JP3157733B2 - 集積回路内蔵大電力モノリシック半導体装置の検査方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路を内蔵し
た大電力モノリシック半導体装置の検査方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】以下に、従来の集積回路内蔵大電力モノ
リシック半導体装置（以下、ＩＰＤと称す）の検査方法
について説明する。従来、電源機器、モーター制御機器
等、大電力を制御する機器では、直接大電力を制御する
半導体装置（以下、パワーデバイスと称す）と、パワー
デバイスを制御する集積回路半導体装置（以下、ＩＣと
称す）とで構成されていたが、近年の半導体集積化技術
の大幅な進歩に伴い、パワーデバイスとＩＣをモノリシ
ックで形成した半導体装置、すなわちＩＰＤが開発され
ている。ＩＰＤはモノリシックで形成されるため、シス
テムの小型化、外付け部品点数の低減によるコスト低
減、内蔵保護機能のリアルタイム制御による高信頼性と
いった特徴がある。

【０００３】例えばＩＰＤの代表的デバイスであるスイ
ッチング電源制御用ＩＰＤ（以下、電源用ＩＰＤと称
す）の機能としては、発振回路、タイマー機能、二次側
フィードバック回路あるいはソフトスタートといったス
イッチング電源制御に必要とする機能の他、過電流、過
電圧、過熱といった各種保護機能が内蔵されている。こ
のようなＩＰＤの機能、あるいは一般的な電気的特性の
うち、過電流検出、パワーデバイス部（以下、パワー部
と称す）の抵抗成分（以下、オン抵抗と称す）は、パワ
ー部に大電流が流れる電気的特性であり、これらはパワ
ー部をオン状態にするために、ＩＣ部を動作させなが
ら、アンペア単位の電流領域の電気的特性を測定し検査
する必要がある。

【０００４】以下に、従来のＩＰＤの検査方法の一例と
して、電源用ＩＰＤのウエハ状態における過電流検出検
査方法について説明する。図８は過電流検出の検査回路
図であり、３０１はウエハ状態での電源用ＩＰＤ、３０
２，３０４は出力端子であるソース端子，ドレイン端
子、３０３はＩＣ部のＧＮＤ（グラウンド）端子、３０
５はＩＣ部を制御するための外部電源、３１０は外部電
源、３１１は負荷、３１２はピークホールド回路であ
る。図９は図８の過電流検出の検査波形図であり、電源
用ＩＰＤ３０１のパワー部が横型電界効果トランジスタ
（以下、横型ＭＯＳと称す）の場合のドレイン電流波形
を示し、図１０は同じくパワー部が横型ＭＯＳの場合の
過電流検出の検査方法を示す図である。

【０００５】図８の電源用ＩＰＤ３０１のパワー部が横
型ＭＯＳの場合には、その出力端子はソース端子３０２
およびドレイン端子３０４で構成されており、外部電源
３１０のマイナス（−）側に、ソース端子３０２および
ＩＣ部のＧＮＤ端子３０３を接続し、外部電源３１０の
プラス（＋）側に、インダクタンスあるいは抵抗で形成
される負荷３１１を接続し、さらにドレイン端子３０４
を接続する。すなわち検査試料となるＩＰＤ３０１は負
荷３１１に対して、ローサイド側に位置させる。

【０００６】図９は負荷３１１がインダクタンスの場合
の過電流測定検査波形を示しており、例えば、発振周波
数１００ｋＨｚ，最大デューティ比６０％とすると、外
部電源３１０のドレイン側（プラス側）の電圧値を上昇
させると、電流のピーク値がある一定値のままデューテ
ィ比が減少する（図９の実線から破線への移動で示
す）。この時の電流のピーク値が過電流値であり、この
値をピークホールド回路３０９、およびテスタ等により
測定する。

【０００７】図１０はこの従来の検査方法における検査
探針（以下、ニードルと称す）の接続状態を示す。図１
０において、１０１〜１０４はパワー部を構成する横型
ＭＯＳ、１０５はドレインパッド、１０６はソースパッ
ド、１０８はニードル、１０９はＩＣ部、１１０はＩＣ
部１０９のＧＮＤに接続するパッド、１１１はＩＣ部１
０９を制御する入力信号を供給するパッドである。

