JPS582036A - 半導体結晶の製造方法 - Google Patents

半導体結晶の製造方法

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JPS582036A
JPS582036A JP56100334A JP10033481A JPS582036A JP S582036 A JPS582036 A JP S582036A JP 56100334 A JP56100334 A JP 56100334A JP 10033481 A JP10033481 A JP 10033481A JP S582036 A JPS582036 A JP S582036A
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吉河　満男
Michiharu Ito
伊藤　道春
Shigeki Hamashima
濱嶋　茂樹
Tomoshi Ueda
知史 上田
Hiroshi Takigawa
宏 瀧川
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体結晶、特に易蒸発性の水銀（Ｈｇ）ヲ含
ムチ／Ｉ／／Ｌ／化カドミウム水銀（Ｈｇｌ−ｘＯ（１
ｚ’Ｉ’６）の結晶の製造方法の改良に関するものであ
る。
従来このよりなＨｇ　１−）（ＣｄｘＴ８の結晶を製造
する場合には第１図に示すごとくカーボンよりなる支持
台１の凹所にＣｄＴｅの基板２を埋設し、該支持台上を
スフイドして移動するカーボン製のスライド部材８０貫
通孔よりなる液だめ４にＨｇｘ　−ｚｃａｙｅ６の材料
を充填した状顛で、前記スフイド部材と支持台とを水素
ガス雰囲気中の反応管中に導入しキから、□。、６ゎ□
６゜や。□ 記スライド部材を矢印Ａの方向に移動させて前記液だめ
４をＣｄＴθ基板上に静置させたのち、加熱炉の温度を
降下せしめてＨｇ　１−ｚｃｄｚＴｅの結晶層をＣｄＴ
ｅの基板上に成長させるいわゆる液相エピタキシャル成
長法で製造していた。
しかし上述した従来の方法では前記したＣｄＴｅの基板
が高価で入手し難く、また曲ｆａＨｇが易蒸発性の原子
であるため所望の組成のＨｇ　１−ｚｃｄｚＴｅの結晶
が得られ難い欠点があった。特に赤外線検知素子の材料
と口て適尚なＸ［が０．２近傍の靴１−２ｃｄｚＴｅの
結晶が組成をｆｉｉ制御した状頗で得られにくい不都合
を生じていた。
本発明は上述した欠点を除去するような半導体結晶の製
造方法の提供を目的とするものである。゛かかる目的を
達成するための半導体結晶の製造方法は８１基板上にＣ
ｃｌＴｅの液相を接触させて、前記８１基板上にＣαＴ
ｅの結晶層を成長せしめたの”ち、“前記ＣｄＴｅの結
晶層を有するＳｌ−板とソース材料としてのＨｇ　１　
、ＸＣｄｚＴｅをアンプル中に密封し、その後該アンプ
ルを加熱してｃｄ’ｒｅ結晶層とソース材料の山ξ−ｚ
ｃｄｚ’ｒｅとの間に相互拡散を生じさせて、前記Ｃｄ
Ｔｅの結晶層をＨｇ１−ｘＣｄｘＴｅの結晶に変換させ
ることを特徴とするものである。
以下図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明す
る。
第２図および第８図は本発明の半導体結晶の製造方法の
説明図である。
まず第２図に示すようにカーボンよりなる支持台１１と
スライド部材１２とからなる液相エビタキシャμ成長治
具の支持台の凹所に８１基板１８を埋設する。′そして
スライド部材１２の液だめ１４にはＣ（ＩＴ１３の半導
体材料ｌｉ＋充填し九伏線で前記液相エピタキシャル成
長、治具を、水素ガス算囲気中の反応管中に挿入して該
反応管を５００℃の温度に加熱する。その後スライド部
材１２を矢印Ｂ方向にスライドさせスフイド部材の液だ
め１４ｉｓｉ基板ｔａ上に静置させる。この状態で加熱
炉の温度を１℃／分の割合で降下させ８１基板上にＣｄ
Ｔｅの結晶を成長させる。前ｒ［ｌ！ＳｉとＣｄＴｅの
結晶と−は比較的格子定数が近接しているので８１基板
上に容易にＣｄＴｅの単結晶が形成される。
その後第８図に示すように前記ＣｄＴθの結晶層１６が
形成された８１基板ＩＢとソース材料となるＨｇ　１−
ｘｃｄＸＴｅの結晶片１７とを対向配置させるようにし
て石英アンプ１ｖｌＢ中に挿入してから該アＺプル内を
真空排気したのちアンプ／Ｌ’δ端部Ｃを溶接して封止
する。その後該アンプルを加熱炉内に挿入し５００℃の
温度で所定時間加熱する。すると８１基板上のＣｄＴｅ
の結晶層中のＣ（１原子とＴｅの原子およびソース材料
のＨｇ　ｌ−２Ｃｄ）（Ｔｅの結晶中のＨｇ原子とＣｄ
原子とＴｅの原子がそれぞれ多少蒸発する。そして前記
ＣｄＴθの結晶層のＣｄ原子が一部蒸発して形成される
Ｃｄ原子の空格子点の部分にＨｇ原子が入りこんで前記
ＣｄＴｅの結晶層を）（ｇ　１７ｘＣｄＸ、Ｔｅの結晶
層に変化させ、ちょうどＳｉ基板上にＨｇ１−ｘｃａ）
（’ｒｅの結晶層が形成されぜ１ま たのと同じ形となる。
このようにすれば易蒸発性のＨｇ原子が蒸発することが
ないので所望の組成のＨｇ、ｓ、−ＸＣｄｚＴｅの結晶
層が前記ソース材料のＨｇ１−ＸＣｄＸ、Ｔｅの重量お
よび加熱炉の加熱温度、加熱時間を制御することで厚さ
を制御された状態で形成さ−れる。
また基板としてＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置に多艦に使
用されている８１基、轡を用いるので基板Ｈｇ　１−ｘ
ｃｄＸＴｅの結晶が形成されることになり、この士うな
結晶を用いる丘とで安価な赤外線検知素子が得られる利
点を生じる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体結晶？製造方、法を示す図で第２
図より第８図！ではｉ発明の半導体結晶の製造方法を示
す図である。 図において、１，１．、．１は＊持合、２はＣｄＴｅ基
板、８　＋−１２はスフイド部材、４，１４は液だ唖、
５はＨｇ　１−ｘｃｄＸＴｅの材料、１３は８１基板、
１５はＣｄＴｅの材料、１６はＣαＴｅの結晶層、１７
はＨｇ　１−ｘｃｄＸＴｅの結晶片、１８は石英アンプ
μ、Ａ。 Ｂはスライド部材の移動方向を示す矢印、Ｃはアンプｐ
の端部を示ず。　　　　゛

