JPS58219464A - 固体撮像素子の試験評価装置 - Google Patents

固体撮像素子の試験評価装置

Info

Publication number
JPS58219464A
JPS58219464A JP10331582A JP10331582A JPS58219464A JP S58219464 A JPS58219464 A JP S58219464A JP 10331582 A JP10331582 A JP 10331582A JP 10331582 A JP10331582 A JP 10331582A JP S58219464 A JPS58219464 A JP S58219464A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
test
testing
solid
state image
contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10331582A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshitaka Egawa
佳孝 江川
Yukio Endo
幸雄 遠藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP10331582A priority Critical patent/JPS58219464A/ja
Publication of JPS58219464A publication Critical patent/JPS58219464A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は固体撮像素子を試験評価するための試験評価装
置に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
この種の従来の試験評価装置は第1図に示すように構成
されている。すなわち、1は固体撮像素子が形成された
半導体基板、2は上記半導体基板1を固定し必要に応じ
て移動させるための移動装置、3は前記固体撮像素子へ
電気信号を伝える針4を有する回路基板、5は上記回路
基板3上に設けられた交流試験駆動回路、6は交流試験
駆動信号発生回路、7は直流試験回路、8は前記回路基
板3上に設けられた交流試験と直流試験とを切シ換える
ための切換回路、9は光学系装置であってたとえは光源
、レンズ、減光フィルタ、色フィルタ、テストパターン
などを有している。10は信号処理回路、11は試験結
果を出力する出力機器たとえばプリンタ、12は画像モ
ニタ、13は制御回路である。
試験評価に際しては、移動装置2に半導体基板1を固定
する。次に、半導体基板1上に形成されている複数個の
固体撮像素子のうちの1個を選択してこれに回路基板3
からの試験信号が伝わるように針4f:セッティングす
る。次に、切換回路8を直流試験側にセットし、直流試
験回路7を作動させて前記素子の不良(短絡等)の有無
な検出する。この直流試験で不良と判定された素子につ
いては、交流試験を行なおうとすると変流試験回路系を
壊わすことがあるので交流試験を行々わない。これに対
して、前記直流試験で良品と判定された素子については
切換回路8を交流試験側にセットして直流試験に移行す
る。すなわち、光学系装置9と交流試験回路系5.6と
信号処理回路10とを使用して前記素子の撮像特性の試
験を行ない、試験結果を出力機器11にて記録する。
ところで、前記切換回路8およびその周辺部分は第2図
に示すように構成されている。すなわち、20および2
0はリレー切換回路であって、接点21.21が直流試
験側、接点22゜22が交流試験側である。交流試験側
において、23は前記交流試験駆動回路5の最終段のパ
ルスドライバ、24は回流電源を供給するための駆動直
流電圧バッファアンプ、25はコンデンサである。なお
、供試素子の基板(サブストレート)電極端子SUBは
針4の一部を通じて接地ライン26に接続されており、
PINは交流試験時に光学系装置9から発生する光信号
である。
第3図は、上記素子の変流試験時における回路基板3上
の回路の等節回路を示しておシ、2、はパルスドライバ
23の出力端と半導体基板1上の供試素子Aの入力端子
との間のインピータンス、Zzit、l”Je<ノ臂ル
スドライバ23の接地端子GNDと供試素子Aの基板電
極端子SUBとの間のインピーダンス、z3はバッファ
アンゾ24の出力端と供試素子Aの電源端子との間のイ
ンピーダンスである。
撮像素子の撮像特性の試験においては、高い測定精度が
要求される。それは、モニタ上の素子出力像では非常に
低レベルでも素子の特性が目視で判別できるからである
。高い測定精度で試験するためには、素子から良質の撮
像出力信号を得る必要があシ、このためには前記パルス
ドライバ23の出力電流i、の流路を極カ短がくし、周
辺N路への飛び込み信号の影wを少なくし、流路中のイ
ンピーダンスZ1 、Zg f減少5− させることが必要である。すなわち、インピーダンスz
2によって発生する電圧τ=i、・z2によって半導体
基板1の電位が上がり、またパルスドライバ23の出力
端電圧ν。がZp・(Z1+22)の電圧分だけ低下し
てノ4ルス駆動波形が劣化しこれによって素子出力波形
のS岸が劣化し、測定精度が不足するようになるからで
ある。しかし、リレー切換回路20の存在によって電流
i、の流路が長くなシ、流路中のインピーダンスZ、が
大きくなっている。
第4図は、前記素子の直流試験時における回路基板3上
の回路の等節回路を示しておシ、前述した交流試験時と
共通に供試素子Aの基板電極端子SUBは接地ライン2
6に接続されている。
このため、試験入力端子INと端子SUBとの間にリー
ク電流iLが発生することがあシ、この場合には端子S
UB以外の測定時にもリーク電流粋による影響があシ、
素子の不良を検出したとしても不良発生の正確な場所を
検知できない欠点がある。また、コンデンサ25は、前
述した交6− 流試験時には駆動直流電圧を安定化して測定精度を向上
させるために有効であるが、直流試験時には供試素子A
の試験出力端子OUTに接続されるので、コンデンサ2
5によって直流試験時間が長くなる問題点がある。この
試験時間は、周知の式t、=2.2CRより算出される
。たとえは供試素子への電極容量Cの容量値C=500
0pFリーク電流許容抵抗Rの抵抗値R=100にΩと
すると、試験出力・ぞルスの立ち上少時間trは#r=
2.2CR=2.2X5000X10  X100XI
O−1,1mgとなる。この時間1.1 msの他に、
電源の応答性を考慮して安定状態になる時間9 ms程
度を割り当てているので、これらの合計は約10maと
なる。しかし、さらに素子外部に前記コンデンサ25の
容量it tこれは小さい場合でも1μF)が11 付加されているので、実際の試験時間はtr=2.2X
IXlOX1X100X106=220  (但し、1
μF)−5000pFのため5000pFは無視してい
る)となる。したがって、前記コンデンサ25によって
コンデンサ25がない場合の試験時間10mmに比べて
22倍の220 msの試験時間を要するようになる。
上述したように、従来の試験評価装置は、直流試験と交
流試験とを切り換えるためのリレー切換回路20が設け
られていることによジインピーダンスz1 + Z R
が大きくなシ、交流試験出力信号が劣化し、測定精度が
著しく悪くなっている。また、又流試験出力信号の質の
向上を図るために供試素子Aの端子SUB′f、接地ラ
イン26に接続しているので、直流試験時にリーク電流
粍のために不良位置の解析が困難になっている。また、
交流試験時の直流電圧を安定化するためのコンデンサ2
5を付加しているので、直流試験時の試験時間が少なく
とも22倍長くなっている。、、。
〔発明の目的〕
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、供試素子