【０００８】従来の検査方法では、過電流検出の際、図
１０に示すように、パワー部を構成する横型ＭＯＳ１０
１〜１０４における全てのドレインパッド１０５に、共
通に電気的接続したニードル１０８を接続するととも
に、同様に全てのソースパッド１０６にも、共通に電気
的接続したニードル１０８を接続している。ドレインパ
ッド１０５に接続された複数のニードル１０８は共通に
接続され、図８に示す負荷３１１を介して外部電源３１
０のプラス（＋）側に接続され、ソースパッド１０６に
接続された複数のニードル１０８は共通に接続され、図
８に示す外部電源３１０のマイナス（−）側に接続され
る。この接続状態は、パワー部のオン抵抗の検査時も同
様である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の構成では、
以下のような課題改善が要求されている。ＩＰＤは前述
のように、過電流検出、パワー部のオン抵抗の検査時、
ＩＣ部を動作させた状態で、パワー部にアンペア単位の
大電流を流す必要がある。このとき、素子をパッケージ
に組み込んだ状態とは異なり、ウエハ状態では各パッド
部分にニードルを電気的接続するため、ＧＮＤラインが
低抵抗で共通にならない、あるいはニードルより電気的
に接続される配線等により、大電流を流す状態におい
て、ＩＣ部へのノイズ影響が発生する。

【００１０】例えば、ウエハ検査のみに使用される、過
熱保護回路の検査パッドに電気的に接続されたニードル
より入りこむノイズは、常温においても、過熱保護回路
を電気的に過熱状態に変化させ、パワー部をオフの状態
にする。このような外部からのノイズによるＩＣ部の誤
動作により、過電流検出、パワー部のオン抵抗等の検査
ができなくなる。

【００１１】また、大電流を流すことによりニードル一
本当たりに占める電流値が増加し、このためニードルが
磨耗する。このとき、複数個存在するパワー部の動作が
アンバランスとなるため、それぞれのパワー部に電気的
に接続されたニードルに流れる電流値も多少の差を生ず
る。これらの電流値差の発生箇所は各チップにより異な
るため、複数個存在するパワー部の中から、電流値の多
いパワー部を特定することは不可能である。したがっ
て、磨耗の激しいニードルも特定できないため、ニード
ルの交換が容易ではない。

【００１２】また、ＩＰＤの場合、チップの電極とパッ
ケージのリードを電気的に接続させるワイヤーの本数が
多くなるため、一般的にワイヤーの材質はＡｇである。
一般的に単体のパワーデバイスのワイヤーとして使用さ
れるＡｌワイヤーに対して、Ａｇワイヤーはその径を小
さくすることができるため、電極パッドも小さく設計し
ている。したがって、ニードルも電極パッドのサイズに
応じた小さい径のものを使用しなくてはならず、ニード
ルの磨耗は著しく速い。逆にニードルの径を大きくすれ
ば、ニードルの電流容量は増大し磨耗は遅くなるが、そ
の分電極パッドのサイズを大きくする必要があり、チッ
プサイズの増大さらにはコストアップといった大きな課
題を生じることとなる。さらに、過電流検出、パワー部
のオン抵抗の検査は、ＩＰＤの検査内容の中で歩留まり
を決定する重要な項目の一つである。したがって、これ
らの項目の不良品をウエハ状態の検査で除去すること
が、不具合素子をパッケージに組み込むためにかかる不
要な費用の損失を低減することに結びつく。すなわち、
パッケージの検査による歩留まりを向上させ、コストの
低減をさせるには、上記のような過電流検出、パワー部
のオン抵抗を精度良くウエハ検査で行う必要がある。

【００１３】本発明の目的は、上記従来の課題を解決す
るもので、過電流検出検査やパワー部のオン抵抗の検査
等、ＩＣ部を動作させた状態でパワー部に大電流を流す
ウエハ検査において、大電流によるＩＣ部へのノイズの
影響を抑えて精度の良い検査を行うとともに、摩耗の著
しいニードルを特定してニードルの交換を容易にするＩ
ＰＤの検査方法を提供することである。