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. シリコン（Ｓｉ）ｉ板上にテルル化カドミウム（、Ｃｄ
    Ｔｅ　＞（Ｄ液相を接触させて前１ｉ３ｓｉ基板上１ｃ
    　ＯｄＴ＋３の結晶層を成長せしめたのち、前記ｃｄ’
    ｒｅの結晶層を有する８１基板とソース材料としてのテ
    に’ｌＷ化カドミウム水銀（Ｈｇｔ−ｘＣ（１ｘＴｅ′
    ？アンプｐ中に密封し、その後該アンプルを加熱してＣ
    （ＩＴｅ結晶層とソース材料のＨｇ、１−）（ＣｄｚＴ
    ｅとの間に相互拡散を生じさせて前記ＣｄＴｅの結晶層
    をＨｇ　ｔ　−ｘＣ（１ｘＴｅ結晶に変換させることを
    特徴とする半導体結晶の製造方法。
JP56100334A 1981-06-26 1981-06-26 半導体結晶の製造方法 Granted JPS582036A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62236679A (ja) * 1986-04-04 1987-10-16 日立工機株式会社 ネジ締め付け装置
JPS63306632A (ja) * 1987-06-08 1988-12-14 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 半導体結晶基板
JPH01274912A (ja) * 1988-04-25 1989-11-02 Matsushita Electric Works Ltd ハンマードリル
JPH0350840A (ja) * 1989-07-19 1991-03-05 Fujitsu Ltd 化合物半導体結晶の製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62236679A (ja) * 1986-04-04 1987-10-16 日立工機株式会社 ネジ締め付け装置
JPH0521717B2 (ja) * 1986-04-04 1993-03-25 Hitachi Koki Kk
JPS63306632A (ja) * 1987-06-08 1988-12-14 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 半導体結晶基板
JP2511457B2 (ja) * 1987-06-08 1996-06-26 住友金属鉱山株式会社 半導体結晶基板
JPH01274912A (ja) * 1988-04-25 1989-11-02 Matsushita Electric Works Ltd ハンマードリル
JPH0350840A (ja) * 1989-07-19 1991-03-05 Fujitsu Ltd 化合物半導体結晶の製造方法

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