の交流試験出力信号の質を改善して測定精度を同上でき
、直流試験時の不良解析を容易に行たうことができ〜直
流試験の試験時間を著しく短縮化し得る固体撮像素子の
試験評価装置を提供するものである。
〔発明の概要〕
すなわち、本発明の固体撮像素子の試験評価装置は、第
1の供試固体撮像素子の直流試験のために上記素子のた
とえば端子に接触する第1の接触子を設け、この第1の
接触子を介して上記素子との間で直流試験入出力信号を
授受し、上記素子の半導体基板電極を接地せずかつ上記
素子出力端子にコンデンサを外付けしない状態で上記素
子の直流試験を行なう直流試験手段を設け、直流試験で
良品と判定された第2の供試固体撮像素子の交流試験の
ために上記素子に接触する第2の接触子を設け、この第
2の接触子を介して上記素子に直流電源電圧および交流
試験駆動信号全供給し、かつ上記素子の半導体基板電極
を接地した状態で交流試験を行なう交流試験手段金膜け
、さらに変流試験供試素子に元入力會供給する手段を設
けたものである。
したがって、直流試験供試素子におい−て試験入力端子
から半導体基板電極へリーク電流が流れることがないの
で不良解析が容易となシ、また素子出力端子に大きな容
量が外付けされていないので直流試験出力信号の立上シ
が早くなって直流試験時間が短縮され、交流試験供試素
子に対しては前記第2の接触子の極く近くから交流試験
駆動信号を供給できるので、この駆動信号波形の劣化が
少なくカ如、素子出力信号のS/Nが良くなシ、測定精
度が向上する。
〔発明の実施例〕
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
第5図において、1は複数個の固体撮像素子Al I 
Ag・・・が形成されている半導体基板、5oは直流試
験用の一組の針、51は直流試験用入出カライン、53
は交流試験用の一組の針、23は又流試験駆動回路最終
段のパルスドライバ、24は駆動直流電圧バッファアン
プ、26および27は接地ライン、25は直流電圧安定
([J[7)コンデンサツムh r拍tハ^仙り鶴ル基
板1以外は回路基板上に設けられている。
すなわち、本発明の試験評価装置においては、第1図を
参照して前述した試験評価装置に比べて切換回路(第1
図8)を省略し、針(第1図4)をm流試験用針50と
交流試験用銅53とに分離し、直流試験時には供試素子
の基板電極端子SUBを接地せず、しかも素子の試験出
力端子にコンデンサを外付けしないようにした点が異な
υ、その他はほぼ同様である。
第5図の構成において、固体撮像素子たとえばA1の直
流試験に際しては、直流試験用針50金素子A1にセッ
トし、直流試験回路(第1図7)によシ直流試験入出カ
ライン51を通じて素子AI との間で直流試験人、出
力信号を授受して良、不良を判定する。この場合、直流
試験出力信号の立ち上シ時間は前述したように約10 
mmでアリ、試験出力端子にコンデンサ(第1図25)
が付加されていた従来例の試験時間220 msに比べ
て約1/22に著しく短縮される。1だ、素子Alの端
子SUBは接地されていないためにリーク電流(第4図
匂)が流れないので、素子A、が不良と判定されたとき
に不良位置の解析が容易である。そして、素子A1が不
良と判定された場合には、次の交流試験位置(本例では
素子A2の位置)へ上記素子A1を移動させた(自動試
験装置では自動的に行なわれる)ときに交流試験用針5
3の電圧がOvとなるようにバッファアンプ24および
パルスドライバ23の出力を設定して交流試験を行なわ
ない。これは、交流試験回路系に過電流が流れて回路が
破壊されるのを防ぐためである。これに対して、素子A
1が良品と判定された場合には、素子As k素子A、
の位置へ移動させ、交流試験用針53をセットして交流
試験を行なう。
この場合、バッファアンf2’4およびパルスドライバ
23を交流試験用針53の位置にできるだけ近づけて回
路基板上に設けておくことにより、・9ルスドライバ2
3の出力電流の流路が極力短かくなシ、第3図に示した
インピーダンスz、I Z2 + z、が極力小さくな
るので、パルス駆動波形の劣化が少なく、素子の交流試
験出力のS/Nの劣化が防止され、測定精度が向上する
なお、素子の交流試験出力信号は第1図に示したような
信号処理回路10に導かれるようになっている。
また、上記実施例の試験評価装置では、試験切換回vl
fX1使用しておらず、直流試験回路系と交流試験回路
系を別々に使用することができるので、素子A1の直流
試験と素子A2の変流試験(素子A2の直流試験後)と
を同時に行なうことも可能となシ、効率的に試験を行な
うことができる。たとえば、現状では変流試験での良品
の自動判定は難しく、目視による最終判断を行なってい
る。そこで、この目視試験の時間に、次の供試素子の直
流試験を自動的に行なうことができ、半導体基板の全素
子の試験時間を従来に比べて著しく短縮できる。
また、上記交流試験全複数の試験に分割し、この各分割
試験数に対応して交流試験回路系および交流試験針を設
けておけば、同時に多数の13− 素子を試験でき、能率的である。
なお、前記実施例の試験評価装置は、従来例に比べて針
の本数が約2倍、回路基板の針毛シ付は用面積も約2倍
必要となるが、固体撮像素子は通常のLSIに比べてチ
ップサイズが大きく、これに見合って回路基板も大きく
できるので、回路基板の製作は従来技術で容易に実現で
きる。
また、前記実施例では1素子に2回針が接触するが、素
子への悪影響は無い。
第6図は、半導体基板1上の素子の構成例を示すもので
、素子Al t A2それぞれのポンディングパッド6
0(ここに前記針50あるいは53を接触させる)を2
辺方向(あるいは1辺方向でもよい)に集めてお9、こ
れによって隣接する素子AI+Ailを別々に支障なく
試験を行なうことができると共に回路基板の針の配置が
容易とな9、回路基板の製作が容易になる。
図では、素子A1に直流試験用針50を接触させて直流
試験を行なっている状態を、また素子A2に交流試験用
針53を接触させて交流試験=14− を行々っている状態を示している。
第7図は、それぞれ集積回路(工す用パッケージによシ
パッケージングされて製品化された固体撮像素子A%+
A1′を各別に試験する場合の応用例を示すもので、前
記回路基板の直流試験用針50および交流試験用針53
に代えて製品素子に適合する接触子としてICソケッ)
 70.7Jを回路基板72上に取シ付けたものである
。このような試験評価装置によれば、製品素子に対して
前述したように直流試験時間の短縮化、血流試験不良素
子の解析の容易化、供試素子の変流試験出力信号のS/
Nの向上および測定精度の向上が可能になる。
〔発明の効果〕
上述したように本発明の固体撮像素子の試験評価装置に
よれば、供試素子の変流試験出力信号の質を改善して測
定精度を向上でき、直流試験時の不良解析を容易に行な
うことができ、直流試験の試験時間を著しく短縮化する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の固体撮像素子の試験評価装置を示す構成
説明図、第2図は第1図の切換回路およびその周辺部を
取シ出して示す構成説明図、第3図は素子の交流試験時
における第2図に対応する等価回路図、第4図は素子の
直流試験時における第2図に対応する等価回路図、第5
図は本発明に係る固体撮像素子の試験評価装置の一実施
例の要部を示す構成説明図、第6図は同じく第5図の素
子AI 、A、の−例を取シ出して示す構成説明図、第
7図は本発明の他の実施例を示す構成説明図である。 A1 * AQ * Al + 12・・・固体撮像素
子、PIN・・・光入力、1・・・半導体基板、23・
・・ノ9ルスドライバ、24・・・バッファアンプ、2
5・・・コンデンサ、26.27・・・接地ライン、5
0・・・直流試験用針、51・・・直流試験入出カライ
ン、53・・・交流試験11111111Y1( 用針、60・・・ポンプイングツ9ツド、70.71・
・・ICソケット。 33