【００１４】さらに、本発明の他の目的は、チップサイ
ズの増大を抑えながら、ニードルの摩耗を低減すること
のできるＩＰＤの検査方法を提供することである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】請求項１記載のＩＰＤの
検査方法は、同一半導体チップ上に、パッドを有する構
成要素を複数並列に配置した大電力制御部（パワー部）
と、このパワー部を制御する集積回路部（ＩＣ部）とを
備えたＩＰＤを、ウエハ状態においてＩＣ部を動作させ
ながらパワー部の構成要素のパッドに検査探針（ニード
ル）を電気的接続して大電流を流して電気的検査をする
際、ニードルを複数のうちの一部の構成要素のパッドに
電気的接続して電気的検査を行い、その検査結果を、ニ
ードルを全部の構成要素のパッドに電気的接続したとき
の検査結果に換算することを特徴とする。

【００１６】この検査方法により、ＩＰＤにおける過電
流検出、パワー部のオン抵抗の検査のように、ＩＣ部を
動作させた状態で、パワー部にアンペア単位の大電流を
流すウエハ検査において、パッケージにおける検査と同
様、ＩＣ部へのノイズ影響が発生することなく精度の良
い測定値を得ることができる。その結果、パッケージ検
査における歩留まり向上が可能となり、パッケージ組立
て工程における損失が低減されるため、コスト低減が可
能となる。また、一部の構成要素のパッドに電気的接続
したニードルに大電流が流れて摩耗が著しくなるため、
磨耗するニードルを特定でき、ニードルの交換が容易と
なる。

【００１７】請求項２記載のＩＰＤの検査方法は、請求
項１記載のＩＰＤの検査方法において、ニードルと電気
的接続する複数のうちの一部の構成要素のパッドを他の
構成要素のパッドよりサイズを大きくしたＩＰＤを用い
ることを特徴とする。このように、ニードルと電気的接
続する複数のうちの一部の構成要素のパッドを他の構成
要素のパッドよりサイズを大きくしたことにより、大き
な径のニードルを使用することができ、ニードルの電流
容量増大による磨耗を低減することができる。なお、サ
イズを大きくするのは一部の構成要素のパッドのみであ
るため、ＩＰＤのチップサイズの増大を抑えることがで
きる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。図１（ａ）は本発明
の実施の形態における第１のＩＰＤの検査方法を示す図
であり、図１（ｂ）はその場合の過電流検出回路図であ
る。図１において、１０７はリードリレーであり、その
他の図１０と同一部分には同一符号を付している。

【００１９】図１で用いる第１のＩＰＤは、図１０と同
様、パッケージに組み込んだときに並列接続される複数
の構成要素である横型ＭＯＳ１０１〜１０４によりパワ
ー部が構成された電源用ＩＰＤであり、横型ＭＯＳ１０
１のドレイン電圧を内蔵のＩＣ部１０９で検知し、横型
ＭＯＳ１０１〜１０４のゲート電圧を下げる過電流保護
回路を有している。複数の横型ＭＯＳ１０１〜１０４の
それぞれは全く同一のものである。

【００２０】この第１のＩＰＤにおける横型ＭＯＳのブ
レークダウン電圧およびリーク電流の検査は、全ての横
型ＭＯＳ１０１〜１０４について測定する必要がある。
例えば、ＡＣ２２０Ｖ等のワールドワイドタイプの電源
用ＩＰＤはブレークダウン電圧が７００Ｖ以上必要であ
り、それを保証するために、例えば１００μＡ時の電圧
規格値７１５Ｖ以上、７００Ｖ時の電流規格値２０μＡ
以下で検査を行う。このとき、図７のような検査方法に
おいて、まず横型ＭＯＳ１０１、つぎに横型ＭＯＳ１０
２というように横型ＭＯＳを１個ずつ順に検査する方法
と、検査設備（以下、テスタと称す）内部のマトリック
スリレーを切り替える方法とが考えられる。しかしなが
ら、前者は特にブレークダウン電圧測定時には、電源の
切り替えに時間が必要であり、検査時間の長時間化が懸
念される。また、後者はドレインパッドからテスタ内部
の電源間に存在する浮遊のインダクタンスのため波形が
乱れ、測定精度が低下する。したがって、ニードル１０
８の近傍で横型ＭＯＳのドレインパッド１０５を共通に
電気的接続する必要がある。

