて反応管１７の外部の方向に引き
出しておけばよい、ｔたこの回転時に基板支持台と液だ
め保持部材が移動しないように石英容器１６の内部に石
英製の枠１９をもうけて該枠に液だめ保持部材を固定す
る。
以上述べたように本発明の液相エピタキシャル成長装置
を用いれば簡単な装置で易蒸発性のＨｇを含むＨｇ１−
ｚｃｄｚＴｌｉｌの結晶層が容易に成長でき、赤外線検
知素子用の結晶が容易に得られる利点を生じる。また以
上の実施例の池に基板支持台および液ｉの保持部材は石
英を用いて形成してもよい・
を用いれば簡単な装置で易蒸発性のＨｇを含むＨｇ１−
ｚｃｄｚＴｌｉｌの結晶層が容易に成長でき、赤外線検
知素子用の結晶が容易に得られる利点を生じる。また以
上の実施例の池に基板支持台および液ｉの保持部材は石
英を用いて形成してもよい・
第１図は従来の液相エビタキシャ〃成長装置の概略図で
、第２図は本発明の液相エビタキシャμ成長装置の一実
施例を示す断面図である。 図において、ｌは密閉容器、２はＨｇ １−ＸＣｄＸＴ
ｅの液相、８はＣ！（ｉＴｅの基板、４は支持棒、１１
は基板、１２は基板支持台、１８はＨｇｌ ４Ｃ（１ｘ
Ｔｅの液相、１４は液だめ、１５は部材、１６は容器、
１７は反応管：１８は加熱炉、１９は石英枠、Ａは端部
、Ｂは石英棒を示す。
、第２図は本発明の液相エビタキシャμ成長装置の一実
施例を示す断面図である。 図において、ｌは密閉容器、２はＨｇ １−ＸＣｄＸＴ
ｅの液相、８はＣ！（ｉＴｅの基板、４は支持棒、１１
は基板、１２は基板支持台、１８はＨｇｌ ４Ｃ（１ｘ
Ｔｅの液相、１４は液だめ、１５は部材、１６は容器、
１７は反応管：１８は加熱炉、１９は石英枠、Ａは端部
、Ｂは石英棒を示す。
Claims (1)
- 基板を埋設する基板支持台と、該基板上に成長させるべ
き結晶の液相を収容せる液だめを保持する部材とを対向
配置して密閉容器内に封入した構成を有し、前記基板支
持台には基板を設置するとともに前記液だめには基板上
に成長させるべき結晶の材料を充填した状鮨で前記基板
支持台と液だめを保持する部材との上下関係を反転でき
るよう加熱炉中に回転可能に設置したことを特徴とする
液相エピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13367081A JPS5834925A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13367081A JPS5834925A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5834925A true JPS5834925A (ja) | 1983-03-01 |
| JPH0338736B2 JPH0338736B2 (ja) | 1991-06-11 |
Family
ID=15110157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13367081A Granted JPS5834925A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5834925A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57194516A (en) * | 1981-05-26 | 1982-11-30 | Toyo Aluminium Kk | Aluminum foil for electrolytic condenser |
| US6855408B2 (en) | 2002-01-25 | 2005-02-15 | Showa Denko K.K. | Composite metal material and method for manufacturing the same, etched metal material and method for manufacturing the same and electrolytic capacitor |
| US11172720B2 (en) | 2016-06-14 | 2021-11-16 | Darryl Rodney FLACK | Helmet with chin crush zone and integrated ventilation |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52144271A (en) * | 1976-05-27 | 1977-12-01 | Toshiba Corp | Preparation of semiconductor device |
-
1981
- 1981-08-25 JP JP13367081A patent/JPS5834925A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52144271A (en) * | 1976-05-27 | 1977-12-01 | Toshiba Corp | Preparation of semiconductor device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57194516A (en) * | 1981-05-26 | 1982-11-30 | Toyo Aluminium Kk | Aluminum foil for electrolytic condenser |
| JPS6242370B2 (ja) * | 1981-05-26 | 1987-09-08 | Toyo Aluminium Kk | |
| US6855408B2 (en) | 2002-01-25 | 2005-02-15 | Showa Denko K.K. | Composite metal material and method for manufacturing the same, etched metal material and method for manufacturing the same and electrolytic capacitor |
| US11172720B2 (en) | 2016-06-14 | 2021-11-16 | Darryl Rodney FLACK | Helmet with chin crush zone and integrated ventilation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0338736B2 (ja) | 1991-06-11 |
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