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)供試固体撮像素子の直流試験のために設けられて
    上記直流試験供試素子の所要個所に接触する第1の接触
    子と、この第1の接触子に接続され上記直流試験供試素
    子の半導体基板電極を接地せずかつ素子出力端子にコン
    デンサを外付けしない状態で上記直流試験供試素子との
    間で直流試験入出力信号を授受し上記直流試験供試素子
    の直流試験を行なう直流試験手段と、供試固体撮像素子
    の交流試験のために設けられて上記交流試験供試素子の
    所要個所に接触する第2の接触子と、この第2の接触子
    に接続され上記交流試験供試素子の半導体基板電極を接
    地した状態で交流試験駆動信号および直流電源電圧を上
    記交流試験供試素子に供給して交流試験を行なう交流試
    験手段と、前記交流試験供試素子に光入力を供給する手
    段とを具備するこ゛とを特徴とする固体撮像素子の試験
    評価装置。
  2. (2)前記供試素子は半導体基板上に複数個形成された
    固体撮像素子のうちの任意の素子であシ、前記第1の接
    触子および第2の接触子はそれぞれ供試素子のビンディ
    ングパッドに接触する試験用針であることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の固体撮像素子の試験評価装
    置。
  3. (3)前記供試素子は集積回路用パッケージによJ) 
    ノ臂ッケージングされて製品化された製品素子であり、
    前記第1の接触子および第2の接触子はそれぞれ集積回
    路用ソケットであることを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載の固体撮像素子の試験評価装置。
JP10331582A 1982-06-16 1982-06-16 固体撮像素子の試験評価装置 Pending JPS58219464A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10331582A JPS58219464A (ja) 1982-06-16 1982-06-16 固体撮像素子の試験評価装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10331582A JPS58219464A (ja) 1982-06-16 1982-06-16 固体撮像素子の試験評価装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58219464A true JPS58219464A (ja) 1983-12-20