【００２１】すなわち、図１（ａ）では、ブレークダウ
ン電圧およびリーク電流の検査時には、リードリレー１
０７をオンの状態にして、横型ＭＯＳ１０１〜１０４の
すべてのドレインパッド１０５をニードル１０８の近傍
で電気的に同一にするとともに、すべてのソースパッド
１０６をニードル１０８の近傍で電気的に同一にし、す
べての横型ＭＯＳ１０１〜１０４のブレークダウン電圧
およびリーク電流の検査を一度に行う。リードリレー１
０７には、横型ＭＯＳのブレークダウン電圧以上、例え
ば１５００Ｖの耐圧のリレーを用いる。

【００２２】つぎに、過電流値の検出検査の場合には、
リードリレー１０７をオフの状態にして、図１（ｂ）の
検出回路を実現し、内蔵のＩＣ部１０９と電気的に接続
されている横型ＭＯＳ１０１のみの過電流値の測定を行
い、その測定値を基に全体の過電流値に換算する。以
下、この方法について詳しく説明する。パワー部の複数
の横型ＭＯＳ１０１〜１０４は、パッケージに組み込ん
だときに並列接続される。この並列に接続されたデバイ
ス全体のオン抵抗をＲ_onとすると、ドレイン・ソース間
電圧Ｖ_d は、ドレイン・ソース間に流れる電流値をＩ_d
とし、 Ｖ_d ＝Ｒ_on×Ｉ_d の関係式で示される。ただし、オン抵抗は電流値に依存
するため、Ｉ_d 電流時のオン抵抗をＲ_onで示すものとす
る。

【００２３】したがって、内蔵のＩＣ部１０９で過電流
と判断する電圧をＶ_dpとすると、 Ｖ_dp＝Ｒ_on（Ｉ_dp）×Ｉ_dp が成り立つ。ここで、Ｉ_dpは過電流値を示し、その時の
オン抵抗をＲ_on（Ｉ_dp）とする。図１のように、全く同
一の横型ＭＯＳ１０１〜１０４から構成されるパワー部
を有するＩＰＤにおいては、ＩＣ部１０９と電気的に接
続されている横型ＭＯＳ１０１のみの過電流値Ｉ
_dp1 は、その時のオン抵抗値Ｒ_on（Ｉ_dp1 ）と、 Ｖ_dp＝Ｒ_on（Ｉ_dp1 ）×Ｉ_dp1 の関係式がある。ここで、同一の横型ＭＯＳ１０１〜１
０４をｎ個とすると、 ｎ＝Ｒ_on（Ｉ_dp1 ）／Ｒ_on（Ｉ_dp） Ｉ_dp＝ｎ×Ｉ_dp1 となり、１個の横型ＭＯＳ１０１のみの過電流値Ｉ_dp1
を測定することにより、全体の過電流値Ｉ_dpに換算する
ことが可能である。

【００２４】このように、過電流値の検査時は、リード
リレー１０７をオフの状態にし、内蔵のＩＣ部１０９と
電気的に接続されている横型ＭＯＳ１０１のみの過電流
値の測定を行う。この過電流値の測定は、従来同様、図
８のような検査回路を用いて、図９の負荷３１１（図
８）がインダクタンスの場合の過電流測定検査波形に示
すように、例えば、発振周波数１００ｋＨｚ，最大デュ
ーティ比６０％とすると、外部電源３１０のドレイン側
（プラス側）の電圧値を上昇させると、電流のピーク値
がある一定値のままデューティ比が減少する（図９の実
線から破線への移動で示す）。この時の電流のピーク値
が過電流値であり、この値をピークホールド回路３０
９、およびテスタ等により測定して、横型ＭＯＳ１０１
のみの過電流値Ｉ_dp1 を求め、さらに、上述のように全
体の過電流値Ｉ_dpに換算する。

【００２５】図２（ａ）は本発明の実施の形態における
第２のＩＰＤの検査方法を示す図であり、図２（ｂ）は
その場合の過電流検出回路図である。図２において、２
０１〜２０４はパワー部を構成する横型ＭＯＳ、２０５
はドレインパッド、２０６はソースパッド、２０７はセ
ンスＭＯＳ、２０８はセンス抵抗、２０９はＩＣ部、２
１０はＩＣ部２０９のＧＮＤに接続するパッド、２１１
はＩＣ部２０９を制御する入力信号を供給するパッドで
あり、１０７，１０８は図１同様、それぞれリードリレ
ー，ニードルである。

【００２６】図２で用いる第２のＩＰＤは、パッケージ
に組み込んだときに並列接続される複数の横型ＭＯＳ２
０１〜２０４によりパワー部が構成された電源用ＩＰＤ
であり、横型ＭＯＳ２０１にセンスＭＯＳ２０７を有
し、センスＭＯＳ２０７に流れるセンス電流からセンス
抵抗２０８により電圧変換し、過電流保護をかけてい
る。したがって、横型ＭＯＳ２０２〜２０４は同一であ
るが、センスＭＯＳ２０７を有する横型ＭＯＳ２０１
は、他の横型ＭＯＳ２０２〜２０４と比較し、ゲート幅
がセンスＭＯＳ２０７を有している分短くなっている。

【００２７】この第２のＩＰＤのウエハ状態における検
査においても、前述の第１のＩＰＤの場合と同様、ブレ
ークダウン電圧およびリーク電流の検査時には、リード
リレー１０７をオンの状態にして、すべての横型ＭＯＳ
２０１〜２０４のブレークダウン電圧およびリーク電流
の検査を一度に行う。また、過電流値の検査時には、リ
ードリレー１０７をオフの状態にし、横型ＭＯＳ２０１
のみの過電流値の測定を行い、全体の過電流値に換算す
る。この換算式が第１のＩＰＤの場合とは異なるので、
以下に説明する。

【００２８】センスＭＯＳ２０７を有する横型ＭＯＳ２
０１は、他の横型ＭＯＳ２０２〜２０４と比較し、ゲー
ト幅がセンスＭＯＳ２０７を有している分短くなる。し
たがって、センスＭＯＳ２０７のゲート幅をＷ_g(sen)、
センスＭＯＳ２０７を有する横型ＭＯＳ２０１のゲート
幅をＷ_g1、デバイス全体のゲート幅をＷ_g 、デバイス全
体の過電流値をＩ_dp、横型ＭＯＳ２０１のみ動作させた
ときの過電流値をＩ_{dp 1} とすると、 Ｉ_dp：Ｉ_dp1 ＝（Ｗ_g ＋Ｗ_g(sen)）：（Ｗ_g1＋
Ｗ_g(sen)） の関係がある。これより、 Ｉ_dp＝Ｉ_dp1 ×（Ｗ_g ＋Ｗ_g(sen)）／（Ｗ_g1＋
Ｗ_g(sen)） の関係式が成り立ち、センスＭＯＳ２０７を有する横型
ＭＯＳ２０１のみの過電流値Ｉ_dp1 を測定することによ
って、デバイスの過電流値Ｉ_dpに換算できる。なお、前
述した第１のＩＰＤの場合には、上記式において、Ｗ
_g(sen)＝０、ｎ×Ｗ _g1＝Ｗ_g としたことになる。

【００２９】つぎに、第１および第２のＩＰＤにおける
パワー部のオン抵抗の検査方法について説明する。図３
はオン抵抗の検査回路図であり、３０１は検査対象であ
るウエハ状態でのＩＰＤ、３０２，３０４は出力端子で
あるソース端子，ドレイン端子、３０３はＩＣ部のＧＮ
Ｄ（グラウンド）端子、３０５はＩＣ部を制御するため
の外部電源、３０６は外部電源、３０７は抵抗負荷、３
０８は電流計、３０９は電圧計である。また、図４はオ
ン抵抗の検査波形図であり、ドレイン・ソース間電圧を
示す。