Family

ID=14350761

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10331582A Pending JPS58219464A (ja) 1982-06-16 1982-06-16 固体撮像素子の試験評価装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58219464A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3228816B2 (ja) 回路板試験装置及び回路板試験方法
US6087842A (en) Integrated or intrapackage capability for testing electrical continuity between an integrated circuit and other circuitry
US6930494B2 (en) Capacitive probe assembly with flex circuit
KR101293381B1 (ko) 전자 장치를 테스트하기 위한 시스템의 동작 주파수를증가시키는 방법 및 장치
US7075307B1 (en) Method and apparatus for detecting shorts on inaccessible pins using capacitive measurements
JP3784412B2 (ja) 障害カバリッジを拡大した製造欠陥分析装置
JP4138041B2 (ja) 改良型mdaテスタで使用するためのハイブリッドスキャナ
EP0573159A2 (en) Identification of pin-open faults by capacitive coupling through the integrated circuit package
US7307426B2 (en) Methods and apparatus for unpowered testing of open connections on power and ground nodes of circuit devices
US20070007989A1 (en) System For Measuring Signal Path Resistance For An Integrated Circuit Tester Interconnect Structure
US7511507B2 (en) Integrated circuit and circuit board
JP2007010477A (ja) 集積回路及び回路ボード
JP2002176140A (ja) 半導体集積回路ウェハ
JP3759247B2 (ja) 回路基板上の部品の配向を判定するためのテストシステム
JP3631275B2 (ja) 半導体試験装置のピン試験回路
JPS58219464A (ja) 固体撮像素子の試験評価装置
JP2000046912A (ja) 自己検査装置を備えた集積回路
JPH11237441A (ja) 半導体集積回路装置、半導体集積回路装置の製造方法、及び半導体集積回路装置の検査方法
JPH07225258A (ja) 半導体装置
JP3979619B2 (ja) 半導体装置の内部配線断線検出方法
JP7392533B2 (ja) 検査システム
JP2002131365A (ja) 検査方法及び検査装置
KR102405296B1 (ko) 기판 검사 장치
JP3157733B2 (ja) 集積回路内蔵大電力モノリシック半導体装置の検査方法
KR100718457B1 (ko) 반도체 테스트 장치와 이를 이용한 반도체 소자 검사방법