【００３０】第１のＩＰＤを検査対象のＩＰＤ３０１と
し、デバイス全体のオン抵抗Ｒ_onを検査する場合も、過
電流値の検査の場合と同様、リードリレー１０７をオフ
の状態にし、横型ＭＯＳ１０１のみに電流を流す。そし
て、横型ＭＯＳ１０１のオン時の抵抗成分であるドレイ
ン・ソース間電圧Ｖ_d1（図４）を測定し、横型ＭＯＳ１
０１のオン抵抗を求める。デバイス全体のゲート幅と、
横型ＭＯＳ１０１のゲート幅との比により、横型ＭＯＳ
１０１のオン抵抗からデバイス全体のオン抵抗Ｒ_onを換
算する。第２のＩＰＤのオン抵抗Ｒ_onを検査する場合も
同様である。

【００３１】以上のようにこの実施の形態によれば、過
電流検出、パワー部のオン抵抗の検査のように、ＩＣ部
１０９，２０９を動作させた状態で、パワー部にアンペ
ア単位の大電流を流す検査においては、リードリレー１
０７をオフに切り替えて、横型ＭＯＳ１０１，２０１の
みに電流を流すことにより、パッケージにおける検査と
同様、ウエハ検査においても、ＩＣ部１０９，２０９へ
のノイズ影響が発生することなく精度の良い測定値を得
ることができる。このことにより、パッケージ検査にお
ける歩留まり向上が可能となり、パッケージ組立て工程
における損失が低減されるため、コスト低減が可能とな
る。

【００３２】また、リードリレー１０７をオフにしたと
きには、横型ＭＯＳ１０１，２０１のパッド（１０５・
１０６，２０５・２０６）と電気的に接続されているニ
ードル１０８にのみ電流が流れることとなり、このニー
ドル１０８が最も磨耗、酸化が激しくなる。このように
磨耗の激しいニードルを特定でき、ニードルの交換が容
易となる。

【００３３】なお、上記実施の形態では、過電流および
オン抵抗の測定時に電流を流す横型ＭＯＳを１個の横型
ＭＯＳ１０１，２０１のみとしたが、１個に限らず、Ｉ
Ｃ部１０９への影響が少なく、ニードル１０８の交換を
容易にできる個数であればよく、また、この個数は電流
値のトータルが数１００ｍＡ以下となるように設定する
のが適当である。これは、リードリレー１０７の位置を
変更することで容易に実現できる。

【００３４】また、図５に示すように、例えば第１のＩ
ＰＤにおいて、過電流およびオン抵抗の測定時に電流を
流す横型ＭＯＳ１０１のドレインパッド５０１およびソ
ースパッド５０２のみボンディングパッドサイズを大き
くし、それに接続するニードル５０３および５０４の径
を大きくすることにより、横型ＭＯＳ１０１に接続され
るニードル５０３および５０４の電流容量増大による磨
耗を低減し、寿命を長くすることができる。従来のパッ
ケージ品において、ボンディングパッドとパッケージの
リード間を電気的に接続するワイヤには、例えば直径３
０μｍのＡｇワイヤを使用し、パッドサイズは１００μ
ｍ×１００μｍのサイズである。したがって、ニードル
の直径はパッドサイズの約半分の６０μｍ必要であり、
その電流容量は３５０ｍＡである。そこで、過電流およ
びオン抵抗の測定時に電流を流すドレイン，ソースパッ
ド５０１，５０２のパッドサイズを２００μｍ×２００
μｍとし、それに接続されるニードル５０３および５０
４として従来の２倍の径を持つ直径１２０μｍのニード
ルを使用することにより、ニードルの寿命は、図６に示
すように、従来に比べて約４倍となり、大きな効果があ
った。なお、図５では、パッドサイズを大きくするのは
過電流およびオン抵抗の測定時に電流を流す横型ＭＯＳ
１０１のパッドのみであるため、チップサイズ増大への
影響は極めて小さい。

【００３５】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、同一半導
体チップ上に、パッドを有する構成要素を複数並列に配
置した大電力制御部（パワー部）と、このパワー部を制
御する集積回路部（ＩＣ部）とを備えたＩＰＤを、ウエ
ハ状態においてＩＣ部を動作させながらパワー部の構成
要素のパッドに検査探針（ニードル）を電気的接続して
大電流を流して電気的検査をする際、ニードルを複数の
うちの一部の構成要素のパッドに電気的接続して電気的
検査を行い、その検査結果を、ニードルを全部の構成要
素のパッドに電気的接続したときの検査結果に換算する
ことにより、ＩＰＤにおける過電流検出、パワー部のオ
ン抵抗の検査のように、ＩＣ部を動作させた状態で、パ
ワー部にアンペア単位の大電流を流すウエハ検査におい
て、パッケージにおける検査と同様、ＩＣ部へのノイズ
影響が発生することなく精度の良い測定値を得ることが
できる。その結果、パッケージ検査における歩留まり向
上が可能となり、パッケージ組立て工程における損失が
低減されるため、コスト低減が可能となる。また、一部
の構成要素のパッドに電気的接続したニードルに大電流
が流れて摩耗が著しくなるため、磨耗するニードルを特
定でき、ニードルの交換が容易となる。

【００３６】また、ニードルと電気的接続する複数のう
ちの一部の構成要素のパッドを他の構成要素のパッドよ
りサイズを大きくしたことにより、大きな径のニードル
を使用することができ、ニードルの電流容量増大による
磨耗を低減することができる。なお、サイズを大きくす
るのは一部の構成要素のパッドのみであるため、ＩＰＤ
のチップサイズの増大を抑えることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の実施の形態における第１のＩ
ＰＤの検査方法を示す図、（ｂ）はその検査方法におけ
る過電流検出回路図である。

【図２】（ａ）は本発明の実施の形態における第２のＩ
ＰＤの検査方法を示す図、（ｂ）はその検査方法におけ
る過電流検出回路図である。

【図３】本発明の実施の形態におけるオン抵抗の検査回
路図である。

【図４】本発明の実施の形態におけるオン抵抗の検査波
形図である。

【図５】本発明の実施の形態において第１のＩＰＤの一
部のドレイン，ソースパッドを大きくした場合の検査方
法を示す図である。

【図６】図５の場合の効果を示す図である。

【図７】ドレインパッドをニードル近傍で電気的に接続
しない検査方法を示す図である。

【図８】従来例における過電流検出の検査回路図であ
る。

【図９】図８の過電流検出の検査波形図である。

【図１０】従来例における過電流検出の検査方法を示す
図である。

【符号の説明】

１０１〜１０４ 横型ＭＯＳ（横型電界効果トランジ
スタ） １０５ ドレインパッド １０６ ソースパッド １０７ リードリレー １０８ ニードル（検査探針） １０９ ＩＣ部 ２０１〜２０４ 横型ＭＯＳ（横型電界効果トランジ
スタ） ２０５ ドレインパッド ２０６ ソースパッド ２０７ センスＭＯＳ ２０８ センス抵抗 ２０９ ＩＣ部 ５０１ ドレインパッド ５０２ ソースパッド ５０３，５０４ ニードル（検査探針）

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 同一半導体チップ上に、パッドを有する
   構成要素を複数並列に配置した大電力制御部と、この大
   電力制御部を制御する集積回路部とを備えた集積回路内
   蔵大電力モノリシック半導体装置を、ウエハ状態におい
   て前記集積回路部を動作させながら前記大電力制御部の
   前記構成要素のパッドに検査探針を電気的接続して大電
   流を流して電気的検査をする際、 前記検査探針を複数のうちの一部の前記構成要素のパッ
   ドに電気的接続して電気的検査を行い、その検査結果
   を、前記検査探針を全部の前記構成要素のパッドに電気
   的接続したときの検査結果に換算することを特徴とする
   集積回路内蔵大電力モノリシック半導体装置の検査方
   法。
2. 【請求項２】 検査探針と電気的接続する複数のうちの
   一部の構成要素のパッドを他の前記構成要素のパッドよ
   りサイズを大きくした集積回路内蔵大電力モノリシック
   半導体装置を用いることを特徴とする請求項１記載の集
   積回路内蔵大電力モノリシック半導体装置の検査方法。